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Academic literature on the topic 'Déposition de couches atomiques'

Author: Grafiati
Published: 23 November 2024
Last updated: 31 July 2025

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Journal articles on the topic "Déposition de couches atomiques"

1

Azzoug, Asma. "Elaboration et caractérisation des couches minces d'oxyde de cuivre : Application à la photo-dégradation de Méthyle Orange." Journal of Physical & Chemical Research 1, no. 1 (2022): 57–71. http://dx.doi.org/10.58452/jpcr.v1i1.32.

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Abstract:
Dans ce travail nous avons étudié l’effet du temps de déposition sur lesdifférentes propriétés des couches minces d’oxyde de cuivre. En premierlieu nous avons élaboré des films minces de Cu 2O par électrodéposition surun substrat ITO dans un milieu sulfate à température fixé de T=60° et unpotentiel imposé de - 0.5V/ECS. En second lieu les couches minces del’oxyde de cuivre (Cu 2O/ITO) ont subi un traitement thermique àtempérature de 500 °C pendant 1h pour obtenir des films mince nomméCuO/ITO. Les couches minces déposées ont été caractérisées par ladiffraction du rayon X (DRX), la microscopie à
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Abderrahmane, Abdelkader, Messaoud Kermiche, Samah Adjmi, and Chewki Zegadi. "Réalisation d’un appareil de SILAR pour la déposition des nano couches des matériaux chalcogénures pour les cellules solaires." Journal of Renewable Energies 19, no. 4 (2023): 567–74. http://dx.doi.org/10.54966/jreen.v19i4.595.

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Abstract:
Cet article représente la réalisation d’un appareillage fonctionnant automatiquement pour l'élaboration des nano couches par la technique 'Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction', SILAR–Successive Adsorption Ionique des Couches et Réaction–. La technique SILAR est une technique innovante et économique. Elle consiste à l’immersion successive d’un substrat dans des solutions de composés hydrolysables. Dans ce contexte, nous avons réussi à l’élaboration de plusieurs composés qui sont utilisés dans la construction des cellules solaires. Nos résultats montrent que les couches minces obtenue
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3

Dufaud, Olivier, and Serge Corbel. "Dispositif de déposition de couches de suspensions de céramiques appliqué à la stéréolithographie." Canadian Journal of Chemical Engineering 82, no. 5 (2008): 986–93. http://dx.doi.org/10.1002/cjce.5450820514.

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4

Khelifi, Samira, and Abderrahmane Belghachi. "Le Rôle de la Couche Fenêtre dans les Performances d’une Cellule Solaire GaAs." Journal of Renewable Energies 7, no. 1 (2004): 13–21. http://dx.doi.org/10.54966/jreen.v7i1.861.

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Abstract:
De nos jours les cellules solaires à couches minces sont de plus en plus utilisées essentiellement à raison de leur faible coût. Durant ces dernières décennies les performances de ces cellules ont été nettement améliorées. Dans le présent travail, on a simulé une cellule solaire de type GaAs à l’aide d’un nouveau logiciel (SCAPS) afin d’analyser certains paramètres. En particulier les propriétés de la couche fenêtre (épaisseur, dopage, … ) jouent un rôle primordial dans les performances de la cellule, et afin de les optimiser, on a étudié leur influence sur les grandeurs photovoltaïques de la
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Mantoux, A., J. C. Badot, N. Baffier, et al. "Propriétés structurales et électrochimiques de couches minces de V2O5élaborées par dépôt chimique de couches atomiques en phase vapeur (ALCVD)." Journal de Physique IV (Proceedings) 12, no. 2 (2002): 111–19. http://dx.doi.org/10.1051/jp420020018.

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6

Laouamri, Hind, Mostafa Kolli, and Nourredine Bouaouadja. "Correction des Défauts de Sablage D’un Verre par Déposition de Couches Minces de Silice et de PVB." حوليات العلوم و التكنولوجيا 5, no. 2 (2013): 136–42. http://dx.doi.org/10.12816/0010609.

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7

Khelfaoui, Fethi, and Mohammed Azzaoui. "Etude des Spectres D’émission D’ions D’argon lors de Déposition Sur Couches Minces dans un Pulvérisateur Cathodique Magnétron." حوليات العلوم و التكنولوجيا 5, no. 2 (2013): 204–8. http://dx.doi.org/10.12816/0010617.

