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Dissertations / Theses on the topic 'Dépôt en phase vapeur'
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Blanquet, Elisabeth. "Dépôt chimique en phase vapeur de siliciures pour la microélectronique." Grenoble INPG, 1990. http://www.theses.fr/1990INPG0003.
Full textAbstract:
Les disiliciures de metaux refractaires sont d'excellents candidats a une utilisation comme materiaux d'interconnexions et de contact en technologie silicium a tres haut niveau d'integration. Dans le cadre des recherches de procedes pour elaborer des couches minces de ces materiaux, nous nous sommes interesses a la technique de depot chimique en phase vapeur (cvd). Cette etude a porte essentiellement sur les disiliciures de tantale, tasi#2 et de tungstene, wsi#2. Une analyse thermodynamique prealable des systemes chimiques ta-si-h-o-cl et w-si-h-o-cl- ou f a permis de determiner les valeurs des parametres experimentaux (temperature de depot, pression totale, pressions partielles initiales des gaz actifs) theoriquement favorables a la formation des disiliciures. A partir de ces resultats, un reacteur cvd, a murs froids, fonctionnant a pression atmospherique a ete concu. L'originalite de celui-ci reside dans l'elaboration et le transport du precurseur metallique (chlorure de ta et w) qui s'effectuent dans la chambre de chloruration in situ. Des depots de siliciures de tantale et de tungstene ont ete realises. La confrontation des resultats thermodynamiques et experimentaux revele un accord tres satisfaisant entre previsions et experiences
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Mouchon, Arnaud. "Mécanismes de pyrolyse des hydrocarbures et dépôt de pyrocarbone par CVD/CVI." Bordeaux 1, 2004. http://www.theses.fr/2004BOR12916.
Full textAbstract:
"Une étude des mécanismes de pyrolyse des hydrocarbures, conduisant au dépôt de pyrocarbone par CVD/CVI, a été menée suivant une double approche expérimentale/numérique. A partir du précurseur propane, la phase gazeuse a été analysée in-situ (spectroscopie IRTF) en cours d'infiltration et en ligne (CPG) en CVD ou CVI : le rôle des espèces en C2 dans la formation du pyrocarbone dit " faiblement anisotrope" et celui des espèces en C3 dans celle du pyrocarbone dit "laminaire colonnaire" ont été identifiés. Les caractérisations micro -et nano-texturales (MOLP, MET et spectroscopie Raman) des dépôts réalisés ont permis d'établir des mécanismes de croissance distincts pour chacune des formes de pyrocarbone laminaire. Des mécanismes homogènes détaillés décrivant la pyrolyse du propane et du méthane ont été introduits dans diverses modélisations numériques de réacteurs 0D et 1D. Ils ont été validés par confrontation avec différentes analyses expérimentales de la phase gazeuse. Des corrélations ont été établies entre la composition de la phase gazeuses déterminée par les modèles et le dépôt des microtextures principales. Les précurseurs effectifs à nombre impair de carbone semblent ainsi favoriser l'anisotropie du pyrocarbone, tandis qu'à l'inverse un précurseur effectif à nombre pair de carbone conduit à la formation de défauts et donc à une chute d'anisotropie. Sur cette base, des schémas réactionnels ont été pjroposés pour décrire la formation des microtextures principales déposées à partir de propane et de méthane. "
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Sourdiaucourt, Patrice. "Dépôt chimique en phase vapeur du carbure de hafnium sur substrats carbones." Bordeaux 1, 1997. http://www.theses.fr/1997BOR10614.
Full textAbstract:
L'industrie spatiale impose l'utilisation de materiaux de faible densite, refractaires, isolants thermiques, et possedant une tenue mecanique suffisante a haute temperature. En effet, les temperatures atteintes en cours d'utilisation sont superieures a 3000c. Certaines mousses de carbone vitreux possedent les proprietes thermiques et refractaires requises, associees a une faible densite (< 0,1). Toutefois, leur resistance mecanique est insuffisante a haute temperature. Le but de cette these est d'etudier le renforcement d'une mousse de carbone par du carbure de hafnium, compose le plus refractaire. Le procede utilise est le depot chimique en phase vapeur (d. C. P. V. ). Nous avons determine les conditions experimentales permettant de synthetiser du carbure de hafnium par d. C. P. V. . En raison de la difficulte a deposer uniformement un compose dans un substrat poreux, ces conditions ont ete etablies, dans un premier temps, sur un substrat plan (carbone vitreux massif). Une modelisation thermodynamique a permis de reduire le champ d'investigation experimental (nature et concentration des precurseurs de hafnium et de carbone, gamme de temperatures et de pressions). Les valeurs thermodynamiques des phases solutions du systeme hf-c ont ete modelisees par un modele en sous-reseaux. Experimentalement, par la methodologie des plans d'experiences, les parametres experimentaux preponderants ont ete retenus. La composition des depots de carbure de hafnium est caracterisee par diffraction des rayons x, spectroscopie auger et resistivite electrique. Dans un deuxieme temps, d'autres conditions experimentales ont ete determinees afin d'elaborer, de facon reproductible, un depot uniforme dans la mousse de carbone. A temperature ambiante, le comportement mecanique du materiau elabore est du type elastique a rupture fragile. A 2500c, ce comportement est plastique et nous observons un renforcement de la mousse de carbone.
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Klam, Christophe. "Dépôt chimique en phase gazeuse de silicium sur substrats ferreux." Lyon, INSA, 1990. http://www.theses.fr/1990ISAL0089.
Full textAbstract:
La technique de dépôt chimique en phase gazeuse est utilisée pour enrichir superficiellement en Si des substrats ferreux. Une étude thermodynamique préalable montre que, parmi les divers composés chlora-hydrogénés de Si, le silane SiH4 possède le meilleur pouvoir siliciurant (rendement théorique maximal). Selon la phase gazeuse utilisée (présence ou non de chlorure), les revêtements obtenus sont différents. L'utilisation du mélange Ar-SiH4-H2 conduit à la formation par diffusion, d'une solution solide Fe-Si compacte et adhérente, avec 6 pour cent en poids maximum de Si en surface. La présence de SiCl4 dans le mélange gazeux modifie le processus réactionnel, et conduit à la formation et à la croissance de cristaux de Fe3Si. Le revêtement formé est plus riche en Si mais poreux. Les conditions opératoires sont optimisées à partir de l'étude des divers paramètres : débit et composition de la phase gazeuse, température et durée de traitement. Les dispositifs expérimentaux sont décrits. Des essais de refus ion superficielle par faisceau laser montrent qu'il est possible de refermer la porosité ouverte des revêtements de Fe3Si, pour donner un alliage de surface homogène, non poreux et non fissuré, mais dont la teneur en Si est moindre, en raison d'une dilution par fusion d'une partie du substrat. Les revêtements sont caractérisés en corrosion. Humide et/ou en oxydation sèche. Le comportement en milieu H2S04 1M et 7M, à température ambiante, confirme l'influence de la teneur en Si et de la porosité de la couche, et montre le rôle du ost-traitement laser. Le comportement à l'oxydation à l'air, entre 600 et 800°C, est relié à la nature et la structure des couches[Chemical vapour deposition is used to silicone iron and steel substrates. A preliminary thermodynamic study shows that, among various chlorinated and hydrogenated silicon compounds, mono silane SiH4 has the best siliconizing ability (i. E. The maximum theoretical yield). Depending on the gas composition (with or without SiCl4), the obtained coatings are quite different. The use of Ar-SiH4-H2 gas mixture leads to the formation, by diffusion of a non porous and adherent Fe-Si sol id-solution layer, with a maximum silicon content of 6% by weight at the surface. The use of SiCl4 in the gas mixture entirely modifies the reaction process, and leads to the formation of an iron silicide Fe3Si layer. The obtained coating has a higher silicon content but the structure becomes porous. The influence of various parameters, such as vapour phase composition, flow rate, treatment temperature and duration, is investigated. The experimental device is described. With a surface laser melting post-treatment, it is possible to eliminate open porosity of Fe3Si coatings, and an homogeneous and non porous alloy is formed. However the silicon content is lowered by melting a part of the substrate. The corrosion behaviour is tested in 1M and 7MH2S04 solutions at room temperature. The influences of the Si content, of the coating porosity, and of the laser post-treatment are analysed. The oxidation behaviour, between 600 and 800°C, is related to the nature and structure of the elaborated layers. ]
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Prebende, Claude. "Mécanismes physico-chimiques mis en jeu dans le processus CVD d'élaboration de céramiques à base de carbure de silicium en réacteur à parois chaudes." Bordeaux 1, 1989. http://www.theses.fr/1989BOR10566.
