Relevant bibliographies by topics / Contrainte épitaxiale / Dissertations / Theses
To see the other types of publications on this topic, follow the link: Contrainte épitaxiale.

Dissertations / Theses on the topic 'Contrainte épitaxiale'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 9 February 2022

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 50 dissertations / theses for your research on the topic 'Contrainte épitaxiale.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse dissertations / theses on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

Solere, Alexis. "Instabilité de croissance dans les couches épitaxiées contraintes." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1999. http://www.theses.fr/1999ECDL0053.

Full text
Abstract:
Instabilité de croissance dans les couches épitaxiées contraintes. Etude par microscopie à effet tunnel du système In1-xGaxAs / InP (001). La croissance hétéroépitaxiale de films semiconducteurs contraints manifeste une instabilité morphologique: la croissance évolue d'un mode couche par couche vers un mode par îlots tridimensionnels. La compréhension physique de ce phénomène est impotante tant pour la réalisation d'interfaces planes qui est recherchée pour les applications microélectroniques que pour l'élaboration de nanostructures dont le caractère quantique pourrait conduire à de nouvelles
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Zahradník, Martin. "Dynamic control of magnetization for spintronic applications studied by magneto-optical methods." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019SACLS155/document.

Full text
Abstract:
Deux mécanismes importants reliant la préparation des couches ultraminces d’oxydes magnétiques à leurs propriétés physiques ont été étudiés dans ce travail. En premier lieu, l’influence de la contrainte épitaxiale sur les propriétés magnéto-optiques de la manganite La₂/₃Sr₁/₃MnO₃ (LSMO) a été étudiée. Les couches ultraminces ont été déposées par ablation laser pulsé sur quatre substrats différents, ce qui a fourni différentes valeurs statiques de la contrainte épitaxiale. Les propriétés magnétiques ont été révélées comme se détériorant avec l’augmentation de la contrainte, ce qui était prévisi
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Halley, David. "Croissance, mise en ordre chimique et relaxation des contraintes épitaxiales dans des alliages FePd et FePt." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2001. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00757727.

Full text
Abstract:
Nous étudions des films de FePd déposés par Epitaxie par Jets moléculaires sur MgO(001). La caractérisation des modes de relaxation de la contrainte épitaxiale a été menée pour différentes conditions de croissance. Une analyse quantitative d'images STM a permis d'expliquer un changement de mécanisme de relaxation dans les alliages ordonnés déposés sur Palladium. L'origine du micromaclage qui apparaît dans ces dernières couches réside dans un mécanisme de blocage des dislocations parfaites dans la structure ordonnée L10. Par ailleurs la mise en ordre selon la structure L10, lors de codépôts à p
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Feltin, Eric. "Hétéro-épitaxie de Nitrure de Gallium sur substrat de silicium (111) et applications." Nice, 2003. http://www.theses.fr/2003NICE4075.

Full text
Abstract:
Le travail présenté dans ce mémoire concerne l’hétéro-épitaxie de nitrure de galium sur substrat de silicium (111) par Epitaxie en Phase Vapeur d’OrganoMatalliques pour les applications optoélectroniques associées aux nitrures d’éléments III. Les fortes contraintes biaxiales en tension, issues de l’hétéro-épitaxie sur silicium, mènent à la fissuration des couches de GaN. Les diverses études (expérimentales et théoriques) des contraintes intrinsèque et thermique présentes dans GaN apportent une meilleure compréhension de la croissance de GaN sur Si (111), mais permettent aussi de mieux cerner l
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Luong, Thi kim phuong. "Croissance épitaxiale du germanium contraint en tension et fortement dopé de type n pour des applications en optoélectronique intégrée sur silicium." Thesis, Aix-Marseille, 2014. http://www.theses.fr/2014AIXM4002.

Full text
Abstract:
Le silicium (Si) et le germanium (Ge) sont les matériaux de base utilisés dans les circuits intégrés. Cependant, à cause de leur gap indirect, ces matériaux ne sont pas adaptés à la fabrication de dispositifs d'émission de lumière, comme les lasers ou diodes électroluminescentes. Comparé au Si, le Ge pur possède des propriétés optiques uniques, à température ambiante son gap direct est de seulement 140 meV au-delà du gap indirect tandis qu'il est supérieur à 2 eV dans le cas du Si. Compte tenu du coefficient de dilatation thermique du Ge, deux fois plus grand que celui du Si, une croissance de
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Gaillard, Philippe. "Modélisation de la croissance de boîtes quantiques sous contrainte élastique." Thesis, Aix-Marseille, 2014. http://www.theses.fr/2014AIXM4303/document.

