Log in

Relevant bibliographies by topics / Dégradation type porteurs chauds

Contents

Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Dégradation type porteurs chauds'

Author: Grafiati

Published: 6 July 2024

Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Dégradation type porteurs chauds.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Dissertations / Theses on the topic "Dégradation type porteurs chauds"

1

Bénard, Christelle. "Etudes phénomènes de dégradation des transistos MOS de type porteurs chauds et Negative Bias Temperature Instability (NBTI)." Aix-Marseille 1, 2008. http://theses.univ-amu.fr.lama.univ-amu.fr/2008AIX11028.pdf.

Full text

Abstract:

Ce travail de thèse traite des différents phénomènes de dégradation que peut subir un transistor MOSFET. Les deux modes de dégradation étudiés sont la dégradation par porteurs chauds, HC, et la dégradation NBTI. Dans une première partie, nous étudions de façon détaillée les phénomènes de relaxation caractéristiques des défauts générés par NBTI, afin de mieux comprendre les instabilités qui rendent si complexe la caractérisation de la fiabilité NBTI. Nous examinons, dans une seconde partie, les différentes méthodes de caractérisation du NBTI existantes à ce jour. Il en ressort que la seule tech

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Ndiaye, Cheikh. "Etude de la fiabilité de type negative bias temperature instability (NBTI) et par porteurs chauds (HC) dans les filières CMOS 28nm et 14nm FDSOI." Thesis, Aix-Marseille, 2017. http://www.theses.fr/2017AIXM0182/document.

Full text

Abstract:

L’avantage de cette architecture FDSOI par rapport à l’architecture Si-bulk est qu’elle possède une face arrière qui peut être utilisée comme une deuxième grille permettant de moduler la tension de seuil Vth du transistor. Pour améliorer les performances des transistors canal p (PMOS), du Germanium est introduit dans le canal (SiGe) et au niveau des sources/drain pour la technologie 14nm FDSOI. Par ailleurs, la réduction de la géométrie des transistors à ces dimensions nanométriques fait apparaître des effets de design physique qui impactent à la fois les performances et la fiabilité des trans

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Ndiaye, Cheikh. "Etude de la fiabilité de type negative bias temperature instability (NBTI) et par porteurs chauds (HC) dans les filières CMOS 28nm et 14nm FDSOI." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2017. http://www.theses.fr/2017AIXM0182.

Full text

Abstract:

L’avantage de cette architecture FDSOI par rapport à l’architecture Si-bulk est qu’elle possède une face arrière qui peut être utilisée comme une deuxième grille permettant de moduler la tension de seuil Vth du transistor. Pour améliorer les performances des transistors canal p (PMOS), du Germanium est introduit dans le canal (SiGe) et au niveau des sources/drain pour la technologie 14nm FDSOI. Par ailleurs, la réduction de la géométrie des transistors à ces dimensions nanométriques fait apparaître des effets de design physique qui impactent à la fois les performances et la fiabilité des trans

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

Toufik, Nezha. "Dégradation, par polarisation en avalanche, des paramètres d'une homojonction en silicium, durant l'émission de lumière." Perpignan, 2002. http://www.theses.fr/2002PERP0452.

Full text

Abstract:

L'étude proposée consiste à préciser les processus de dégradation de transistors bipolaires soumis à une contrainte électrique par polarisation inverse, en régime d'avalanche, de la jonction émetteur-base. La finalité est de déterminer les conditions de stabilité de l'émission lumineuse de la jonction afin d'envisager des applications optoélectroniques du composant au silicium. La méthode de caractérisation utilisée consiste à déterminer, au cours du temps et en fonction de la contrainte, l'évolution des paramètres de la jonction (courant inverse de recombinaison, facteur d'idéalité et résista

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

Guérin, Chloé. "Etude de la dégradation par porteurs chauds des technologies CMOS avancées en fonctionnement statique et dynamique." Aix-Marseille 1, 2008. http://www.theses.fr/2008AIX11041.

