Log in

Relevant bibliographies by topics / Dépôt chimique en phase vapeur d’organométalliques (MOCVD)

Contents

Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Dépôt chimique en phase vapeur d’organométalliques (MOCVD)'

Author: Grafiati

Published: 18 May 2024

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Dépôt chimique en phase vapeur d’organométalliques (MOCVD).'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Dissertations / Theses on the topic "Dépôt chimique en phase vapeur d’organométalliques (MOCVD)"

1

Riaz, Adeel. "Conception, optimisation et caractérisation avancée de nouvelles microstructures d'électrodes pour piles à oxydes solides." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALI006.

Full text

Abstract:

Les piles à oxyde solide (SOCs selon l’acronyme anglais de Solid Oxide Cells) sont des dispositifs électrochimiques de conversion d’énergie pouvant fonctionner en mode pile à combustible (SOFC) pour convertir un combustible en énergie électrique et inversement en mode électrolyseur (SOEC). Les piles à oxyde solide sont des dispositifs constitués de céramiques avec une électrolyte à oxyde solide dense capable de conduire des ions oxygène négatifs et intercalée entre deux électrodes. Cette thèse se concentre sur l'optimisation de l'électrode à oxygène et la caractérisation avancée de films mince

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Karsi, Mustapha. "Dépôt chimique en phase vapeur de cuivre à partir de composés métal-organiques (MOCVD) : étude de l'activation photonique et de la sélectivité." Toulouse, INPT, 1995. http://www.theses.fr/1995INPT027G.

Full text

Abstract:

Le cuivre est un materiau d'interconnexion tres prometteur dans la technologie microelectronique. Le depot chimique en phase vapeur (cvd) du cuivre attire de plus en plus d'attention, grace a ses avantages multiples: uniformite de depot, vitesse de croissance importante et surtout croissance selective sur certaines surfaces. Un reacteur de depot chimique en phase vapeur sous pression reduite equipe d'une source photonique (lampe mercure basse pression 185-254 nm) est utilise, dans le but d'elaborer des films de cuivre de haute purete a basse temperature a partir de precurseurs metal-organiques

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Bonnefond, Pierre. "Elaboration à basse température par MOCVD de revêtements de nitrures et carbonitrures de vanadium à partir du tetrakis (diethylamido) vanadium." Toulouse, INPT, 1997. http://www.theses.fr/1997INPT014G.

Full text

Abstract:

Le complexe metal-organique, tetrakis (diethylamido) vanadium : v(net#2)#4 est utilise comme precurseur pour l'elaboration de revetements de nitrures et carbonitrures de vanadium a basse temperature par depot chimique en phase vapeur (mocvd). Des films microcristallins sont obtenus a pression reduite, en mur chaud pour des temperatures inferieures a 500c. Le developpement d'un appareillage supportant un degazage sous-vide secondaire avant la phase de depot a permis l'elaboration de films dont la contamination par l'oxygene o#2 est inferieure a 2% at. Lorsque v(net2)4 est utilise comme monosour

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

Gueroudji, Latifa. "Etude de l'incorporation du carbone dans les revêtements à base de chrome élaborés par MOCVD." Toulouse, INPT, 1996. http://www.theses.fr/1996INPT031G.

Full text

Abstract:

Des films de carbures de chrome monophases ou polyphases et plus ou moins contamines en carbone libre, ont ete elabores par mocvd (metalorganic chemical vapor deposition) a partir du bis(benzene)chrome(bbc), cr(c#6h#6)#2, dans differentes conditions. La nature des phases deposees, la composition et la structure des films sont correlees a la temperature de depot, a la pression totale dans le reacteur, ainsi qu'a la composition initiale de la phase gazeuse. Plus particulierement, l'incorporation du carbone dans les films a ete etudiee. Les resultats experimentaux sont compares a ceux obtenus par

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

Brevet, Aude. "Les premiers instants de la croissance de films minces d'oxydes métalliques par MOCVD : caractérisation physico-chimique de l'interface film/substrat." Dijon, 2006. http://www.theses.fr/2006DIJOS003.

