Relevant bibliographies by topics / Dépôt en phase vapeur

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  2. Dissertations / Theses
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  5. Conference papers
  6. Reports

Academic literature on the topic 'Dépôt en phase vapeur'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 7 July 2024

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Journal articles on the topic "Dépôt en phase vapeur"

1

Didier, N., E. Mossang, O. Thomas, J. P. Sénateur, F. Weiss, and A. Gaskov. "Dépôt chimique en phase vapeur d'hétérostructures YBa2Cu3O7-x/PrBa2Cu3O7-x." Journal de Physique III 4, no. 11 (November 1994): 2183–94. http://dx.doi.org/10.1051/jp3:1994268.

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2

LÉVESQUE, O., M. RICCI, M. TRINQUECOSTE, and P. DELHAÈS. "MATÉRIAUX CARBONES OBTENUS PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR UN PLASMA RÉACTIF." Le Journal de Physique Colloques 50, no. C5 (May 1989): C5–269—C5–279. http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:1989533.

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3

Vergnes, Hugues, Patrick Duverneuil, and Jean-Pierre Couderc. "Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 1 : Présentation et analyse des résultats expérimentaux." Canadian Journal of Chemical Engineering 78, no. 4 (August 2000): 793–802. http://dx.doi.org/10.1002/cjce.5450780424.

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4

Mantoux, A., J. C. Badot, N. Baffier, J. Farcy, J. P. Pereira-Ramos, D. Lincot, and H. Groult. "Propriétés structurales et électrochimiques de couches minces de V2O5élaborées par dépôt chimique de couches atomiques en phase vapeur (ALCVD)." Journal de Physique IV (Proceedings) 12, no. 2 (April 2002): 111–19. http://dx.doi.org/10.1051/jp420020018.

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5

GAUFRES, R., P. HUGUET, D. BOYA, and L. LAFFORET. "MONTAGE RAMAN DE HAUTES PERFORMANCES ADAPTÉ A LA CARACTÉRISATION DE LA PHASE GAZEUSE DANS DES OPÉRATIONS DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR. RÉSULTATS PRÉLIMINAIRES." Le Journal de Physique Colloques 50, no. C5 (May 1989): C5–15—C5–15. http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:1989505.

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6

Vergnes, Huges, Patrick Duverneuil, and Jean-Pierre Couderc. "Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 2 : Modélisation du dépôt de silicium pur à partir de silane et de silicium dopé in situ au phosphore." Canadian Journal of Chemical Engineering 78, no. 4 (August 2000): 803–14. http://dx.doi.org/10.1002/cjce.5450780425.

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7

Preauchat, B., S. Drawin, and S. Landais. "Caractérisation de barrières thermiques en zircone yttriée pour aubes de turbomachines, élaborées par dépôt chimique , en phase vapeur assisté par plasma." Le Journal de Physique IV 10, PR4 (March 2000): Pr4–149—Pr4–154. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2000420.

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8

ABISSET, S., F. MAURY, L. PELLETIER, J. CARRETAS, and A. PIRESDEMATOS. "Dépôt chimique en phase vapeur à basse température de revêtements dans le système V-C-N à partir de bis(arene)vanadium." Annales de Chimie Science des Matériaux 23, no. 5-6 (July 1998): 695–706. http://dx.doi.org/10.1016/s0151-9107(99)80017-8.

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9

Semmache, B., S. Kallel, H. El Omari, M. Lemiti, and A. Laugier. "Dépôt chimique en phase vapeur et à basse pression de couches minces à base de silicium dans un réacteur à lampes halogène." Canadian Journal of Physics 77, no. 9 (February 1, 2000): 737–43. http://dx.doi.org/10.1139/p99-035.