Full text
Abstract:
La formation et la morphologie des boîtes quantiques est un sujet d'un grand intérêt, ces structures ayant de nombreuses application potentielles, en particulier en microélectronique et optoélectronique. Cette thèse porte sur l'étude théorique et numérique de la croissance et de la morphologie d'ilots par épitaxie par jet moléculaire. Un premier modèle de croissance est une étude non-linéaire de l'instabilité de type Asaro-Tiller-Grinfeld, il convient pour les systèmes à faibles désaccords de maille, et est plus spécifiquement appliquée au cas où le désaccord de maille est anisotrope (voir le
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Joblot, Sylvain. "Croissance d'hétérostructures à bases GaN sur substrat de silicium orienté (001) : application aux transistors à haute mobilité d'électrons." Nice, 2007. http://www.theses.fr/2007NICE4102.

Full text
Abstract:
L’hétéro-épitaxie de structures à base de GaN est réalisée, depuis les années 1990, principalement sur trois types de substrat : le carbure de silicium (SiC), le saphir (Al2O3) et le silicium (Si). Ce dernier possède les avantages d’une conductivité thermique identique à celle du GaN, d’une grande disponibilité, de tailles pouvant aller jusqu’à 12’’ et de coûts très compétitifs induits par l’activité sans égale de la filière silicium. L’orientation (111) du silicium était préférée jusqu’alors pour l’hétéro-épitaxie de structures à base de GaN de par sa symétrie de surface hexagonale compatible
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Buchheit, Marc. "Application de l'imagerie de photoluminescence à l'étude de la distribution spatiale de propriétés physico-chimiques de semiconducteurs pour la réalisation de dispositifs." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1998. http://www.theses.fr/1998ECDL0042.

Full text
Abstract:
La recherche sur l'optimisation et la baisse du cout des technologies actuelles ainsi que le developpement de nouveaux procedes et de nouveaux composants iii-v s'accelerent considerablement depuis quelques annees. En consequence, il apparait un besoin urgent de nouvelles techniques permettant l'expertise et le controle de materiaux et composants d'une maniere rapide et non-destructive. Cet interet est particulierement important pour les laboratoires de recherche mais aussi pour le controle de certaines etapes lors de processus industriels. Dans ce contexte, l'objectif de ce travail de these es
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Mlayah, Adnen. "Etude par spectrométrie Raman des contraintes, dopage et défauts associés dans GaAs hétéroépitaxie." Toulouse 3, 1991. http://www.theses.fr/1991TOU30026.

Full text
Abstract:
Dans ce memoire, sont abordes, tant du point de vue experimental que theorique, trois effets: contraintes, dopage et defauts associes dans gaas. Le type, la valeur et l'origine des contraintes sont deduits des decalages des phonons optiques. L'etude menee sur le fort dopage de type p dans gaas est consacree a la comprehension des mecanismes de couplage phonon-plasmon. De cette etude sont deduites differentes methodes de determination du taux de dopage. La presence de dislocations dans une heterostructure ou encore d'impuretes dans un materiau dope est responsable d'un desordre structural et ch
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Godefroy, Anne. "Croissance et étude d'hétérostructures contraintes pour amplificateurs optiques insensibles à la polarisation." Rennes 1, 1994. http://www.theses.fr/1994REN1A001.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
11

Schifani, Guido. "Forme et dynamique de boîtes quantiques sous contraintes élastiques." Thesis, Université Côte d'Azur (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018AZUR4069/document.

Full text
Abstract:
Le but de cette thèse est l'étude théorique de la dynamique du murissement des boites quantiques auto-organisées. Pour cela, nous déduisons en utilisant les outils de la mécanique des milieux continus, une équation pour l'évolution spatio-temporelle d'un film cristallin en hétéroépitaxie en prenant en compte les effets de diffusion de surface, les effets élastiques, les effets capillaires et les effets d'anisotropie d'énergie de surface. Nous étudions tout d'abord la morphologie 2D et la dynamique de boites quantiques isotrope et anisotrope. Dans chaque cas, nous trouvons de manière quasi anal
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
12

Salles-Desvignes, Isabelle. "Contraintes mécaniques, cohérence interfaciale et cinétique dans l'oxydation des métaux : application d'une modélisation au zirconium." Dijon, 1999. http://www.theses.fr/1999DIJOS032.

Full text
Abstract:
L'oxydation des métaux est un processus qui allie à la fois des phénomènes chimiques, thermomécaniques et interfaciaux. Dans le but de mieux appréhender ce processus, nous étudions un modèle macroscopique permettant de reconstituer théoriquement la cinétique d'oxydation d'un métal aux premiers instants de la réaction en tenant compte à la fois : - des interactions entre mécanique et diffusion, - des déformations libres de contraintes intervenant à l'interface métal/oxyde. Ce modèle est applique à l'oxydation anionique du zirconium. Notre approche nécessite la résolution d'un système d'équation
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
13

De, Kersauson Malo. "Vers un laser germanium dopé N et contraint en tension." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00864954.

