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Dissertations / Theses on the topic 'COMPOSE GALLIUM'
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1
Brilhault, Annick. "CONTRIBUTION A L'ETUDE DE CERTAINS ELEMENTS DE TRANSITION DANS LES SEMICONDUCTEURS PAR METHODE DE PHOTOCONDUCTIVITE (GaAs:V, Si:Au, Si:Pt)." Toulouse, INSA, 1987. http://www.theses.fr/1987ISAT0027.
Full textAbstract:
ETUDE DE TROIS ELEMENTS DE TRANSITION DANS LES SEMICONDUCTEURS PAR PHOTOCONDUCTIVITE. 1)GaAs: NOUS PROPOSONS UN NIVEAU SCHEMA D'ENERGIE. UN NIVEAU SIMPLE ACCEPTEUR (V)**(O)/(V)**(-) A E::(C)-0,16 EV ET UN NIVEAU DOUBLE ACCEPTEUR (V)-/(V), A Ec- 0,65 eV. 2)Si:Au NOUS CONFIRMONS LES POSITIONS RESPECTIVES DES NIVEAUX DONNEUR ET ACCEPTEUR LIES A L'OR A Ev + 0,35 eV ET Ev + 0,63 eV. 3)Si:Pt LES EXPERIENCES REALISEES ONT MIS EN EVIDENCE LE NIVEAU ACCEPTEUR (o/-) DU PLATINE SUBSTITUTIONNEL A UNE ENERGIE DE 0,915 eV PAR RAPPORT A LA BANDE DE VALENCE
2
GILLMANN, GILBERT. "Dopage plan silicium dans l'arseniure de gallium." Paris 6, 1988. http://www.theses.fr/1988PA066256.
Full textAbstract:
Apres avoir rappele le principe de la technique de croissance d'epitaxie par jets moleculaires, presentation d'un ensemble de caracterisations magneto-electriques (effet hall a bas champ magnetique, magneto-resistance et effet a fort champ magnetique), mais aussi des resultats purement electriques de c(v). Analyses par spectroscopie de masse d'ions secondes et mesures de double diffraction x. Tres bon accord entre ces resultats experimentaux et les investigations theoriques sur ces structures. Application de la technique a l'elaboration de dopages intenses, de contact ohmiques non allies et de transistors a effet de champ dont le canal est constitue par un dopage plan. Les performances presentees montrent les potentialites des dopages plan dans l'application a des structures de plus en plus sophistiquees
3
Gabilliet, Sylvie. "Contribution a la construction d'une installation de croissance hgf : PREMIERS RESULTATS SUR GaAs : Nb." Toulouse, INSA, 1986. http://www.theses.fr/1986ISAT0020.
Full textAbstract:
CONSTRUCTION D'UNE INSTALLATION DE CROISSANCE DES MONOCRISTAUX EQUIPEE D'UN DISPOSITIF DE DETECTION DES VARIATIONS DE DIAMETRE DE L'AMPOULE D'ELABORATION. ELABORATION DE PETITS MONOCRISTAUX DE GaAs:Nb ET GAAS:PD ET DE MONOCRISTAUX PLUS IMPORTANTS SOUS TENSION DE VAPEUR D'ARSENIC CONTROLEE. CARACTERISATION PAR PHOTOLUMINESCENCE
4
Armelles, Gaspar. "Le vanadium dans l'arseniure de gallium : l'or et le platine dans le silicium." Toulouse, INSA, 1986. http://www.theses.fr/1986ISAT0021.
Full textAbstract:
Etude de la raie de luminescence du vanadium dans l'asga. Le vanadium est dans l'etat v(3+) sur site tetraedrique ga. La transition optique est 3t(2)->3a(2). Dans le cas du platine dans si, mise en evidence de 2 transitions optiques associees respectivement au platine en site interstitiel et subtitutionnel. Mise en evidence des spectres d'absorption associes a l'or et au platine en etat accepteur
5
Langot, Pierre. "Etude femtoseconde de la thermalisation des porteurs libres dans l'arseniure de gallium." Palaiseau, Ecole polytechnique, 1996. http://www.theses.fr/1996EPXX0021.
Full textAbstract:
Ce travail porte sur l'etude des interactions porteur-porteur et porteur-phonon dans l'arseniure de gallium par des techniques pompe-sonde de saturation d'absorption femtoseconde a haute sensibilite. Pour cela, une source femtoseconde a deux couleurs a ete developpee par conversion de frequence non-lineaire des impulsions fournies par un oscillateur femtoseconde a saphir dope titane. Nous avons tout d'abord etudie les mecanismes d'interaction des trous libres dans l'asga. Les mesures realisees sur l'echauffement de trous froids en fonction de la densite de porteurs photo-generes, de leur exces d'energie initial et de la temperature du reseau nous ont permis de mesurer directement le temps d'interaction trou-phonon et d'en deduire le potentiel de deformation optique. Une etude sur le ralentissement de la thermalisation electron-reseau du a la creation d'une population de phonons hors equilibre en centre de zone de brillouin est ensuite presentee. Les differentes mesures que nous avons realisees nous ont permis de demontrer que la thermalisation electrons-reseau aux temps longs est gouvernee par la duree de vie des phonons optiques, en accord avec un modele de simulations numeriques
6
EN, NAQADJ EL-MEHDI. "Etude de gaas et gap semi-isolants dopes au vanadium par des techniques de detection thermique et acoustique de la rpe aux basses temperatures." Clermont-Ferrand 2, 1986. http://www.theses.fr/1986CLF21038.
Full textAbstract:
L'echauffement de l'echantillon du a la resonance est detecte, soit avec un thermometre au carbone, soit avec un microphone. Aux temperatures de l'helium liquide, ces methodes sont sensibles aux ions john teller fortement couples au reseau et donnent des signaux qui ne peuvent etre obtenus par rpe classique. Des systemes de raies intenses mis en evidence dans les deux composes sont crees et amplifies par l'illumination. Les centres responsables sont des centres v**(2+) associes dont l'etat le plus bas est constitue d'au moins trois doublets de kramers
7
Blondel, Rodolphe. "PROPRIETES DE TRANSPORT DANS LE SYSTEME GaAs/AlxGa1-xAs." Toulouse, INSA, 1987. http://www.theses.fr/1987ISAT0098.