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Abstract:
Low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) in halogen lamp-heated reactor (RTLPCVD: rapid thermal LPCVD) is a promising technique for silicon-based thin films deposition. Indeed, overall process time and gas consumption reduction in RTP reactors allows to project new device fabrication technologies (microsensors, solar cells) in order to reach a higher environmental safety with respect to classical technologies.Various gases available on our RTP installation (SiH4, NH3, N2O, O2, PH3, B2H6) enable several silicon-based thin films RTLPCVD deposition: intrinsic polycrystalline silicon (poly-Si) films or in situ doped poly-Si, silicon nitride (Si-N) and oxynitride (Si-O-N). In this paper, we discuss our results on deposition kinetics and physical properties of these thin films. It appeared that RTLPCVD silicon-based thin films with interesting structural, electrical, and optical properties can be synthesized in our lamp-heated reactor with a tight control of process parameters such as temperature, pressure, and gas flow ratios.
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10

Semmache, B., S. Kallel, H. El Omari, M. Lemiti, and A. Laugier. "Dépôt chimique en phase vapeur et à basse pression de couches minces à base de silicium dans un réacteur à lampes halogène." Canadian Journal of Physics 77, no. 9 (1999): 737–43. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-77-9-737.

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Dissertations / Theses on the topic "Dépôt en phase vapeur"

1

Blanquet, Elisabeth. "Dépôt chimique en phase vapeur de siliciures pour la microélectronique." Grenoble INPG, 1990. http://www.theses.fr/1990INPG0003.

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Abstract:
Les disiliciures de metaux refractaires sont d'excellents candidats a une utilisation comme materiaux d'interconnexions et de contact en technologie silicium a tres haut niveau d'integration. Dans le cadre des recherches de procedes pour elaborer des couches minces de ces materiaux, nous nous sommes interesses a la technique de depot chimique en phase vapeur (cvd). Cette etude a porte essentiellement sur les disiliciures de tantale, tasi#2 et de tungstene, wsi#2. Une analyse thermodynamique prealable des systemes chimiques ta-si-h-o-cl et w-si-h-o-cl- ou f a permis de determiner les valeurs des parametres experimentaux (temperature de depot, pression totale, pressions partielles initiales des gaz actifs) theoriquement favorables a la formation des disiliciures. A partir de ces resultats, un reacteur cvd, a murs froids, fonctionnant a pression atmospherique a ete concu. L'originalite de celui-ci reside dans l'elaboration et le transport du precurseur metallique (chlorure de ta et w) qui s'effectuent dans la chambre de chloruration in situ. Des depots de siliciures de tantale et de tungstene ont ete realises. La confrontation des resultats thermodynamiques et experimentaux revele un accord tres satisfaisant entre previsions et experiences
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2

Mouchon, Arnaud. "Mécanismes de pyrolyse des hydrocarbures et dépôt de pyrocarbone par CVD/CVI." Bordeaux 1, 2004. http://www.theses.fr/2004BOR12916.

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Abstract:
"Une étude des mécanismes de pyrolyse des hydrocarbures, conduisant au dépôt de pyrocarbone par CVD/CVI, a été menée suivant une double approche expérimentale/numérique. A partir du précurseur propane, la phase gazeuse a été analysée in-situ (spectroscopie IRTF) en cours d'infiltration et en ligne (CPG) en CVD ou CVI : le rôle des espèces en C2 dans la formation du pyrocarbone dit " faiblement anisotrope" et celui des espèces en C3 dans celle du pyrocarbone dit "laminaire colonnaire" ont été identifiés. Les caractérisations micro -et nano-texturales (MOLP, MET et spectroscopie Raman) des dépôts réalisés ont permis d'établir des mécanismes de croissance distincts pour chacune des formes de pyrocarbone laminaire. Des mécanismes homogènes détaillés décrivant la pyrolyse du propane et du méthane ont été introduits dans diverses modélisations numériques de réacteurs 0D et 1D. Ils ont été validés par confrontation avec différentes analyses expérimentales de la phase gazeuse. Des corrélations ont été établies entre la composition de la phase gazeuses déterminée par les modèles et le dépôt des microtextures principales. Les précurseurs effectifs à nombre impair de carbone semblent ainsi favoriser l'anisotropie du pyrocarbone, tandis qu'à l'inverse un précurseur effectif à nombre pair de carbone conduit à la formation de défauts et donc à une chute d'anisotropie. Sur cette base, des schémas réactionnels ont été pjroposés pour décrire la formation des microtextures principales déposées à partir de propane et de méthane. "
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3