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8

Hafidi, K., M. Azizan, Y. Ijdiyaou, and E. L. Ameziane. "Déposition par Pulvé Risation Cathodique Radio Fréquence et Caracté Risation Électronique, Structurale et Optique de Couches Minces du Dioxyde de Titane." Active and Passive Electronic Components 27, no. 3 (2004): 169–81. http://dx.doi.org/10.1080/08827510310001616885.

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Abstract:
Deposited titanium oxide thin films are used as optical protector films for several materials and as energy converters for solar cells. In this work, titanium oxide thin films are deposited on c-Si and glass substrates by reactive radiofrequency sputtering. All the deposits are grown at ambient temperature and the sputtering gas is a mixture of oxygen and argon with an overall pressure of10−2mbar. The oxygen partial pressure ratios varies from 5% to 20%.Characterization of deposited films is made by grazing incidence X-ray diffraction (GIXD), grazing incidence X-ray reflection (GIXR), X-ray ph
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Adnane, Mohamed, Toufik Sahraoui, Abdelkader Abderrahmane, Saad Hamzaoui, and Denis Chaumont. "Elaboration et caractérisation des matériaux binaires CuxS et Ag2S élaborés par la technique SILAR pour couche tampon de cellule solaire à base de couche absorbante CIS." Journal of Renewable Energies 13, no. 4 (2023). http://dx.doi.org/10.54966/jreen.v13i4.228.

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Abstract:
Depuis une dizaine d’années, des efforts considérables ont été accomplis dans le domaine de nouveaux matériaux synthétisés à bas coût pour être intégrer dans les cellules solaires à base de couches absorbantes CIS: CuIn (S,Se)2, et GICS: Cu(In, Ga)(Se,S)2. On peut citer à titre d’exemple les couches tampons telles que: CdS, ZnS, CuxS et Ag2S. Ces matériaux ont attiré notre attention vu leurs facilité à être déposé par la technique SILAR, ‘Successive Ionic Layer Absorption Reaction’ sur du verre, une technique réalisée et automatisé pour la première fois à l’université des Sciences et de la tec
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Dissertations / Theses on the topic "Déposition de couches atomiques"

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Valero, Anthony. "Fonctionnalisation d’électrodes de silicium nanostructuré par couches nanométriques de diélectrique par ALD : une protection active versatile pour des micro-supercondensateurs ultra-stables en milieux aqueux." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. https://thares.univ-grenoble-alpes.fr/2020GREAI006.pdf.

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Abstract:
Ces dernières années, l’électronique portable connait un véritable essor, et envahit notre environnement. Le progrès technologique dans le domaine de la microélectronique a permis la réduction conséquente des dimensions des composants électroniques et ouvert des possibilités de mise en réseau et de contrôle jusqu’alors impossible. La question de l’alimentation en énergie est primordiale pour ces réseaux et leur déploiement n’est possible à condition de garantir leur autonomie énergétique. La production autonome d’énergie est souvent privilégiée pour que les microsystèmes soient capables de s’a
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Ihara, Kou. "Οptimizing οf metal-insulatοr-metal capacitοrs perfοrmances by atοmic layer depοsitiοn : advancing prοductiοn efficiency and thrοughput". Electronic Thesis or Diss., Normandie, 2024. http://www.theses.fr/2024NORMC218.

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Abstract:
À mesure que la technologie des semi-conducteurs progresse, la nécessité de surmonter les limitations de la réduction des tailles de dispositifs est considérée comme primordiale. Bien que la loi de Moore ait guidé cette évolution au cours des cinq dernières décennies, les contraintes des composants actifs sont désormais évidentes à mesure que les processus de fabrication approchent de l'échelle atomique. L'approche "More Than Moore" a émergé pour y remédier, mettant l'accent sur l'intégration et la miniaturisation de puces hétérogènes afin de permettre l'empilement de diverses fonctionnalités
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Antoun, Gaëlle. "Cryo-gravure de couches atomiques par plasma : mécanismes et procédés." Electronic Thesis or Diss., Orléans, 2020. http://www.theses.fr/2020ORLE3067.