Full textAbstract:
DES MESURES DE MAGNETOTRANSPORT A TRES BASSE TEMPERATURE REVELENT LA STRUCTURE DE LA BANDE DE VALENCE PRES DU CENTRE DE ZONE DANS LES HETEROJONCTIONS DE TYPE P. DES MESURES D'EMISSION THERMOIONIQUE SONT REALISEES SUR DES BARRIERES POUR EVALUER LA DISTRIBUTION DE POTENTIEL ENTRE GaAs/AlxGa1-xAs. LE FACTEUR DE LANDE EFFECTIF DANS LE GAZ 2D EST DETERMINE AU MOYEN D'EXPERIENCES DE MAGNETOTRANSPORT A TRES BASSE TEMPERATURE CORRELEES A UN MODELE DE CONDUCTIVITE SOUS CHAMP MAGNETIQUE
8
Nogaret, Alain. "Etude comparée du transport par effet tunnel résonnant dans les hétérostructures semiconductrices de type I et II en présence de pression hydrostatique et de fort champ magnétique." Toulouse, INSA, 1993. http://www.theses.fr/1993ISAT0037.
Full textAbstract:
Nous etudions la combinaison de l'effet tunnel resonnant avec l'effet tunnel interbande dans les heterostructures presentant un alignement de type ii. Dans les heterostructures de type i, la quantification magnetique montre qu'un electron avec une importante energie cinetique transverse conserve son energie plutot que son vecteur d'onde transverse, la pression hydrostatique met en evidence un pic de courant extraordinaire que nous attribuons a la formation de niveaux x lies dans les barrieres alas, le calcul clarifie la contribution des modes de phonons lo locaux au courant vallee. Nous exposons les procedes lithographiques que nous avons mis au point pour elaborer le systeme inas/alsb/gasb. Nous soulignons l'importance du choix de l'energie de fermi dans les electrodes et ses multiples consequences sur la forme des caracteristiques courant-tension des heterostructures de type ii. Nos resultats devoilent les mecanismes physiques responsables du courant resonnant interbande et suggerent l'existence d'une bande interdite d'hybridation due au couplage electron-trou. Nous interpretons l'effet tunnel interbande a travers des sous-bandes de trous par les regles de selection usuelles et observons pour la premiere fois la bistabilite intrinseque dans une structure de type ii. Ces resultats nous amenent a comparer les performances de dispositifs electroniques utilisant soit l'effet tunnel resonnant soit l'effet tunnel resonnant interbande
9
Harmand, Jean-Christophe. "Possibilites offertes par l'epitaxie par jets moleculaires dans la croissance d'heterostructures gaas/gaalas pour transistors bipolaires." Paris 7, 1988. http://www.theses.fr/1988PA077072.
Full textAbstract:
Ce travail concerne la fabrication de couches de semiconducteurs iii-v et la realisation de structures pour transistors bipolaires a heterojonction. Ces structures font appel aux composes gaas, gaalas et gainas elabores par epitaxie par jets moleculaires. On etudie l'influence des conditions de croissance sur les caracteristiques des materiaux et notamment l'evolution des coefficients de collage des elements iii et la pression minimale d'arsenic necessaire a la croissance. On tente de modeliser les resultats experimentaux par une approche thermodynamique de l'epitaxie par jets moleculaires. On analyse les caracteristiques electriques des transistors en regime statique
10
BENAKKI, STIET SALIHA. "Resonance paramagnetique electronique des defauts ponctuels intrinseques dans gaas apres une deformation plastique." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1988. http://www.theses.fr/1988STR13080.
Full textAbstract:
Presence de plusieurs signaux, dont celui attribue a l'antisite anionique as::(ga), correle au donneur profond el2. Les parametres de ce ernier (constante d'interaction hyperfine a, largeur de raie laplacien de h) sont constants en fonction de la deformation et des traitements thermiques. Ces donnees, ainsi que les resultats obtenus sur gap irradie aux neutrons rapides, sont en faveur de l'attribution du signal observe ici au defaut ternaire as::(ga)v::(a)**(s)v::(ga). Attributions des signaux intenses observes apres les traitements a t>500**(o)c a des porteurs generes par separation spatiale au voisinage des inhomogeneites
11
Moroni, Didier. "Etude des proprietes optiques de semi-conducteurs composes iii-v et de puits quantiques par photoluminescence et excitation de la photoluminescence." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066540.
Full textAbstract:
Identification des types de recombinaison entre 2 et 300k dans les couches epaisses de gainas et gainp epitaxiees sur leur support respectif inp et gaas. Etude de l'origine de la luminescence et variation en fonction de l'epaisseur du taux de capture des porteurs de la barriere dans les puits quantiques ingaas/inp. Determination du coefficient d'interdiffusion de al et ga aux interfaces dans les puits quantiques gaas/gaalas
12
Piccioli, Norbert. "Constantes optiques du seleniure de gallium : variation avec la temperature et bistabilite optique induite par effet thermique." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066196.
Full textAbstract:
Verification du modele d'elliot pour le cas d'une transition directe avec interaction electron-trou. Le modele a ete modifie pour tenir compte de l'anisotropie et de l'interaction avec les vibrations du reseau. L'analyse, effectuee entre 2 et 500 k, a permis de suivre l'evolution des parametres excitoniques et de la structure de bande avec la temperature. La forme des raies excitoniques avec lorentzienne asymetrique a ete predite. A partir de la, la nature de l'exciton direct et de l'interaction exciton-phonon ont pu etre deduites
13
Termanini, Mohamed Jalal. "Etude et optimisation d'un processus technologique de realisation de transistors bipolaires a heterojonction : application aux composants hyperfrequences de puissance." Toulouse 3, 1987. http://www.theses.fr/1987TOU30069.
Full textAbstract:
Transistors a heterojonction gaalas/gaas. Apres un rappel theorique des proprietes des heterojonctions, un avant projet d'un transistor destine a l'amplification haute frequence de puissance a ete propose. Nous avons ensuite presente les differentes methodes d'obtention des couches necessaires aux dispositifs, epitaxie en phase liquide, epitaxie par jets moleculaires, depot en phase vapeur a partir d'organometalliques. Ces etudes ont permis d'affiner chacune des methodes et de definir dans chaque cas les conditions optimales de realisation. Enfin, nous avons analyse et compare les differents procedes mis a notre disposition pour realiser entierement les transistors, un processus optimum a ainsi pu etre defini. Les dispositifs realises sont presentes et les resultats obtenus discutes, ouvrant la voie au developpement des circuits integres bipolaires asga
14
Faux-Mallet, Marie-Sabine. "Extraction du gallium(iii) en milieu acide : comparaison des methodes d'extraction liquide-liquide et d'echange d'ions sur resines." Paris 6, 1988. http://www.theses.fr/1988PA066234.