Sourdiaucourt, Patrice. "Dépôt chimique en phase vapeur du carbure de hafnium sur substrats carbones." Bordeaux 1, 1997. http://www.theses.fr/1997BOR10614.

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Abstract:
L'industrie spatiale impose l'utilisation de materiaux de faible densite, refractaires, isolants thermiques, et possedant une tenue mecanique suffisante a haute temperature. En effet, les temperatures atteintes en cours d'utilisation sont superieures a 3000c. Certaines mousses de carbone vitreux possedent les proprietes thermiques et refractaires requises, associees a une faible densite (< 0,1). Toutefois, leur resistance mecanique est insuffisante a haute temperature. Le but de cette these est d'etudier le renforcement d'une mousse de carbone par du carbure de hafnium, compose le plus refractaire. Le procede utilise est le depot chimique en phase vapeur (d. C. P. V. ). Nous avons determine les conditions experimentales permettant de synthetiser du carbure de hafnium par d. C. P. V. . En raison de la difficulte a deposer uniformement un compose dans un substrat poreux, ces conditions ont ete etablies, dans un premier temps, sur un substrat plan (carbone vitreux massif). Une modelisation thermodynamique a permis de reduire le champ d'investigation experimental (nature et concentration des precurseurs de hafnium et de carbone, gamme de temperatures et de pressions). Les valeurs thermodynamiques des phases solutions du systeme hf-c ont ete modelisees par un modele en sous-reseaux. Experimentalement, par la methodologie des plans d'experiences, les parametres experimentaux preponderants ont ete retenus. La composition des depots de carbure de hafnium est caracterisee par diffraction des rayons x, spectroscopie auger et resistivite electrique. Dans un deuxieme temps, d'autres conditions experimentales ont ete determinees afin d'elaborer, de facon reproductible, un depot uniforme dans la mousse de carbone. A temperature ambiante, le comportement mecanique du materiau elabore est du type elastique a rupture fragile. A 2500c, ce comportement est plastique et nous observons un renforcement de la mousse de carbone.
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4

Klam, Christophe. "Dépôt chimique en phase gazeuse de silicium sur substrats ferreux." Lyon, INSA, 1990. http://www.theses.fr/1990ISAL0089.