Full textAbstract:
On mene une approche des processus de depot de si dans le systeme si-h-cl proche de celui utilise pour sic(di-c-h-cl). Les etapes chimiques du depot de sic a partir du precurseur ch#3sicl#3/h#2 sont determinees sur la base d'un calcul thermodynamique relatif aux equilibres homogenes et heterogenes, mettant en evidence une sursaturation tres elevee. La modelisation des transferts de chaleur, de quantite de mouvement et de masse, realisee pour le systeme sih#2cl#2(h#2, est utilisee pour valider le choix de l'ensemble experimental chambre de depot/substrat (reacteur a zone chaude isotherme, geometrie cylindrique). Les variations de la vitesse de depot de si et sic en fonction des parametres experimentaux (temperature, pression, debits) mettent en evidence des transitions entre des processus cinetiques de depot controles par des reactions de surface ou des transferts de matiere. Une tentative de correlation entre la nature chimique des ceramiques deposees et leur cinetique de croissance, ainsi que des mecanismes reactionnels de depot, sont proposes
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Josiek, Andrei. "CVD dans le système CH₃SiCl₃/H₂ : cinétiques expérimentales de dépôt de SiC et SiC+Si, modélisation." Bordeaux 1, 1995. http://www.theses.fr/1995BOR10613.
Full textAbstract:
LE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD) DE CERAMIQUES A BASE DE CARBURE DE SILICIUM (SIC) A PARTIR DU MELANGE CH₃SiCl₃/H₂ A ETE ETUDIE POUR DES PRESSIONS TOTALES ET DES TEMPERATURES RELATIVEMENT BASSES (P0 KPA, T75C). L'INFLUENCE DU TEMPS DE SEJOUR DES GAZ DANS LA ZONE CHAUDE DU REACTEUR SUR LA VITESSE DE DEPOT DE SIC A ETE EXAMINEE. UNE TRANSITION ABRUPTE ENTRE DEUX CINETIQUES DE DEPOT DIFFERENTES (CORRESPONDANT AU DEPOT DE SIC OU DE SIC+SI), INDUITE PAR VARIATION D'UN PARAMETRE EXPERIMENTAL, A ETE DETECTEE. LA LOCALISATION DE L'EXCES DE SI DANS LE DEPOT A ETE ETUDIEE AU PLAN THEORIQUE ET EXPERIMENTAL
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Loumagne, Fabienne. "CVD du carbure de silicium à partir de CH₃SiCl₃/H₂ : processus homogènes et hétérogènes : caractérisation microstructurale." Bordeaux 1, 1993. http://www.theses.fr/1993BOR10643.
Full textAbstract:
LE CONTROLE DES PROCEDES CVD/CVI D'ELABORATION DE SIC PASSE PAR UNE CONNAISSANCE PRECISE DES PROCESSUS PHYSICO-CHIMIQUES MIS EN JEU. L'APPROCHE DES MECANISMES DE DEPOT DE SIC A PARTIR DU MELANGE GAZEUX DE METHYLTRICHLOROSILANE (CH₃SiCl₃) ET D'HYDROGENE A ETE MENEE PAR TROIS VOIES PRINCIPALES: (1) L'ETUDE CINETIQUE DE LA DECOMPOSITION EN PHASE HOMOGENE DE CH₃SiCl₃ ETAPE QUI CONTROLE LA NATURE ET LA QUANTITE DES ESPECES REACTIVES INTERMEDIAIRES; (2) L'ETUDE CINETIQUE DES REACTIONS DE SURFACE CONDUISANT AU DEPOT ET (3) LA CARACTERISATION MICROSTRUCTURALE DU SOLIDE DEPOSE. LA DECOMPOSITION DE CH₃SiCl₃ EST UN PROCESSUS QUASI UNIMOLECULAIRE QUI CONDUIT AUX ESPECES REACTIVES CH₃, SiCl₃ ET SiCL₂. LES CORRELATIONS ENTRE LES LOIS CINETIQUES EXPERIMENTALES ET LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DES DEPOTS ONT PERMIS DE PROPOSER UN MECANISME REACTIONNEL DE SURFACE, BASE SUR LE MODELE DE LANGMUIR-HINSHELWOOD. LA FORMATION DE SIC PASSE PAR L'ADSORPTION DES ESPECES CH#3 ET SICL#3. L'ETAPE LIMITANTE DU PROCESSUS CHIMIQUE EST L'ELIMINATION DE HCL PAR RUPTURE CONCERTEE DES LIAISONS SI-CL ET C-H
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Prouhet, Stéphane. "Cinétique de la CVD du nitrure de bore dans le système BF3-NH3-Ar : application aux matériaux composites sic/sic à interphase BN." Bordeaux 1, 1991. http://www.theses.fr/1991BOR10628.
Full textAbstract:
La connaissance des mecanismes physico-chimiques mis en jeu lors du processus de cvd du nitrure de bore est essentielle pour l'utilisation de ce materiau en tant qu'interphase dans les materiaux composites sic/sic. L'etude experimentale des variations de la vitesse de depot de bn dans le systeme bf#3-nh#3-ar en fonction des parametres pression, temperature, debit total et composition initiale de la phase gazeuse a permis: 1) de mettre en evidence une transition entre des processus cinetiques controles par des reactions de surface ou des transferts de matiere, 2) d'identifier differentes lois cinetiques et, 3) de proposer des mecanismes reactionnels en accord avec ces lois. D'autre part, le comportement mecanique de materiaux composites 2d-sic/sic a interphase de bn variable en epaisseur a ete caracterise a l'aide d'essais de traction, de cisaillement (essai iosipescu) et de choc. Cette etude fait apparaitre des comportements en tension et en tenue au choc qui dependent de l'epaisseur d'interphase de bn et sont expliques, entre autre, par la modification des interfaces observees entre le renfort fibreux (fibres ex-pcs) et l'interphase bn
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Four, Sandrine. "Elaboration et caractérisation de films minces de Ta2 O5 pour la réalisation de structures capacitives intégrées sur silicium." Lyon, INSA, 2000. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2000ISAL0060/these.pdf.