Full textAbstract:
Comparaison des avantages et des inconvenients de l'extraction a l'aide de resines et de l'extraction liquide-liquide en vue de preciser leur domaine respectif d'utilisation en hydrometallurgie. Etude de la separation du gallium contenu dans les solutions d'attaque des minerais de zinc. Utilisation de la resine duolite es467 et pour l'extraction liquide-liquide de l'hydroxy-8 quinoleine et d'une alpha-hydroxy-oxime
15
Boivin, Patrice. "Plasticité de GaAs en fonction du dopage électronique." Poitiers, 1988. http://www.theses.fr/1988POIT2312.
Full textAbstract:
Etude entre 650 et 150**(o)c. Proposition d'un modele dans lequel la dyssimetrie de mobilite des partielles constituant une dislocation vis favorise non seulement la nucleation de fautes etendues, mais aussi la restauration de la sous-structure par glissement devie sous forte contrainte
16
Moussa, Imed. "Applications des circuits numériques en arseniure de gallium dans les systèmes à haut débit de communication et dans les calculateurs performants." Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0077.
Full textAbstract:
Ce document presente diverses applications des circuits numeriques en arseniure de gallium (asga) dans les systemes a haut debit de communication et dans les calculateurs performants. Ces applications ont guidees l'ensemble des recherches effectuees au cours de la these dont ce document est l'aboutissement. La necessite de performances elevees, inherentes aux applications traitees, a necessite l'etude et la mise en uvre de topologies differentes qui ont donne lieu a un ensemble de solutions efficaces. Dans le but d'obtenir une marge de bruit assez elevee et de bonnes performances en vitesse, en complexite et en puissance consommee, la conception de circuit en asga souleve des themes majeurs qui se resument aux points suivants: dimentionnement de transistors, topologies de masques, strategies d'amplification et de distribution d'horloges. Ils apparaissent nettement dans les applications traites qui sont decrites ci-dessous. La premiere application de la technologie asga dans les circuits a grande vitesse concerne la conception d'un diviseur redondant a 16 chiffres binaires. Une methode purement full custom a ete utilisee pour exploiter le potentiel de la technologie. Cette methode a permis des optimisations au niveau de la vitesse, de la densite et de la consommation. Le principal probleme mis en evidence lie a cette methode, est sa lourdeur d'emploi, qui la rend pratiquement inutilisable dans le cas des circuits a grande complexite. Pour mettre rapidement sur le marche un produit en asga, nous avons choisi de mettre en application les methodes de synthese de haut niveau afin de generer un chemin de donnees destine a un microprocesseur de type risc. L'avantage en temps de conception lie aux outils de synthese comportementale s'est avere compense par une augmentation de la surface d'implantation comparee a la methode full-custom. Ceci etant un facteur determinant en asga par rapport au cmos, technologie bien meilleur marche et initialement visee par cet outil, il est donc ressorti tres clairement de cette application l'interet d'appliquer un compromis consistant a synthetiser automatiquement des parties du circuit ou la vitesse n'est pas critique, et a utiliser la methode full custom pour les parties ou la vitesse est un parametre important. Cette derniere approche a ete adoptee pour la conception d'un circuit destine a des applications atm (asynchronous transfer mode). Ce circuit a ete concu pour fonctionner a une frequence de 312 mhz. La consommation de puissance a ete estimee autour de 4w, ce qui s'avere etre une performance tout a fait competitive compte tenu du debit a assumer, par rapport aux conceptions cmos existantes
17
Ben, Amor Sami. "MAGNETOTRANSPORT SOUS PRESSION HYDROSTATIQUE DANS LES HETEROSTRUCTURES (A1xGa1-x)0. 48In0. 52As/Ga0. 47In0. 53As et Ga0. 50In0. 50P/GaAs." Toulouse, INSA, 1987. http://www.theses.fr/1987ISAT0013.
Full textAbstract:
Etude du magnetotransport sous champ intense dans les heterostructures gainas/alinas, gainp/gaas et gainas/algainas, l'application de la pression hydrostatique permettant de varier la structure de bande et la concentration electronique. Description coherente du systeme et de la contribution des differentes couches a la conduction totale dans les systemes a barriere alinas et algainas, basee sur une etude correlee des materiaux massifs et des heterojonctions. Mise en evidence d'un effet de photoconductivite persistante, associe a des defauts d'interface, dans le systeme gainp/gaas; etude de l'interaction electron-phonon comme fonction de la concentration des porteurs
18
Berretil, Slimane. "Proprietes electroniques des semi-conducteurs magnetiques gamo : :(4)s::(8), gamo::(4)se::(8), gamo::(4)se::(4)te::(4) et ganb::(4)s::(8)." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066262.
Full textAbstract:
Etudes effectuees en vue de preciser la nature des electrons qui participent ala conduction et au magnetisme de ces composes. Les composes, caracterises par la presence d'amas tetraedriques des ions metalliques mo et nb dans les bas etats d'oxydation, revelent des proprietes de magnetisme itinerant repondant au modele de stoner-wohlfarth avec les densites d'etats les plus elevees observees dans des composes intermetalliques 3d ou 4d. La rpe a confirme que les raies observees correspondant aux ions metalliques dans un etat s = 3/2 (ions mo**(3+) et nb**(3+)); leur elargissement est d'origine dipolaire retrecie par echange et les valeurs des integrales d'echange obtenues sont en bon accord avec celles obtenues a partir des temperatures de curie
19
Rossner, Ulrike. "Epitaxie des nitrures de gallium et d'aluminium sur silicium par jets moléculaires : caractérisation structurale et optique." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1995. http://www.theses.fr/1995GRE10181.
Full textAbstract:
Les nitrures de gallium et d'aluminium ont ete elabores par epitaxie par jets moleculaires (mbe) sur des substrats de silicium. La phase cubique de ces nitrures a ete obtenue sur le si(001). Elle est initiee par une carburation de la surface du silicium precedante a la croissance des nitrures: cette carburation permet de recouvrir completement la surface des substrats par des cristallites de sic cubique. La phase hexagonale du gan et de l'ain a ete observee sur le si(111). Pour la croissance du gan hexagonal, des couches tampons d'ain ont ete utilisees. Le nitrure d'aluminium a ete caracterise structuralement (par rheed, diffraction x et microscopie electronique). Pour le nitrure de gallium, semiconducteur a grand gap (3. 4 ev) qui constituait le but principal de notre travail, une etude structurale detaillee ainsi qu'une etude optique (par photoluminescence et cathodoluminescence) ont ete realisees. L'azote reactif pour la croissance des nitrures a ete obtenu par deux methodes differentes: par la creation d'un plasma d'azote par resonance cyclotron-electronique (ecr-mbe) ou par la decomposition de l'ammoniac sur la surface de l'echantillon (gas-source-mbe). Pour travailler en ecr-mbe, une source de plasma a ete developpee et caracterisee: elle est concue telle que le rapport ions/atomes neutres d'azote soit faible pour minimiser l'endommagement eventuel des nitrures par des ions energetiques
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Allain, Laurent. "Etude des effets de la temperature sur la diffraction des rayons x par des composes semiconducteurs iii-v." Paris 6, 1988. http://www.theses.fr/1988PA066016.
