Dissertations / Theses: 'Chalkogene'

1

Sommer, Heino-Harald. "Synthese und Strukturen chalkogenverbrückter heterometallischer Bismutverbindungen." Göttingen Cuvillier, 2008. http://d-nb.info/99160489X/04.

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2

Ruf, Reiner. "Synthese und Eigenschaften von Additionsverbindungen des 2,2-Dimethylpropylidinphosphans." [S.l. : s.n.], 2000. http://www.bsz-bw.de/cgi-bin/xvms.cgi?SWB9684808.

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3

Baumann, Alexander. "Untersuchungen zur Reaktivität von Chalkogen-Polykation-Hexachlorozirkonaten und -hafnaten Darstellung und Charakterisierung neuer diskreter und polymerer Chalkogen-Polykationen /." [S.l. : s.n.], 1998. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=956665586.

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4

Scherr, Matthias. "Beiträge zur Chemie der energetischen Chalkogen-Verbindungen." Diss., lmu, 2008. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:19-91896.

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5

Nitschke, Christian. "Synthese und Strukturaufklärung oberflächenfuntionalisierter Münzmetall-Chalkogen-Cluster /." Göttingen : Cuvillier, 2006. http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&doc_number=015791844&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA.

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6

Scherr, Matthias. "Beiträge zur Chemie der energetischen Chalkogen-Verbindungen." kostenfrei, 2008. http://edoc.ub.uni-muenchen.de/9189/.

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7

Wagner, Christian. "Ternäre Verbindungen von Ruthenium mit Chalkogenen und Halogenen." [S.l. : s.n.], 2000. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=96124030X.

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8

Greulich-Weber, Siegmund [Verfasser]. "ENDOR-Untersuchungen an Chalkogenen in Silizium / Siegmund Greulich-Weber." Paderborn : Universitätsbibliothek, 1987. http://d-nb.info/1036424278/34.

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9

Lux, Karin. "Organo-Phosphor-Chalkogenide und Elektronenreiche Phosphane." Diss., lmu, 2010. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:19-117246.

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10

Knitter, Stefanie. "Chemischer Transport von Chalkogeniden unter Berücksichtigung spezieller Verfahren zur Kontrolle und Optimierung des Transportprozesses und des Kristallwachstums /." [S.l. : s.n.], 2000. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=958881758.

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11

Schön, Oliver. "Organophosphorchalkogenide erste Phosphor-Chalkogen-Kationen, neue Heterocyclen und Selenophosphonate /." [S.l.] : [s.n.], 2007. http://edoc.ub.uni-muenchen.de/archive/00006544.

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Hohenecker, Stefan. "Chalcogen modification of GaAs(100) surfaces and metal/GaAs(100) contacts." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2002. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200200268.

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Abstract:

Der Einfluss der Modifikation der technologisch relevanten GaAs(100) Oberfläche durch Chalkogene, i.e. Selen, Schwefel und Tellur, wird in dieser Arbeit untersucht. Es wird ein Modell vorgestellt, das die Eigenschaften der modifizierten Oberfläche beschreibt. In einem zweiten Schritt werden die so modifizierten Oberflächen mit Metallen unterschiedlicher Reaktivität und verschiedenen Elektronegativitäten bedampft. Die Bandbreite dieser Eigenschaften wird durch die Metalle Indium und Silber, das Alkalimetall Natrium, das Erdalkalimetall Magnesium und das Halbmetall Antimon abgebildet. Die Untersuchung des Einflusses der Chalkogene auf die chemischen Eigenschaften und die Barrierenhöhe der Metall/GaAs(100) Grenzfläche bilden einen weiteren Schwerpunkt. Die Änderung der Barrierenhöhe wird dabei mit Hilfe des Modells metallinduzierter Bandlückenzustände (metal induced gap states) erklärt. Als experimentelle Techniken werden Photoemissionsspektroskopie, Raman Spektroskopie und Strom-Spannungsmessungen verwendet
The influence of a modification of the technological relevant GaAs(100) surface by chalcogens, i.e. selenium, sulphur and tellurium, is evaluated in this work. A model is proposed, which describes the properties of the modified surface. In a second step metals of different reactivity and electronegativity have been evaporated onto these modified surfaces. Among these materials were the metals indium and silver, the alkali metal sodium, the earth alkali metal magnesium and the half metal antimony. The investigation of the influence of chalcogens on the chemical properties and the barrier height of the metal/GaAs(100) interface is another point of interest. The change in barrier height is explained by the model of metal induced gap states (MIGS). Photoemission spectroscopy, Raman spectroscopy and current-voltage-measurement have been used as experimental techniques

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Lippert, Sina Catherine [Verfasser], and Martin [Akademischer Betreuer] Koch. "Optische Spektroskopie an Chalkogenen und Porphyrinen / Sina Catherine Lippert ; Betreuer: Martin Koch." Marburg : Philipps-Universität Marburg, 2018. http://d-nb.info/1161846018/34.