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Abstract:
Cette thèse a été réalisée au GREMI en collaboration avec Tokyo Electron Ltd, qui a également financé le projet. Le but de cette étude était de développer un nouveau procédé de gravure de couche atomique (ALE) à température cryogénique pour la gravure de matériaux à base de silicium.Le Cryo-ALE consiste à graver une ou quelques monocouches après avoir refroidi le substrat. La première étape de ce procédé est l'injection d'azote liquide pour refroidir le porte-substrat et refroidir la plaquette en injectant de l'hélium à l'arrière pour assurer le conductivité thermique. Une fois la température
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Mantoux, Arnaud. "Synthèse par dépôt de couches atomiques et caractérisations de couches minces d'oxyde de vanadium applications aux accumulateurs au lithium." Paris 6, 2003. http://www.theses.fr/2003PA066206.

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Chen, Yuan. "Elaboration de films minces thermoélectriques par dépôt électrochimique en couches atomiques (EC-ALE)." Thesis, Aix-Marseille, 2014. http://www.theses.fr/2014AIXM4342.

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Abstract:
Un dispositif expérimental de dépôt électrochimique en couches atomiques (EC-ALE) a été conçu et réalisé dans cette thèse. Sa mise en oeuvre a permis de valider cet équipement. Grâce à la flexibilité de cet équipement, un nouveau point de vue du dépôt en sous potentiel (UPD) du cobalt sur un substrat d'or a été proposé. Les résultats montrent aussi que le dépôt alternatif de monocouches de Co et de Sb est possible. Pour la première fois, l'électrodéposition de films minces Sb2Se3 par la méthode EC-ALE sur des électrodes poly-cristallines d'or a été obtenue et étudiée. Les paramètres de dépôt o
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Abourayak, Khalid. "Comportement tribologique à chaud de couches minces extra-dures obtenues par déposition physique en phase vapeur (PVD)." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1996. http://www.theses.fr/1996ECDL0020.

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Abstract:
Pour pallier a l'insuffisance de certains traitements thermochimiques, face a des sollicitations tres severes a haute temperature (usure, proprietes de frottement), de nouveaux procedes ont ete appliquees aux pieces mecaniques. Ces traitements permettent de realiser un revetement de faible epaisseur (quelques micrometres) generalement tres dur et stable chimiquement. C'est dans cette optique qu'on a choisi la technique de deposition physique en phase vapeur pvd, qui grace a ces avantages specifiques, suscite un interet croissant en mecanique. Le travail mene au cours de cette etude fait partie
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Prieur, Thomas. "Sélection d'un précurseur pour l'élaboration de couches atomiques de cuivre : application à l'intégration 3D." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00961695.

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Abstract:
Avec l'augmentation de la densité de fonctionnalités dans les différents circuits intégrés nous entourant, l'intégration 3D (empilement des puces) devient incontournable. L'un des point-clés d'une telle intégration est la métallisation des vias traversant (TSV, Through Silicon Via) reliant deux puces entre-elles : ces TSV ont des facteurs de forme de plus en plus agressifs, pouvant dépasser 20. Les dépôts des couches barrière à la diffusion du cuivre et d'accroche pour le dépôt électrolytique du cuivre étant actuellement réalisées par dépôt physique en phase vapeur, ceux-ci sont limités en ter
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TEBBJI, HASSAN. "Elaboration et caracterisation de films de cuprates du type phase infinie deposes par sequence de couches atomiques." Paris 6, 1993. http://www.theses.fr/1993PA066649.

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Abstract:
Le travail presente dans cette these porte sur la realisation de composes du type (sr#1#-#xca#x)cuo#2. Leur structure cristalline consiste en l'alternance de deux types de plans atomiques: un plan d'oxyde de cuivre (cuo#2) et un plan intercalaire d'atomes alcalins (de type dans notre sr#1#-#xca#x dans notre etude). Cette famille de composes est nommee phase infinie, parce qu'elle peut etre assimilee a un cuprate comportant une infinite de plan cuo#2 par cellule. Un procede de depot a ete mis au point, permettant de synthetiser des films de phase infinie (sr#1#-#xca#x)cuo#2 par epitaxie sequent
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Kuleff, Alexander I. "Études sur les effets de couches dans les systèmes atomiques, les molécules diatomiques et les agrégats métalliques." Paris 6, 2002. http://www.theses.fr/2002PA066202.

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Tuske, Olivier. "Etude de la formation des atomes creux sous les surfaces : influence des premières couches atomiques du solide." Paris 6, 2002. http://www.theses.fr/2002PA066552.

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