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Dissertations / Theses on the topic 'Concentration impurete'
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1
Selmani, Larbi. "Etude des défauts électriques associes à l'or et au fer dans le silicium." Lyon 1, 1985. http://www.theses.fr/1985LYO19018.
Full textAbstract:
Nous avons utilisé la diffusion thermique pour introduire des impuretés métalliques dans le silicium afin d'étudier les défauts électriquement actifs associés à celles-ci. Nous nous sommes particulièrement intéressés à l'or et au fer. La technique de spectroscopie transitoire a été employée comme outil de caractérisation. Nous avons analysé l'influence de la concentration d'or introduite sur les propriétés du centre accepteur (Ec - 0,55 eV) qui lui est associé (énergie d'activation et section efficace de capture). Il en ressort que celui-ci est probablement dû à différents états complexes. Dans le silicium dopé bore ayant subi une diffusion de fer, nous avons identifié trois centres profonds en étroite corrélation avec la vitesse de refroidissement. Le premier H(0,43) n'apparaît que lorsque la trempe est efficace et se transmute au cours du temps. Il est dû au fer en site interstitiel. Les deux autres niveaux H(0,4) et H(0,33) sont présents lorsque l'échantillon subit un refroidissement. Assez lent. Nous démontrons ainsi que les deux niveaux associés au fer dont l'énergie d'activation est située autour de 0,4 eV sont de nature différente.
2
Casse, Gianluigi. "The effect of hadron irradiation on the electrical properties of particle detectors made from various silicon materials." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10112.
Full textAbstract:
Les detecteurs au silicium, dont l'utilisation est prevue dans les futures experiences de physique des hautes energies (lhc au cern) devront soutenir un tres haut niveau de radiation. La defaillance des detecteurs plus exposes est attendue apres quelques annees d'operations. Un grand interet est pourtant devolue a l'etude des changements provoques par les radiations dans les detecteurs et a l'amelioration de la resistance aux radiations de ceux-ci. L'introduction d'impuretes dans le cristal de silicium peut influencer la tenue aux radiations. Les impuretes forment des complexes avec les defauts primaires induits par les radiations. Ces complexes peuvent etre electriquement actifs ou inactifs. Dans ce dernier cas, les defauts n'affectent pas les proprietes electriques du detecteur. Une grande concentration d'impuretes qui forment des complexes inactifs peut reduire la vitesse de degradation des detecteurs. Les plus importants parametres electriques qui changent en fonction de la fluence sont la densite effective de dopage, le courant inverse et l'efficacite de collection de charge. Cette these presente une etude detaillee des changements de ces parametres en fonction de la fluence hadronique et du temps apres les irradiations, pour des cristaux de silicium contenant differentes teneurs en impuretes. Le role de l'o, c et sn sur la tenue aux radiations est evalue. L'etude a ete faite en utilisant comme detecteur de simples diodes (p#+-n-n#+). Certains changements des caracteristiques electriques de ces diodes apres des forts niveaux d'irradiation ne peuvent pas etre expliques par la theorie de la jonction p-n d'un semi-conducteur. Un modele de distribution du champ electrique est propose pour expliquer les proprietes de collection de charge des detecteurs irradies.
3
Benkherourou, Ouahab. "Conception et mise au point d'un analyseur hemispherique en vue de spectroscopies d'electrons resolues angulairement : caracterisation d'interfaces si/sio::(2) et si/sio::(x)n::(y) obtenues par implantation ionique a faible energie." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1987. http://www.theses.fr/1987STR13014.
Full textAbstract:
Dans la region interfaciale, on retrouve toutes les configurations possibles de liaisons autour du tetraedre de si. Les profils de concentration de ces especes different selon que l'on fait l'oxydation ou l'oxynitruration. La distribution de ces especes a l'interface suit le modele theorique r. B. M. (random bonding model). Ce modele permet de comprendre la morphologie de l'interface et donc d'etablir la nature des liaisons chimiques entre les differents atomes (si-o-si et si-n-si)
4
Dal'Bo, Frédéric. "Spectroscopie optique d'heterostructures a base de tellurure de cadmium epitaxiees par jets moleculaires." Grenoble 1, 1988. http://www.theses.fr/1988GRE10123.
Full textAbstract:
La relaxation des contraintes est mise en evidence par une etude spectroscopique des transitions des excitons libres et varie en fonction de l'epaisseur de la couche et de l'orientation du support. Les differences entre les spectres de photoluminescence des materiaux massifs et ceux des couches epitaxiees sont dues aux effets des contraintes, aux defauts cristallins et aux impuretes introduites pendant la croissance. La structure de bande du puits quantique contraint est etudiee par spectroscopie optique. Elle est etudiee en fonction de l'epaisseur du puits
5
Fiebig, Anke. "Prediction of crystal morphology for a limited range of impurity concentrations." Aachen Shaker, 2007. http://d-nb.info/988385546/04.