Full textAbstract:
Les travaux présentés dans ce manuscrit s'insèrent dans le cadre des recherches sur les matériaux "high-k", c'est-à-dire à forte permitivité. Ils concernent plus précisément l'élaboration et la caractérisation de couches minces d'oxyde de tantale (Ta2 O5) en vue de réaliser des structures capacitives intégrées sur silicium. Dans un premier temps nous proposons une brève synthèse bibliographique. Celle-ci expose les caractéristiques des principales méthodes de préparation de l'oxyde, les effets de différents traitements avant et après dépôt ainsi que les études réalisées sur les structures Métal/Isolant/Métal (MIM). Nous présentons ensuite les outils de caractérisation physiques et électriques utilisés au cours de cette étude. Puis nos résultats sont développés en deux grandes parties. La première concerne la faisabilité de couches minces de Ta2 O5 par méthode CVD assistée par plasma (ECR-PECVD) en vue d'applications microélectroniques. Les dépôts ont été effectués à partir d'un précurseur non carboné (TaF5). Différentes caractérisations, notamment physiques, ont été réalisées afin de connaître les propriétés de l'oxyde (permittivité, stoechiométrie, densité, taux d'impuretés,. . . ). Elles révèlent la présence de fluor qui ne semble pas détériorer les propriétés électriques des films. Dans la deuxième partie, les oxydes ont été réalisés par ECR-PECVD (source organométallique), dans une machine industrielle que nous avons calibrée en effectuant des dépôts sur silicium. Ensuite, nous avons étudié l'influence du procédé de dépôt et de l'électrode supérieure sur les propriétés électriques des capacités MIM. Il s'ávère qu'une phase de préchauffage sous oxygène est nécessaire pour que l'adhérence de la couche d'oxyde sur le substrat soit suffisante. Les résultats obtenus avec une électrode supérieure en TiN sont prometteurs pour une éventuelle application industrielle des capacités intermétalliques (non-linéarité et courant de fuite plus faibles qu'avec l'aluminium)This thesis is related to research works performed on high-k materials. More precisely, it concerns the elaboration and the characterization of tantalum pentoxide (Ta20s) thin films for capacitors integrated on silicon. First, a short bibliography is given. We display the features of the main methods to prepare the oxide, the effects of different pre- and post treatments and previous studies about Metal/Insulator/Metal (MIM) devices. Next, physical and electrical characterization used in this work was presented. Then, the results are developed in two parts. The first one deals with feasibility study of Ta20 5 thin films by plasma assisted CVD (ECR-PECVD) for microelectronic applications. Depositions were performed in an experimental reactor, using a TaF5 source. Different characterizations were made in order to evaluate the oxide properties (permittivity, stoechiometry, density, contamination,. . . ). Thus, the presence of fluorine was detected, but this doesn't seem to damage the electrical properties of the films. In the second part, the films were prepared by ECR-PECVD (organo-metallic source) with an industrial machine, which was gauged by depositing on silicon. Then, we evaluated the influence of process and top-electrode materials on electrical properties of MIM capacitors. We noticed that a preheat step is necessary to ge ta good adhesion on the substrate. The TiN top-electrode allows better results (non-linearity and leakage currents) than aluminum and gives promising results for industrial application
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Prestigiacomo, Morgane. "Fabrication et étude de structures sub-microniques déposées par faisceau d'ions focalisés (FIB)." Aix-Marseille 2, 2005. http://www.theses.fr/2005AIX22051.
Full text
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Bouyssou, Rémi-Xavier. "Perpétuation de la technique PVD pour les dépôts de barrière de diffusion et de couche de germination des interconnexions de cuivre des technologies CMOS avancées." Grenoble INPG, 2009. http://www.theses.fr/2009INPG0010.
Full textAbstract:
Dans les circuits intégrés actuels, les interconnexions permettant de relier les composants actifs à l’extérieur du circuit, sont réalisées en cuivre. Celles-ci sont isolées les unes des autres par du diélectrique. Afin d’empêcher la diffusion du cuivre dans ce diélectrique, il est nécessaire de déposer des barrières de diffusion. Et pour permettre le remplissage de ces structures, par du cuivre, une couche de germination et ensuite déposée. Ces deux dépôts successifs sont actuellement réalisés grâce à une technique de dépôt physique en phase vapeur (PVD). Or cette technique commence à montrer ses limites avec la réduction des dimensions. La détermination de ses limites définitives est le but de cette étude. Dans une première partie, les caractéristiques du matériau et l’intégrité du dépôt barrière sont étudiés. Et dans une seconde partie, l’étude des caractéristiques du matériau et de la morphologie du dépôt de la couche de germinations est présentée. Ce travail a aussi permis d’élaborer deux techniques d’évaluation rapide, l’une de l’intégrité du dépôt barrière et l’autre de la morphologie de la couche de germinationIn integrated circuits, interconnects are in copper. Their goal is to connect active components to external components. Dielectric is use to isolate these interconnects. A layer is deposit to prevent copper diffusion in dielectric and after seed layer is deposit to allow copper filling in interconnects. Physical Vapour Deposition (PVD) is used for these two layers. But with technology evolution this technique shows some limits. In a first part, material characteristics and barrier layer integrity are studied. And in a second part, material characteristics and seed layer morphology are studied. During this work two evaluation techniques were developed, first for barrier layer integrity and second for seed layer morphology
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Féron, Olivier. "CVD/CVI du pyrocarbone : analyse in situ de la phase gazeuse ; études cinétique et structurale." Bordeaux 1, 1998. http://www.theses.fr/1998BOR10540.
Full textAbstract:
Dans le cadre de la determination des mecanismes du depot chimique en phase vapeur des pyrocarbones laminaires, une etude experimentale a ete conduite. Celle-ci comprend (i) l'analyse de la composition de la phase gazeuse (par spectrometrie infrarouge a transformee de fourier in-situ et par spectrometrie de masse), (ii) l'etude cinetique in-situ de la formation du pyrocarbone (microbalance) et (iii) l'analyse de la structure du carbone depose (microscopie optique en lumiere polarisee et microscopie electronique en transmission). Les parametres experimentaux etudies sont la temperature et le temps de sejour, afin de mettre en evidence l'effet de l'avancement des reactions homogenes (maturation) sur la vitesse de depot et sur la structure du carbone. Les experimentations concernent essentiellement le depot (cvd) dans le cas de la pyrolyse du propane. Cependant d'autres systemes gazeux (benzene, methane / tetrachlorure de carbone) ont egalement ete examines et les aspects lies a l'infiltration (cvi) ont ete pris en compte. Les correlations qui s'etablissent notamment entre les etudes cinetique et structurale realisees avec le precurseur propane, ont conduit a la proposition d'un modele qualitatif qui explique les transitions entre regimes cinetiques et entre types microtexturaux par l'existence de deux voies paralleles pour la formation du pyrocarbone laminaire. Ces deux modes de depot impliqueraient deux familles d'especes gazeuses differentes et meneraient a la formation des deux types de pyrocarbone les plus frequemment rencontres en cvi, a savoir les carbones dits laminaire lisse et laminaire rugueux.
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Lespiaux, Didier. "Processus de nucléation, croissance et caractérisation microstructurale de céramiques base SiC obtenues par CVD/CVI dans le système Si-C-H-Cl." Bordeaux 1, 1992. http://www.theses.fr/1992BOR10531.
Full textAbstract:
Les proprietes physiques des ceramiques a base de carbure de silicium utilisees dans les composites thermostructuraux dependent fortement de leurs caracteristiques structurales et chimiques a l'echelle micro voire nanometrique. Une tentative de correlation entre ces caracteristiques et les conditions d'elaboration par cvd ou cvi, est developpee sur la base (i) d'une approche theorique de la sursaturation de la phase gazeuse et de la chimisorption et de croissance. L'effet inhibiteur d'especes telles que le chlorure d'hydrogene et l'oxygene est mis en evidence
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Vignoles, Gérard Louis. "Un modèle dynamique simple pour la croissance de polytypes périodiques et désordonnés de SiC en CVD/CVI." Bordeaux 1, 1993. http://www.theses.fr/1993BOR10502.
Full textAbstract:
La generation de polytypes periodiques et chaotiques du sic est decrite par un modele dynamique discret base sur la repetition d'une fonction reliant les deformations de la bicouche si-c de surface d'une part et les deformations et l'orientation relative de la bicouche en formation d'autre part. Une fonction simplifiee agissant sur une seule variable a pu etre determinee d'apres les resultats d'etudes anterieures. L'etude combinatoire de ce modele revele qu'il peut produire n'importe quelle sequence polytypique, periodique ou desordonnee, grace a la variation de deux parametres. Les routes vers le chaos qui ont ete mises en evidence dans le diagramme de bifurcations sont liees, malgre leur diversite apparente, a un theoreme combinatoire unique. Par ailleurs, la nature physique des interactions entre bicouches a ete etudiee par une methode de clusters. L'influence des deformations de la bicouche de surface sur le choix d'orientation et les deformations de la bicouche nouvelle est confirmee
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Bobet, Jean-Louis. "Sur l'emploi de MoSi2 comme interphase dans les matériaux composites à matrice SiC éaborés par CVD/CVI." Bordeaux 1, 1993. http://www.theses.fr/1993BOR10616.