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14

Peilstöcker, Jan [Verfasser]. "Synthese und Strukturierung von Chalkogenid-basierten Thermoelektrika / Jan Peilstöcker." Gießen : Universitätsbibliothek, 2020. http://d-nb.info/121998308X/34.

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15

Hohenecker, Stefan. "Chalcogen modification of GaAs(100) surfaces and metal/GaAs(100) contacts." Doctoral thesis, ISBN 3-8265-9907-1, 2001. https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A17805.

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Abstract:

Der Einfluss der Modifikation der technologisch relevanten GaAs(100) Oberfläche durch Chalkogene, i.e. Selen, Schwefel und Tellur, wird in dieser Arbeit untersucht. Es wird ein Modell vorgestellt, das die Eigenschaften der modifizierten Oberfläche beschreibt. In einem zweiten Schritt werden die so modifizierten Oberflächen mit Metallen unterschiedlicher Reaktivität und verschiedenen Elektronegativitäten bedampft. Die Bandbreite dieser Eigenschaften wird durch die Metalle Indium und Silber, das Alkalimetall Natrium, das Erdalkalimetall Magnesium und das Halbmetall Antimon abgebildet. Die Untersuchung des Einflusses der Chalkogene auf die chemischen Eigenschaften und die Barrierenhöhe der Metall/GaAs(100) Grenzfläche bilden einen weiteren Schwerpunkt. Die Änderung der Barrierenhöhe wird dabei mit Hilfe des Modells metallinduzierter Bandlückenzustände (metal induced gap states) erklärt. Als experimentelle Techniken werden Photoemissionsspektroskopie, Raman Spektroskopie und Strom-Spannungsmessungen verwendet.
The influence of a modification of the technological relevant GaAs(100) surface by chalcogens, i.e. selenium, sulphur and tellurium, is evaluated in this work. A model is proposed, which describes the properties of the modified surface. In a second step metals of different reactivity and electronegativity have been evaporated onto these modified surfaces. Among these materials were the metals indium and silver, the alkali metal sodium, the earth alkali metal magnesium and the half metal antimony. The investigation of the influence of chalcogens on the chemical properties and the barrier height of the metal/GaAs(100) interface is another point of interest. The change in barrier height is explained by the model of metal induced gap states (MIGS). Photoemission spectroscopy, Raman spectroscopy and current-voltage-measurement have been used as experimental techniques.

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Heerwig, Andreas. "Lokale und globale Beweglichkeit von Kupfer(I)-Ionen in Bismut-Chalkogen-Halogen-Netzwerken." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2011. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-70322.

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Abstract:

Die Systeme CuBiQX (Q = S, Se; X = Cl, Br, I) konnten um zahlreiche Verbindungen erweitert werden. Den meisten dieser Materialien ist ein rigides Netzwerk der Anionenpolyeder um die Bismutkationen gemein. Der Majorität der Verbindungen ist außerdem zumindest eine lokale Beweglichkeit der Kupfer(I)-Ionen immanent. Diese konnte sowohl mittels isotroper Verfeinerungen als auch durch harmonisch und anharmonisch verfeinerte und mittels JPDF zusammengefasste Elektronendichten nachgewiesen werden. Hieraus waren Berechnungen der Potentiale, der Potentialbarrieren und deren Fehler möglich.

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Renken, Oeltje Diedrich Maximilian Friedrich Erich Felix [Verfasser]. "Strukturwandel von Chalkogen-Polykationen unter Druck / Oeltje Diedrich Maximilian Friedrich Erich Felix Renken." Bonn : Universitäts- und Landesbibliothek Bonn, 2019. http://d-nb.info/1198933801/34.

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Renken, Oeltje [Verfasser]. "Strukturwandel von Chalkogen-Polykationen unter Druck / Oeltje Diedrich Maximilian Friedrich Erich Felix Renken." Bonn : Universitäts- und Landesbibliothek Bonn, 2019. http://d-nb.info/1198933801/34.

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Meienberger, Marc Daniel. "Synthese, Struktur, Stabilität und Reaktivität von polynuklearen Molybdän-Chalkogenid-Komplexen /." [S.l.] : [s.n.], 1995. http://e-collection.ethbib.ethz.ch/show?type=diss&nr=11111.

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20

Pelka, Axel [Verfasser]. "Struktur-Variabilität durch Wirt-Gast-Wechselwirkung in Verbindungen mit Quecksilber-Chalkogen-Netzwerken / Axel Pelka." Bonn : Universitäts- und Landesbibliothek Bonn, 2015. http://d-nb.info/1080864482/34.

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Langer, Robert [Verfasser], and D. [Akademischer Betreuer] Fenske. "Synthese und Charakterisierung von Münzmetall-Chalkogen-Clustern mit funktionalisierter Ligandenhülle / Robert Langer. Betreuer: D. Fenske." Karlsruhe : KIT-Bibliothek, 2009. http://d-nb.info/1014220874/34.

