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Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Composants passifs silicium'

Author: Grafiati

Published: 31 May 2025

Last updated: 31 July 2025

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Dissertations / Theses on the topic "Composants passifs silicium"

1

Hakim, Hedi. "Intégration de composants passifs sur silicium." Toulouse, INSA, 2001. http://www.theses.fr/2001ISAT0029.

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Abstract:

Aujourd'hui, les nouvelles techniques de microtechnologies modifient les modes conventionnels de fabrication des microsystèmes. Elles ouvrent notamment la voie à la conception de nouveaux dispositifs destinés au domaine de la conversion de l'énergie électrique. C'est dans ce cadre que s'inscrivent ces travaux de thèse qui concernent plus particulièrement l'intégration de composants passifs sur silicium. La première partie porte sur l'intégration de condensateurs dont la variation de capacité évolue de façon non linéaire avec la tension. Basées sur des structures en tranchées profondes, des sol

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2

Lescot, Jérôme. "Modélisation et caractérisation de composants passifs intègres sur silicium pour applications radiofréquences." Grenoble INPG, 2000. http://www.theses.fr/2000INPG0034.

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Abstract:

Le travail presente dans ce memoire s'articule autour de deux axes complementaires. Le premier repose sur la mise en place d'un banc de mesure hyperfrequence sous pointes pour la caracterisation entre 45mhz et 12ghz des composants passifs integres sur silicium les plus critiques, a savoir les lignes de transmission et inductances planaires. Cette partie, qui a mis en lumiere les parasites systematiques inherents a l'analyse vectorielle, a permis de doter le laboratoire d'un banc de mesure fiable et d'un algorithme de correction d'erreur et d'extraction automatique des modeles electriques des c

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3

Perez, Emeric. "Intégration hétérogène de composants passifs silicium pour les convertisseurs de puissance intégrés." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2025. http://www.theses.fr/2025GRALY001.

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Abstract:

La miniaturisation des systèmes électroniques pose un défi de plus en plus complexe, notamment en ce qui concerne l'alimentation, qui représente une part importante et limitante du circuit. Comme expliqué au chapitre 1, l'intégration des composants passifs reste l'un des principaux obstacles à cette miniaturisation. En effet, les composants passifs intégrés dans la technologie CMOS affichent des densités de capacité deux ou trois ordres de grandeur inférieures à celles des composants discrets. Cette thèse vise à proposer des solutions compactes et intégrables en technologie CMOS en utilisant d

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4

Pang, Chengxin. "Contribution à l'étude de composants optiques intégrés passifs et actifs : couplage et cartographie optiques sub-longueur d'onde." Troyes, 2008. http://www.theses.fr/2008TROY0029.

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Abstract:

Aujourd’hui, l’optique intégrée permet de réaliser différentes fonctions ; modulation, guidage, amplification et ce sur des dimensions de plus en plus réduites grâce aux technologies comme la technologie SOI (Silicon On Insulator) ou la technologie III-V. Considérée d’abord comme une technique d’observation, la microscopie optique de champ proche (SNOM) s’est ces dernières années considérablement développée pour devenir un outil de caractérisation à part entière comme cela a été démontré au laboratoire sur des structures SOI observées en amplitude et en phase (SNOM hétérodyne). Cette thèse se

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5

Schnell, Nicolas. "Réalisation et étude de composants passifs d'optique intégrée sur substrat silicium sur isolant pour les interconnexions optiques." Lyon, INSA, 2005. http://www.theses.fr/2005ISAL0062.

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Abstract:

Ce travail de thèse vise à étudier une nouvelle solution pour la distribution d'horloge dans les microprocesseurs en utilisant des interconnexions optiques. Nous avons utilisé un matériau Silicium sur Isolant (SOI) qui est transparent dans le proche infrarouge. De plus, le fort contraste d'indice de réfraction entre le cœur du guide de silicium et la couche de gaine en silice permet de réduire considérablement la taille des composants passifs élémentaires nécessaires à la réalisation d'une distribution par voie optique. Durant cette thèse, nous avons exploré une approche "Front end" pour la ré

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6

Coudron, Loïc. "Etude des procédés de gravure électrochimique du silicium pour l'intégration monolithique de composants passifs sur silicium poreux et la réalisation de chemins d'interconnexion." Thesis, Tours, 2011. http://www.theses.fr/2011TOUR4028/document.

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Abstract:

Ces travaux de thèse ont pour but l’évaluation et le développement de briques technologiques en silicium poreux répondant à la problématique de l’intégration monolithique 3D rattachée au concept du “more than Moore” : d’une part l’intégration sur silicium de composants passifs RF, d’autre part, la réalisation de chemins traversants d’interconnexion à fort facteur d’aspect par voie électrochimique. Dans un premier temps, différents substrats mixtes silicium / silicium poreux sont réalisés. Des inductances en cuivre, réalisées sur un substrat mésoporeux de 200 µm de profondeur et de porosité pro

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7

Sworowski, Marc. "Conception de microstructures résonantes destinées aux applications radiofréquences et fabrication en technologie d'intégration de composants passifs sur silicium." Thesis, Lille 1, 2008. http://www.theses.fr/2008LIL10095/document.

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Abstract:

L'intégration de composants passifs sur silicium constitue l'une des voies envisagées pour répondre aux préoccupations de miniaturisation des systèmes électroniques radiofréquences. Une autre réponse à cette évolution est apportée par l'introduction de microsystèmes électromécaniques pour remplacer des fonctions électroniques. Ce projet explore une approche mixte afin d'intégrer simultanément les composants passifs et un MEMS résonant. Le procédé de fabrication des puces passives est le point de départ pour réaliser des résonateurs susceptibles de remplacer les quartz. Les travaux concernant t

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8

Petot-Barbier, Céline. "Caractérisation et modélisation de composants passifs haute fréquence et étude du couplage substrat en technologies CMOS standard et SOI." Caen, 2006. http://www.theses.fr/2006CAEN2001.

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Abstract:

Le travail présenté dans ce mémoire a pour but de modéliser des composants passifs tels que des varactors et des inductances, ainsi que d'étudier le couplage substrat en haute fréquence en technologie CMOS 120nm et 90nm. Une comparaison de ces structures sur un substrat standard et SOI est présentée. Le premier chapitre permet de poser les bases de la caractérisation hyperfréquence sur plaque et de présenter les différents équipements utilisés pour la mesure des structures de test. Grâce à la validation du nouvel analyseur de réseau, des mesures ont été effectuées pour permettre la modélisatio

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9

Bardet, Benjamin. "Optimisation des propriétés du silicium poreux pour l'intégration de composants RF passifs : étude de l'oxydation et synthèse de composites ferromagnétiques." Thesis, Tours, 2017. http://www.theses.fr/2017TOUR4043/document.

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Abstract:

L’intégration monolithique de filtres et de diodes contre les décharges électrostatiques sur silicium est une solution à bas cout et fiable pour protéger les interfaces de transfert de données des appareils nomades. La formation de caissons isolants de silicium poreux sous les filtres permet d’améliorer en partie leur performance. Cette thèse avait pour but de poursuivre l’intégration de démonstrateurs RF sur silicium poreux et de proposer des voies de fonctionnalisation du matériau en vue d’optimiser les caractéristiques des filtres. Tout d’abord, les configurations bénéfiques d’intégration d

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10

Achtioui-Sadouki, Saïda. "Mise en place, développement et optimisation de la gravure profonde du silicium monocristallin et étude des problèmes associés lors de la réalisation de composants passifs intégrés." Caen, 2006. http://www.theses.fr/2006CAEN2040.

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