Full textAbstract:
Determination par diffraction rx haute resolution des parametres cristallins de couches epitaxiques de gaalas ou gainas deposees sur les supports si, ge, ga, as, gap, inp et inas, en fonction de la temperature. Les coefficients de dilatation sont determines sur des materiaux relaxes et une extrapolation a d'autres systemes est possible. L'accord parametrique pour gaalas est realise a une temperature superieure a la temperature de depot et pour gainas, cet accord est realise a une temperature de depot dependant du taux de substitution ga/in
21
Garandet, Jean-Paul. "Etude des phénomènes de transport et des défauts cristallins dans des alliages Ga-Sb et Ga-In-Sb élaborés par la méthode Bridgman." Grenoble INPG, 1989. http://www.theses.fr/1989INPG0058.
Full text
22
FALEH, MOHAMAD SALEH. "Conception, realisation et caracterisation de transistors bipolaires de puissance a heterojonction gainp/gaas et comparaison avec les tbh's gaalas/gaas." Toulouse 3, 1998. http://www.theses.fr/1998TOU30027.
Full textAbstract:
L'objet de cette these est la conception, la realisation et la caracterisation de transistors bipolaires de puissance a heterojonction gainp/gaas et la comparaison avec les tbhs gaalas/gaas. Le premier chapitre presente d'abord un rappel des principales proprietes des materiaux gainp et gaas utilises dans la fabrication des tbh etudies. Il examine ensuite les parametres physiques et technologiques qui influent sur les performances statiques et dynamiques. Un modele electrique petit signal permettant la description precise du comportement du transistor est presente. L'influence des effets thermiques qui constituent la principale limitation des tbhs de puissance sur arseniure de gallium est enfin analysee. La technologie mise en oeuvre pour realiser les tbhs gainp/gaas est decrite dans le deuxieme chapitre. Deux familles de dispositifs presentant une surface d'emetteur elementaire de 10x200 m#2 et 6x60 m#2 sont realisees dans des technologies triple mesa classique ou autoalignee, avec une prise du contact d'emetteur utilisant un pont a air. Le troisieme chapitre rapporte les resultats des caracterisations statique et dynamique ainsi que les performances des transistors realises. L'analyse des mecanismes qui regissent le courant principal d'electrons dans la structure permet de proposer une nouvelle caracterisation de la discontinuite de la bande de conduction e#c=17016 mev dans l'heterojonction ga#0#. #5in#0#. #5p/gaas. La caracterisation du comportement electrothermique, avec notamment l'identification de la resistance thermique et l'etude du gain en courant qui depend du niveau d'injection, a permis d'interpreter un comportement specifique de nos transistors. Les performances obtenues pour les transistors classiques sont f#t=18 ghz, f#m#a#x=20 ghz, et la reduction de la resistance de base par autoalignement du contact de base sur l'emetteur a conduit au doublement de la frequence maximale d'oscillation (f#m#a#x=42ghz). Pour l'application a l'amplification de puissance, il a ete releve a une frequence de 1ghz une puissance r. F de sortie de l'ordre de 1w avec un rendement en puissance ajoutee de 49% et a 10ghz, une puissance et un rendement de 170mw et 29% respectivement.
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BENDRAOUI, ABDELLATIF. "Traitements chimiques et thermiques de composes semi-conducteurs iii-v a base de in, ga, as, p en vue d'une reprise d'epitaxie." Clermont-Ferrand 2, 1989. http://www.theses.fr/1989CLF21151.
Full textAbstract:
L'etat de surface des semiconducteurs iii-v avant la reprise d'epitaxie conditionne les proprietes electroniques et la stabilite des composants realises. Mise en evidence de l'aspect dynamique de stabilisation des composes iii-v a base de in, ga, p et as sous hydrures. Developpement d'une methode originale de stabilisation statique de ces composes a base de chlorures d'in. Analyse des resultats experimentaux et interpretation en utilisant des modeles theoriques bases sur la thermodynamique statistique
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Galibert, Jean. "Transport quantique dans des semiconducteurs de type iii-v : effet shubnikov-de haas dans l'antimoniure de gallium, effet magnetophonon dans l'antimoniure d'indium." Toulouse 3, 1987. http://www.theses.fr/1987TOU30286.
Full textAbstract:
Determination des potentiels de deformation de la bande de conduction de gasb. Effets de contraintes selon 111 , en bon accord avec des resultats anterieurs, et selon 100, en desaccord avec la theorie. Determination du facteur de lande de gasb a partir des oscillations shubnikov-de haas dans la bande l, resolues en spin. Interpretation. Etude des surstructures qui apparaissent sur les spectres de resonance magnetophonon de insb. La definition des pics a permis de lever des ambiguites
25
Ranz, Emmanuel. "Contribution à l'étude des défauts DX et EL2 et propriétés de transport dans les plans de dopage GalnAs, GaAs et dans les hétérojonctions InGaAs/AlGaAs, GalnP/GaAs." Toulouse, INSA, 1992. http://www.theses.fr/1992ISAT0041.
Full textAbstract:
Les divers etats metastables de type masse effective associes au centre dx dans algaas sont etudies au voisinage du croisement de bande. L'approfondissement anormal du niveau gamma sous champ magnetique revele la presence d'un etat de symetrie a1 identifie comme le troisieme etat du centre dx. L'etat metastable du niveau el2 dans gaas possede un niveau additionnel (o/-) resonnant capable de pieger les porteurs sous pression hydrostatique. Dans cet echantillon, la concentration de porteurs, proche de la densite critique de mott, a permis l'etude de la transition metal isolant induite par champ magnetique. Le modele de thomas-fermi adapte aux structures a plan de dopage dans gainas et gaas et les resultats de magnetotransport ont permis de degager certaines conclusions quant aux effets lies a l'elargissement du profil de dopage ou de non-parabolicite. Les structures a plans de dopage multiples sont ensuite etudiees. Enfin, les resultats de magnetotransport dans les heterojonctions ingaas/algaas, gainp/gaas sont analyses, en particulier la conduction parallele due a la presence de porteurs dans la barriere
26
Saïd, Moncef. "Etude des etats excites accepteurs dans les semiconducteurs ii-vi et iii-v." Paris 7, 1987. http://www.theses.fr/1987PA077155.