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Siol, Sebastian [Verfasser], Wolfram [Akademischer Betreuer] Jaegermann, and Wolfgang [Akademischer Betreuer] Ensinger. "Kupfer-Chalkogenide für photovoltaische Anwendungen / Sebastian Siol. Betreuer: Wolfram Jaegermann ; Wolfgang Ensinger." Darmstadt : Universitäts- und Landesbibliothek Darmstadt, 2014. http://d-nb.info/111090312X/34.

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Anusca, Irina. "Neue Shandite und Parkerite : Darstellung und röntgenographische Charakterisierung." kostenfrei, 2008. http://www.opus-bayern.de/uni-regensburg/volltexte/2009/1047/.

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24

Fischer, Viktor [Verfasser]. "Synthese von grenzflächenaktiven Monomeren zur Herstellung von funktionalen Metall-Chalkogenid, Polymer-Hybridnanopartikeln / Viktor Fischer." Mainz : Universitätsbibliothek Mainz, 2013. http://d-nb.info/1036534928/34.

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25

Mond, Michael [Verfasser]. "Cr2+-dotierte Chalkogenide - Neue durchstimmbare Festkörperlaser und passive Güteschalter im mittleren infraroten Spektralbereich / Michael Mond." Aachen : Shaker, 2003. http://d-nb.info/1172611653/34.

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Küpers, Michael [Verfasser], Richard [Akademischer Betreuer] Dronskowski, and Iris Marga [Akademischer Betreuer] Oppel. "Zur Synthese und Kristallstruktur schichtartiger Chalkogenide der Hauptgruppenmetalle / Michael Küpers ; Richard Dronskowski, Iris Marga Oppel." Aachen : Universitätsbibliothek der RWTH Aachen, 2019. http://d-nb.info/1193256046/34.

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Loor, Manuel [Verfasser], and Stephan [Akademischer Betreuer] Schulz. "Synthese von thermoelektrischen Gruppe 15 Chalkogenid Nanopartikeln in Ionischen Flüssigkeiten / Manuel Loor ; Betreuer: Stephan Schulz." Duisburg, 2019. http://d-nb.info/1191691721/34.

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28

Schurz, Christian M. [Verfasser]. "Über Nitridhalogenide und -chalkogenide der Seltenerdmetalle: Synthese, Kristallstrukturen, optische Spektroskopie und oxidische Derivate / Christian Schurz." München : Verlag Dr. Hut, 2011. http://d-nb.info/1015605265/34.

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29

Schlosser, Marc. "Zur Mikro- und Nanostruktur der neuen ternären Chalkogenide RbIn3S5, CsIn3S5 und K2In12Se19 Präparation, Röntgenstrukturanalyse und Elektronenmikroskopie /." [S.l. : s.n.], 2005. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=974074497.

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Koeckerling, Martin Dr rer nat. "Über metallreiche Halogenide und Chalkogenide früher Übergangsmetalle - Metal-rich halides and chalcogenides of early transition elements." Gerhard-Mercator-Universitaet Duisburg, 2001. http://www.ub.uni-duisburg.de/ETD-db/theses/available/duett-09112001-094019/.

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Abstract:

This habilitation thesis describes the syntheses and characterizations of mostly new metal-rich cluster compounds of early transition elements. It is devided into 4 parts. The first part describes the syntheses and solid-state X-ray structures of a total of 14 mixed-halide (iodide-chloride) zirconium cluster phases, which crystallize in 9 different (some novel) structure types. All these cluster phases contain octahedral Zr6Z-units that are centered by an interstitial atom Z. Phase widths and relations between the differend structure types are discussed. The second part deals with molecular (soluble) zirconium cluster phases which are excised from solid-state precursors. It is shown that liquid mixtures of 1,3-dialkylimidazolium bromide and AlBr3 as well as molten 18-crown-6 are useful solvents for molecular zirconium cluster compounds. The syntheses and single crystal X-ray structures of 3 new materials are detailed. Furthermore, from the reaction of an iron containing Zr-cluster phase with KSCN crystals have been obtained from which a single crystal X-ray structure analysis shows that they contain a high symmetry Fe-cubane cluster. The third part of this thesis is concerned with theoretical investigations (Extended-Hckel band structure calculations) of a series of monoclinic phases which contain double-octahedral chains of rare earth metal clusters of the general formula RE3I3Z (RE = rare-earth metal atoms). The results of the electronic band structure calculations show that the observed structural variations within this series depend largely on the difference of the orbital energies of the rare earth metals and the interstitials. In the last part the phase pure synthesis of Nb21S8 and measurements of physical properties (electrical conductivity and magnetical susceptibility) as well as results from electronic band structure calculations (LMTO) are described. The property measurements show that this metal rich sulfide becomes superconducting below 3.7(2) K. The results from the electronic band structure calculations indicate the existence of an arrangement of electronic levels ("fingerprint") which favors the formation of superconducting Cooper pairs.

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Reso, Denis [Verfasser], Edmund P. [Akademischer Betreuer] Burte, and Frank T. [Akademischer Betreuer] Edelmann. "Chemische Gasphasenabscheidung von Germanium-Chalkogen-Verbindungen für die Verwendung in nichtflüchtigen Festkörperspeichern / Denis Reso. Betreuer: Edmund P. Burte ; Frank T. Edelmann." Magdeburg : Universitätsbibliothek, 2013. http://d-nb.info/105413538X/34.