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Abstract:
La technique de dépôt chimique en phase gazeuse est utilisée pour enrichir superficiellement en Si des substrats ferreux. Une étude thermodynamique préalable montre que, parmi les divers composés chlora-hydrogénés de Si, le silane SiH4 possède le meilleur pouvoir siliciurant (rendement théorique maximal). Selon la phase gazeuse utilisée (présence ou non de chlorure), les revêtements obtenus sont différents. L'utilisation du mélange Ar-SiH4-H2 conduit à la formation par diffusion, d'une solution solide Fe-Si compacte et adhérente, avec 6 pour cent en poids maximum de Si en surface. La présence de SiCl4 dans le mélange gazeux modifie le processus réactionnel, et conduit à la formation et à la croissance de cristaux de Fe3Si. Le revêtement formé est plus riche en Si mais poreux. Les conditions opératoires sont optimisées à partir de l'étude des divers paramètres : débit et composition de la phase gazeuse, température et durée de traitement. Les dispositifs expérimentaux sont décrits. Des essais de refus ion superficielle par faisceau laser montrent qu'il est possible de refermer la porosité ouverte des revêtements de Fe3Si, pour donner un alliage de surface homogène, non poreux et non fissuré, mais dont la teneur en Si est moindre, en raison d'une dilution par fusion d'une partie du substrat. Les revêtements sont caractérisés en corrosion. Humide et/ou en oxydation sèche. Le comportement en milieu H2S04 1M et 7M, à température ambiante, confirme l'influence de la teneur en Si et de la porosité de la couche, et montre le rôle du ost-traitement laser. Le comportement à l'oxydation à l'air, entre 600 et 800°C, est relié à la nature et la structure des couches
[Chemical vapour deposition is used to silicone iron and steel substrates. A preliminary thermodynamic study shows that, among various chlorinated and hydrogenated silicon compounds, mono silane SiH4 has the best siliconizing ability (i. E. The maximum theoretical yield). Depending on the gas composition (with or without SiCl4), the obtained coatings are quite different. The use of Ar-SiH4-H2 gas mixture leads to the formation, by diffusion of a non porous and adherent Fe-Si sol id-solution layer, with a maximum silicon content of 6% by weight at the surface. The use of SiCl4 in the gas mixture entirely modifies the reaction process, and leads to the formation of an iron silicide Fe3Si layer. The obtained coating has a higher silicon content but the structure becomes porous. The influence of various parameters, such as vapour phase composition, flow rate, treatment temperature and duration, is investigated. The experimental device is described. With a surface laser melting post-treatment, it is possible to eliminate open porosity of Fe3Si coatings, and an homogeneous and non porous alloy is formed. However the silicon content is lowered by melting a part of the substrate. The corrosion behaviour is tested in 1M and 7MH2S04 solutions at room temperature. The influences of the Si content, of the coating porosity, and of the laser post-treatment are analysed. The oxidation behaviour, between 600 and 800°C, is related to the nature and structure of the elaborated layers. ]
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Prebende, Claude. "Mécanismes physico-chimiques mis en jeu dans le processus CVD d'élaboration de céramiques à base de carbure de silicium en réacteur à parois chaudes." Bordeaux 1, 1989. http://www.theses.fr/1989BOR10566.

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Abstract:
On mene une approche des processus de depot de si dans le systeme si-h-cl proche de celui utilise pour sic(di-c-h-cl). Les etapes chimiques du depot de sic a partir du precurseur ch#3sicl#3/h#2 sont determinees sur la base d'un calcul thermodynamique relatif aux equilibres homogenes et heterogenes, mettant en evidence une sursaturation tres elevee. La modelisation des transferts de chaleur, de quantite de mouvement et de masse, realisee pour le systeme sih#2cl#2(h#2, est utilisee pour valider le choix de l'ensemble experimental chambre de depot/substrat (reacteur a zone chaude isotherme, geometrie cylindrique). Les variations de la vitesse de depot de si et sic en fonction des parametres experimentaux (temperature, pression, debits) mettent en evidence des transitions entre des processus cinetiques de depot controles par des reactions de surface ou des transferts de matiere. Une tentative de correlation entre la nature chimique des ceramiques deposees et leur cinetique de croissance, ainsi que des mecanismes reactionnels de depot, sont proposes
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6

Josiek, Andrei. "CVD dans le système CH₃SiCl₃/H₂ : cinétiques expérimentales de dépôt de SiC et SiC+Si, modélisation." Bordeaux 1, 1995. http://www.theses.fr/1995BOR10613.