Full textAbstract:
Resolution des equations differentielles de baldereschi et lipari par la methode des elements finis pour les niveaux accepteurs des semiconducteurs a structure diamant ou blende etudies dans l'approximation de la masse effective. Application au calcul des etats excites de l'accepteur (ns, np, nd) jusqu'a n=8. Mise en evidence de la necessite d'introduire l'effet du a l'impurete. Cas des composes znte: li, p, as, mg, cu; cdte: li, na, p, as, ag, cu; gaas: c, zn, si, ge. On en deduit la constante dielectrique statique et les parametres de luttinger
27
Gendron, François. "Étude spectroscopique de métaux de transition dans les semi-conducteurs." Paris 6, 1986. http://www.theses.fr/1986PA066001.
Full textAbstract:
Étude par RPE, absorption optique et photoluminescence de ZnS : Ni, ZnTe : Ni et GaAs : Ni, effets du champ magnétique et d'une contrainte. Mise en évidence d'une raie à zéro phonon dans les processus d'absorption, interprétation par la transition interne **(2)T::(2) -> **(2)E de Ni**(+) isolé.
28
DUPONT-NIVET, ERIC. "Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de gainp et algainp sur gaas : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions." Paris 7, 1987. http://www.theses.fr/1987PA077108.
Full textAbstract:
Principes de base de la methode movpe et problemes poses par sa mise en oeuvre. Cas particuliers de gainp et de algainp. Analyse des mecanismes de la methode movpe. Proprietes des interfaces gainp/gaas, algainp/gaas et algainp/gainp et presentation de puits quantiques algainp/gainp. Realisation de dispositifs optoelectroniques: presentations de diodes electroluminescentes a homojonctions en gainp et algainp, examen des travaux des principales equipes epitaxiant algainp, presentation de lasers a heterojonctions algainp/gainp/algainp
29
Gonzalez, Gomez Jesus Antonio. "Transitions optiques dans gaas sous haute pression : application a la transition de phase cubiques-orthorhombique." Paris 6, 1988. http://www.theses.fr/1988PA066264.
Full textAbstract:
Mesure du coefficient d'absorption a 300 k et pour des pressions jusqu'a 13 gpa et comparaison avec les modeles d'elliott-toyozawa a basse pression et de dumke a haute pression. Les variations avec la pression, des bandes interdites directes et indirectes est deduite. Au dela des 13 gpa l'etude de la transition de phase structure blende-orthorhombique a permis d'etablir le domaine de stabilite de la phase blende. L'etude de la photo conductivite sous pression a permis l'estimation de la longueur de diffusion et de la duree de vie des porteurs photo excites
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Quélard, Didier. "Etude par deformation plastique et frottement interieur de la mobilite des dislocations dans gaas et insb non dopes." Toulouse, INSA, 1987. http://www.theses.fr/1987ISAT0003.
Full textAbstract:
La premiere partie de ce travail presente l'etude de la deformation plastique par compression uniaxiale de gaas non dope. Des essais de relaxation de la contrainte a differentes temperatures comprises entre 0,35 et 0,54 t::(f) ont permis une premiere mesure de l'energie d'activation de la deformation plastique a differentes contraintes, et une evaluation du mecanisme controlant la deformation. La seconde partie expose les resultats de l'etude par frottement interieur a basse frequence (1 hz) des dislocations dans gaas (0,05 t::(f)t0,66 t::(f)) et insb (0,1 t::(f)0,95 t::(f)) non dopes pour differentes conditions de deformation. Les domaines de frequence et de temperature explores ont permis de mettre en evidence de nouveaux pics de frottement interieur sur insb, qui pourraient etre relies aux mecanismes intrinseques du mouvement des dislocations (vis et 60**(o))
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M'AHAMEDI, OMAR. "Contribution a l'etude de l'interaction de l'hydrogene atomique avec les faces (110) et (100) de gaas et inp." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066526.
Full textAbstract:
Etude de l'effet de l'adsorption de l'hydrogene, de l'unicite de la liaison forte que cet atome peut etablir avec les atomes de surface du substrat. Les spectres montrent qu'a forte dose d'hydrogene, il y a diminution du rendement de photoemission
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Bleuse, Joël. "Effets electro-optiques dans les superreseaux semiconducteurs." Paris 6, 1988. http://www.theses.fr/1988PA066088.
Full text
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Barbier, Eric. "Epitaxie par la methode des organometalliques d'heterostructures gaas/gaalas a application en hyperfrequence." Orléans, 1987. http://www.theses.fr/1987ORLE2003.
Full textAbstract:
Croissance reproductible de materiaux de haute purete qui se caracterisent dans le cas de gaas par une concentration en impuretes residuelles voisine de e14 porteurs par cm**(3), une mobilite electronique a 77k superieur a 110. 000 cm**( non2)v. S et dans le cas du gaalas par un niveau de dopage residuel de e15 porteurs par cm**(3) pour une teneur en aluminium de 25%. La caracterisation des interfaces par microscopie demontrent la croissance reproductibles d'heterojonctions aux transitions de l'ordre de la monocouche
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Acolatse, Alfred Kodjo. "Etude et réalisation et caractérisation de transducteurs à peignes interdigites sur GaAs dans la bande 100 MHz - 1 GHz en vue de la réalisation de circuits mixtes acousto-opto-électroniques." Valenciennes, 1997. https://ged.uphf.fr/nuxeo/site/esupversions/e8077b63-dbe4-4196-b8a9-d335d8335ebe.
Full textAbstract:
Le travail est relatif à la conception, la réalisation et la caractérisation de transducteurs à peignes interdigites (IDT) sur arséniure de gallium (GaAs) fonctionnant en haute fréquence. Le choix du GaAs, matériau possédant des propriétés à la fois semi-conductrice et piézoélectrique est justifié par les applications envisagées. En effet, les interactions acousto-opto-electroniques peuvent être mises à profit pour la réalisation de circuits monolithiques à caractère innovant. On rappelle tout d'abord que dans le GaAs coupe (100), suivant la direction 011 il existe un mode singulier de propagation de type Rayleigh avec un coefficient de couplage électromécanique maximal. Pour cette raison, ce mode est choisi pour la conception de prototypes dont la structure se compose de deux IDT émetteurs et récepteurs. Ces prototypes sont caractérisés en terme de fonction retard, fonction de transfert et impédance d'entrée. En particulier, un schéma équivalent prenant en compte les éléments parasites liés à la connectique est établi. Un prototype 1 GHz avec une structure adaptée à la caractérisation sous pointes en microondes a été réalisé. Les résultats montrent une diminution importante du couplage électromagnétique entre l'entrée et la sortie. Un prototype 100 MHz permettant la détermination des pertes de propagation par une méthode originale est présenté. Le travail est complété par la réalisation et la caractérisation de réseaux réflecteurs métalliques à une fréquence de 100 MHz. Les résultats de cette étude montrent la faisabilité de transducteurs unidirectionnels et doivent ainsi permettre de guider la conception des nouveaux circuits mixtes envisagés. En effet, pour ces derniers, il est nécessaire de bénéficier d'un maximum de puissance et de placer des électrodes de détection dont l'influence doit être minimum sur la propagation des ondes acoustiques. Enfin deux types de circuits mixtes en cours de développement au laboratoire sont présentés : un modulateur acousto-optique et un dispositif à transfert acoustique de charges. Ils montrent l'intérêt de ce travail dans la conception de telles structures novatrices.