Full text
Abstract:
Dans ce travail de thèse, nous avons étudié différentes approches qui devraient permettre d'obtenir l'effet laser dans le germanium. Nous avons pu montrer expérimentalement l'influence du dopage et de la déformation sur la structure de bande du germanium, et l'adéquation avec les modèles concluants à l'existence de gain. Nous avons exploré les possibilités offertes par l'hétéro-épitaxie sur III-V pour obtenir une déformation en tension du germanium. Nous avons évalué la déformation résultante par des mesures croisées de rayons X, de diffusion Raman et de photoluminescence, et étudié l'évolutio
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
14

Cabié, Martiane. "Mesures de contrainte dans les couches minces épitaxiées de semiconducteurs par la technique de la courbure adaptée à la microscopie électronique en transmission." Toulouse 3, 2005. http://www.theses.fr/2005TOU30217.

Full text
Abstract:
Un des paramètres importants permettant de contrôler les propriétés physiques des composants micro et opto-électroniques est la contrainte élastique générée par la différence de paramètres de maille entre une couche épitaxiée et son substrat. Cette contrainte d'épitaxie est classiquement mise en évidence par la méthode de la courbure. La formule de Stoney établit une relation entre le rayon de courbure, la contrainte et les épaisseurs de couche et de substrat. Nous avons transposé cette méthode à la MET. Sur des échantillons observés en vue plane, le rayon de courbure et l'épaisseur de l'échan
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
15

Miossi, Christophe. "Caractérisation par microscopie électronique en transmission de la croissance et de la relaxation des structures épitaxiales contraintes en compression dans le système InGaAs-InP." Lyon 1, 1995. http://www.theses.fr/1995LYO10268.

Full text
Abstract:
Le sujet est l'etude par microscopie electronique en transmission (met) de l'epitaxie du materiau in#xga#1#-#xas sur inp(001). Ce systeme presente un fort interet pour les applications optoelectroniques et microelectroniques et il est important d'en maitriser la croissance tant pour la qualite de couches que celles des interfaces. A chaque composition x, correspondent des proprietes optoelectroniques mais egalement un parametre cristallin, et donc un desaccord parametrique avec le substrat qui influence l'epitaxie. Le domaine de compositions etudiees qui varie de x=0,47 (le materiau en accord
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
16

Chassagne, Thierry. "Croissance et maîtrise de la contrainte dans le SiC cubique sur substrat silicium ou silicium sur oxyde (SOI)." Lyon 1, 2001. http://www.theses.fr/2001LYO10280.

Full text
Abstract:
Le SiC est la solution idéale pour la réalisation de capteurs et de composants appelés à fonctionner à haute température et/ou très forte puissance en environnement hostile. Plus particulièrement, le 3C-SiC est d'un grand intérêt pour les capteurs haute température. La voie d'obtention la plus développée du 3C-SiC est l'hétéroépitaxie sur silicium. Cependant, les différences de paramètres de maille ainsi que de coefficient de dilatation thermique entre les deux matériaux engendrent de fortes contraintes dans le SiC. Dans une première partie nous nous attachons à la compréhension des mécanismes
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
17

El, Kazzi Salim. "Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10053/document.

Full text
Abstract:
La nécessité de diminuer la consommation à la fois des systèmes autonomes communicants à haute fréquence et des circuits CMOS implique l’utilisation de transistors fonctionnant sous faible tension d’alimentation. Les performances des composants à base de silicium se dégradant rapidement dans ce régime de fonctionnement, les semiconducteurs III-V à faible bande interdite sont aujourd’hui envisagés comme une alternative. Parmi ceux-ci, l’InAs paraît le plus prometteur. Dans ce contexte, ce travail a pour but d’ouvrir la voie à l'utilisation d’un canal à base d'InAs pour les systèmes analogiques
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
18

Simon, Alain. "Propriétés électroniques des hétérostructures semiconductrices contraintes à direction d'épitaxie et profils de potentiel quelconques." Montpellier 2, 1991. http://www.theses.fr/1991MON20043.

Full text
Abstract:
La these de a. Simon presente une etude theorique des proprietes electroniques des heterostructures semiconductrices. Le premier chapitre est un rappel de la methode k. P et de l'approximation de la fonction enveloppe dans le materiau massif et l'heterostructure, et le second chapitre traite des problemes lies a la contrainte. L'accent est place sur les effets multibande. Dans le troisieme chapitre, deux methodes de calcul de la structure electronique sont developpees. Le chapitre 4 est consacre au calcul des proprietes optiques du puits quantique gasb-alsb. Dans le cinquieme chapitre, l'auteu
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
19

Lampin, Jean-François. "Application des contraintes biaxiales à l'amélioration du transport vertical des trous dans les hétérostructures." Lille 1, 1997. http://www.theses.fr/1997LIL10147.

Full text
Abstract:
Le sommet de la bande de valence des semiconducteurs classiques est compose de deux bandes (trous lourds et trous légers). Le niveau fondamental des puits quantiques est toujours un niveau de trous lourds. Dans les composants comme les diodes a effet tunnel résonnant de type p, leur masse effective élevée est un handicap majeur pour obtenir des résonances exploitables. L'objectif de ce travail est de réaliser des puits ou la situation est inversée (niveau de trous légers fondamental) et de les utiliser pour améliorer les caractéristiques des diodes tunnel de type p en profitant de la faible ma
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
20

Martin, Franck. "Microstructure, contraintes des multicouches métalliques Mo (110) / Ni (111) élaborées par pulvérisation ionique : influence sur les propriétés élastiques." Poitiers, 2003. http://www.theses.fr/2003POIT2266.