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Abstract:
LE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD) DE CERAMIQUES A BASE DE CARBURE DE SILICIUM (SIC) A PARTIR DU MELANGE CH₃SiCl₃/H₂ A ETE ETUDIE POUR DES PRESSIONS TOTALES ET DES TEMPERATURES RELATIVEMENT BASSES (P0 KPA, T75C). L'INFLUENCE DU TEMPS DE SEJOUR DES GAZ DANS LA ZONE CHAUDE DU REACTEUR SUR LA VITESSE DE DEPOT DE SIC A ETE EXAMINEE. UNE TRANSITION ABRUPTE ENTRE DEUX CINETIQUES DE DEPOT DIFFERENTES (CORRESPONDANT AU DEPOT DE SIC OU DE SIC+SI), INDUITE PAR VARIATION D'UN PARAMETRE EXPERIMENTAL, A ETE DETECTEE. LA LOCALISATION DE L'EXCES DE SI DANS LE DEPOT A ETE ETUDIEE AU PLAN THEORIQUE ET EXPERIMENTAL
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7

Loumagne, Fabienne. "CVD du carbure de silicium à partir de CH₃SiCl₃/H₂ : processus homogènes et hétérogènes : caractérisation microstructurale." Bordeaux 1, 1993. http://www.theses.fr/1993BOR10643.

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Abstract:
LE CONTROLE DES PROCEDES CVD/CVI D'ELABORATION DE SIC PASSE PAR UNE CONNAISSANCE PRECISE DES PROCESSUS PHYSICO-CHIMIQUES MIS EN JEU. L'APPROCHE DES MECANISMES DE DEPOT DE SIC A PARTIR DU MELANGE GAZEUX DE METHYLTRICHLOROSILANE (CH₃SiCl₃) ET D'HYDROGENE A ETE MENEE PAR TROIS VOIES PRINCIPALES: (1) L'ETUDE CINETIQUE DE LA DECOMPOSITION EN PHASE HOMOGENE DE CH₃SiCl₃ ETAPE QUI CONTROLE LA NATURE ET LA QUANTITE DES ESPECES REACTIVES INTERMEDIAIRES; (2) L'ETUDE CINETIQUE DES REACTIONS DE SURFACE CONDUISANT AU DEPOT ET (3) LA CARACTERISATION MICROSTRUCTURALE DU SOLIDE DEPOSE. LA DECOMPOSITION DE CH₃SiCl₃ EST UN PROCESSUS QUASI UNIMOLECULAIRE QUI CONDUIT AUX ESPECES REACTIVES CH₃, SiCl₃ ET SiCL₂. LES CORRELATIONS ENTRE LES LOIS CINETIQUES EXPERIMENTALES ET LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DES DEPOTS ONT PERMIS DE PROPOSER UN MECANISME REACTIONNEL DE SURFACE, BASE SUR LE MODELE DE LANGMUIR-HINSHELWOOD. LA FORMATION DE SIC PASSE PAR L'ADSORPTION DES ESPECES CH#3 ET SICL#3. L'ETAPE LIMITANTE DU PROCESSUS CHIMIQUE EST L'ELIMINATION DE HCL PAR RUPTURE CONCERTEE DES LIAISONS SI-CL ET C-H
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8

Prouhet, Stéphane. "Cinétique de la CVD du nitrure de bore dans le système BF3-NH3-Ar : application aux matériaux composites sic/sic à interphase BN." Bordeaux 1, 1991. http://www.theses.fr/1991BOR10628.

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Abstract:
La connaissance des mecanismes physico-chimiques mis en jeu lors du processus de cvd du nitrure de bore est essentielle pour l'utilisation de ce materiau en tant qu'interphase dans les materiaux composites sic/sic. L'etude experimentale des variations de la vitesse de depot de bn dans le systeme bf#3-nh#3-ar en fonction des parametres pression, temperature, debit total et composition initiale de la phase gazeuse a permis: 1) de mettre en evidence une transition entre des processus cinetiques controles par des reactions de surface ou des transferts de matiere, 2) d'identifier differentes lois cinetiques et, 3) de proposer des mecanismes reactionnels en accord avec ces lois. D'autre part, le comportement mecanique de materiaux composites 2d-sic/sic a interphase de bn variable en epaisseur a ete caracterise a l'aide d'essais de traction, de cisaillement (essai iosipescu) et de choc. Cette etude fait apparaitre des comportements en tension et en tenue au choc qui dependent de l'epaisseur d'interphase de bn et sont expliques, entre autre, par la modification des interfaces observees entre le renfort fibreux (fibres ex-pcs) et l'interphase bn
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9

Four, Sandrine. "Elaboration et caractérisation de films minces de Ta2 O5 pour la réalisation de structures capacitives intégrées sur silicium." Lyon, INSA, 2000. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2000ISAL0060/these.pdf.