Full textAbstract:
L'etude porte sur mosi#2 comme constituant eventuel de materiaux composites a matrice ceramique. La premiere partie traite de la cvd de mosi#2, a partir du precurseur mocl#4-sicl#4-h#2-ar abordee selon une approche thermodynamique et experimentale, afin de preciser les conditions conduisant a un depot monophase compatibles avec le procede cvi. Dans une seconde partie, des microcomposites c/mosi#2/sic et sic/mosi#2/sic ont permis d'etablir que l'interphase mosi#2-plus resistante a l'oxydation que le pyrocarbone ou bn-ne jouait pas le role attendu de fusible mecanique ni a l'ambiante ni a hautes temperatures. Enfin, la derniere partie est consacree a l'etude des contraintes residuelles d'origine thermique, abordee par la modelisation et la diffraction des rayons x, dans divers multimateriaux modeles a base de carbone, mosi#2 et sic. Il est etabli que ces contraintes jouent un role tres important dans le comportement mecanique des cmc et que leur connaissance permet d'anticiper le comportement reel de ces materiaux
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Sipp, Étienne. "CVD/CVI de céramiques à base de zircone pure ou stabilisée : approche thermodynamique et expérimentale." Bordeaux 1, 1990. http://www.theses.fr/1990BOR10563.
Full text
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Dupel, Pascal. "CVD/CVI pulsée du pyrocarbone : application aux matériaux composites thermostructuraux." Bordeaux 1, 1993. http://www.theses.fr/1993BOR10552.
Full text
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Lajzerowicz, Pierre. "Modélisation de l'élaboration de composites carbone-carbone par dépôt chimique en phase vapeur." Grenoble INPG, 1987. http://www.theses.fr/1987INPG0144.
Full textAbstract:
L'elaboration industrielle de composites carbone-carbone par depot chimique en phase vapeur se revele tres sensible aux conditions operatoires (temperature, pression. . . ). La modelisation des transferts de matiere dans un pore cylindrique fournit des indications pertinentes permettant d'optimiser les conditions de densification de substrats aleatoires. On a d'abord caracterise le substrat de fibres de carbones, realise une etude cinetique sur le depot de pyrocarbone par pyrolyse du methane et quantifie le transfert de matiere dans pore. A partir des resultats, on a elabore un modele mathematique original rendant compte de la densification de pores droits cylindriques. En considerant le substrat apres rigidification comme un ensemble de pores de meme tortuosite sans interconnexion, le modeler permet de decrire de facon satisfaisante la densification de divers substats dans des conditions operatoires variees
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Defoort, Françoise. "Etude thermodynamique et expérimentale du dépôt chimique en phase vapeur du phosphure d'indium." Grenoble INPG, 1986. http://www.theses.fr/1986INPG0126.
Full textAbstract:
Depot par la methode epitaxiale en phase vapeur aux hydrures (ph::(3)/h::(2)/hcl/in). Mise en evidence de la presence et du role des especes gazeuses dans le mecanisme de depot. Determination de la limite "croissance/decapage". Decomposition incomplete de la phosphine dans le reacteur
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Kouakou, Ahoutou Paul. "Synthèse de films minces de CNx et de SiCN par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde et par dépôt physique en phase vapeur assisté par pulvérisation magnétron réactive." Thesis, Nancy 1, 2008. http://www.theses.fr/2008NAN10018/document.
Full textAbstract:
Ce travail de thèse a été consacré à une contribution à l'étude de la synthèse des films minces de CNx et de SiCN par Dépôt Chimique en Phase Vapeur Assisté par Plasma Micro-onde (MPACVD) et par Dépôt Physique en phase Vapeur (PVD) assisté par pulvérisation magnétron réactive. Cette étude motivée par la prédiction de l'existence d'un matériau qui pourrait avoir des propriétés proches de celles du diamant, en l'occurrence la phase ß-C3N4, a pour objectif principal d'étudier les mécanismes de croissance de ces films minces afin d'optimiser leur synthèse. Le travail a été subdivisé en 5 chapitres. Un état de l'art réalisé sur les matériaux de type CNx et SICN et sur leurs techniques de synthèse nous a permis de montrer les intérêts pour ce type de films minces et leurs applications potentielles. Une étude in-situ du plasma micro-onde dans le mélange gazeux N2/CH4 a systématiquement été réalisée en régime continu, en fonction des paramètres expérimentaux, à savoir la puissance micro-onde, la pression, le débit total, le pourcentage de gaz, par Spectroscopie Optique d’Emission (OES). Des films ont été réalisés en fonction de ces paramètres expérimentaux. Cette étude nous a permis de montrer que le taux de méthane devrait être inférieur ou égal à 4 % pour éviter la formation de billes de carbone à la surface des films obtenus. Les observations par microscopie électronique à balayage et en transmission montrent que les films sont constitués de nanocristallites de taille comprise entre 20 et 70 nm. Une étude structurale réalisée à partir de la diffraction des rayons X, couplée à la diffraction électronique a permis de montrer qu’ils sont probablement constitués d’un mélange de phases de ß-C3N4, de c-C3N4 et de c-SiCN. Nous avons ensuite étudié la décharge micro-onde en régime pulsé en fonction des paramètres du pulse à savoir, le rapport cyclique, la fréquence et la durée de la post-décharge. Nous avons observé une gravure du film beaucoup plus importante au-delà d’une fréquence de 700 Hz. Dans le quatrième chapitre, nous avons cherché, à comprendre les mécanismes de croissance et à définir l’origine et le rôle du silicium lors des dépôts. Cette étude nous a permis de comprendre clairement que le silicium observé dans les films réalisés sur les substrats contenant du silicium provient de la gravure de ce dernier par des espèces du plasma. Le silicium sert de catalyseur au dépôt et favorise l’incorporation de l’azote dans les films. Il permet également de stabiliser les phases de C3N4. Enfin, une étude de dépôt de films minces amorphes de SiCN en PVD avec une cible de carbone et une cible de silicium sous azote a été réalisée. Contrairement aux cibles métalliques, la cible de carbone se pulvérise beaucoup plus facilement lorsqu’elle est nitrurée. La vitesse de dépôt des films de SiCN augmente avec la proportion d’azote contenue dans le mélange gazeux sans polarisation du substrat alors qu’elle diminue très rapidement lorsque le substrat est polarisé du fait de la re-pulvérisation du film en croissance sous l’effet du bombardement ionique. La polarisation du substrat favorise la formation de liaisons fortes de types C=N observée par spectroscopie InfraRouge à Transformé de Fourier (FTIR). Les tests d’adhésion réalisés par nanoscratch pour des films déposés sur des sous-couches différentes ont permis de montrer que la sous-couche de SiNx est la plus appropriée pour obtenir une meilleure adhésion des films de SiCN sur le substrat de WC-CoThis thesis contributes to the study of the synthesis of CNx and SiCN thin films by Microwave Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition (MPACVD) and by reactive magnetron sputtering assisted Physical Vapour Deposition (PVD). The study on this subject has begun since the prediction of the existence of a material, particularly the ß-C3N4 phase that could have properties close to those of diamond. The main object of this thesis is to study the growth mechanisms of these thin films in order to optimize their synthesis. The work was divided into 5 chapters. A state of the art made on these types of materials enabled us to show that they have many potential applications. An in-situ study of the microwave discharge in the gas mixture N2/CH4 was systematically carried out according to the experimental parameters, namely, the microwave power, the gas pressure, the total flow rate, the gas percentage, by Optical Emission Spectroscopy (OES). It permits us to observe a maximum reactivity of the discharge at 4% CH4. The films were also realised according to the experimental parameters. This study permits us to show that the methane percentage should be less or equal to 4 % in order to avoid the formation of carbon balls on the surface of obtained films. The micrographs obtained by scanning and transmission electron microscopy show that films are made of nanocristallites with size varying between 20 and 70 nm. A structural study carried out by X-Ray Diffraction, coupled with Electronic Diffraction has shown that the films are probably made of a mixture of ß-C3N4, c-C3N4 and c-SiCN phases. We then studied the microwave discharge in pulsed mode according to the pulse parameters namely, the duty cycle, the frequency and the post-discharge duration. We found more important etching of the film beyond a frequency of 700 Hz. In the fourth chapter, we proposed growth mechanisms of the films and found the role of the silicon in deposition process. This study has enabled us to clearly understand that the silicon in the films comes from the etching of the silicon by the plasma species. The silicon acts as a catalyst and promotes the incorporation of nitrogen in the films. It also helps to stabilize the C3N4 phases. Finally, amorphous SiCN thin films depositing by PVD with silicon and carbon target have been studied. Unlike metallic target, the sputtering of carbon target is easier when it is nitride. The SiCN film deposition rate increases with the nitrogen flow rate without substrate polarization while it decreases very quickly when the substrate is biased because of the re-sputtering of the deposited film as a result of ion bombardment. The substrate biasing promotes formation of strong C=N types bonds observed by Fourier Transformed Infrared Spectroscopy (FTIR). Nanoscratch tests realised on films deposited on different kinds of under-layers have shown that the SiNx under-layer is most appropriate to get a better SiCN film adhesion on the WC-Co substrate
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Tallaire, Alexandre. "Croissance de monocristaux de diamant par dépôt chimique en phase vapeur pour des applications en électronique de puissance." Paris 13, 2005. http://www.theses.fr/2005PA132032.