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Muller, Fabrice. "Résonance paramagnétique électronique sous champs magnétiques intenses : étude de GaP:S." Grenoble 1, 1987. http://www.theses.fr/1987GRE10168.
Full textAbstract:
Mise au point d'une technique rpe en champs magnetiques intenses. Les experiences sur gap: s ont permis de mettre en evidence une resonance de spin elargie par rapport a la rpe classique et une resonance de type dipolaire electrique provenant d'un couplage entre paire heteropolaires de donneurs et un continuum d'energie du a des transitions par sauts d'electrons induites optiquement
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KUHN, OLIVIER. "Electroluminescence et transport bipolaire dans des heterostructures gaas/alas a effet tunnel resonnant." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1996. http://www.theses.fr/1996GRE10179.
Full textAbstract:
Nous etudions les emetteurs optiques a base d'heterostructures bipolaires a effet tunnel resonnant. Les processus d'injection et d'echappement par effet tunnel resonnant, ainsi que les phenomenes d'accumulation et de redistribution de charges d'espace sont abordes. Un schema simple est etabli pour interpreter l'analyse des intensites d'electroluminescence comme une mesure selective du transport d'electrons et de trous. Les vallees satellites de la structure de bandes jouent un role important dans les proprietes electriques et optiques des heterostructures gaas/alas. Par des experiences sous pression hydrostatique, il est demontre que le transport de porteurs de charges est principalement soutenu par les chemins de transport les plus bas energetiquement qui, dans le regime d'alignement de bandes de type-ii, impliquent les vallees x dans l'alas (transport a multiples vallees). Dans nos structures, l'electroluminescence dans le regime de type-ii est du a une recombinaison d'electrons dans l'alas avec de trous dans le gaas. La separation en espace des porteurs de charge a pour consequence des effets electro-optiques tels qu'un decalage vers le bleu et un comportement anormal sous pression de l'energie de raie d'electroluminescence. En presence de champs magnetiques intenses, le decalage vers le bleu est module avec une periodicite en 1/b. Ces magneto-oscillations, qui apparaissent aussi dans l'intensite et la largeur de raie, ainsi que dans le courant, s'expliquent par une modulation du champ electrique local a travers une modulation de la densite d'electrons dans l'alas en presence d'un champ magnetique. Dans une conception asymetrique de l'heterostructure bipolaire a effet tunnel, qui augmente l'accumulation de trous, la retroaction electrostatique entre les charges d'electrons et de trous entraine une bistabilite de courant comparable a la caracteristique courant-tension d'un thyristor
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Valette, Pascale. "Dynamique de paroi de domaines magnetiques dans des grenats ferrimagnetiques." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066654.
Full textAbstract:
Etude des oscillations de parois de domaines magnetiques de couches de grenats substitues (gdbipr)::(3)(alfe)::(5)o::(12) et bi::(3)(algafe)::(5)o::(12) par effet faraday a 6328 a et sous un champ magnetique d'une frequence allant jusqu'a 50mhz. L'intensite lumineuse transmise est mesuree en fonction de la frequence et de l'intensite du champ applique. Deux modeles de parois sont correles aux resultats experimentaux. Un modele de paroi non isolee sans ligne de bloch est en accord avec les resultats experimentaux
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Castagné, Jean. "ETUDE DES PREMIERES ETAPES DE LA CROISSANCE PAR JETS MOLECULAIRES SUR LES SYSTEMES HETEROEPITAXIAUX GaAs-(Ca, Sr)F2 ET GaAs/Si." Toulouse, INSA, 1987. http://www.theses.fr/1987ISAT0025.
Full textAbstract:
PREPARATION DES SUPPORTS GaAs ET Si. DEPOT DE (Ca, Sr)F2 SUR GaAs (ACCOMMODATION DES RESEAUX) ET SUR SI (DESACCOMMODATION = 5%) ET ETUDE DU MODE DE CROISSANCE PAR SPECTROMETRIE AUGER ET DIFFRACTION RHEED. PUIS ETUDE DE LA REPRISE DE CROISSANCE DE GAAS SUR (Ca, Sr)F2 OU SUR Si EN DEPOSANT D'ABORD UNE FINE COUCHE GaAs AMORPHE QUE L'ON RECUIT. LE MODE DE CROISSANCE, QUI EST TRIDIMENSIONNEL DANS DES CONDITIONS STANDARD, TEND ALORS VERS UN MECANISME 2D ET L'ETUDE RHEED PERMET D'ETABLIR LA QUALITE CRISTALLOGRAPHIQUE DES PREMIERES COUCHES GaAs AINSI ELABOREES
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Cernicchiaro, Geraldo Roberto Carvalho. "Développement d'un système de mesure d'interférences mésoscopiques : application à l'étude de courants permanents, quantification de conductance et interférences entre canaux dans un anneau 2DEG." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10101.
Full textAbstract:
Cette etude s'interesse au developpement de l'instrumentation et a son application pour la comprehension de certains phenomenes d'interference electronique dans des systemes a l'echelle mesoscopique. Nous montrons de nouvelles mesures de transport quantique et d'aimantation (courants permanents) realisees sur un anneau resistif, lithographie dans un systeme bidimensionnel d'electrons (2deg) a l'interface d'une heterojonction de gaas-gaalas. Nous avons developpe un systeme de detection electronique qui permet l'utilisation de microsquids a micropont hysteretiques comme detecteurs de variation de flux magnetique pour la mesure des courants permanents. Ce systeme permet la mesure de tres petits objets (<100 nm). Il est utilise actuellement dans l'etude de plusiers domaines du micromagnetisme. Nous etudions la dependance de la magnetoconductance d'un anneau 2deg, en fonction d'un champ electrique applique a une grille metallique deposee sur une branche de l'anneau. La figure d'interference resultante presente une serie de changements : alternance de phase, doublement de frequence, variation d'amplitude. Ces mesures suggerent la superposition des effets d'interferences entre les modes propres de propagation (canaux de conduction) et la quantification de la conductance dans une experience de aharonov-bohm, dans le regime quasi balistique. Des simulations numeriques sont en bon accord qualitativement avec les resultats experimentaux.