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Abstract:
Les travaux présentés dans ce manuscrit s'insèrent dans le cadre des recherches sur les matériaux "high-k", c'est-à-dire à forte permitivité. Ils concernent plus précisément l'élaboration et la caractérisation de couches minces d'oxyde de tantale (Ta2 O5) en vue de réaliser des structures capacitives intégrées sur silicium. Dans un premier temps nous proposons une brève synthèse bibliographique. Celle-ci expose les caractéristiques des principales méthodes de préparation de l'oxyde, les effets de différents traitements avant et après dépôt ainsi que les études réalisées sur les structures Métal/Isolant/Métal (MIM). Nous présentons ensuite les outils de caractérisation physiques et électriques utilisés au cours de cette étude. Puis nos résultats sont développés en deux grandes parties. La première concerne la faisabilité de couches minces de Ta2 O5 par méthode CVD assistée par plasma (ECR-PECVD) en vue d'applications microélectroniques. Les dépôts ont été effectués à partir d'un précurseur non carboné (TaF5). Différentes caractérisations, notamment physiques, ont été réalisées afin de connaître les propriétés de l'oxyde (permittivité, stoechiométrie, densité, taux d'impuretés,. . . ). Elles révèlent la présence de fluor qui ne semble pas détériorer les propriétés électriques des films. Dans la deuxième partie, les oxydes ont été réalisés par ECR-PECVD (source organométallique), dans une machine industrielle que nous avons calibrée en effectuant des dépôts sur silicium. Ensuite, nous avons étudié l'influence du procédé de dépôt et de l'électrode supérieure sur les propriétés électriques des capacités MIM. Il s'ávère qu'une phase de préchauffage sous oxygène est nécessaire pour que l'adhérence de la couche d'oxyde sur le substrat soit suffisante. Les résultats obtenus avec une électrode supérieure en TiN sont prometteurs pour une éventuelle application industrielle des capacités intermétalliques (non-linéarité et courant de fuite plus faibles qu'avec l'aluminium)
This thesis is related to research works performed on high-k materials. More precisely, it concerns the elaboration and the characterization of tantalum pentoxide (Ta20s) thin films for capacitors integrated on silicon. First, a short bibliography is given. We display the features of the main methods to prepare the oxide, the effects of different pre- and post treatments and previous studies about Metal/Insulator/Metal (MIM) devices. Next, physical and electrical characterization used in this work was presented. Then, the results are developed in two parts. The first one deals with feasibility study of Ta20 5 thin films by plasma assisted CVD (ECR-PECVD) for microelectronic applications. Depositions were performed in an experimental reactor, using a TaF5 source. Different characterizations were made in order to evaluate the oxide properties (permittivity, stoechiometry, density, contamination,. . . ). Thus, the presence of fluorine was detected, but this doesn't seem to damage the electrical properties of the films. In the second part, the films were prepared by ECR-PECVD (organo-metallic source) with an industrial machine, which was gauged by depositing on silicon. Then, we evaluated the influence of process and top-electrode materials on electrical properties of MIM capacitors. We noticed that a preheat step is necessary to ge ta good adhesion on the substrate. The TiN top-electrode allows better results (non-linearity and leakage currents) than aluminum and gives promising results for industrial application
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10

Prestigiacomo, Morgane. "Fabrication et étude de structures sub-microniques déposées par faisceau d'ions focalisés (FIB)." Aix-Marseille 2, 2005. http://www.theses.fr/2005AIX22051.