Full textAbstract:
Au cours de cette thèse, l'optimisation conjointe de la qualité et des vitesses de croissance de films de diamant monocristallin a été menée dans un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde. En particulier, le rôle de paramètres expérimentaux tels que la concentration en méthane, la température du substrat, ou la densité de puissance micro-onde injectée en mode continu ou pulsé ont été étudiés, ainsi que l'ajout de très faibles quantités d'azote dans la phase gazeuse pendant la croissance. Des monocristaux de diamant, épais de plusieurs milimètres, et dont la qualité a été évaluée par une large variété de techniques de caractérisation ont ainsi pu être synthétisés pour la première fois. Leur utilisation pour des applications en électronique de puissance est finalement discutée et les premières mesures électroniques présentées.
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Malaurie, Agnès. "Modélisation des mécanismes de transport de la vapeur métallique dans les techniques de dépôt physique en phase vapeur." Limoges, 1995. http://www.theses.fr/1995LIMO0023.
Full textAbstract:
L'etude theorique et appliquee des mecanismes de transport des atomes metalliques mis en phase vapeur dans les methodes de depot physique en phase vapeur (p. V. D. ) fait l'objet de ce travail. Une premiere etude a ete realisee dans le cas de l'evaporation sous vide. Dans ce cas, les atomes emis suivent une trajectoire rectiligne sans subir de collision, et l'etude des phenomenes de transport porte principalement sur les conditions d'emission des atomes. Pour cela, l'influence, de la deformation de la source et de la fonction de distribution spatiale, sur les repartitions en epaisseur, a ete etudiee. L'hypothese de l'existence d'une zone de pression elevee au voisinage de la source permet d'expliquer la deformation des repartitions en epaisseurs experimentales. L'existence d'une telle zone semble etre confirmee par le calcul des pressions au-dessus de la source. La deuxieme partie de ce memoire porte sur la modelisation du transfert des atomes pulverises en pulverisation cathodique magnetron. Dans ce cas, les atomes metalliques subissent des collisions avec les atomes du gaz support de la decharge electrique. Les trajectoires des atomes sont alors simulees par les methodes de monte carlo et une comparaison entre des repartitions en epaisseur theoriques et experimentales permet de valider le modele dans le cas de la pulverisation des metaux purs. Ce modele est ensuite utilise pour determiner les fonctions de repartition en energie et les angles d'incidence des atomes metalliques lorsqu'ils arrivent sur le depot en croissance. Ce modele a egalement ete applique aux cas de depots d'alliages metalliques binaires (aluminium-titane) et de depots de nitrure de titane (tin). L'evolution des rapports atomiques al/ti d'une part et n/ti d'autre part a ete etudiee pour differentes conditions de depot
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Gloriant, Thierry. "Influence du titane sur les mécanismes de galvanisation d'aciers : les systèmes ternaire Fe-Zn-Ti et quaternaire Fe-Zn-Ti-Ni à 450°C." Lille 1, 1995. http://www.theses.fr/1995LIL10131.
Full textAbstract:
Le phénomène de Sandelin, se traduisant par une surépaisseur des revêtements lors de galvanisation d'aciers au silicium, s'explique par la réactivité du substrat avec le zinc liquide. Par des expériences de dépôt de zinc en phase vapeur, ce phénomène disparaît. En fait, lors de la réaction entre la vapeur de zinc et le substrat ferreux, le premier compose intermétallique qui se forme peut accepter une plus grande quantité de silicium que le composé qui précipite le premier lors du processus classique de galvanisation. Pour résoudre ces problèmes des surépaisseurs, une solution possible est l'ajout de titane dans le bain de zinc liquide. Pour comprendre les phénomènes liés à la présence du titane, le diagramme de phase ternaire Fe-Zn-Ti à 450°C a été établi par des expériences de diffusion réalisées sur des alliages Fe-Ti. Trois types de couple de diffusion ont été utilisés : solide/solide, solide/liquide et solide/vapeur à pression contrôlée. La réaction solide-liquide donne directement le coin riche en zinc du diagramme en relation avec le processus de galvanisation. Les analyses des différentes phases obtenues dans chaque revêtement conduisent à de nouveaux équilibres dans le système Fe-Zn-Ti à 450°C. Le nickel et le titane jouant un rôle similaire lors de la réaction acier-zinc liquide, une approche du système quaternaire expérimental Fe-Zn-Ti-Ni à 450°C est déterminée par galvanisation d'alliages Fe-Ti, Fe-Ni et Ti-Ni. Le but est d'étudier l'effet conjugué du titane et du nickel sur la formation des mattes en galvanisation.
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Bou, Pierre. "Dépôt de diamant par CVD assistée par plasma micro-onde." Orléans, 1991. http://www.theses.fr/1991ORLE2061.
Full text
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Derré, Alain. "Dépôt chimique en phase gazeuse de carbure de titane sur acier." Perpignan, 1988. http://www.theses.fr/1988PERP0058.
Full text
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Pires, Fabrice. "Etude de diélectriques à faible permittivité destinés à l'isolation des niveaux d'interconnexions de circuits intégrés de haute densité." Lyon, INSA, 1999. http://www.theses.fr/1999ISAL0072.