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Koppa, Pàl. "Commutation de données par reconnaissance d'adresse binaire." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 1995. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00714180.
Full textAbstract:
On a réalisé la démonstration d'une commutation spatiale de données d'une entrée vers 64 sorties par voie tout optique. Les composants originaux utilises sont une matrice de modulateurs a puits quantiques multiples en technologie gaalas a 64 éléments et une structure bistable optique de même technologie. Le principal résultat est le fonctionnement complet du démonstrateur voie par voie a la fréquence d'horloge de 20mhz (taux d'erreur inférieur a 1%). Les limitations viennent de la stabilité du laser et des non uniformités lors de la croissance epitaxiale des composants.
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Shen, Jianyun. "Thermodynamique des systèmes III-V, As-Ga-In et Al-As et analyse de leur épitaxie par jets moléculaires." Grenoble INPG, 1989. http://www.theses.fr/1989INPG0087.
Full textAbstract:
Diagramme de phase et donnees thermodynamiques du systeme ternaire as-ga-in sont optimises a partir des valeurs experimentales disponsibles. Etude de l'influence de l'energie elastique sur le diagramme de phase. Analyse thermodynamique de l'epitaxie par jets moleculaires des multicouches in#1##yga#yas
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Gillardin, Gérard. "Mise au point d'un appareillage de photoluminescence a haute resolution spatiale : application a l'etude des semiconducteurs et dispositifs electroniques iii-v." Clermont-Ferrand 2, 1988. http://www.theses.fr/1988CLF2D216.
Full textAbstract:
Description du dispositif permettant d'analyser des plaques de 2**(") de diametre a 1ok, avec de hautes resolutions laterales (20 et 1mu m), eventuellement a diverses energies. Realisation de cartographies a 300 et 10k: tres bonne correlation entre intensite de photoluminescence et defauts cristallins et chimiques; correspondance avec des mesures de resistivite electrique. Mise au point d'une procedure de qualification de l'homogeneite microscopique de gaas semi-isolant. Possibilite de prevoir la dispersion des tensions de seuil de transistors fet d'apres l'analyse du support de defaut, donc de classer et choisir les supports pour la realisation de circuits integres
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Cohen-Jonathan, Cécile. "Photodiodes à avalanche à multi puits quantiques AllnAs/AlGaInAs, à éclairage latéral pour les télécommunications à 20 Gbit/s." Grenoble 1, 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10089.
Full textAbstract:
L'objet de ce travail est la conception et la realisation de photodiodes a avalanche a multi-puits quantiques a eclairage lateral pour les telecommunications optiques. Ces photodiodes permettent d'obtenir des produits gain-bande eleves et d'envisager la realisation de photorecepteurs tres sensibles et fonctionnant a 20 gbit/s. Les couches sont epitaxiees par jets moleculaires. Les epaisseurs de la couche d'absorption et d'avalanche ont ete definies par la resolution des equations de courants dans les differentes zones. Les resultats ont abouti a des produits gain-bande simules situes entre 130 ghz et 170 ghz. La zone de transition, permettant la repartition des champs electriques dans les zones d'avalanche et d'absorption, a ete definie en resolvant l'equation de poisson. L'etude du champ electrique et de la capacite a permis de determiner une zone de transition graduelle non dopee, intercalee entre deux fines zones dopees p. L'optimisation des couches de confinement est necessaire pour realiser des structures multimodes a forte sensibilite. Les calculs des modes guides et de la sensibilite (autour de 0,9 a/w) ont abouti a des structures dissymetriques, simplifiant ainsi les etapes technologiques. La methode modale a ete validee par des calculs de puissance propagee (bpm) et par des calculs des modes guides en complexe, mettant en evidence l'influence des metallisations de contact sur la dependance de la sensibilite a la polarisation. Les differentes etapes technologiques ont ete mises au point, en particulier les etapes de gravure. Le nitrure de passivation sert egalement de couche anti-reflet. La technologie developpee est simple, reproductible et permet une caracterisation des composants directement sur tranche. Les composants realises ont donne des performances a l'etat de l'art. Les mesures de bruit ont permis de determiner des gains allant jusqu'a 30 et des facteurs d'exces de bruit inferieurs a 4 pour m=10. Les frequences de coupure, superieures a 20 ghz, conduisent a des produits gain-bande superieurs a 165 ghz. Les sensibilites de 10 a/w mesurees prouvent, pour la premiere fois, la faisabilite de photodiodes a avalanche sensibles et rapides. Ces caracteristiques, etablissant un nouvel etat de l'art dans le domaine, font de ces photodiodes d'excellentes candidates pour la photoreception a 20 gbit/s.
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Dohy, Didier. "Contribution à l'étude de la structure statique et dynamique des aluminés béta et de composés apparentés." Paris 13, 1987. http://www.theses.fr/1987PA132025.
Full textAbstract:
Interprétation de données vibrationnelles obtenues sur les aluminés béta par des calculs de champ de force. Calcul des déplacements quadratiques moyens dans les aluminés béta. Les mécanismes de conduction ont été utilisés par diffusion quasi élastique de neutrons et calorimétrie adiabatique. Le calcul des intensités raman sur un cristal de ga::(2)o::(3) est en bon accord avec l'experience
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Marzin, Jean-Yves. "Effets des deformations sur les proprietes optiques des super-reseaux contraints a base de semi-conducteurs iii-v." Paris 7, 1987. http://www.theses.fr/1987PA077132.
Full textAbstract:
Etude, par photoluminescence, spectrometrie d'excitation et absorption optique, de plusieurs systemes contraints et en particulier du systeme in::(0,15)ga::(0,85)as/gaas sur gaas; modifications de la structure de bande dues aux contraintes natives. Identification des transitions optiques; bon accord avec un modele de fonctions enveloppes incluant les effets des contraintes. Estimation des discontinuite de bandes; configuration des bandes de valence. Etude de systemes fortement contraintes sur l'exemple de inas/gaas; transitions associees a la presence de monocouche(s) de inas dans une matrice gaas; effets lies a la segregation de in en surface et au passage d'un mode de croissance 2d a un mode 3d
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Tourtin-Bader, Fabienne. "Elaboration et caractérisations de couches minces diélectriques de phosphate de gallium sur semiconducteurs de silicium et d'arséniure de gallium." Montpellier 2, 1996. http://www.theses.fr/1996MON20102.