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Books on the topic "Dépôt en phase vapeur"

1

C, Jones Anthony, and Hitchman Michael L, eds. Chemical vapour deposition: Precursors, processes and applications. Cambridge, UK: Royal Society of Chemistry, 2009.

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2

O, Pierson Hugh, ed. Handbook of chemical vapor deposition. 2nd ed. Norwich, NY: Noyes Publications, 1999.

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3

Vacuum deposition onto webs, films, and foils. Norwich, NY: William Andrew Pub., 2007.

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4

The MOCVD challenge: A survey of GaInAsP-InP and GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device applications. 2nd ed. Boca Raton, FL: CRC Press, 2011.

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5

Magneto luminous chemical vapor deposition. Boca Raton, FL: Taylor & Francis, 2011.

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6

Krishna, Seshan, ed. Handbook of thin-film deposition processes and techniques: Principles, methods, equipment and applications. 2nd ed. Norwich, N.Y: Noyes Publications/William Andrew Pub., 2002.

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7

Luminous chemical vapor deposition and interface engineering. New York: Marcel Dekker, 2005.

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8

Le dépôt vapeur du Mans, 1854-1974: Portrait de l'un des plus importants dépôts de locomotives dans l'Ouest de la France à l'époque de la vapeur. Paris: La Vie du rail, 2008.

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9

1949-, Cunningham John R., Jones Dennis K, Design Institute for Physical Property Data (U.S.), and American Institute of Chemical Engineers., eds. Results from the Design Institute for Physical Property Data: Experimental results and data compilation procedures. New York, N.Y: American Institute of Chemical Engineers, 1990.

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10

The MOCVD Challenge: Volume 1, A Survey of GaInAsP-InP for Photonic and Electronic Applications (Mocvd Challenge). Taylor & Francis, 1989.

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Book chapters on the topic "Dépôt en phase vapeur"

1

Bruant, Jean, Grégory Bayle, Cécilia Cammas, and Paulette Lawrence-Dubovac. "Deux exemples de fosses énigmatiques avec dépôt associé à Chilly-Mazarin (Essonne). ‘La Butte-au-Berger IV’ (Phase 2)." In Chasse, culte ou artisanat ? Les fosses « à profil en Y-V-W », 135–48. ARTEHIS Éditions, 2013. http://dx.doi.org/10.4000/books.artehis.6268.

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Conference papers on the topic "Dépôt en phase vapeur"

1

Leguay, P. M., B. Chimier, P. Combis, F. Deneuville, D. Descamps, C. Fourment, C. Goyon, et al. "Dynamique ultra-rapide de la transition de phase solide-liquide-vapeur par spectroscopie XANES résolue en temps." In UVX 2012 - 11e Colloque sur les Sources Cohérentes et Incohérentes UV, VUV et X ; Applications et Développements Récents, edited by E. Constant, P. Martin, and H. Bachau. Les Ulis, France: EDP Sciences, 2013. http://dx.doi.org/10.1051/uvx/201301005.

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Reports on the topic "Dépôt en phase vapeur"

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Étude de faisabilité d’un service générique d’accueil et de diffusion des données simples : ambitions du service et scénarios de mise en œuvre. Ministère de l'enseignement supérieur et de la recherche, March 2021. http://dx.doi.org/10.52949/12.

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Abstract:
Le document présente et évalue différents scénarios et niveaux d’ambition fonctionnels relatifs à la création d’un service générique national. Il correspond à la troisième phase de l’étude de faisabilité. En partant des besoins identifiés lors de la première phase, le document propose différentes modalités d’implémentation qui sont présentées au travers de deux parcours utilisateurs : celui d’un producteur de données et celui d’un réutilisateur de données. Pour chacun trois niveaux d’ambition sont décrits. Ils correspondent à l’offre graduelle de l’accompagnement et des fonctionnalités associés au service national. Enfin, trois scénarios de mise en œuvre du service de dépôt sont proposés puis comparés fonctionnellement et économiquement.
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