Full textAbstract:
Ce mémoire présente l'étude de matériaux isolants à faible permittivité destinés à être utilisés dans les interconnexions des circuits intégrés. Trois matériaux ont été particulièrement évalués : a) l'oxyde de silicium fluoré (SiOF) déposé par PECVD et HDPCVD, b) le méthyl-silsesquioxane (MSQ) déposé par centrifugation de solution, c) l'hydrogènesilsesquioxane (HSQ) déposé aussi par centrifugation de solution. Dans le cas du SiOF, il a été démontré que la stabilité du matériau augmentait avec la densité et diminuait avec. Le taux en fluor. Ainsi, la stabilité du matériau ne peut être réalisée que pour une permittivité relative supérieure à 3,6, ce qui reste élevé. Dans le cas du MSQ la stabilité thermique a été vérifiée mais le matériau se dégrade dans des solutions basiques de retrait résine et dans des plasmas oxydants. De nouveaux procédés limitant la dégradation ont été étudiés mais l'amélioration reste encore insuffisante. Enfin dans le cas du HSQ, nous avons montré que les procédés de gravure et de nettoyage déjà mis au point pour le MSQ donnaient un résultat totalement satisfaisant et permettaient de conserver au HSQ sa faible permittivité (3,0). Parallèlement à ces études, une modélisation moléculaire a permis de préciser les mécanismes à l'origine è , 1' abaissement de la permittivité des silsesquioxanes. Enfin, l'aptitude du matériau à être intégré dans une structure d'interconnexions a été validée, et le transfert du procédé vers l'unité de production réaliséThis work presents a study of materials with low permittivity for the insulation of interconnections of integrated circuits. Three materials have been particularly evaluated: a) the fluorinated silicon oxide (SiOF) deposited by PECVD and HDPCVD, b) the methyl-silsesquioxane (MSQ) deposited by spincoating, and c) the hydrogensilsesquioxane (HSQ) also deposited by spin-coating. In the case of SiOF, we have demonstrated that the material stability increases with the density and decreases with the fluorine concentration. So the material stability can be obtained only for a relative permittivity above 3. 6, which is too high. In the case of MSQ, the thermal stability has been checked but the material is degraded by the basic solutions of stripping processes or by the oxidative plasmas. So new processes inducing less degradations have been developed but the improvements remain insufficient. Finally for HSQ, we have proved that etching and stripping processes previously optimized with the MSQ give good results, and allow to conserve the low permittivity of HSQ (3. 0). Moreover a molecutar simulation study has allowed to precise the mechanisms explaining the reduction of silsesquioxane permittivities. In conclusion, the ability of the material to be integrated in interconnection structures has been demonstrated, and the process transferred to the production unity
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Persis, Stéphanie de. "Cinétique chimique en phase homogène appliquée au dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse : évaluation des données, interprétation et réduction des systèmes complexes." Perpignan, 2001. http://www.theses.fr/2001PERP0441.
Full textAbstract:
Une modélisation complète du procédé de dépôt chimique en phase vapeur active thermiquement (CVD) nécessite une bonne connaissance des processus mis en jeu dans la phase gazeuse (transferts, réactions chimiques homogènes,. . . ) et sur la surface en cours de croissance (réactions hétérogènes, formation de la micro- ou nanostructure,. . . ). Ce travail est consacré à l'investigation des mécanismes réactionnels intervenant dans la phase gazeuse. Dans le but de comprendre ces mécanismes, puis de les intégrer dans les modèles de réacteur (à l'échelle macroscopique) et dans des modèles de croissance de type Monte Carlo cinétique (à l'échelle atomique), différents outils ont été développés et une procédure en trois étapes (construction, analyse et réduction des mécanismes) a été suivie. Cette procédure bien connue en combustion n'avait jamais été véritablement utilisée dans le domaine du dépôt chimique en phase vapeur. Les mécanismes réactionnels correspondant aux systèmes Si-C-H, Si-N-H et Ti-C-Cl-H mis en jeu dans les cas respectifs des dépôts de SiC, Si3N4 et de TiC ont été étudiés. Lors de la première étape de construction, les théories RRKM et QRRK ont été employées dans le but de rendre compte de l'influence de la pression sur la cinétique réactionnelle. Puis l'étape d'analyse (de sensibilité, en flux réactionnel, en composantes principales, en vitesse de production. . . ) a permis de mieux comprendre et interpréter les mécanismes réactionnels qui se produisent dans la phase gazeuse lors d'un dépôt. Enfin, les systèmes chimiques complexes étudiés ont été réduits pour des conditions spécifiques de fonctionnement des réacteurs. Deux méthodes fondées ou non sur l'analyse d'échelles de temps ont été appliquées au système Si-C-H : la méthode de Turanyi (1990) et la méthode de la variété intrinsèque de dimension réduite (ILDM)Numerical modeling of the Chemical Vapour Deposition (CVD) process requires a good description of the elementary process occuring in the gas phase (transfer, homogeneous chemical reactions,. . . ) and at the growing surface (heterogeneous reactions, nanostructure formation,. . . ). This work is aimed at the investigation of the reaction mechanisms that develop in the gas phase. Various tools and a three-step procedure of construction, analysis and reduction have been developed in order to better understand reaction mechanisms and to integrate them both in reactor models (at a macroscopic scale) and in growth models (at the atomic scale). The above procedure is widely used in the combustion field but it is almost unknown in CVD
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Decobert, Jean. "Contribution à l'étude par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques de matériaux (Al)GaInAs(P) sur InP pour composants opto et microélectroniques dans un réacteur multi-plaques expérimental." Lille 1, 1993. http://www.theses.fr/1993LIL10066.
Full textAbstract:
Ce travail presente une etude des materiaux de la famille AlGaInAs crus par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques. Une optimisation du dispositif experimental s'est averee necessaire pour remplir le difficile cahier des charges lie a la realisation des composants opto et micro-electroniques a base de ces alliages. L'introduction de l'element aluminium et la mise en uvre d'une chambre de croissance volumineuse sont a l'origine des difficultes majeures rencontrees. Differentes heterostructures a base de composes binaires, ternaires et quaternaires ont ete epitaxiees dans ce reacteur vertical sur simultanement trois substrats de deux pouces de diametre. Les uniformites en epaisseur et en composition, ainsi que les qualites cristallines, electriques et optiques de ces alliages sont du niveau requis pour la fabrication des dispositifs. Une etude des dopages fer et silicium a partir de precurseurs organometalliques nous a permis de maitriser les conditions d'obtention de materiaux respectivement semi-isolants et de type n. Les structures hfet epitaxiees possedent des transconductances voisines de 200 ms/mm.
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Langlais, Francis. "Contribution à l'étude de nouveaux systèmes de CVD de semiconducteurs : Aspects thermodynamiques et cinétiques." Bordeaux 1, 1985. http://www.theses.fr/1985BOR10559.
Full textAbstract:
Apres avoir rappele les principaux modeles permettant une approche des phenomenes physicochimiques mis en jeu dans la croissance a partir d'une phase vapeur, une etude thermodynamique et cinetique de la cvd du silicium est menee a l'aide d'un reacteur ouvert a parois chaudes sous pression reduite. Une methode originale de transport chimique en enceinte fermee, basee sur une configuration a trois zones, est ensuite developpee et appliquee a l'epitaxie du germanium dans le systeme aux iodures, en vue notamment d'une meilleure connaissance des mecanismes de transfert de masse (diffusion-convection). Une transposition de cette methode au cas du silicium est enfin envisagee en vue d'ameliorer les profils de dopage aux interfaces entre les differentes couches des dispositifs de microelectronique
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Vannuffel, Cyril. "Microstructure des couches de gaas epitaxiees sur si par movpe." Paris 6, 1990. http://www.theses.fr/1990PA066348.
Full textAbstract:
L'epitaxie de gaas sur si est potentiellement interessante dans la mesure ou elle doit permettre d'integrer des dispositifs optoelectroniques, tels que des diodes electroluminescentes ou des lasers, sur silicium. La croissance est effectuee en deux etapes, a 450#oc puis a 650#oc. Au cours de la premiere nous observons une dissymetrie de repartition des defauts crees. Ceci est relie a la relation existant entre l'orientation du gaas et la desorientation de si par rapport a (001) vers |110|. La difference de parametre de maille de 4% existant entre gaas et si est rattrapee par un reseau de dislocations coins (couches epaisses de 4 m), ce reseau contient aussi quelques dislocations a 60#o parfaites. La densite des dislocations au voisinage de la surface des meilleures couches obtenues est de l'ordre de 10#6 cm##2 bien que ce soit un bon resultat pour les plaquettes de gaas/si, cette valeur reste trop elevee pour une utilisation pratique
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Raffle, Yvan. "Caractérisation in-situ de l'epitaxie en phase vapeur aux organométalliques : Application à la croissance de miroirs de Bragg et résonateurs Fabry-Perot non-lineaires." Lille 1, 1994. http://www.theses.fr/1994LIL10194.
