Academic literature on the topic 'Croissance de monocristaux'

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Journal articles on the topic "Croissance de monocristaux"

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Geurts, Marie-Anne, and Véronique Dewez. "Le pingo d’Aishihik, sud-ouest du Yukon : caractères morphogénétiques et cadre temporel." Géographie physique et Quaternaire 39, no. 3 (2007): 291–98. http://dx.doi.org/10.7202/032609ar.

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Abstract:
RÉSUMÉ Les nouvelles observations sur la structure externe et interne de la butte d'Aishihik confirment qu'on se trouve en présence d'un pingo, classiquement interprété comme étant de système fermé, alors qu'il se situe à la limite sud du pergélisol discontinu. Les éléments externes favorables à cette interprétation sont: la forme conique, impliquant un rapport hauteur/largeur (4,75/44m) de l'ordre de 10%, un cratère, ainsi qu'un milieu palustre et lacustre. À ceci s'ajoutent des éléments internes décelés par sondage : un noyau de glace pure de 193 cm d'épaisseur protégé par une couverture de
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Dissertations / Theses on the topic "Croissance de monocristaux"

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Eid, Jessica. "Croissance en solution et caractérisation de monocristaux de carbure de silicium cubique." Grenoble INPG, 2007. http://www.theses.fr/2007INPG0090.

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Abstract:
Ces travaux portent sur la croissance de mono cristaux massifs de 3C-SiC sur des germes hexagonaux de SiC. Cette étude a permis la mise au point d'un procédé de croissance en solution à basse température sans creuset utilisant une zone fondue de solvant (silicium). L'analyse des vitesses de croissance mesurées a permis de montrer que le transport de soluté à travers la zone de solvant jusqu'à l'interface de croissance est assuré par un régime convectif. L'épaisseur des couches réalisées est limitée par la formation des inclusions de silicium. Celles-ci sont la conséquence de l'apparition, sous
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2

Latu-Romain, Laurence. "Croissance de monocristaux massifs de carbure de silicium cubique." Grenoble INPG, 2006. http://www.theses.fr/2006INPG0185.

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Abstract:
Le carbure de silicium cubique (3C-SiC) est un matériau d'intérêt pour des applications électroniques fonctionnant à puissance et fréquences élevées. En raison de son état métastable, l'élaboration de ce matériau demeure problématique. Ces travaux portent sur la croissance de monocristaux massifs de 3C-SiC à partir de substrats hexagonaux de SiC. Le procédé de croissance choisi est une technique de sublimation alimentée en continu (CF-PVT). Le mécanisme de germination du 3C-SiC a tout d'abord été étudié à haute température 100°C). Cette première étude a permis de cerner les conditions expérime
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Sebald, Gaël. "Nouveaux monocristaux à forte conversion piézoélectrique : croissance, modélisation, modélisation et caractérisation." Lyon, INSA, 2004. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2004ISAL0049/these.pdf.

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Abstract:
Cette thèse traite de la croissance et de la caractérisation de monocristaux de type (1-x)Pb(Mg1/3Nb1/3)O3-xPbTiO3 (PMN-PT). Après la présentation du procédé d'élaboration par voie Bridgman, leur caractérisation est abordée, à la fois sur le plan électromécanique que physico-chimique. Les spécificités des monocristaux par rapport aux céramiques sont interprétées par des corrélations entre la physico-chimie et le comportement macroscopique. Les non linéarités à la résonance sont modélisées par un développement d'ordre trois des grandeurs mécaniques qui permet de modéliser l'hystérésis de résona
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Sebald, Gaël Guyomar Daniel. "Nouveaux monocristaux à forte conversion piézoélectrique croissance, modélisation, modélisation et caractérisation /." Villeurbanne : Doc'INSA, 2005. http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=sebald.

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5

Boiton, Philippe. "Etude du procédé Bridgman vertical appliqué à la croissance de monocristaux semi-conducteurs III-V "grand diamètre"." Montpellier 2, 1996. http://www.theses.fr/1996MON20050.

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Abstract:
L'elaboration par la methode bridgman vertical de monocristaux semi-conducteurs de gasb et de gainsb de diametre 45 mm, a ete etudiee. Cette these aborde principalement la qualite structurale (densite de dislocations, macles, nucleations parasites) de ces cristaux. Un important travail experimental a ete effectue (mise au point d'un procede) et, afin d'interpreter les resultats experimentaux, des simulations numeriques (echanges thermiques, forme de l'interface liquide-solide, etat de contraintes) ont egalement ete mises en uvre. Il s'avere que l'adhesion entre le cristal et le creuset est a l
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Apostu, Mircea Odin. "Croissance, caractérisation structurale et propriétés de magnétorésistance de manganites Ln3Mn207 substitués." Paris 11, 2002. http://www.theses.fr/2002PA112078.

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Abstract:
La découverte du phénomène de magnétorésistance colossale (CMR) dans les manganites de lanthane substitués a conduit à étudier de nouveaux oxydes de manganèse à valence mixte, en particulier des manganites à double couche (La,Sr)3Mn2O7 qui correspondent au terme n=2 de la famille "Ruddlesden-Popper. Une série de monocristaux de formule (La(1-z)Pr(z))1. 2Sr1. 8Mn2O7, présentant un taux de porteurs de charge x=0. 4, a été préparée par substitution du lanthane par le praséodyme. Les cristaux ont été élaborés par la technique de fusion de zone associée au four à image. L'influence du caractère bid
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7

Beaurain, Marion. "Monocristaux de alpha-GaPO4 : croissance par la technique du flux et caractérisations physiques." Montpellier 2, 2006. http://www.theses.fr/2006MON20152.

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Hickel, Pierre-Emmanuel. "Croissance hydrothermale du quartz-A : solubilité, caractérisations physico-chimiques et applications des monocristaux." Bordeaux 1, 2000. http://www.theses.fr/2000BOR10517.

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Abstract:
Le quartz est un matériau piézoélectrique utilise pour des dispositifs électroniques hautes fréquences. L’amélioration de leurs performances requiert une diminution de la densité des défauts physico-chimiques induits au cours de la croissance hydrothermale des cristaux. Dans cet objectif immédiat, le présent travail a mis en œuvre deux axes de recherche : la recherche de nouveaux solvants dans lesquels la solubilité du quartz est compatible avec le procédé, une croissance de cristaux dans des conditions thermodynamiques différentes des conditions utilisées industriellement. Ces axes de recherc
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Waldschmidt, Audrey. "Mécanisme de formation d'inclusions fluides lors de la croissance cristalline de molécules organiques : l'effet inattendu des gaz comme inhibiteurs de croissance." Rouen, 2011. http://www.theses.fr/2011ROUES038.

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Abstract:
Ce mémoire propose un mécanisme original de formation des inclusions fluides au sein de monocristaux de cinq molécules organiques. L’incidence des différents paramètres de cristallisation tels que la nature du solvant, la présence d’impuretés et la nature des gaz en solution ont été étudiés de façon systématique et rigoureuse. Cela a permis de démontrer l’impact déterminant de la nature des gaz en solution, à la fois sur la présence de vacuoles macroscopiques et sur les cinétiques globales de croissance cristalline. Il a en particulier été établi que toutes les inclusions liquides contiennent
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Arsene, Marie-Ange. "Etude de la thermique et de l'automatisation d'un four horizontal de croissance cristalline, sa qualification par l'élaboration de monocristaux de Germanium de haute pureté et son application à la croissance du matériau CuInSe2." Toulouse, INSA, 1994. http://www.theses.fr/1994ISAT0008.

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Abstract:
Le travail s'articule autour d'un four horizontal de croissance cristalline construit au laboratoire. Ce four est multizone et entierement automatise, il a ete qualifie par l'elaboration de germanium de haute purete, puis applique a l'elaboration du diseleniure de cuivre et d'indium (cuinse#2). Notre four a permis d'utiliser la technique bridgman horizontale pour la premiere fois, pour l'elaboration de monocristaux de germanium de haute purete. Nos caracterisations ont montre que des niveaux de purete inferieurs a 10#1#2 atomes d'impuretes par cm#3 sont accessibles. Nous presentons egalement u
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More sources

Books on the topic "Croissance de monocristaux"

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Bassat, Jean-Marc. Optimisation des paramètres de croissance et caractérisations des monocristaux de Bi₁₂ Ge O₂₀ purs et dopés en vue d'applications dans le domaine de l'optique cohérente. A.N.R.T, Université Pierre Mendes France (Grenoble II), 1986.

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