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32

Person, Helmut. "Zur Kristallstruktur und elektronischen Struktur neuer Verbindungen im System Lanthanid-Titan-Chalkogen-Iod mit einem Beitrag über Pr2Se[SiO4] und Sm2Te[SiO4] /." [S.l. : s.n.], 2002. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=965445496.

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Heerwig, Andreas [Verfasser], Michael [Akademischer Betreuer] Ruck, and Rüdiger [Akademischer Betreuer] Kniep. "Lokale und globale Beweglichkeit von Kupfer(I)-Ionen in Bismut-Chalkogen-Halogen-Netzwerken / Andreas Heerwig. Gutachter: Michael Ruck ; Rüdiger Kniep. Betreuer: Michael Ruck." Dresden : Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2011. http://d-nb.info/1067189513/34.

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Poudeu, Poudeu Pierre Ferdinand. "Quaternary Silver Bismuth Chalcogenide Halides Ag - Bi - Q - X (Q = S, Se; X = Cl, Br): Syntheses and Crystal Structures." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2004. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1075806094921-44623.

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Abstract:

Systematic synthetic investigations of the quaternary systems Ag - Bi - Q - X (Q = S, Se; X = Cl, Br) led to a variety of quaternary phases that exhibit considerable structural diversity with increasing complexity. These include Ag1.2Bi17.6S23Cl8, AgBi4Se5Br3 and numerous members of the homologous double series Agx(N+1)Bi2+(1-x)(N+1)Q2+(2-2x)(N+1)X2+(2x-1)(N+1) denoted (N, x)P. N represents the order number of a given homologue and x is the degree of substitution of Bi by Ag with 1/2 <= x <= 1. Their structures are built up from two alternating types of modules denoted A and B that are stacked parallel to (001). In module A, rows of edge-sharing [MZ6] octahedra (Z = X and/or Q); M = Ag and/or Bi) running parallel to [010] alternate along [100] with parallel chains of paired monocapped trigonal prisms around Bi atoms. The module type denoted B represents NaCl-type fragments of varying thickness. It is defined by the number N of octahedra within the chain of edge-sharing octahedra running diagonally across it in the (010) plane of the structure. The thickness of module B for current members of the series extends from N = 0 to N = 7. All structures exhibit Ag/Bi disorder in octahedrally coordinated metal positions and Q/X (Q = S, Se; X = Cl, Br) mixed occupation of some anion positions. Some of these compounds are narrow gap semiconductors.

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Baumer, Franziska [Verfasser], Tom [Akademischer Betreuer] Nilges, Thomas [Gutachter] Brück, and Tom [Gutachter] Nilges. "Synthese, Struktur und Eigenschaften halbleitender Pniktide, Chalkogenide und inverser Clathrate / Franziska Baumer ; Gutachter: Thomas Brück, Tom Nilges ; Betreuer: Tom Nilges." München : Universitätsbibliothek der TU München, 2017. http://d-nb.info/1165227290/34.

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Giller, Malte [Verfasser], Tom [Akademischer Betreuer] Nilges, and Thomas [Akademischer Betreuer] Brück. "Untersuchung und Charakterisierung des Phasengebietes M-Q-X (M = Ag, Cu; Q = Chalkogen; X = Halogen) / Malte Giller. Gutachter: Tom Nilges ; Thomas Brück. Betreuer: Tom Nilges." München : Universitätsbibliothek der TU München, 2014. http://d-nb.info/1076359477/34.

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37

Poudeu, Poudeu Pierre Ferdinand. "Quaternary Silver Bismuth Chalcogenide Halides Ag - Bi - Q - X (Q = S, Se; X = Cl, Br): Syntheses and Crystal Structures." Doctoral thesis, Technische Universität Dresden, 2003. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A24299.

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Abstract:

Systematic synthetic investigations of the quaternary systems Ag - Bi - Q - X (Q = S, Se; X = Cl, Br) led to a variety of quaternary phases that exhibit considerable structural diversity with increasing complexity. These include Ag1.2Bi17.6S23Cl8, AgBi4Se5Br3 and numerous members of the homologous double series Agx(N+1)Bi2+(1-x)(N+1)Q2+(2-2x)(N+1)X2+(2x-1)(N+1) denoted (N, x)P. N represents the order number of a given homologue and x is the degree of substitution of Bi by Ag with 1/2 <= x <= 1. Their structures are built up from two alternating types of modules denoted A and B that are stacked parallel to (001). In module A, rows of edge-sharing [MZ6] octahedra (Z = X and/or Q); M = Ag and/or Bi) running parallel to [010] alternate along [100] with parallel chains of paired monocapped trigonal prisms around Bi atoms. The module type denoted B represents NaCl-type fragments of varying thickness. It is defined by the number N of octahedra within the chain of edge-sharing octahedra running diagonally across it in the (010) plane of the structure. The thickness of module B for current members of the series extends from N = 0 to N = 7. All structures exhibit Ag/Bi disorder in octahedrally coordinated metal positions and Q/X (Q = S, Se; X = Cl, Br) mixed occupation of some anion positions. Some of these compounds are narrow gap semiconductors.

