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Dissertations / Theses on the topic 'Circuits RF BiCMOS'

Author: Grafiati

Published: 4 June 2021

Last updated: 1 February 2022

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1

Thrivikraman, Tushar K. "SiGe BiCMOS phased-array antenna front-ends for extreme environment applications." Diss., Georgia Institute of Technology, 2010. http://hdl.handle.net/1853/37141.

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Abstract:

The objective of this research is to understand the design and performance of state-of-the-art silicon-germanium (SiGe) BiCMOS high-frequency circuits for phased- array radar and wireless communication systems operating in extreme environment conditions. This work investigates the performance of RF circuits over a wide- temperature and exposure to a radiation intensive environment. The design and characterization of a fully integrated transmit/receive (T/R) module and integra- tion onto a multi-element antenna array is presented. In addition, individual circuit blocks are characterized in thes

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2

Madan, Anuj. "Design and reliability of high dynamic range RF building blocks in SOI CMOS and SiGe BiCMOS technologies." Diss., Georgia Institute of Technology, 2011. http://hdl.handle.net/1853/45853.

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Abstract:

The objective of the proposed research is to understand the design and reliability of RF front-end building blocks using SOI CMOS and SiGe BiCMOS technologies for high dynamic-range applications. This research leads to a comprehensive understanding of dynamic range in SOI CMOS devices and contributes to knowledge leading to improvement in overall dynamic range and reliability of RF building blocks. While the performance of CMOS transistors has been improving naturally with scaling, this work aims to explore the possibilities of improvement in RF performance and reliability using standard layou

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3

Howard, Duane Clarence. "Reconfigurable amplifiers and circuit components for built-in-self testing and self-healing in SiGe BiCMOS technology." Diss., Georgia Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1853/51823.

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Abstract:

The design of reconfigurable microwave and millimeter-wave circuit components and on-chip testing circuitry are demonstrated. These components are designed to enable the mitigation of process faults, aging, radiation effects, and other mechanisms that lead to performance degradation in circuits and systems. The presented work is primarily based on SiGe HBTs in BiCMOS technology and harnesses the inherent resilience of SiGe to mechanisms that degrade transistor performance. However, CMOS FETs are also used in limited applications, such as in the design of switches, op-amps, and DACs. Individual

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4

Ighilahriz, Salim. "Caractérisation et modélisation de la fiabilité des transistors et circuits millimétriques conçus en technologies BiCMOS et CMOS." Phd thesis, Université de Grenoble, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01060162.

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Abstract:

De nos jours, l'industrie de la microélectronique développe des nouvelles technologies qui permettent l'obtention d'applications du quotidien alliant rapidité, basse consommation et hautes performances. Pour cela, le transistor, composant actif élémentaire et indispensable de l'électronique, voit ses dimensions miniaturisées à un rythme effréné suivant la loi de Moore de 1965. Cette réduction de dimensions permet l'implémentation de plusieurs milliards de transistors sur des surfaces de quelques millimètres carrés augmentant ainsi la densité d'intégration. Ceci conduit à une production à des c

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5

Seguin, Fabrice. "Étude et réalisation de circuits convoyeurs de courant de seconde génération en technologie BiCMOS : Application à l'amplification RF réglable." Bordeaux 1, 2001. http://www.theses.fr/2001BOR12435.

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Abstract:

Il a tout d'abord été montre ́que les circuits en mode courant qui fonctionnent en classe AB, pour lesquels l'amplitude du courant à traiter peut dépasser la valeur du courant de polarisation, engendrent moins de distorsion que ceux fonctionnant en classe A. Une nouvelle architecture pour un circuit convoyeur de courant contrôlé de seconde génération (CCCII) fonctionnant en classe A, qui n'utilise que des transistors bipolaires NPN pour véhiculer le signal est introduite et caractérisée à partir d'une technologie BiCMOS 0. 8 um faible coût. Les mesures effectuées sur ce circuit après intégrati

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6

Cardoso, Adilson S. "Design of high-isolation and wideband RF switches in SiGe BiCMOS technology for radar applications." Thesis, Georgia Institute of Technology, 2012. http://hdl.handle.net/1853/43694.