Full text
Abstract:
Nous avons étudié les effets interfaciaux sur les propriétés des multicouches Mo(110)/Ni(111) par des techniques de diffraction X et diffusion Brillouin. Un adoucissement de la constante de cisaillement atteignant 65% est obtenu. L'évolution des distances interplanaires et celle du nombre de plans des couches de Mo suggèrent une interdiffusion de Ni. La prise en compte d'une couche " douce " aux interfaces a permis de décrire l'évolution de C44, d'estimer son module élastique et l'extension du gradient chimique. Les multicouches épitaxiées ont une relation d'orientation de type " Nishiyama-Was
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
21

Bruyer, Emilie. "Propriétés structurales, électroniques et ferroélectriques de systèmes Ln₂Ti₂O₇ (Ln=lanthanides) et d'hétérostructures SrTiO₃ / BiFeO₃." Thesis, Artois, 2012. http://www.theses.fr/2012ARTO0401/document.

Full text
Abstract:
Ce manuscrit est consacré à l’analyse théorique et expérimentale d’oxydes Ln2Ti2O7 (Ln = La, Nd, Sm, Gd) et BiFeO3.Les propriétés physiques de La2Ti2O7 et Nd2Ti2O7 ont été investiguées au moyen de calculs ab initio, confirmant ainsi leur ferroélectricité. D’autres oxydes de la famille Ln2Ti2O7, Sm2Ti2O7 et Gd2Ti2O7, ont ensuite été étudiés selon les mêmes méthodes théoriques. Nos calculs ont révélé une meilleure amplitude de polarisation pour ces composés par rapport au La2Ti2O7 et au Nd2Ti2O7. La deuxième partie de ce travail est consacrée aux propriétés structurales, électroniques et ferroél
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
22

Cordier, Yvon. "Croissance par épitaxie par jets moléculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs : réalisation et caractérisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs." Lille 1, 1992. http://www.theses.fr/1992LIL10031.

Full text
Abstract:
Ce travail concerne la croissance de couches de matériaux semiconducteurs III-V et la réalisation de structures pour composants HEMT's pseudomorphiques sur substrat GaAs. Ces structures font appel aux composés GaAs/GaAlAs dopés Silicium et GaInAs contraint élaborés par épitaxie par jets moléculaires. L'influence des conditions de croissance et de la contrainte pour GaInAs sur les caractéristiques des matériaux épitaxiés est étudiée à l'aide de l'analyse RHEED in Situ mais également par diffraction des rayons X sur des superréseaux contraints, par photoluminescence, par microscopie électronique
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
23

Dentel, Didier. "Croissances d'hétérostructures à base de Si et de Ge épitaxiées par jets moléculaires : rôle de la contrainte sur les diffusions de surface et les morphologies." Mulhouse, 1999. http://www.theses.fr/1999MULH0553.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
24

Kersauson, Malo de. "Vers un laser germanium dopé N et contraint en tension." Thesis, Paris 11, 2013. http://www.theses.fr/2013PA112107/document.

Full text
Abstract:
Dans ce travail de thèse, nous avons étudié différentes approches qui devraient permettre d’obtenir l’effet laser dans le germanium. Nous avons pu montrer expérimentalement l’influence du dopage et de la déformation sur la structure de bande du germanium, et l’adéquation avec les modèles concluants à l’existence de gain. Nous avons exploré les possibilités offertes par l’hétéro-épitaxie sur III-V pour obtenir une déformation en tension du germanium. Nous avons évalué la déformation résultante par des mesures croisées de rayons X, de diffusion Raman et de photoluminescence, et étudié l’évolutio
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
25

Mohamad, Ranim. "Relaxation de la contrainte dans les hétérostructures Al(Ga)InN/GaN pour applications électroniques : modélisation des propriétés physiques et rôle de l'indium dans la dégradation des couches épitaxiales." Thesis, Normandie, 2018. http://www.theses.fr/2018NORMC229/document.

Full text
Abstract:
Pour la fabrication des transistors hyperfréquences de puissance à base de nitrures, l’alliage InAlN est considéré comme une meilleure barrière qu’AlGaN grâce à l’accord de maille pour une composition en indium voisine de 18 %. Ainsi le gaz d'électrons à deux dimensions (2DEG) est-il généré seulement par la polarisation spontanée dans une hétérointerface InAlN/GaN sans contrainte résiduelle pour une fabrication de transistors aux performances optimales. Cependant, durant sa croissance sur GaN, sa qualité cristalline se dégrade avec l’épaisseur et il se forme des défauts V au niveau de l’interf
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
26

Bluet, Jean-Marie. "Relaxation de contraintes et propriétés physiques des hétéroépitaxies de SiC-3C sur substrats Si et SOI." Montpellier 2, 1997. http://www.theses.fr/1997MON20014.