Full text
6
GERARD, BRUNO. "Luminescence retardee stimulee electriquement dans les sulfures de zinc et de cadmium actives au cuivre, a l'or ou a l'argent et coactives a l'aluminium : application a un imageur mammographique numerique a memoire." Paris 6, 1988. http://www.theses.fr/1988PA066252.
Full textAbstract:
Etude de la faisabilite de cet imageur utilisant, comme principe d'acquisition de l'image x, l'effet gudden-pohl, phenomene de luminescence retarde stimulee electriquement (lse). Seuls zns et cds dopes par cu, au ou ag donne l'effet lse adequat apres une phase de sensibilisation. Variation de la luminescence en fonction de la dose de rayons x, du champ electrique, de la temperature, du dopage, etc. Modelisation de l'effet lse: l'enregistrement de l'image se fait par piegeage de trous sur des accepteurs dans la couche d'appauvrissement superficielle, la recombinaison radiative se produisant avec ces trous lorsque le champ electrique applique abaisse la barriere de potentiel superficielle. Elaboration d'une maquette en vue du developpement d'un imageur mammographique numerique
7
Wang, Tianbo. "Reconstruction of soft X-ray and tungsten concentration profiles in tokamaks using gaussian process tomography." Thesis, Aix-Marseille, 2019. http://www.theses.fr/2019AIXM0182.
Full textAbstract:
En visant le développement d’une source d’énergie sécurisée et durable, la recherche sur la fusion nucléaire est actuellement concentrée autour de la construction et le fonctionnement du projet international d’ITER. Un des problèmes principaux qui menacent la sécurité et efficacité de fonctionnement de tokamaks, est l’accumulation d’impuretés dans le cœur de plasma, entraînant la dilution de carburant et la perte de puissance. Dans cette thèse, une nouvelle méthode est développée et appliquée pour la reconstruction de la distribution de rayonnement X-mou poloïdal au moyen de Processus Gaussien (GPs), qui fournit d’information d’impureté dans le plasma de tokamak. La méthode est testée sur des données synthétiques et expérimentaux avec comparaison avec succès aux techniques habituelles, au coût de calcul très réduit. La concentration de tungstène est déduits ,et l’approximation de réseau de neurones est étudiées, ouvrant des perspectives pour le contrôle d’impureté dans les tokamaks en temps réelAiming at the development of a sustainable and safe energy source, nuclear fusion research is presently largely concentrated around the construction and operation of the international ITER project. One of the primary issues threatening safe and efficient operation of tokamaks, is the accumulation of so-called impurities in the plasma core, causing fuel dilution and radiative power loss. In this doctoral work, a new method has been developed and applied for reconstruction of soft X-ray radiation distribution in poloidal cross-section by means of Gaussian processes (GPs), which can deliver the information about impurity concentrations in tokamak plasmas. The method was tested on synthetic and real data and was found to compare favorably with standard techniques, at greatly reduced computational cost. Concentration of tungsten was also inferred and neural network approximations were investigated, opening perspectives for real-time impurity control in tokamaks
8
Fiebig, Anke [Verfasser]. "Prediction of Crystal Morphology for a Limited Range of Impurity Concentrations / Anke Fiebig." Aachen : Shaker, 2008. http://d-nb.info/1162790733/34.
Full text
9
Dürr, Jérôme. "Contribution à l'étude structurale du système BaBiO3 dopé par du plomb ou par du potassium." Grenoble 1, 1993. http://www.theses.fr/1993GRE10008.
Full textAbstract:
Le compose babio#3, connu pour ses proprietes supraconductrices lorsqu'on substitue le bismuth par le plomb, a suscite un regain d'interet lorsqu'une temperature supraconductrice de 30 k environ a ete obtenue en le dopant avec du potassium. Nous avons caracterise finement par analyse e. D. X. Des monocristaux prepares soit par flux soit par electrocristallisation. Nous avons montre que dans les deux cas seuls les cristaux faiblement dopes (moins de 10% de potassium) etaient homogenes. Au-dela de ce taux de substitution, ils presentent soit un gradient de composition, soit plusieurs compositions distinctes. Ceci se traduit en general par un elargissement de la transition supraconductrice mesuree en susceptibilite alternative. Nous avons aussi mis en evidence deux nouvelles phases, l'une contenant du sodium, l'autre presentant un rapport (ba+k)/bi different de celui relatif a une phase perovskite. Par ailleurs, nous avons determine par diffraction des rayons x la structure d'un monocristal macle de composition k#0#. #0#2#3ba#0#. #9#9#4bi#0#. #9#7#4o#2#. #9#5. Les meilleurs affinements ont ete obtenus en decrivant la structure dans le groupe d'espace i2/m, comme pour le compose non dope. Nous avons trouve que pour cette faible concentration en potassium les atomes de potassium ne substituaient pas le baryum mais etaient situes sur l'un des deux sites de bismuth. Le meme type d'etude faite sur un monocristal de babio#3 dope au plomb (13%) a montre que la encore c'etait le groupe d'espace i2/m qui permettait la meilleure description de la structure. Enfin, nous avons determine la structure d'une nouvelle phase de type perovskite double, de formule ba#3#. #1#2k#0#. #6#8bi#3#. #4#4na#0#. #7#0o#1#2. La repartition des charges laisse peu d'espoir de rendre ce compose supraconducteur
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Ben, Amor Sami. "MAGNETOTRANSPORT SOUS PRESSION HYDROSTATIQUE DANS LES HETEROSTRUCTURES (A1xGa1-x)0. 48In0. 52As/Ga0. 47In0. 53As et Ga0. 50In0. 50P/GaAs." Toulouse, INSA, 1987. http://www.theses.fr/1987ISAT0013.
Full textAbstract:
Etude du magnetotransport sous champ intense dans les heterostructures gainas/alinas, gainp/gaas et gainas/algainas, l'application de la pression hydrostatique permettant de varier la structure de bande et la concentration electronique. Description coherente du systeme et de la contribution des differentes couches a la conduction totale dans les systemes a barriere alinas et algainas, basee sur une etude correlee des materiaux massifs et des heterojonctions. Mise en evidence d'un effet de photoconductivite persistante, associe a des defauts d'interface, dans le systeme gainp/gaas; etude de l'interaction electron-phonon comme fonction de la concentration des porteurs
11
Atmani, Hassane. "Investigations dans le domaine des comportements thermiques de matériaux désordonnés : application au sélénium et aux mélanges Se-Bi à faible concentration en bismuth." Rouen, 1988. http://www.theses.fr/1988ROUES009.
Full text
12
Roquais, Jean-Michel. "Implantation ionique d'accepteurs dans le phosphure d'indium : caracterisation physico-chimiques et electriques." Rennes, INSA, 1986. http://www.theses.fr/1986ISAR0004.
Full textAbstract:
Etude du dopage p**(+) dans inp par implantation d'accepteurs peu profonds: be, mg, zn, hg. Caracterisation du desordre cree par diffusion raman; etude au degre de recristallisation apres recuit d'implantation. Etude par emission photoelectronique rx d'une contamination de surface. Determination de profils d'impuretes. Les profils de concentration de porteurs ont ete analyses par effet hall et mesures electrochimiques. Etude du coefficient de diffusion du zinc par la methode de boltzmann-matano
13
Koumetz, Serge. "Modélisation de la diffusion du Be dans les structures épitaxiales en InGaAs pour les dispositifs microoptoélectroniques." Rouen, 1995. http://www.theses.fr/1995ROUE5037.
Full textAbstract:
Ce travail de thèse porte sur la modélisation de la diffusion du Be dans les couches en InGaAs obtenues par épitaxie par jets chimiques (EJC). Cette diffusion peut se produire au cours des traitements thermiques de dispositifs tels que le transistor bipolaire à hétérojonction (TBH) InGaAs/INP ce qui limiterait les performances fréquencielles de ce dispositif. Dans un premier temps, les mécanismes de diffusion à l'état solide ont été abordés. Une attention particulière a été accordée au mécanisme substitutionnel-interstitiel de diffusion (SID). Dans le cadre de la technologie bipolaire III-V, les procédés d'épitaxie par jets chimiques et de gravure ionique réactive (GIR) sont également explicités. D'autre part, la caractérisation de la diffusion par spectrométrie d'émission d'ions secondaires (SIMS) s'est avérée essentielle pour la validation de nos modèles théoriques. Pour expliquer les résultats expérimentaux, un nouveau mécanisme de diffusion interstitiel-substitutionnel généralisé est proposé. Ce mécanisme suppose la diffusion simultanée selon les modèles dissociatif et kick-out de la diffusion interstitielle-substitutionnelle. Le changement de la dépendance fonctionnelle du coefficient de diffusion effectif du Be en fonction de sa concentration dans le volume de l'échantillon est expliqué par l'effet du niveau de Fermi
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Huang, Bo-siang, and 黃柏翔. "Investigation of thermal-fluid and impurity concentration distributions for growing multicrystalline Silicon." Thesis, 2012. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/73459087145632364626.