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Abstract:

RF switches are an essential building block in numerous applications, including tactical radar systems, satellite communications, global positioning systems (GPS), automotive radars, wireless communications, radio astronomy, radar transceivers, and various instrumentation systems. For many of these applications the circuits have to operate reliably under extreme operating conditions, including conditions outside the domain of commercial military specifications. The objective of this thesis is to present the design procedure, simulation, and measurement results for Radio Frequency (RF) switches

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7

Cardoso, Adilson Silva. "Design and characterization of BiCMOS mixed-signal circuits and devices for extreme environment applications." Diss., Georgia Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1853/53099.

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Abstract:

State-of-the-art SiGe BiCMOS technologies leverage the maturity of deep-submicron silicon CMOS processing with bandgap-engineered SiGe HBTs in a single platform that is suitable for a wide variety of high performance and highly-integrated applications (e.g., system-on-chip (SOC), system-in-package (SiP)). Due to their bandgap-engineered base, SiGe HBTs are also naturally suited for cryogenic electronics and have the potential to replace the costly de facto technologies of choice (e.g., Gallium-Arsenide (GaAs) and Indium-Phosphide (InP)) in many cryogenic applications such as radio astronomy. T

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8

Wipf, Christian [Verfasser], Dietmar [Akademischer Betreuer] Kissinger, Dietmar [Gutachter] Kissinger, Friedel [Gutachter] Gerfers, and Peter [Gutachter] Weger. "Fully integrated BiCMOS high-voltage driver circuits for on-chip RF-MEMS switch matrices / Christian Wipf ; Gutachter: Dietmar Kissinger, Friedel Gerfers, Peter Weger ; Betreuer: Dietmar Kissinger." Berlin : Technische Universität Berlin, 2019. http://d-nb.info/1202071422/34.

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9

Moon, Sung Tae. "Design of high performance frequency synthesizers in communication systems." Texas A&M University, 2005. http://hdl.handle.net/1969.1/2329.

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Abstract:

Frequency synthesizer is a key building block of fully-integrated wireless communication systems. Design of a frequency synthesizer requires the understanding of not only the circuit-level but also of the transceiver system-level considerations. This dissertation presents a full cycle of the synthesizer design procedure starting from the interpretation of standards to the testing and measurement results. A new methodology of interpreting communication standards into low level circuit specifications is developed to clarify how the requirements are calculated. A detailed procedure to determine i

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Aissi, Mohammed. "Conception de circuits WLAN 5 GHZ à résonateurs BAW-FBAR intégrés : oscillateurs et amplificateurs filtrants." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00127363.

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Abstract:

Les travaux de recherche présentés dans cette thèse consistent principalement en la conception de fonctions intégrées radiofréquences BiCMOS SiGe exploitant des résonateurs à ondes acoustiques de volume FBAR. Contrairement aux techniques actuelles rencontrées dans l'industrie qui consistent à réaliser des filtres et des résonateurs discrets et à les associer par la suite avec les circuits actifs des émetteurs-récepteurs au niveau du boîtier, nos résonateurs sont directement réalisés sur le substrat silicium des circuits actifs RF par une technique appelée intégration " above-IC ". Avec cette m

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Opperman, Tjaart Adriaan Kruger. "A 5 GHz BiCMOS I/Q VCO with 360° variable phase outputs using the vector sum method." Diss., Pretoria : [s.n.], 2009. http://upetd.up.ac.za/thesis/available/etd-04082009-171225/.

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Abstract:

Thesis (M.Eng.(Microelectronic Engineering))--University of Pretoria, 2009.<br>Includes summaries in Afrikaans and English. Includes bibliographical references (leaves [74]-78). Mode of access: World Wide Web.

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Deltimple, Nathalie. "Etude et réalisation d'un amplificateur de puissance reconfigurable en technologie BiCMOS SiGe pour des applications multi-standards GSM/DCS/UMTS." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00672950.

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Abstract:

Les travaux présentés dans la thèse portent sur la conception d'amplificateurs de puissance reconfigurables dans la technologie SiGe BiCMOS7RF de STMicroelectronics. Les applications visées sont les terminaux multi-standards de communications mobiles GSM/DCS/UMTS. Ces amplificateurs doivent être capables de modifier dynamiquement leurs propriétés en fonction à la fois du standard utilisé à un moment donné et du niveau de la puissance d'entrée afin de travailler à rendement optimum et préserver les batteries des terminaux. Pour cela, nous avons du faire face aux principaux points de divergence

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Godet, Sylvain. "Instrumentation de mesure sur puce pour systèmes autotestables : application à la mesure de bruit de phase basée sur des résonateurs BAW." Toulouse 3, 2010. http://thesesups.ups-tlse.fr/987/.