Full text

Abstract:

L'étude des premiers instants de la croissance par dépôt chimique en phase vapeur à partir d'un précurseur métalorganique (MOCVD) de films de TiO2 sur Si(100) a été réalisée in situ par analyse de surfaces (XPS, ARXPS, AES). Un dispositif expérimental original a été conçu à cet effet et mis au point. Des caractérisations ex situ (HRTEM, SIMS, GIXRD. . . ) ont complété les informations obtenues in situ. La formation d'une couche interfaciale de SiOy<2, par interaction du précurseur Ti(OCH(CH3)2)4 avec le substrat, précède la formation de TiO2 et conduit à la présence de carbone à l'interface

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

6

Briot, Olivier. "Le semiconducteur II-VI ZnSe : épitaxie par MOCVD et étude de la compensation." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20085.

Full text

Abstract:

La croissance par epitaxie en phase vapeur a partir de la decomposition d'organometalliques (movpe) est appliquee au cas du seleniure de zinc (2. 67 ev a 300 k). L'influence des parametres de croissance est etudiee et un optimum est propose. Pour preciser les proprietes de transport du materiau et pour avoir interpreter correctement les resultats electriques, l'equation de boltzmann est resolue en y incluant tous les mecanismes plausibles de diffusion. La faisabilite de la realisation par movpe de doubles heterostructures gaas:znse/gaas est demontree

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

7

Gallon, Philippe. "Mise en oeuvre de différents processus de dépôts MOCVD pour la croissance du matériau photovoltaïque CuInSe2." Montpellier 2, 1997. http://www.theses.fr/1997MON20209.

Full text

Abstract:

Le principal sujet de cette these est l'etude de l'influence des processus de croissance du materiau ternaire cuinse2 (cis) par la technique de depot chimique en phase vapeur aux organometalliques (mocvd), a savoir le codepot des trois elements cu, in, se ou le depot en plusieurs etapes. La methode dite depot en plusieurs etapes se developpe depuis plusieurs annees et est presentee comme une alternative a la technique de codepots usuelle des elements entrant dans la composition de la couche finale. Nous avons adapte le depot en plusieurs etapes en alliant la mocvd et les recuits sous atmospher

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

8

Ouchen, Fahima. "Etude des couches minces de CuInSe2 obtenues par la technique de MOCVD en une ou plusieurs étapes pour des applications photovoltai͏̈que." Montpellier 2, 1996. http://www.theses.fr/1996MON20101.

Full text

Abstract:

Ce memoire presente le resultat d'une etude realisee sur la croissance des couches minces de cuinse#2 par la technique de depot chimique en phase vapeur aux organometalliques (mocvd). L'interet de ce compose est qu'il peut etre utilise en tant que materiau absorbeur dans l'elaboration de cellules solaires. Dans le premier chapitre, un etat d'art sur les differents materiaux dans la filiere des couches minces utilises dans les cellules et plus particulierement les proprietes du cuinse#2, sont presentes. Une description de l'appareillage de mocvd et une etude en fonction des parametres de croiss

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

9

Caubel, Yannick. "Contribution à l'élaboration de couches minces d'YBa2Cu3O7-x par MOCVD sur aciers : les couches de conversion comme couches intermédiaires." Toulouse, INPT, 1995. http://www.theses.fr/1995INPT011G.

Full text

Abstract:

Nous avons realise des depots d'yba#2cu#3o#7#-#x par mocvd (depot chimique en phase vapeur a partir de sources metallo-organiques) sur des substrats en aciers inoxydables. Les precurseurs d'yttrium et de cuivre utilises sont les tetramethylheptanedionates. Une etude de la stabilite de divers composes barytes par spectrometrie de masse in situ dans le reacteur cvd a permis de selectionner ba(hfa)#2. Tetraglyme comme source de baryum. Afin d'eviter la formation de baf#2 dans les depots, le gaz reactif est de l'oxygene sature en vapeur d'eau. Les depots ont ete elabores sur deux types d'aciers: u

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

10

Manole, Claudiu Constantin. "MOCVD and electrochemical polymeric thin films : elaboration, characterization, properties ans applications." Thesis, Toulouse, INPT, 2012. http://www.theses.fr/2012INPT0165/document.

Full text

Abstract:

Ce mémoire traite de deux types de polymères en films minces: le poly (méthacrylate de méthyle) (PMMA) et le polypyrrole (PPy). Ces films minces ont été déposés par voie sèche et par voie humide. La voie sèche consiste à faire croitre les films polymères par un procédé original de dépôt chimique en phase vapeur assisté par photons (Chemical Vapor Deposition, CVD). La croissance implique l'activation UV des espèces monomères dans la phase gazeuse. Les deux polymères PMMA et PPy ont été obtenus pour la première fois par ce procédé de photo-CVD. La caractérisation des propriétés a mis en évidence

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

More sources

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!