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Merget, Florian. "Grundlagenuntersuchungen zum elektrisch induzierten Phasenwechsel und Entwicklung lateraler Phasenwechselspeicherbauelemente /." Aachen : Shaker, 2008. http://d-nb.info/990412822/04.

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Hartnauer, Stefan [Verfasser], Roland [Akademischer Betreuer] Scheer, Hans [Akademischer Betreuer] Roggendorf, and Susan [Akademischer Betreuer] Schorr. "Phasenbildung am System Cu-Zn-Sn-(In,Ga)-S-Se untersucht mit Echtzeitmethoden für Chalkogenid-Dünnschichtsolarzellen / Stefan Hartnauer ; Roland Scheer, Hans Roggendorf, Susan Schorr." Halle, 2016. http://d-nb.info/1124841210/34.

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Guggolz, Lukas Marius [Verfasser], and Stefanie [Akademischer Betreuer] Dehnen. "Quantenchemische Untersuchungen zu Stabilitäten und Reaktivitäten binärer Zintl-Anionen und intermetalloider Cluster und zu organisch funktionalisierten Münzmetall-Chalkogenid-Clustern / Lukas Marius Guggolz ; Betreuer: Stefanie Dehnen." Marburg : Philipps-Universität Marburg, 2019. http://d-nb.info/119953742X/34.

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41

Czulucki, Andreas. "Struktur-/Eigenschafts-Beziehungen in ternären Übergangs- und Seltenerdmetall-Pniktid-Chalkogeniden." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2010. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-33354.

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Abstract:

Ziel dieser Arbeit war es, Beziehungen zwischen den kristallchemischen Eigenschaften und dem beobachteten anomalen Verhalten im spezifischen elektrischen Widerstand (nicht-magnetischer Kondo-Effekt) aufzuzeigen und zusammenhängend zu interpretieren. Verbindungen, an denen dieser Effekt beobachtet wurde, werden aus einem Übergangs-, oder Actinidmetall mit je einem Vertreter der 15. (Pniktogene) und 16. Gruppe (Chalkogene) des Periodensystems gebildet und kristallisieren im PbFCl-Strukturtyp. Da zu ternären Actinidmetall-Pniktid-Chalkogeniden (z.B. ThAsSe, UPS) nur sehr wenige chemische und kristallographische Informationen existieren, wurden in dieser Arbeit umfassende Untersuchungen zur Kristallchemie ternärer Phasen aus den Systemen M-Pn-Q (M = Zr, Hf, La-Ce; Pn = As, Sb; Q = Se, Te durchgeführt. Der Schwerpunkt lag dabei auf der strukturellen Lokalisierung der beobachteten Widerstandsanomalie und der Erarbeitung chemisch-physikalischer Eigenschaftsbeziehungen. Die Darstellung der untersuchten ternären Phasen in Form von Einkristallen gelang über exothermen Chemischen Transport mit Jod. Da die erhaltenen Kristalle bis zu mehreren Millimetern groß sind, konnten an ein und demselben Kristallindividuum sowohl die stoffliche Charakterisierung (EDXS, WDXS, ICP-OES, LA-ICP-MS, CIC) und die strukturelle Charakterisierung, als auch die Messung der physikalischen Eigenschaften erfolgen. Es konnte u.a. gezeigt werden, dass ZrAs1,4Se0,5 und HfAs1,7Se0,2 ein ähnlich ungewöhnliches Verhalten im temperaturabhängigen elektrischen Widerstand zeigen, welches bereits an Thorium-Arsenid-Seleniden und Uran-Phosphid-Sulfiden beobachtet wurde. Desweiteren gelang es den beobachteten Verlauf im elektrischen Widerstand, mit seinem Minium bei etwa T = 15 K, auf intrinsische strukturelle Merkmale in der anionischen Arsen-Teilstruktur zurückzuführen
The aim of this work was, to evaluate and interpret a relationship between the crystal-chemical properties and the observed unusual behavior in the electrical resistivity (non-magnetic Kondo-effect). Compounds, which show such an effect, are formed by a transition- or actinide-metal with both a group 15 element and a group 16 element of the periodic table. All these compounds crystallizing in the PbFCl type of structure. Because of less crystallographic and chemical information about actinide-metal-pnictide-chalcogenides (i.e. ThAsSe, UPS), intensive investigation were made concerning the crystal-chemistry of ternary phases of the systems M-Pn-Q (M = Zr, Hf, La-Ce; Pn = As, Sb; Q = Se, Te. Our studies were focused on the structurally localization of the observed anomaly in the electrical resistivity and the evaluation of chemical-physical relations of properties. The synthesis of the investigated ternary phases was realized by exothermically Chemical Transport with iodine as transport agent. The dimension of the synthesized crystals allowed a chemical (EDXS, WDXS, ICP-OES, LA-ICP-MS, CIC) and structurally characterization, as well as a determination of the physical properties on one large single crystal. It could be shown, that ZrAs1,4Se0,5 and HfAs1,7Se0,2 reveal a similar unusual behavior in the temperature dependent electrical resistivity, as it was observed in thorium-arsenide-selenides and uranium-phosphide-sulphides. In conclusion, the non-magnetic Kondo-effect, which was found in the low-temperature range (about 15 K), arises from structurally features of the anionic sublattice with arsenic

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Wang, Rui Ning. "Epitaxial growth and characterization of GeTe and GeTe/Sb2Te3 superlattices." Doctoral thesis, Humboldt-Universität zu Berlin, 2017. http://dx.doi.org/10.18452/18135.