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Abstract:

Ce manuscrit présente l'intégration conjointe d'un banc de mesure de bruit de phase et de résonateurs BAW sur lesquels doit s'effectuer la mesure. Une tendance actuelle vise à intégrer à côté de systèmes plus ou moins complexes, des circuits permettant d'en faciliter les tests. L'intégration du banc de mesure de bruit de phase permet de nous affranchir des contraintes provenant de la mesure externe sous pointes et du coût élevé associé. L'intégration simultanée des circuits de tests avec les systèmes à mesurer, permet également d'exploiter pleinement les possibilités d'appariement de composant

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Svitek, Richard M. "SiGe BiCMOS RF ICs and Components for High Speed Wireless Data Networks." Diss., Virginia Tech, 2005. http://hdl.handle.net/10919/27375.

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Abstract:

The advent of high-fT silicon CMOS/BiCMOS technologies has led to a dramatic upsurge in the research and development of radio and microwave frequency integrated circuits (ICs) in silicon. The integration of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs) into established "digital" CMOS processes has provided analog performance in silicon that is not only competitive with III-V compound-semiconductor technologies, but is also potentially lower in cost. Combined with improvements in silicon on-chip passives, such as high-Q metal-insulator-metal (MIM) capacitors and monolithic

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15

Germain, Yves phaede. "Méthode de conception des systèmes différentiels RF utilisant le formalisme des Modes Mixtes." Thesis, Limoges, 2015. http://www.theses.fr/2015LIMO0010/document.

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Abstract:

Ces travaux de recherche visent à introduire et à généraliser l'utilisation des systèmes différentiels dans les applications RF et Micro-ondes. En particulier, dans la conception de dispositifs pour les fonctions d'amplification à faible bruit. Pour cela, il est indispensable de développer des outils fiables et rigoureux tels que le formalisme des modes mixtes introduit par Bockelman. C'est dans cet esprit que s'inscrit la première phase de l'étude. Le but étant de développer un outil pour l'analyse de la stabilité linéaire des systèmes différentiels à trois et quatre accès. Par ailleurs, les

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Godet, Sylvain. "Instrumentation de mesure sur puce pour systèmes autotestables. Application à la mesure de bruit de phase basée sur des résonnateurs BAW." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00509145.

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Abstract:

Ce manuscrit présente l'intégration conjointe d'un banc de mesure de bruit de phase et de résonateurs BAW sur lesquels doit s'effectuer la mesure. Une tendance actuelle vise à intégrer à côté de systèmes plus ou moins complexes, des circuits permettant d'en faciliter les tests. L'intégration du banc de mesure de bruit de phase permet de nous affranchir des contraintes provenant de la mesure externe sous pointes et du coût élevé associé. L'intégration simultanée des circuits de tests avec les systèmes à mesurer, permet également d'exploiter pleinement les possibilités d'appariement de composant

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Inanlou, Farzad Michael-David. "Innovative transceiver approaches for low-power near-field and far-field applications." Diss., Georgia Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1853/52245.

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Abstract:

Wireless operation, near-field or far-field, is a core functionality of any mobile or autonomous system. These systems are battery operated or most often utilize energy scavenging as a means of power generation. Limited access to power, expected long and uninterrupted operation, and constrained physical parameters (e.g. weight and size), which limit overall power harvesting capabilities, are factors that outline the importance for innovative low-power approaches and designs in advanced low-power wireless applications. Low-power approaches become especially important for the wireless transceive

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Liu, Ping-Hung, and 劉炳宏. "Design of SiGe BiCMOS 5GHz RF Receiver Front-End Circuits." Thesis, 2004. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/bb5f9f.

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Abstract:

碩士<br>國立交通大學<br>電信工程系所<br>92<br>This thesis contents two works. First of all, we discuss the development of SiGe BiCMOS technology and the comparison between the SiGe and Si technologies. The first circuit, we implement a fully integrated 5.25GHz RF low noise amplifier, this circuit has a 8.3dB S11, a 4.6dB power gain, a 10.9dB S22 , a 3dBm IIP3 and a 9.3dB noise figure, under the 7.5mw power consumption with a 2.5 V supply voltage. Because the operating frequency shift to lower frequency, the gain and noise impedance matching point are changed, the measurement performance is not as good as si

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