Full text
Abstract:
Le carbure de silicium (sic) presente des caracteristiques physiques qui en font un candidat prometteur pour le developpement de dispositifs electroniques fonctionnant dans des conditions extremes (haute temperature, haute puissance, milieux chimiquement corrosifs ou radiatifs). Le premier chapitre de ce travail est constitue d'une description des differentes formes cristallographiques de sic (polytypisme) ainsi que d'un etat de l'art sur les techniques de croissance des differents types de sic. La suite de ce travail porte sur l'etude de plusieurs couches minces (quelques microns d'epaisseur)
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
27

Boucherif, Abderraouf. "Elaboration de pseudosubstrats accordables en paramètre de maille à base de silicium mésoporeux pour l'hétéroépitaxie." Lyon, INSA, 2010. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2010ISAL0082/these.pdf.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse évalue les potentialités du Silicium Poreux (SiP) nanostructuré comme substrat générateur de contraintes mécaniques pour modifier le paramètre de maille d’une fine couche de semiconducteur IV-IV (Si ou SiGe) qui lui est associée. Le but est soit d’ajuster les propriétés optoélectroniques de la couche en la contraignant, soit d’accorder son paramètre de maille à celui d’un autre matériau (Si1-xGex, Ge ou GaAs). Utilisée comme couche germe pour une reprise d’épitaxie, cette couche mince peut permettre l’obtention d’un matériau de bonne qualité cristalline. L’hétérostructure (
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
28

Damlencourt, Jean-François. "L'approche paramorphique : Un nouveau procédé pour l'hétéroépitaxie de matériaux idéalement relaxés : Application à la croissance de InGaAs sur InP." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2000. http://www.theses.fr/2000ECDL0005.

Full text
Abstract:
L'elargissement de la gamme des materiaux semi-conducteurs accessibles sur un substrat, par l'heteroepitaxie de materiaux desaccordes en maille, est un objectif qui a donne lieu a de tres nombreux travaux de recherche. L'approche metamorphique est actuellement la technique la plus mature. Elle a cependant des limites, notamment pour les applications a l'optoelectronique. La notion de substrats universels pour tous types d'epitaxie a ete introduite en 1991 par l'universite de cornell avec la presentation du concept de substrats compliants. Le procede paramorphique que nous avons developpe dans
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
29

Monteverde, Fabien. "Croissance et interdiffusions dans des hétérostructures fer / semi-conducteur III-V préparées par pulvérisation par faisceau d'ions." Poitiers, 2001. http://www.theses.fr/2001POIT2299.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
30

Bethoux, Jean-Marc. "Relaxation des contraintes dans les hétérostructures épaisses (Al,Ga)N : une piste originale pour la réalisation de diodes électroluminescentes à cavité résonante." Nice, 2004. http://www.theses.fr/2004NICE4042.

Full text
Abstract:
L’étude des différents modes de relaxation des contraintes a montré que dans les nitrures d’éléments III orientés suivant l’axe [0001], celle-ci ne peut pas s’opérer par le glissement de dislocations traversantes. Pour les films soumis à une contrainte extensive, la relaxation des contraintes fait intervenir la fissuration du film puis l’introduction de dislocations d’interface à partir des bords des fissures. La caractérisation d’hétérostructures fissurées (Al,Ga)N / GaN par microscopie électronique en transmission (MET° et diffraction des rayons X (DRX), a été mise en évidence. Les propriété
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
31

Tomasini, Pierre. "Contribution à l'étude d'hétérostructures de ZnTe, ZnSe1-xTex, MnSe, élaborées par épitaxie en phase vapeur à partir d'organo-métalliques." Montpellier 2, 1995. http://www.theses.fr/1995MON20102.

Full text
Abstract:
Ce travail est consacre a l'elaboration d'heterostructures ii-vi/iii-v(100) (znte, znse#1#-#xte#x, mnse /gasb, inp, gaas) par epitaxie en phase vapeur a partir d'organometalliques. Les films minces obtenus sont etudies du point de vue structural (diffraction des rayons-x et microscopie electronique en transmission) et optique (photoluminescence). Les principaux phenomenes intervenant aux interfaces des materiaux ii-vi/iii-v(100) sont decrits et la relaxation des contraintes dans znte/iii-v(100) est plus particulierement observees par diffraction des rayons-x
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
32

Girardot, Cécile. "Structure et propriétés physiques de films minces RENiO3 (RE = Sm, Nd) élaborés par MOCVD." Phd thesis, Grenoble INPG, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00413590.

Full text
Abstract:
Les nickelates de terres rares possèdent à la fois une transition électrique et magnétique pour une température dépendante de la terre rare. Nous avons synthétisé par MOCVD des films minces Sm1-xNdxNiO3 (0
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
33

Hamieh, Mohamad. "Effet magnéto-électrique dans des nanoparticules d'oxyde de chrome Cr203 contraintes." Phd thesis, Université de Strasbourg, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01038026.