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Abstract:

Die epitaktische Wachstum von GeTe Dünnschichten und Sb2Te3/GeTe Übergittern durch Molekularstrahlepitaxie wird auf drei verschiedenen Silizium Oberflächen gezeigt: Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, und Si(111)−(1×1)−H. Mit Röntgenstrukturanalyse wird bewiesen, dass die epitaktische Beziehung der GeTe Schicht von der Oberflächepassievierung abhängig ist; auf einer passivierten Fläche können verdrehte Domänen unterdrückt sein. Dieses Verhalten ähnelt dem, welches bei 2D Materialien zu erwarten wäre, und wird auf die Schwäche der Resonanten ungebundenen Zustände zurückgeführt, die durch Peierls Verzerrung noch schwächer werden.
The growth by molecular beam epitaxy of GeTe and Sb2Te3/GeTe superlattices on three differently reconstructed Si(111) surfaces is demonstrated. Namely, these are the Si(111)−(7×7), Si(111)−(√3×√3)R30°−Sb, and Si(111)−(1×1)−H reconstructions. Through X-ray diffraction, the epitaxial relationship of GeTe is shown to depend on the passivation of the surface; in-plane twisted and twinned domains could be suppressed on a passivated surface. This behavior which resembles what would be expected from lamellar materials, is attributed to the relative weakness of resonant dangling bonds, that are further weakened by Peierls distortion.

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Raevskaya, Alexandra, Oksana Rozovik, Anastasiya Novikova, Oleksandr Selyshchev, Oleksandr Stroyuk, Volodymyr Dzhagan, Irina Goryacheva, Nikolai Gaponik, Dietrich R. T. Zahn, and Alexander Eychmüller. "Luminescence and photoelectrochemical properties of size-selected aqueous copper-doped Ag–In–S quantum dots." Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2018. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-235077.

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Abstract:

Ternary luminescent copper and silver indium sulfide quantum dots (QDs) can be an attractive alternative to cadmium and lead chalcogenide QDs. The optical properties of Cu–In–S and Ag–In–S (AIS) QDs vary over a broad range depending on the QD composition and size. The implementation of ternary QDs as emitters in bio-sensing applications can be boosted by the development of mild and reproducible syntheses directly in aqueous solutions as well as the methods of shifting the photoluminescence (PL) bands of such QDs as far as possible into the near IR spectral range. In the present work, the copper-doping of aqueous non-stoichiometric AIS QDs was found to result in a red shift of the PL band maximum from around 630 nm to ∼780 nm and PL quenching. The deposition of a ZnS shell results in PL intensity recovery with the highest quantum yield of 15%, with almost not change in the PL band position, opposite to the undoped AIS QDs. Size-selective precipitation using 2-propanol as a non-solvent allows discrimination of up to 9 fractions of Cu-doped AIS/ZnS QDs with the average sizes in the fractions varying from around 3 to 2 nm and smaller and with reasonably the same composition irrespective of the QD size. The decrease of the average QD size results in a blue PL shift yielding a series of bright luminophors with the emission color varies from deep-red to bluish-green and the PL efficiency increases from 11% for the first fraction to up to 58% for the smallest Cu-doped AIS/ZnS QDs. The rate constant of the radiative recombination of the size-selected Cu-doped AIS/ZnS QDs revealed a steady growth with the QD size decrease as a result of the size-dependent enhancement of the spatial exciton confinement. The copper doping was found to result in an enhancement of the photoelectrochemical activity of CAIS/ZnS QDs introduced as spectral sensitizers of mesoporous titania photoanodes of liquid-junction solar cells.

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Bragaglia, Valeria. "Epitaxial Growth and Ultrafast Dynamics of GeSbTe Alloys and GeTe/Sb2Te3 Superlattices." Doctoral thesis, Humboldt-Universität zu Berlin, 2017. http://dx.doi.org/10.18452/18406.

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Abstract:

In dieser Arbeit wird das Wachstum von dünnen quasi-kristallinen Ge-Sb-Te (GST) Schichten mittels Molekularstrahlepitaxie demonstriert, die zu einer geordneten Konfiguration von intrinsischen Kristallgitterfehlstellen führen. Es wird gezeigt, wie es eine Strukturanalyse basierend auf Röntgenstrahlbeugungssimulationen, Dichtefunktionaltheorie und Transmissionselektronenmikroskopie ermöglicht, eine eindeutige Beurteilung der Kristallgitterlückenanordnung in den GST-Proben vorzunehmen. Das Verständnis für die Ordnungsprozesse der Gitterfehlstellen erlaubt eine gezielte Einstellung des Ordnungsgrades selbst, der mit der Zusammensetzung und der Kristallphase des Materials in Zusammenhang steht. Auf dieser Basis wurde ein Phasendiagramm mit verschiedenen Wachstumsfenstern für GST erstellt. Des Weiteren wird gezeigt, dass man eine hohe Ordnung der Gitterfehlstellen in GST auch durch Ausheizprozesse und anhand von Femtosekunden-gepulster Laserkristallisation von amorphem Material erhält, das zuvor auf einem als Kristallisationsgrundlage dienenden Substrat abgeschiedenen wurde. Diese Erkenntnis ist bemerkenswert, da sie zeigt, dass sich kristalline GST Schichten mit geordneten Kristallgitterlücken durch verschiedene Herstellungsprozesse realisieren lassen. Darüber hinaus wurde das Wachstum von GeTe/Sb2Te3 Übergittern durchgeführt, deren Struktur die von GST mit geordneten Gitterfehlstellen widerspiegelt. Die Möglichkeit den Grad der Gitterfehlstellenordung in GST gezielt zu manipulieren wurde mit einer Studie der Transporteigenschaften kombiniert. Die Anwendung von großflächigen Charakterisierungsmethoden wie XRD, Raman und IR-Spektroskopie, erlaubte die Bestimmung der Phase und des Fehlstellenordnungsgrades von GST und zeigte eindeutig, dass die Fehlstellenordnung für den Metall-Isolator-Übergang (MIT) verantwortlich ist. Insbesondere wird durch das Vergleichen von XRD-Messungen mit elektrischen Messungen gezeigt, dass der Übergang von isolierend zu leitend erfolgt, sobald eine Ordnung der Kristallgitterlücken einsetzt. Dieses Phänomen tritt in der kubischen Kristallphase auf, wenn Gitterfehlstellen in GST von einem ungeordneten in einen geordneten Zustand übergehen. Im zweiten Teil des Kapitels wird eine Kombination aus FIR- und Raman-Spektroskopie zur Untersuchung der Vibrationsmoden und des Ladungsträgerverhaltens in der amorphen und der kristallinen Phase angewendet, um Aktivierungsenergien für die Elektronenleitung, sowohl für die kubische, als auch für die trigonale Kristallphase von GST zu bestimmen. Hier ist es wichtig zu erwähnen, dass, in Übereinstimmung mit Ergebnissen aus anderen Untersuchungen, das Auftauchen eines MIT beim Übergang zwischen der ungeordneten und der geordneten kubischen Phase beobachtet wurde. Schlussendlich wurden verschiedene sogenannte Pump/Probe Technik, bei der man das Material mit dem Laser anregt und die Röntgenstrahlung oder Terahertz (THz)-spektroskopie als Sonde nutzt, angewandt. Dies dient um ultra-schnelle Dynamiken zu erfassen, die zum Verständnis der Umschaltmechanismen nötig sind. Die Empfindlichkeit der THz-Messungen hinsichtlich der Leitfähigkeit, sowohl in GST, als auch in GeTe/Sb2Te3 Übergittern zeigte, dass die nicht-thermische Natur der Übergitterumschaltprozesse mit Grenzflächeneffekten zusammenhängt und . Der Ablauf wird mit beeindruckender geringer Laser-Fluenz erreicht. Dieses Ergebnis stimmt mit Berichten aus der Literatur überein, in denen ein Kristall-zu Kristallwechsel von auf Übergittern basierenden Speicherzellen für effizienter gehalten wird als GST Schmelzen, was zu einen ultra-schwachen Energieverbrauch führt.
The growth by molecular beam epitaxy of Ge-Sb-Te (GST) alloys resulting in quasi-single-crystalline films with ordered configuration of intrinsic vacancies is demonstrated. It is shown how a structural characterization based on transmission electron microscopy, X-ray diffraction and density functional theory, allowed to unequivocally assess the vacancy ordering in GST samples, which was so far only predicted. The understanding of the ordering process enabled the realization of a fine tuning of the ordering degree itself, which is linked to composition and crystalline phase. A phase diagram with the different growth windows for GST is obtained. High degree of vacancy ordering in GST is also obtained through annealing and via femtosecond-pulsed laser crystallization of amorphous material deposited on a crystalline substrate, which acts as a template for the crystallization. This finding is remarkable as it demonstrates that it is possible to create a crystalline GST with ordered vacancies by using different fabrication procedures. Growth and structural characterization of GeTe/Sb2Te3 superlattices is also obtained. Their structure resembles that of ordered GST, with exception of the Sb and Ge layers stacking sequence. The possibility to tune the degree of vacancy ordering in GST has been combined with a study of its transport properties. Employing global characterization methods such as XRD, Raman and Far-Infrared spectroscopy, the phase and ordering degree of the GST was assessed, and unequivocally demonstrated that vacancy ordering in GST drives the metal-insulator transition (MIT). In particular, first it is shown that by comparing electrical measurements to XRD, the transition from insulating to metallic behavior is obtained as soon as vacancies start to order. This phenomenon occurs within the cubic phase, when GST evolves from disordered to ordered. In the second part of the chapter, a combination of Far-Infrared and Raman spectroscopy is employed to investigate vibrational modes and the carrier behavior in amorphous and crystalline phases, enabling to extract activation energies for the electron conduction for both cubic and trigonal GST phases. Most important, a MIT is clearly identified to occur at the onset of the transition between the disordered and the ordered cubic phase, consistently with the electrical study. Finally, pump/probe schemes based on optical-pump/X-ray absorption and Terahertz (THz) spectroscopy-probes have been employed to access ultrafast dynamics necessary for the understanding of switching mechanisms. The sensitivity of THz-probe to conductivity in both GST and GeTe/Sb2Te3 superlattices showed that the non-thermal nature of switching in superlattices is related to interface effects, and can be triggered by employing up to one order less laser fluences if compared to GST. Such result agrees with literature, in which a crystal to crystal switching of superlattice based memory cells is expected to be more efficient than GST melting, therefore enabling ultra-low energy consumption.