Full textAbstract:
La passivation des semiconducteurs iii-v tels le gaas et l'inp necessite le depot a basses temperatures (t < 500c) de couches minces dielectriques. A cet effet, des couches minces de phosphate de gallium ont ete tout d'abord deposees sur des substrats de silicium, puis sur des substrats d'arseniure de gallium par une technique de type aerosol cvd, le procede pyrosol. Ces films, caracterises par microscopie, microsonde electronique, diffraction des rayons x et spectrometrie de masse des ions secondaires, sont amorphes et presentent des evolutions importantes de composition chimique en fonction des conditions experimentales d'elaboration. L'etude de leur structure a ete realisee par spectroscopie infrarouge et par trois techniques de caracterisation complementaires utilisant le rayonnement synchrotron: l'absorption des rayons x (xanes, exafs) aux seuils k des atomes de gallium et d'oxygene, la spectroscopie de photoemission x et la diffusion anomale des rayons x aux grands angles. Ces etudes ont montre que l'environnement atomique moyen des atomes de gallium, de phosphore et d'oxygene dans les depots riches en phosphore est essentiellement base sur la structure de la reference cristallisee gapo#4 cristobalite, et que l'exces de phosphore par rapport a la stoechiometrie se retrouve sous la forme d'enchainements (pop)#n. Par contre, les depots riches en gallium ont une structure qui se rapproche de celle de la reference ga#2o#3. Des mesures electriques completent cette etude et montrent une resistivite elevee et de faibles pertes dielectriques, fonction de la teneur en oxygene des depots
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Hallali, Paul-Eric. "Diffusion de zinc dans les materiaux algainas : application au transistor bipolaire a heterojonction." Paris 7, 1988. http://www.theses.fr/1988PA077071.
Full textAbstract:
Ces materiaux quaternaires algainas et les ternaires limites gainas et alinas sont elabores par epitaxie par jets moleculaires sur substrat de phosphure d'indium. Les diffusions sont realisees en utilisant la technique de la boite semi-fermee et elles sont caracterisees par profilometre electrochimique (polaron) et par sonde ionique (sims). On etudie experimentalement le mecanisme de diffusion du zinc dans gainas et on determine un mecanisme intersticiel-substitutionnel. Ensuite on expose l'utilisation de la diffusion dans le procede de fabrication des transistors bipolaires a heterojonction
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Benezeth, Pascale. "Etude expérimentale de la spéciation du gallium et de la complexation de l'aluminium et du gallium avec l'ion acétate en solution aqueuse." Toulouse 3, 1994. http://www.theses.fr/1994TOU30222.
Full textAbstract:
Ce travail a pour objectif d'acquerir des donnees thermodynamiques sur les especes aqueuses hydroxylees du gallium et sur les complexes de l'aluminium et du gallium avec l'ion acetate, en vue de mieux comprendre le transport et le partage de ces deux elements en milieu hydrothermal et superficiel. Les constantes d'hydrolyse du gallium ont ete determinees par des mesures de solubilite de gaooh (60-250c) en fonction du ph. Aux temperatures inferieures a 150c, les courbes de solubilite font apparaitre une discontinuite, vraisemblablement du a un changement de phase. Dans ce domaine de temperature, les constantes d'hydrolyse ont ete approchees par extrapolation a l'aide du modele de densite. Les resultats montrent que l'hydrolyse du gallium est importante meme en milieu tres acide. L'espece ga(oh)#4- est donc largement majoritaire dans le domaine de ph des solutions naturelles. La complexation de l'aluminium et du gallium avec l'ion acetate a ete etudiee par des mesures de solubilite en milieu acetique et en fonction du ph. Pour la premiere fois, il est montre que l'ion acetate forme des complexes avec les 3 especes chargees positivement de l'aluminium: alaco#2+, al(aco)#2+, al(oh)aco+ et al(oh)#2aco. La stabilite de ces complexes augmente avec leur charge et la temperature. Ils ont pu etre mis en evidence par spectroscopie rmn et raman qui indique qu'ils sont de type bidentate. L'hydrolyse importante du gallium ne permet de mettre en evidence a 60c que deux complexes avec ga(oh)#2+ et ga(oh)#2+ et un seul complexe a 150c avec ga(oh)#2+. Les constantes de formation calculees indiquent que les complexes formes avec le gallium sont plus stables que ceux de l'aluminium. Ceci est en bon accord avec le caractere plus covalent de la liaison ga-o par rapport a la liaison al-o
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Reinert, Philippe. "Synthèse de gallophosphates et de zincophosphates cristallisés inédits en présence d'espèces organiques azotées cycliques ou linéaires : influence des anions fluorures sur la nature des phases formées." Mulhouse, 1998. http://www.theses.fr/1998MULH0547.
Full textAbstract:
L'utilisation comme structurants organiques de molécules azotées cycliques (amines cycliques, macrocycles) ou linéaires (diaminoalcanes) originales a permis l'élaboration de nombreux gallophosphates (charpente Ga, O, P) et zincophosphates (charpente Zn, O, P) inédits. Ces composés ont été synthétisés par voie hydrothermale en milieu fluoré et non fluoré en autoclave à des températures inférieures à 200°C sous pression autogène. Ces matériaux ont été caractérisés par diffraction des rayons X, microscopie électronique à balayage, analyses thermiques et RMN du solide (13C, 19F, 31P, 71Ga). Les structures cristallines ont été déterminées par diffraction des rayons X sur monocristal ou sur poudre. Deux paramètres ont été particulièrement étudiés, la teneur en anions fluorures et la nature du solvant de synthèse. Il est apparu que les domaines de cristallisation des différentes phases obtenues étaient définis par la teneur en anions fluorures présente dans le milieu de synthèse. Par ailleurs, ces anions apparaissent comme étant indispensables à la formation des unités fluorés de type double cycle à 4 tétraèdres (D4R) et jouent alors un rôle de structurant. Les synthèses de gallophosphates réalisées en présence de la molécule de 4-amino-2,2,6,6-tétraméthylpipéridine en milieu aqueux et quasi non aqueux (solvant éthylène glycol) ont permis de mettre en évidence le rôle du solvant de synthèse qui contrôle la dimensionnalité des structures obtenues. D'autre part, et contrairement à ce qui a été observé pour les gallophosphates, les anions fluorures introduits dans les milieux de synthèse des zincophosphates n'ont pas d'effet structurant. Ils semblent jouer essentiellement un rôle de modificateur de pH.
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Valloggia, Sylvie. "SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE LOCALE DANS LES SEMICONDUCTEURS MASSIFS (Si, InP) ET LES PUITS QUANTIQUES (GaAs/GaAlAs)." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37619041b.
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