Full text
Abstract:
Dans cette thèse, nous montrons dans des amas d'oxyde de chrome épitaxiés, la contrainte conduit à l'apparition d'une phase multiferroïques, ainsi qu'un effet magnéto-électrique géant tel que le coefficient ME est de plusieurs ordres de grandeur supérieur que le terme linéaire dans Cr2O3 massif. Cela illustre que des contraintes épitaxiales dans des amas manométriques de taille réduite, crée un nouveau matériau magnéto-électrique ouvrant la possibilité d'utiliser un champ électrique pour orienter l'aimantation du matériau. Le coefficient magnéto-électrique linéaire calculé (6.7ns.m-1) est de t
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
34

Krapf, Pascal. "Etude par microscopie tunnel de la transition 2D-3D du mode de croissance lors de l'épitaxie de couches contraintes InGaAs sur InP." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1997. http://www.theses.fr/1997ECDL0022.

Full text
Abstract:
Ce travail concerne la croissance heteroepitaxique de couches contraintes in#1#-#xga#xas sur substrat d'inp. La contrainte est determinee par la composition de la couche : elle est en tension si x<0,47 et en compression si x>0,47. Au dela de 2% de deformation ce systeme presente une croissance de type stranski-krastanov coherente : des structures tridimensionnelles sont formees apres un debut de croissance couche par couche. Cette these presente une etude par microscopie tunnel (stm) de cette croissance. Le travail experimental a necessite la connexion sous ultra-vide d'un stm a un bati d'epit
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
35

Raissi, Mahfoudh. "Hétérostructures quantiques à contrainte compensée Si1-xGex/Si(001) pour application à la photodétection infrarouge." Aix-Marseille 2, 2009. http://theses.univ-amu.fr.lama.univ-amu.fr/2009AIX22101.pdf.

Full text
Abstract:
Cette thèse traite de l’épitaxie en phase vapeur (CVD) et de l’étude des propriétés structurales et optiques d’hétérostructures Si1-xGex/Si(001) pour des applications en optoélectronique. Une première partie est consacrée aux propriétés de photoluminescence de multi puits quantiques (MQWs) Si0. 75Ge0. 25/Si contraints en compression sur lesquels ont été élaborés par dépôt couche à couche (Atomic Layer Deposition Oxydation) des structures MOS tunnel Co/AlOx/Si servant d’injecteur d’électrons polarisés en spin pour des diodes électroluminescentes spin-LEDs. Des MQWs Si/Si0. 40Ge0. 60/Si à design
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
36

Baron, Nicolas. "Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium." Phd thesis, Université de Nice Sophia-Antipolis, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00451937.

Full text
Abstract:
Des avancées significatives dans la synthèse des matériaux semiconducteurs à large bande interdite de la famille de GaN permettent aujourd'hui la réalisation de dispositifs optoélectroniques (diodes, lasers) mais aussi celle de dispositifs électroniques (transistor). L'absence de substrat natif GaN ou AlN a pour conséquence le recours à l'hétéroépitaxie sur des substrats de nature différente comme le silicium qui présente un grand intérêt de par son prix très compétitif, la taille des substrats disponibles et sa conductivité thermique. L'orientation (111) du silicium est préférée en raison d'u
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
37

Stoehr, Michèle. "Epitaxie par MOVPE de ZnSe sur des substrats semiconducteurs et études des contraintes dans ces hétérostructures." Montpellier 2, 1991. http://www.theses.fr/1991MON20301.

Full text
Abstract:
L'epitaxie de znse a ete realisee sur differents substrats semiconducteurs par la methode de l'epitaxie en phase vapeur par les composes organometalliques (movpe). Les heterostructures elaborees ont ete principalement caracterisees par diffraction de rayons x, reflectivite et spectroscopie raman permettant une etude detaillee des contraintes residuelles dans les couches epitaxiees
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
38

Matrullo, Nathalie. "Caractérisation par spectrométrie Raman de matériaux III-V : applications à l’étude de structures contraintes GaInAs-GaAs et de HEMT AlInAs-GaInAs/InP." Lille 1, 1993. http://www.theses.fr/1993LIL10122.

Full text
Abstract:
Ce travail présente une étude expérimentale de caractérisations par spectrométrie Raman d'hétérostructures contraintes gainas/gaas et de transistors à effet de champ alinas/gainas adaptés en maille sur inp. Dans un premier chapitre, nous rappelons les éléments théoriques adaptés à l'étude par spectrométrie Raman des semiconducteurs iii-v de structure zinc-blende non intentionnellement dopés et dopés de type n. Le deuxième chapitre est consacré à l'étude et à l'interprétation des spectres Raman des matériaux gainas et alinas. Le signal Raman de gainas est étudié sur une grande gamme de composit
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
39

Venet, Thierry. "Etude des modes de croissance et des mécanismes de relaxation de couches InxGa1-xAs (x < 0,53) contraintes en tension sur InP : Application dans la réalisation d'hétérostructures pour composants optoélectroniques." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1998. http://www.theses.fr/1998ECDL0021.