Full textAbstract:
Ce travail presente la caracterisation de l'epitaxie en phase vapeur aux organometalliques (epvom) de gaas et gaalas par reflectometrie laser. Cette technique permet la mesure en temps reel de l'epaisseur epitaxiee. Quatre longueurs d'onde laser ont ete utilisees: 1320 nm, 633 nm, 514 nm et 442 nm, auxquelles correspondent quatre domaines d'epaisseurs. Afin d'etalonner la mesure, la determination dans nos conditions de croissance de l'indice optique effectif de chaque materiau a ete realisee en utilisant une methode de caracterisation ex-situ appropriee a chaque longueur d'onde. La composition de l'alliage gaalas a ete mesuree in-situ, ainsi que la periode de multi-puits quantiques gaas/gaalas. Des phenomenes transitoires de croissance ont pu etre observes en temps reel. Par une precalibration in-situ des vitesses de croissance, des miroirs de bragg a 980 nm ont ete obtenus avec une reproductibilite et une precision de 1% de la longueur d'onde de bragg. Cette meme methode appliquee a la croissance des cavites de fabry-perot non-lineaires a permis d'obtenir un effet bistable a des seuils de 9 mw et 1 mw respectivement pour les longueurs d'onde de 980 nm et 825 nm.
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Gentric, Philippe. "Epitaxie en phase vapeur par la methode aux organometalliques et caracterisation d'heterostructures dans le systeme gainasp : applications en opto-electronique." Paris 7, 1989. http://www.theses.fr/1989PA077147.
Full textAbstract:
Nous presentons l'epitaxie de materiaux gainasp en accord de maille sur inp par la methode en phase vapeur aux organometalliques (epvom) a pression atmospherique. L'optimisation des conditions de croissance a permis d'obtenir des materiaux tres purs et des heterostructures abruptes. Ces performances ont ete obtenues sur des substrats de diametre 2 pouces. L'homogeneite de la croissance en epaisseur et en composition sur ces grandes surfaces a ete etudiee en detail et optimisee. Des structures de tous types ont ete realisees; leur caracterisation pr effet hall, effet shubnikov-de haas, photoluminescence et double diffraction x est presentee. Enfin, des photodiodes pin et avalanche pour les communications par fibres optiques ainsi que des jfet hyperfrequence ont ete realises
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Mpaskoutas, Marie. "Etude de la croissance du systeme gaalinp/gainp/gaas par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques pour la realisation de lasers visibles." Paris 6, 1991. http://www.theses.fr/1991PA066248.
Full textAbstract:
Nous presentons l'epitaxie des materiaux gainp et gaalinp en accord de maille sur substrat de gaas par la methode des organo-metalliques en phase vapeur a pression atmospherique. (epvom). L'utilisation d'une nouvelle geometrie de reacteur ainsi que l'optimisation des conditions de croissance ont permis d'obtenir des materiaux possedant d'excellentes proprietes cristallographiques et optiques. Ces performances ont ete realisees sur des substrats de deux pouces de diametre. L'homogeneite de la croissance en epaisseur et en composition a ete obtenue aussi bien pour le ternaire que pour le quaternaire. Des doubles heterostructures laser emettant a environ 0. 6 microns ont ete realisees
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Warakulwit, Chompunuch. "Fonctionnalisations de nanaotubes de carbone : étude expérimentale et théorique." Bordeaux 1, 2007. http://www.theses.fr/2007BOR13475.
Full textAbstract:
Dans ce travail nous avons exploré des nouvelles voies pour synthétiser et fonctionnaliser des nanotubes de carbone. Des tubes de diamétre et de longueur bien définie, ont été obtenu en utilisant une apprcohe "template" pour la synthèse. Par la suite des nanotubes ont été solubilisés en utilisant une approche à la fois simple et originale. Enfin nous avons pu mettre au point une technique permettant de fonctionnaliser sélectivement une extrémité de ces nanotubes avec une couche métallique en utilisant le concept d'électrochimie bipolaire. Le travail a été complété par une étude théorique de la réactivité de ces objets.
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Guilbaud, Véronique. "Contribution à l'étude de la métallisation des isolants par pulvérisation cathodique magnétron." Limoges, 1992. http://www.theses.fr/1992LIMO0172.
Full textAbstract:
L'étude de l'adhérence des couches et la détermination des conditions de dépôts pour obtenir un film adhérent ont constitué les fils directeurs de ce travail. L'adhérence dépend, du substrat : nature, état de surface et du dépôts : nature, structure etc. . Le nettoyage chimique du substrat, ex-situ ont été analysés avec soin. Ce dernier est obenu en créant une décharge électrique r. F dans l'argon pur ou un mélange d'argon et d'azote. Les caractéristiques électriques de cette décharge, en particulier le nombre et l'énergie des ions qui tombent sur la cathode ont été déterminés. L'influence de la présence de la cathode magnétron sur les caractéristiques de la décharge a été mise en évidence. L'échauffement du substrat dû à l'énergie rayonnée dans la décharge et à celle transportée par les atomes qui se déposent a aussi été analysé. Le rôle de la structure et de la morphologie des couches a été mis en évidence sur les caractéristiques des couches. Les contraintes jouent un rôle prépondérant sur l'adhérence des couches. En jouant sur les paramètres de dépôts, on peut modifier la nature de ces contraintes en compression. Les dépôts de cuivre sur verre époxy ont conduit à la réalisation de circuits imprimés. Les dépôts de chrome sur verre sont très adhérents, la rupture ne se produit pas à l'interface depôt-substrat, mais dans le verre lui-même et ont conduit à la réalisation de codeurs optiques
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Ricci, Martine. "Carbonitrures hydrogénés obtenus par dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma réactif." Bordeaux 1, 1991. http://www.theses.fr/1991BOR10568.
Full textAbstract:
Grace a un dispositif de depot chimique en phase vapeur assiste par un plasma reactif, nous avons pu elaborer des materiaux dans des etats metastables. Une analyse des contraintes experimentales et plus particulierement une etude de l'influence des melanges gazeux precurseurs a permis de mette en evidence l'existence de trois types de depots: un carbone amorphe hydrogene, un pyrocarbone basse temperature et un carbonitrure hydrogene qui a montre la reactivite de l'azote et du methane des la temperature ambiante. Nous avons alors developpe la chimie sous plasma et l'aspect mecanismes reactionnels. Ensuite la structure et les proprietes physiques de ces carbonitrures hydrogenes ont ete etudiees grace a l'utilisation de techniques de caracterisation physico-chimiques. L'etude de la stabilite thermique a montre que la presence d'azote dans le film rend celui-ci infusible, thermostable et dur. Une modelisation de l'evolution structurale est faite en fonction des traitements thermiques permettant d'etablir une relation entre structure et proprietes
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Allouche, Hatem. "Dépôt chimique en phase vapeur de carbone sur substrats nano-filamentaires (nanotubes de carbone)." Toulouse 3, 2002. http://www.theses.fr/2002TOU30229.
Full text
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Del, Puppo Hélène. "Dépôt chimique en phase vapeur d'oxyde de silicium dans une post-décharge micro-onde." Limoges, 1992. http://www.theses.fr/1992LIMO0177.