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Siol, Sebastian. "Kupfer-Chalkogenide für photovoltaische Anwendungen." Phd thesis, 2014. http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/4178/1/Siol_Dissertation_tuprints_v2.pdf.

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Abstract:

Diese Dissertation befasst sich mit den Kupferchalkogeniden Cu2S sowie Cu2O und deren Verwendung als alternative Absorbermaterialien in der Dünnschichtphotovoltaik. Dabei wird zunächst die Abscheidung der Materialien mittels physikalischer Gasphasenabscheidung beschrieben, wobei die Optimierung der optoelektronischen und morphologischen Schichteigenschaften im Vordergrund steht. Insbesondere an den Cu2S-Schichten konnten dabei mit einer Quasi-Ferminiveau-Aufspaltung von µ = 710 meV sowie einer optischen Bandlücke von Eg = 1,25 eV vielversprechende Werte gemessen werden. Des Weiteren wurden die Bandanpassungen konventioneller sowie alternativer Bauelementstrukturen mit Hilfe von in-situ Grenzflächenexperimenten bestimmt und diskutiert. Für den Cu2S-Absorber stand bei der Entwicklung alternativer Bauelementstrukturen dabei eine Erhöhung der Zellstabilität durch Substitution der CdS-Fensterschicht durch eine Fensterschicht aus ZnO im Vordergrund. Zusätzlich konnte durch den Einsatz eines Rückkontakts aus Cu2O eine Barrierenausbildung nach dem PIN-Modell realisiert werden. Die Untersuchungen zu den Cu2O-basierten Solarzellenstrukturen befassen sich hingegen überwiegend mit der gezielten Manipulation der Bandanpassung am ZnO/Cu2O-Frontkontakt. Aufbauend auf den Erfahrungen aus der Deposition der Materialien sowie den ermittelten Banddiagrammen wurden schließlich entsprechende Dünnschichtsolarzellen hergestellt und charakterisiert. Hierbei wurden insbesondere die vorherrschenden Verlustmechnismen identifiziert sowie entsprechende Lösungsansätze entwickelt. Für die Mehrheit der untersuchten Zellen führt eine hohe Dichte morphologischer Defekte in der Absorberschicht zu einer Ausbildung von Rekombinationspfaden. Hier liegt die besondere Herausforderung, sowohl für Cu2S als auch für Cu2O, in der gleichzeitigen Realisierung guter optoelektronischer sowie morphologischer Eigenschaften.

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Baumann, Alexander [Verfasser]. "Untersuchungen zur Reaktivität von Chalkogen-Polykation-Hexachlorozirkonaten und -hafnaten : Darstellung und Charakterisierung neuer diskreter und polymerer Chalkogen-Polykationen / vorgelegt von Alexander Baumann." 1998. http://d-nb.info/956665586/34.

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Scherr, Matthias [Verfasser]. "Beiträge zur Chemie der energetischen Chalkogen-Verbindungen / vorgelegt von Matthias Scherr." 2008. http://d-nb.info/991269055/34.

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Wagner, Christian [Verfasser]. "Ternäre Verbindungen von Ruthenium mit Chalkogenen und Halogenen / vorgelegt von Christian Wagner." 2000. http://d-nb.info/96124030X/34.

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Schön, Oliver [Verfasser]. "Organophosphorchalkogenide : erste Phosphor-Chalkogen-Kationen, neue Heterocyclen und Selenophosphonate / vorgelegt von Oliver Schön." 2007. http://d-nb.info/983601828/34.

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Lux, Karin [Verfasser]. "Organo-Phosphor-Chalkogenide und elektronenreiche Phosphane : Synthesen, Strukturen, Spektroskopie / vorgelegt von Karin Lux." 2010. http://d-nb.info/1005060541/34.

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Dissertations / Theses on the topic 'Chalkogene'

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