Full text
Abstract:
NOUS AVONS ETUDIE LA CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES DE COUCHES D'InxGa1-xAs (0 < X < 0,53) CONTRAINTES EN TENSION SUR INP EN NOUS FIXANT DEUX OBJECTIFS. LE PREMIER A ETE D'ETUDIER LES MODES DE RELAXATION (MODES DE CROISSANCE ET MECANISMES DE RELAXATION) EN FONCTION DE LA VALEUR DU DESACCORD DE MAILLE AVEC INP (MAXIMUM A 3,82% POUR GAAS). LES MODES DE RELAXATION SONT DECRITS SUR LA BASE D'UNE ETUDE CONJUGUEE DE DIFFRACTION RHEED, DE MICROSCOPIE AFM ET DE MICROSCOPIE TEM. TROIS MODES DE RELAXATION TYPE ONT ETE MIS EN EVIDENCE, QUI SONT RESPECTIVEMENT GOUVERNES PAR LA RELAXATION PL
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
40

Wang, Yi. "Dislocation et relaxation des contraintes aux interfaces entre semiconducteurs III-V à large différence de paramètres de maille." Caen, 2012. http://www.theses.fr/2012CAEN2008.

Full text
Abstract:
Au cours de ce travail, nous avons procédé à une analyse extensive des dislocations d’interface et de la relaxation des contraintes dans les couches épitaxiales de GaSb sur GaAs (ou GaP) par microscopie électronique en transmission. Sur le substrat de GaAs, nous avons étudié le rôle de l’épaisseur de couches intermédiaires AlSb et le traitement de surface du substrat sur la relaxation des contraintes et la densité de dislocations émergeantes de la couche GaSb. Pareillement, nous avons étudié les effets des paramètres de croissance, tels que, le traitement de surface du substrat, la vitesse et
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
41

Gommé, Guillaume. "Croissance de GaN sur silicium micro- et nano-structuré." Thesis, Nice, 2014. http://www.theses.fr/2014NICE4137.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l’étude de la croissance de nitrure d’éléments V sur des substrats de silicium (Si) (111) micro et nano-structuré. Son but est de simplifier l’hétéroépitaxie de GaN sur Si tout en gardant une qualité de matériau à l’état de l’art. L’originalité de ce travail repose sur la combinaison avantageuse de deux techniques de croissance : NH3-EJM et EPVOM. Nous avons d’abord évalué l’intérêt du silicium poreux (SiP) pour confiner les fissures et l’utiliser comme couche compliante. Malgré les changements structuraux s’opérant dans le SiP lorsqu’il est porté aux hautes tempé
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
42

Lahoche, Laurent. "Analyse des transformations de phases et modèle thermomécanique pour l'étude du comportement de l'interface métal/oxyde : Cas du nickel." Compiègne, 1997. http://www.theses.fr/1997COMP0983.

Full text
Abstract:
Les propriétés protectrices des couches d'oxyde à haute température dépendent fortement de la qualité de l'adhérence de ces revêtements et des contraintes résiduelles développées dans l'oxyde lors de l'oxydation et plus particulièrement celles générées à l'interface métal/oxyde. Bien que l'origine des différentes contraintes ait fait l'objet de nombreuses études, l'influence d'une transformation de phase dans l'interface métal/oxyde sur le niveau de contraintes n'est pas encore clarifiée. Ce travail est consacré à l'étude de l'influence d'une mise en ordre de l'interface métal/oxyde tridimensi
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
43

Wang, Y. "Dislocation et relaxation des contraintes aux interfaces entre semiconducteurs III-V à large différence de paramètres de maille." Phd thesis, Université de Caen, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00779457.

Full text
Abstract:
Au cours de ce travail, nous avons procédé à une analyse extensive des dislocations d'interface et de la relaxation des contraintes dans les couches épitaxiales de GaSb sur GaAs (ou GaP) par microscopie électronique en transmission. Sur le substrat de GaAs, nous avons étudié le rôle de l'épaisseur de couches intermédiaires AlSb et le traitement de surface du substrat sur la relaxation des contraintes et la densité de dislocations émergeantes de la couche GaSb. Pareillement, nous avons étudié les effets des paramètres de croissance, tels que, le traitement de surface du substrat, la vitesse et
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
44

Vialta, Clemente Arantxa. "Structure des Couches d’InN et d’alliages (In,Al)N." Caen, 2012. http://www.theses.fr/2012CAEN2014.

Full text
Abstract:
En raison de leurs applications prometteuses dans les domaines de l’optoélectronique et de l’électronique, les semiconducteurs III-V à base d’azote: les nitrures (AlN, GaN, InN) et leurs alliages (InAlN, InGaN, AlGaN), font l’objet, depuis les années 1990, d’une activité intense en recherche et développement. Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales des couches d'InN et de l'alliage InAlN dans les hétérostructures InAlN/AlN/GaN et InAlN/GaN en combinant les techniques AFM, IBA, DRXHR, Raman et MET. L’étude des couches d’InN a été menée par DRX afin de déterminer la contra
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
45

Mante, Nicolas. "Hétéroépitaxie de GaN sur Si : De la nucléation à la relaxation des contraintes, étude par microscopie électronique en transmission." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAY078/document.