Full text

Abstract:

La miniaturisation des dernières technologies s’est effectuée à tension d’alimentation quasi constante. Cela se traduit par une augmentation du champ latéral du transistor MOSFET. Un risque important réapparaît en terme de fiabilité : la dégradation par porteurs chauds (HC). Pour garantir le meilleur compromis entre fiabilité et performance, il est important de comprendre toutes les causes physiques de la dégradation par porteurs chauds. Grâce à une étude menée pour des conditions de polarisation et de température variées, sur différentes épaisseurs d’oxyde et longueurs de canal, nous avons mi

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

6

Chapelon, Olivier. "Transport en régime de porteurs chauds dans le silicium de type n." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20066.

Full text

Abstract:

Il a ete mis au point un programme permettant de calculer les parametres de transport par resolution de l'equation de boltzmann dans le si-n. Une etude de l'influence de la degenerescence a montre que celle-ci jouait un role negligeable pour les dopages utilises au cours de cette etude. L'introduction de la generation recombinaison dans le programme a permis de calculer l'evolution de la fraction ionisee en regime de porteurs chauds et de mettre en evidence que le regime transitoire est fortement modifie. Dans une derniere partie, l'equation de boltzmann a ete resolue en tenant compte d'une di

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

7

Revil, Narcisse. "Caractérisation et analyse de la dégradation induite par porteurs chauds dans les transistors MOS submicroniques et mésoscopiques." Grenoble INPG, 1993. http://www.theses.fr/1993INPG0098.

Full text

Abstract:

Ce memoire est consacre a la caracterisation et a l'analyse de la degradation engendree par les injections de porteurs chauds dans les transistors mos submicroniques et mesoscopiques. Le premier chapitre decrit les principes de base du fonctionnement du transistor mos en insistant sur les effets de canaux courts et, plus particulierement, sur les phenomenes de generation et injection de porteurs chauds dans l'oxyde de grille. Differentes methodes de caracterisation de la degradation induite sont ensuite resumees et comparees dans un deuxieme chapitre, ceci tout en soulignant le caractere inhom

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

8

Nemar, Noureddine. "Génération-recombinaison en régime de porteurs chauds dans le silicium de type P." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20151.

Full text

Abstract:

Dans la premiere partie de ce travail, nous avons etudie l'effet de prendre un modele inelastique d'interaction avec les phonons acoustiques (a temperature basse (77 k et 110 k) sur la fonction de distribution et les parametres de transport dans le silicium dope au bore (si-p). Une comparaison a ete faite avec des resultats theoriques (utilisant un modele elastique) et experimentaux (obtenus au laboratoire). Dans la seconde partie, nous avons introduit les termes de generation-recombinaison dans l'equation de boltzmann et formule une equation supplementaire donnant l'evolution du nombre de por

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

9

Arfaoui, Wafa. "Fiabilité Porteurs Chauds (HCI) des transistors FDSOI 28nm High-K grille métal." Thesis, Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM4335.

Full text

Abstract:

Au sein de la course industrielle à la miniaturisation et avec l’augmentation des exigences technologiques visant à obtenir plus de performances sur moins de surface, la fiabilité des transistors MOSFET est devenue un sujet d’étude de plus en plus complexe. Afin de maintenir un rythme de miniaturisation continu, des nouvelles architectures de transistors MOS en été introduite, les technologies conventionnelles sont remplacées par des technologies innovantes qui permettent d'améliorer l'intégrité électrostatique telle que la technologie FDSOI avec des diélectriques à haute constante et grille m

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

10

Mamy, Randriamihaja Yoann. "Etude de la fiabilité des technologies CMOS avancées, depuis la création des défauts jusqu'à la dégradation des transistors." Thesis, Aix-Marseille, 2012. http://www.theses.fr/2012AIXM4781/document.

Full text

Abstract:

L'étude de la fiabilité représente un enjeu majeur de la qualification des technologies de l'industrie de la microélectronique. Elle est traditionnellement étudiée en suivant la dégradation des paramètres des transistors au cours du temps, qui sert ensuite à construire des modèles physiques expliquant le vieillissement des transistors. Nous avons fait le choix dans ces travaux d'étudier la fiabilité des transistors à l'échelle microscopique, en nous intéressant aux mécanismes de ruptures de liaisons atomiques à l'origine de la création des défauts de l'oxyde de grille. Nous avons tout d'abord

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

More sources

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!