Full textAbstract:
碩士國立中央大學
機械工程研究所
100
Directional solidification (DS) method is frequently used to produce the mc-Si ingots in the PV wafer industrial. The efficiency of an mc-Si solar cell depends strongly on the impurity content and level of the mc-Si wafers. In this study, numerical simulation of the transient temperature, velocity and concentration of oxygen and carbon and silicon carbide has been carried out in order to clarify the influence of gas shield on impurity transport of oxygen, carbon and silicon carbide in a directional solidification system furnace during the growth process. The installation of such a gas flow guidance device changes the gas and melt flow pattern in the furnace, which would affect the transport of carbon oxide and silicon oxide in the gas and oxygen and carbon in the melt. As the solidification fraction enlarges, the oxygen concentration in the melt decreases, because of the reduction in the amount of crucible surface immersed below the silicon melt. Results show that a decrease of the relative position of gas shield and gas-melt interface reduces the oxygen concentration in the melt but enlarges the carbon impurity. The distance between gas guidance device and free surface are presented using 2.7cm, 5.5cm, 8.3cm, 11cm, 13.8cm. The distance with 2.7cm can reduce oxygen concentration about 30% and show the minimum oxygen concentration in the ingot. Carbon concentration decreases with reducing height in the ingot, but carbon concentration increases when the height of gas shield changes from 5.5cm to 2.7cm. Thus, the optimum position to install the gas flow guidance device for obtaining the best carbon and oxygen levels in the ingot during the solidification process is 5.5cm.
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Chen, Hsin-Fong, and 陳鑫封. "Determination of trace impurity concentration in semiconductor by low-temperature photoluminescence measurements." Thesis, 2013. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/21644261481575928361.
Full textAbstract:
碩士國立交通大學
電子物理系所
101
The species and concentration of trace III-V impurity in silicon wafers are determined by photoluminescence (PL). At low temperature and low excitation conditions, the emission of free exciton (FE) and impurity-bound exciton (BE) could be clearly observed. In particularly, the intensity ratio between BE and FE increases with increasing impurity concentration, having a correlation close to linear dependence. The intensity ratio for impurity concentration between 1011~1014 cm-3 have been measured using calibration samples, by which the impurity species and concentration in silicon wafers can be determined. In the second part, the Mn concentration in GaN is determined by reflectance spectra, and the impact of Mn on bandgap is measured by PL. First, the increasing FE energy with the increasing Mn concentration is observed by PL, indicating the p-d exchange interaction plays a very important role in this material. Then, the intra-atomic absorption of Mn3+ can be measured by reflectance spectra, the concentration of Mn3+ has a linear dependence on the Mn incorporation.
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Teng, Ying-yang, and 鄧應揚. "Investigation of thermal-fluid and impurity concentration distributions for growing the solar multicrystalline Siingots." Thesis, 2011. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/68989205196334204111.
Full textAbstract:
博士國立中央大學
機械工程研究所
99
The silicon (Si) solar cell is still the highest market share nowadays. To accomplish the goal of grid parity, for the solar cell, the wafer quality has to improve, and the production cost has to reduce. The high concentration of carbon and oxygen impurity cause the dislocation and thermal donor in the mc-Si wafer, respectively. The carbon and oxygen are the main impurity for affecting the efficiency of solar cell. The simulations of thermal flow field, carbon concentration, oxygen concentration and silicon oxide concentration in directional solidification system (DSS) are carried out by the finite volume method (FVM) in this study. The distributions of carbon and oxygen concentration in the grown ingot were measured by the SAS Company and the measurement results are compared with that of the simulation predictions. The simulation results are in good agreement with the experimental ones. The simulation shows that the melt convection is induced by buoyancy force. The flow pattern in the melt changes during the growth process. In order to improve the uniformity of carbon distribution in the melt, a heat insulation of crucible is used to increase the temperature gradient and vortex intensity of melt. Using wafers of the whole ingot obtained from the modified case, the average conversion efficiency of solar cells can be improved up to 1.8% of the one of standard case. As the solidification fraction enlarges, the oxygen concentration in the melt diminishes, because of the reduction in the amount of crucible surface immersed below the silicon melt. When the solidification fraction is small, the oxygen concentration is higher with a higher furnace pressure than with a lower one due to there being less SiO evaporation at the free surface. When the solidification fraction increases, because of the cooling effect of the argon gas, the oxygen concentration is smaller when the furnace pressure is higher rather than lower. Hence, to adjust variably the furnace pressure during the mc-Si ingot growth is good method for reducing the oxygen concentration. To increase the argon flow rate can bring more evaporated SiO gas above the free surface outwards the furnace; hence the oxygen concentration in the melt is decrease. In the present study, the gas guiding plate is used to increase the argon velocity above the free surface. The effect of reducing oxygen concentration for the gas guiding plat is similar to the one of increasing the 25% amount of original argon flow rate. The gas guiding plate can decrease the oxygen concentration without increase the argon flow rate, the furnace enhancement can be used on advancing the wafer’s quality.
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Wang, Y. W., and 王雅雯. "The study of Si/SixGe1-x Interface Stability Effected by Type of Impurity and Its Concentration." Thesis, 1999. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/31686039944965176797.
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