Full text
Abstract:
Ce travail est consacré à l'hétéroépitaxie de GaN sur substrat Si, étudié à l’échelle nanométrique par microscopie électronique en transmission. On étudie dans un premier temps la croissance de la couche de nucléation d’AlN, en analysant la structure de son interface avec Si, et les premières étapes de croissance. Ceci est effectué en comparant les procédés MBE et MOCVD, pour lesquels des différences sont observées, comme la formation d’une couche amorphe interfaciale pour la MOCVD à haute température. Ensuite, la nanodiffraction par précession (N-PED) permet de déterminer la distribution de l
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
46

Wallart, Xavier. "Contribution à l'étude de l'épitaxie d'hétérostructuresà base de semi-conducteurs III-V phosphorés." Habilitation à diriger des recherches, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00012202.

Full text
Abstract:
La fabrication d'hétérostructures de semi-conducteurs III-V de qualité repose sur la connaissance des surfaces, l'optimisation de la formation des interfaces et la maîtrise de la relaxation des couches contraintes. Nous montrons d'abord par une étude en diffraction et spectroscopie d'électrons que la reconstruction de surface des semi-conducteurs III-V phosphorés est différente des reconstructions couramment observées sur les arséniés. Nous abordons ensuite le problème des interfaces à anion commun pour lequel nous proposons un modèle cinétique prenant en compte l'effet de la température de cr
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
47

Figuet, Christophe. "Croissances d'InGaAs désaccordé sur substrats compliants réalisés par adhésion moléculaire et fusion désalignée." Lyon 1, 1999. http://www.theses.fr/1999LYO10255.

Full text
Abstract:
Lors de la croissance de materiaux sur substrats massifs, les parametres de maille de la couche epitaxiale et du substrat doivent etre parfaitement identiques sinon la couche se relaxe par generation de dislocations, au-dela d'une epaisseur dite epaisseur critique. La gamme de materiaux epitaxies est donc restreinte a de faibles desaccords parametriques pour eviter la degradation des performances des dispositifs optoelectroniques. La relaxation plastique des couches desaccordees peut etre limitee par la realisation de substrats deformables ou compliants qui partagent la contrainte de desaccord
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
48

Magnifouet, Tchinda Gladice Claire. "Study of epitaxial Fe\Cr multilayers : structural and magnetic properties, interdiffusion mechanisms." Thesis, Strasbourg, 2020. http://www.theses.fr/2020STRAE016.

Full text
Abstract:
Nous avons épitaxié des tri-couches Cr\Fe\Cr sur les substrats de MgO et SrTiO3 (100) par pulvérisation cathodique. Leurs propriétés structurales et magnétiques s’améliorent lorsque la température de dépôt du Fe décroît, mais il y a formation d’oxydes de Fe et de Cr aux interfaces. Nous avons donc choisi de continuer l’élaboration des tri-couches par MBE. Nous avons varié l’épaisseur de tri-couches déposées par MBE pour extraire le moment moyen et sa modification aux interfaces. La contribution des interfaces ont le signe et l’ordre de grandeur prédits par Daniel Stoeffler en liaisons fortes.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
49

Conchon, Florine. "Défauts et déformations au sein de couches d’oxydes épitaxiées : étude par diffraction des rayons X en haute-résolution." Limoges, 2008. https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/c899b395-9d15-454b-98c0-9a1bf4d72251/blobholder:0/2008LIMO4010.pdf.

Full text
Abstract:
Ce travail concerne l'analyse microstructurale par diffraction des rayons X de couches épitaxiées d'oxydes. Dans cet objectif, nous avons mis en œuvre différentes techniques de diffraction des rayons X à la fois sur montage de laboratoire et au synchrotron. Un modèle combinant à la fois une description microscopique des effets de forme et de taille des cristaux constituant les couches et une description phénoménologique des effets de distorsions de réseaux a été développé afin de rendre compte des effets dus aux défauts microstructuraux les plus couramment rencontrés dans les couches épitaxiée
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
50

Beznasyuk, Daria Vyacheslavovna. "Nanofils à hétérostructures axiales GaAs/InAs pour applications photoniques sur Si." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY032/document.

Full text
Abstract:
Un objectif technologique important de l’industrie des semiconducteurs concerne l’intégration sur Si de semiconducteurs III-V à bande interdite directe tels que InAs et GaAs, pour réaliser des émetteurs et détecteurs de lumière aux longueurs d'onde de télécommunication. L'épitaxie de couches minces d'InAs et de GaAs sur Si est cependant difficile en raison de la grande différence de paramètre de maille entre ces matériaux. Ces films minces épitaxiés présentent une interface de mauvaise qualité limitant les performances de futurs dispositifs. Pour surmonter le défi de l’épitaxie de matériaux à
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography