Relevant bibliographies by topics / Chemische Gasphasenabscheidung

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  2. Dissertations / Theses
  3. Books

Academic literature on the topic 'Chemische Gasphasenabscheidung'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 13 February 2022

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Journal articles on the topic "Chemische Gasphasenabscheidung"

1

Schultrich, Bernd. "Beschichtungsverfahren: 12 Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)." Vakuum in Forschung und Praxis 19, no. 6 (December 2007): 32–33. http://dx.doi.org/10.1002/vipr.200790068.

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2

Cook, Gary, Peter L. Timms, and Christine Göltner-Spickermann. "Exakte Replikation biologischer Strukturen durch chemische Gasphasenabscheidung." Angewandte Chemie 115, no. 5 (February 3, 2003): 575–77. http://dx.doi.org/10.1002/ange.200390128.

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3

Michkova, K., N. Popovska, W. Schwieger, M. Hoffmann, I. Jipa, and U. Zenneck. "Katalysatorpräparation durch metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) in Wirbelschicht." Chemie Ingenieur Technik 79, no. 9 (September 2007): 1466–67. http://dx.doi.org/10.1002/cite.200750401.

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4

Kühne, Heinz. "Reaktionskontrollierte chemische Gasphasenabscheidung von Silicium durch Pyrolyse von Silan." Chemie Ingenieur Technik 64, no. 3 (March 1992): 302–3. http://dx.doi.org/10.1002/cite.330640330.

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5

Kiefer, J., K. Danova, N. Popovska, R. Sommer, and A. Leipertz. "Monitoring der chemischen Gasphasenabscheidung in einem Wirbelschichtreaktor." Chemie Ingenieur Technik 82, no. 9 (August 27, 2010): 1421–22. http://dx.doi.org/10.1002/cite.201050022.

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Dissertations / Theses on the topic "Chemische Gasphasenabscheidung"

1

Puchalla, Jochen. "Metallorganische Chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) ferroelektrischer Dünnschichten: Herstellung und Charakterisierung." Jülich Forschungszentrum, Zentralbibliothek, 2007. http://d-nb.info/1000504948/34.

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2

Unrecht, Bernhard. "Chemische Gasphasenabscheidung ein Verfahren zur Erzeugung heterogenkatalytisch aktiver Oberflächen /." [S.l. : s.n.], 2001. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=96298941X.

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3

Stiens, Dirk [Verfasser]. "Chemische Gasphasenabscheidung Sauerstoff leitender Membranen auf porösen Trägern / Dirk Stiens." Aachen : Shaker, 2005. http://d-nb.info/1186579838/34.

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4

Moritz, Florian. "Erzeugung dünner funktionaler Schichten durch chemische Gasphasenabscheidung von Metallen mit Organometallkomplexen." [S.l. : s.n.], 1999. http://www.sub.uni-hamburg.de/disse/31/inhalt.html.

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5

Lemberger, Martin. "Chemische Gasphasenabscheidung von Metallsilicatschichten aus Einquellen-Ausgangsstoffen für Anwendungen in der Mikroelektronik." kostenfrei, 2010. http://d-nb.info/1000821986/34.

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6

Schneider, Andreas Walter. "Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) von Übergangsmetallen am Beispiel von Eisen, Ruthenium und Wolfram." [S.l.] : [s.n.], 2006. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=979936675.

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7

Wächtler, Thomas. "Bewertung neuartiger metallorganischer Precursoren für die chemische Gasphasenabscheidung von Kupfer für Metallisierungssysteme der Mikroelektronik." Master's thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2005. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200501596.

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Abstract:
Vor dem Hintergrund der in der Mikroelektronik-Fertigung heute verbreiteten Kupfertechnologie werden in der vorliegenden Arbeit drei neuartige metallorganische Verbindungen, nämlich phosphitstabilisierte Kupfer(I)-Trifluoracetat-Komplexe vorgestellt und hinsichtlich ihrer Anwendbarkeit für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Kupfer untersucht. Im einzelnen handelt es ich um die Substanzen Tris(trimethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (METFA), Tris(triethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (ETTFA) und Tri(tris(trifluorethyl)phosphit)kupfer(I)trifluoracetat (CFTFA). Mit den Substanzen erfolgen CVD-Experimente auf TiN und Cu bei Temperaturen <400°C. Die Precursoren werden dabei mittels eines Flüssigdosiersystems mit Verdampfereinheit der Reaktionskammer zugeführt. Während METFA wegen seiner ausreichend geringen Viskosität unverdünnt verwendet werden kann, kommen für ETTFA und CFTFA jeweils Precursor-Acetonitril-Gemische zum Einsatz. Mit keinem der Neustoffe können auf TiN geschlossene Kupferschichten erzeugt werden, während dies auf Kupferunterlagen in Verbindung mit Wasserstoff als Reduktionsmittel gelingt. Die Abscheiderate beträgt hierbei 2-3nm/min; der spezifische Widerstand der Schichten bewegt sich zwischen 4μΩcm und 5μΩcm. Mit allen Substanzen werden besonders an dünnen, gesputterten Kupferschichten Agglomerationserscheinungen und Lochbildung beobachtet. Im Fall von CFTFA treten zusätzlich Schäden am darunterliegenden TiN/SiO2-Schichtstapel auf. Vergleichende Untersuchungen mit der für die Cu-CVD etablierten Substanz (TMVS)Cu(hfac) ergeben sowohl auf Cu als auch auf TiN geschlossene Kupferschichten. Dabei liegen die Abscheideraten bei Temperaturen zwischen 180°C und 200°C im allgemeinen deutlich über 100nm/min. Ein Vergleich dieser Resultate mit den Ergebnissen für die Neustoffe legt nahe, dass den untersuchten Kupfer(I)-Trifluoracetaten keine ausreichende Tauglichkeit für Cu-CVD-Prozesse in der Mikroelektronik-Technologie bescheinigt werden kann. Die im Vergleich zu (TMVS)Cu(hfac) höhere thermische Stabilität der Precursoren und ihre Fähigkeit, mit Wasserstoff als Reaktionspartner auf Cu geschlossene Kupferschichten erzeugen zu können, deutet jedoch auf ihre eventuelle Eignung für ALD-Prozesse hin. Daher widmet sich die Arbeit in einem abschließenden Kapitel dem Thema der Atomic Layer Deposition (ALD), wobei nach einem allgemeinen Überblick besonders auf für die Mikroelektronik relevante ALD-Prozesse eingegangen wird.
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8

