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Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Contrainte épitaxiale'

Author: Grafiati

Published: 4 June 2021

Last updated: 9 February 2022

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Dissertations / Theses on the topic "Contrainte épitaxiale"

1

Solere, Alexis. "Instabilité de croissance dans les couches épitaxiées contraintes." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1999. http://www.theses.fr/1999ECDL0053.

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Abstract:

Instabilité de croissance dans les couches épitaxiées contraintes. Etude par microscopie à effet tunnel du système In1-xGaxAs / InP (001). La croissance hétéroépitaxiale de films semiconducteurs contraints manifeste une instabilité morphologique: la croissance évolue d'un mode couche par couche vers un mode par îlots tridimensionnels. La compréhension physique de ce phénomène est impotante tant pour la réalisation d'interfaces planes qui est recherchée pour les applications microélectroniques que pour l'élaboration de nanostructures dont le caractère quantique pourrait conduire à de nouvelles

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2

Zahradník, Martin. "Dynamic control of magnetization for spintronic applications studied by magneto-optical methods." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019SACLS155/document.

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Abstract:

Deux mécanismes importants reliant la préparation des couches ultraminces d’oxydes magnétiques à leurs propriétés physiques ont été étudiés dans ce travail. En premier lieu, l’influence de la contrainte épitaxiale sur les propriétés magnéto-optiques de la manganite La₂/₃Sr₁/₃MnO₃ (LSMO) a été étudiée. Les couches ultraminces ont été déposées par ablation laser pulsé sur quatre substrats différents, ce qui a fourni différentes valeurs statiques de la contrainte épitaxiale. Les propriétés magnétiques ont été révélées comme se détériorant avec l’augmentation de la contrainte, ce qui était prévisi

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3

Halley, David. "Croissance, mise en ordre chimique et relaxation des contraintes épitaxiales dans des alliages FePd et FePt." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2001. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00757727.

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Abstract:

Nous étudions des films de FePd déposés par Epitaxie par Jets moléculaires sur MgO(001). La caractérisation des modes de relaxation de la contrainte épitaxiale a été menée pour différentes conditions de croissance. Une analyse quantitative d'images STM a permis d'expliquer un changement de mécanisme de relaxation dans les alliages ordonnés déposés sur Palladium. L'origine du micromaclage qui apparaît dans ces dernières couches réside dans un mécanisme de blocage des dislocations parfaites dans la structure ordonnée L10. Par ailleurs la mise en ordre selon la structure L10, lors de codépôts à p

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4

Feltin, Eric. "Hétéro-épitaxie de Nitrure de Gallium sur substrat de silicium (111) et applications." Nice, 2003. http://www.theses.fr/2003NICE4075.

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Abstract:

Le travail présenté dans ce mémoire concerne l’hétéro-épitaxie de nitrure de galium sur substrat de silicium (111) par Epitaxie en Phase Vapeur d’OrganoMatalliques pour les applications optoélectroniques associées aux nitrures d’éléments III. Les fortes contraintes biaxiales en tension, issues de l’hétéro-épitaxie sur silicium, mènent à la fissuration des couches de GaN. Les diverses études (expérimentales et théoriques) des contraintes intrinsèque et thermique présentes dans GaN apportent une meilleure compréhension de la croissance de GaN sur Si (111), mais permettent aussi de mieux cerner l

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5

Luong, Thi kim phuong. "Croissance épitaxiale du germanium contraint en tension et fortement dopé de type n pour des applications en optoélectronique intégrée sur silicium." Thesis, Aix-Marseille, 2014. http://www.theses.fr/2014AIXM4002.

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Abstract:

Le silicium (Si) et le germanium (Ge) sont les matériaux de base utilisés dans les circuits intégrés. Cependant, à cause de leur gap indirect, ces matériaux ne sont pas adaptés à la fabrication de dispositifs d'émission de lumière, comme les lasers ou diodes électroluminescentes. Comparé au Si, le Ge pur possède des propriétés optiques uniques, à température ambiante son gap direct est de seulement 140 meV au-delà du gap indirect tandis qu'il est supérieur à 2 eV dans le cas du Si. Compte tenu du coefficient de dilatation thermique du Ge, deux fois plus grand que celui du Si, une croissance de

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6

Gaillard, Philippe. "Modélisation de la croissance de boîtes quantiques sous contrainte élastique." Thesis, Aix-Marseille, 2014. http://www.theses.fr/2014AIXM4303/document.

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Abstract:

La formation et la morphologie des boîtes quantiques est un sujet d'un grand intérêt, ces structures ayant de nombreuses application potentielles, en particulier en microélectronique et optoélectronique. Cette thèse porte sur l'étude théorique et numérique de la croissance et de la morphologie d'ilots par épitaxie par jet moléculaire. Un premier modèle de croissance est une étude non-linéaire de l'instabilité de type Asaro-Tiller-Grinfeld, il convient pour les systèmes à faibles désaccords de maille, et est plus spécifiquement appliquée au cas où le désaccord de maille est anisotrope (voir le

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7

Joblot, Sylvain. "Croissance d'hétérostructures à bases GaN sur substrat de silicium orienté (001) : application aux transistors à haute mobilité d'électrons." Nice, 2007. http://www.theses.fr/2007NICE4102.

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Abstract:

L’hétéro-épitaxie de structures à base de GaN est réalisée, depuis les années 1990, principalement sur trois types de substrat : le carbure de silicium (SiC), le saphir (Al2O3) et le silicium (Si). Ce dernier possède les avantages d’une conductivité thermique identique à celle du GaN, d’une grande disponibilité, de tailles pouvant aller jusqu’à 12’’ et de coûts très compétitifs induits par l’activité sans égale de la filière silicium. L’orientation (111) du silicium était préférée jusqu’alors pour l’hétéro-épitaxie de structures à base de GaN de par sa symétrie de surface hexagonale compatible

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8

Buchheit, Marc. "Application de l'imagerie de photoluminescence à l'étude de la distribution spatiale de propriétés physico-chimiques de semiconducteurs pour la réalisation de dispositifs." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1998. http://www.theses.fr/1998ECDL0042.

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Abstract:

La recherche sur l'optimisation et la baisse du cout des technologies actuelles ainsi que le developpement de nouveaux procedes et de nouveaux composants iii-v s'accelerent considerablement depuis quelques annees. En consequence, il apparait un besoin urgent de nouvelles techniques permettant l'expertise et le controle de materiaux et composants d'une maniere rapide et non-destructive. Cet interet est particulierement important pour les laboratoires de recherche mais aussi pour le controle de certaines etapes lors de processus industriels. Dans ce contexte, l'objectif de ce travail de these es

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9

Mlayah, Adnen. "Etude par spectrométrie Raman des contraintes, dopage et défauts associés dans GaAs hétéroépitaxie." Toulouse 3, 1991. http://www.theses.fr/1991TOU30026.

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Abstract:

Dans ce memoire, sont abordes, tant du point de vue experimental que theorique, trois effets: contraintes, dopage et defauts associes dans gaas. Le type, la valeur et l'origine des contraintes sont deduits des decalages des phonons optiques. L'etude menee sur le fort dopage de type p dans gaas est consacree a la comprehension des mecanismes de couplage phonon-plasmon. De cette etude sont deduites differentes methodes de determination du taux de dopage. La presence de dislocations dans une heterostructure ou encore d'impuretes dans un materiau dope est responsable d'un desordre structural et ch

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10

Godefroy, Anne. "Croissance et étude d'hétérostructures contraintes pour amplificateurs optiques insensibles à la polarisation." Rennes 1, 1994. http://www.theses.fr/1994REN1A001.

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