Mettenbörger, Andreas [Verfasser]. "Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung von Eisen- und Titanoxiddünnschichten zur photoelektrochemischen Spaltung von Wasser / Andreas Mettenbörger." München : Verlag Dr. Hut, 2015. http://d-nb.info/1070124044/34.

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9

Wächtler, Thomas. "Bewertung neuartiger metallorganischer Precursoren für die chemische Gasphasenabscheidung von Kupfer für Metallisierungssysteme der Mikroelektronik." Master's thesis, München : GRIN Verlag, 2004. https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A18407.

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Abstract:
Vor dem Hintergrund der in der Mikroelektronik-Fertigung heute verbreiteten Kupfertechnologie werden in der vorliegenden Arbeit drei neuartige metallorganische Verbindungen, nämlich phosphitstabilisierte Kupfer(I)-Trifluoracetat-Komplexe vorgestellt und hinsichtlich ihrer Anwendbarkeit für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Kupfer untersucht. Im einzelnen handelt es ich um die Substanzen Tris(trimethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (METFA), Tris(triethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (ETTFA) und Tri(tris(trifluorethyl)phosphit)kupfer(I)trifluoracetat (CFTFA). Mit den Substanzen erfolgen CVD-Experimente auf TiN und Cu bei Temperaturen <400°C. Die Precursoren werden dabei mittels eines Flüssigdosiersystems mit Verdampfereinheit der Reaktionskammer zugeführt. Während METFA wegen seiner ausreichend geringen Viskosität unverdünnt verwendet werden kann, kommen für ETTFA und CFTFA jeweils Precursor-Acetonitril-Gemische zum Einsatz. Mit keinem der Neustoffe können auf TiN geschlossene Kupferschichten erzeugt werden, während dies auf Kupferunterlagen in Verbindung mit Wasserstoff als Reduktionsmittel gelingt. Die Abscheiderate beträgt hierbei 2-3nm/min; der spezifische Widerstand der Schichten bewegt sich zwischen 4μΩcm und 5μΩcm. Mit allen Substanzen werden besonders an dünnen, gesputterten Kupferschichten Agglomerationserscheinungen und Lochbildung beobachtet. Im Fall von CFTFA treten zusätzlich Schäden am darunterliegenden TiN/SiO2-Schichtstapel auf. Vergleichende Untersuchungen mit der für die Cu-CVD etablierten Substanz (TMVS)Cu(hfac) ergeben sowohl auf Cu als auch auf TiN geschlossene Kupferschichten. Dabei liegen die Abscheideraten bei Temperaturen zwischen 180°C und 200°C im allgemeinen deutlich über 100nm/min. Ein Vergleich dieser Resultate mit den Ergebnissen für die Neustoffe legt nahe, dass den untersuchten Kupfer(I)-Trifluoracetaten keine ausreichende Tauglichkeit für Cu-CVD-Prozesse in der Mikroelektronik-Technologie bescheinigt werden kann. Die im Vergleich zu (TMVS)Cu(hfac) höhere thermische Stabilität der Precursoren und ihre Fähigkeit, mit Wasserstoff als Reaktionspartner auf Cu geschlossene Kupferschichten erzeugen zu können, deutet jedoch auf ihre eventuelle Eignung für ALD-Prozesse hin. Daher widmet sich die Arbeit in einem abschließenden Kapitel dem Thema der Atomic Layer Deposition (ALD), wobei nach einem allgemeinen Überblick besonders auf für die Mikroelektronik relevante ALD-Prozesse eingegangen wird.
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10

Schlüter, Oliver Felix-Karl. "Die Synthese und Charakterisierung von geträgerten Palladiumkatalysatoren durch die chemische Gasphasenabscheidung von metallorganischen Verbindungen im Wirbelschichtreaktor." [S.l.] : [s.n.], 2004. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=971681562.

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Books on the topic "Chemische Gasphasenabscheidung"

1

Puchalla, Jochen. Metallorganische Chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) ferroelektrischer Dünnschichten: Herstellung und Charakterisierung. Jülich: Forschungszentrum Jülich, Zentralbibliothek, 2007.

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