Full textAbstract:
Des melanges o#2/sih#4 et n#2o/sih#4 ont ete utilises pour deposer sio#2 dans une post-decharge micro-onde a basse temperature (<450c) et forte vitesse de depot. Dans un premier temps, une procedure de nettoyage in situ de la chambre de depot a ete mise au point. Il s'agit de graver l'oxyde depose sur les parois par un plasma radio-frequence de nf#3. Cette procedure n'influe pas sur les proprietes des films pourvu qu'une sequence de passivation de la chambre suive l'etape de nettoyage. Ensuite, la reactivite des deux gaz oxydants a ete comparee grace a l'etude des cinetiques de croissance et des proprietes des films (composition, contraintes. . . ) en faisant varier les parametres de depot (temperature, pression, rapport r des debits des gaz reactifs). L'etude cinetique a revele que le mecanisme de croissance est independant de la nature du melange gazeux utilise (o#2/sih#4 et n#2o/sih#4). La vitesse de depot est controlee par la diffusion d'une espece oxygenee dont la nature n'a pas ete determinee. En ce qui concerne les proprietes des films, les deux parametres principaux sont la temperature et le rapport r. Des couches denses, exemptes de liaisons si-h (ir), deposees a 7000 a/min, peuvent etre obtenues des 300c si r excede 20. Une etude detaillee de la composition (xps, rbs, nra, erda) a mis en evidence une influence significative de la nature du gaz oxydant (incorporation d'azote avec le melange n#2o/sih#4) et une relative independance de la stchiometrie vis-a-vis du rapport r. Enfin, le comportement electrique des oxydes a ete etudie en analysant les caracteristiques c(v) de capacites mos. Les films obtenus a partir de n#2o possedent des densites de charge elevees. Ce phenomene est relie a la presence d'azote et/ou a l'irradiation uv qui peut intervenir lors de la croissance. Les oxydes obtenus a partir de o#2/sih#4 possedent des densites de charge satisfaisantes (<10#1#1/cm#2) et font de l'oxygene un meilleur precurseur que n#2o
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Salles, Pascale. "Etude thermodynamique et expérimentale du dépôt chimique en phase vapeur du carbure de zirconium." Grenoble INPG, 1986. http://www.theses.fr/1986INPG0064.
Full textAbstract:
Etude thermodynamique du systeme binaire zr-c, permettant de decrire les variations de l'enthalpie libre de formation de zr::(x)c::(1-x), soit par un modele en substitution, soit par un modele en sous reseau
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Diaz-Salgado, Maria del Castanar. "Analyse par interferometrie holographique du champ thermique d'un réacteur de dépôt chimique en phase gazeuse." Perpignan, 1987. http://www.theses.fr/1987PERP0031.
Full textAbstract:
Les profils de temperature autour d'un substrat cylindrique ont ete obtenus pour des gaz neutres: ar, n::(2), avec une temperature de surface comprise entre 800 et 1200**(o)c et une pression totale dans le reacteur variant de 30 a 80 kpa. Une modelisation des profils de temperature est presentee dans le cas d'un echantillon cylindrique
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Aloui, Lyacine. "Dépôt chimique en phase vapeur d'Al, Cu et Fe en vue d'élaboration de films composés de phases intermétalliques." Thesis, Toulouse, INPT, 2012. http://www.theses.fr/2012INPT0079/document.
Full textAbstract:
Des films et revêtements composés de phases et composés intermétalliques présentent des propriétés et des combinaisons de propriétés attractives qui ne sont que très partiellement explorées aujourd’hui. Ils sont porteurs de solutions potentielles pour conférer à des matériaux avancés des multifonctionnalités nécessaires dans pratiquement toutes les industries manufacturières et deviennent ainsi source de rupture et d’innovation. Cette situation prévaut pour le système Al-Cu-Fe, au sein duquel même les binaires à base d’Al présentent des propriétés remarquables. Si des techniques de dépôt physique en phase vapeur sont le plus souvent utilisées pour l’élaboration de tels films et revêtements métalliques, l’utilisation de procédés de dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs métalorganiques (MOCVD) permettrait à terme le traitement et la fonctionnalisation de surfaces de géométrie complexe. Le présent travail s’inscrit dans cette logique. Il vise la mise au point de procédés MOCVD de films d’Al, de Cu et de Fe. Ces procédés doivent être compatibles afin de constituer la base pour l’élaboration de protocoles complexes permettant le codépôt ou le dépôt séquentiel de ces éléments. La MOCVD d’Al à partir de dimethylethyl amine alane (DMEAA) a été adaptée pour satisfaire les contraintes de codépôt, pour valider le dispositif expérimental utilisé pour le dépôt des films unaires et binaires, pour valider certains aspects mécanistiques du dépôt et pour illustrer la capacité de la technique de couvrir de manière conforme des surfaces de géométrie complexe. Le protocole mise au point permet d’opérer à une pression de 10 Torr, dans une fenêtre de températures entre 160 °C et 240 °C. La modélisation du procédé permet son optimisation dans ces conditions, conduisant à des films d’épaisseur uniforme sur une surface de diamètre 58 mm. La microstructure désordonnée des films est améliorée par un prétraitement plasma des substrats d’acier 304L in situ avant dépôt.Le besoin d’utiliser des précurseurs de Cu et de Fe exemptes d’oxygène (en vue d’un codépôt avec Al) a conduit à tester pour ces deux éléments la famille originale des composés moléculaires à base de ligands amidinates. Il est montré que des films purs de Cu sont obtenus entre 200 °C et 350 °C à partir de [Cu(i-Pr-Me-AMD)]2 dans une phase gazeuse riche en hydrogène, la limite entre les régimes cinétique et diffusionnel étant à 240 °C. Le criblage de précurseurs analogues pour Fe a révélé que, dans les mêmes conditions, le composé [Fe(tBu-MeAMD)2] conduit à des films contenant Fe, Fe4N ainsi qu’à des carbures Fe3C et Fe4C.Des bicouches de Cu et Al ont été déposées à partir des protocoles mis au point. Leur recuit post dépôt a été suivi in situ par diffraction de rayons X et par mesure de la résistance électrique. Il a permis de stabiliser des phases θ-Al2Cu, η-AlCu et, pour la première fois reportée dans la littérature, de la phase approximante γ-Al4Cu9. Il a été démontré que la technique MOCVD associée avec des recuits post dépôt est une méthode appropriée pour obtenir des films composés d’alliages intermétalliques. Des dépôts conformes de tels films peuvent ainsi être envisagés pour des nombreuses applicationsFilms and coatings intermetallic phases and intermetallic compounds present proprieties and combination of proprieties which are just partially explored today. They carry potential solutions to confer multifunctionality for advanced materials needed by industries and become a source of disruption and innovation. This situation prevails for the Al-Cu-Fe, in which even the binary Al-based exhibit remarkable properties. While techniques of physical vapor deposition are most often used for the development of such films and metallic coatings, the use of processes of chemical vapor deposition from metallorganic precursors (MOCVD) lead to the treatment and functionalization of surfaces with complex geometry. The present work joins in this logic.It aims at the development of MOCVD processes of Al, Cu and Fe films. These processes must be compatible to constitute the base for the elaboration of complex protocols allowing the codeposition or the sequential deposition of these elements. The MOCVD of Al from dimethylethyl amine alane (DMEAA) was adapted to satisfy the constraints of codeposition to validate the experimental device. Used for the deposition of unary and binary films, to validate certain aspects mechanistic of the deposition and to illustrate the capacity of the technique to cover in a shape way surfaces of complex geometry. The protocol development allows to operate at pressure of 10 Torr, in a window of temperatures between 160 °C and 240 °C. The modeling of the process allows its optimization in these conditions, leading to films with uniform thickness. The disorderly microstructure of these films is improved by a plasma pretreatment of the substrate of 304L steel in situ before deposition. The need to use precursors of Cu and Fe-free oxygen (for a co-deposition with Al) has led to testing for these two elements the original family of molecular compounds based ligands AMIDINATES. It is shown that pure Cu films are obtained between 200 ° C and 350 ° C from [Cu (i-Pr-Me-AMD)]2 in a gaseous phase rich in hydrogen, the boundary between the kinetic schemes and diffusion regyme being at 240 ° C. Screening similar to Fe precursors revealed that, under the same conditions, the compound [Fe (tBu-MeAMD)2] leads to films containing Fe, as well as Fe4N carbides Fe3C and Fe4C. Bilayers of Cu and Al were deposited from the protocols developed. Their post deposition annealing was followed by in situ X-ray diffraction and by measuring the electrical resistance. It has stabilized θ-Al2Cu, η-AlCu phases and, for the first time reported in the literature, the approximant phase γ-Al4Cu9. It was demonstrated that the MOCVD technique associated with post-deposition annealing is a suitable method to obtain films composed of intermetallic alloys. Deposits conform such films can thus be considered for many applications
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Bismo, Setijo. "Analyse et modélisation du fonctionnement d'un réacteur annulaire de dépôt chimique à partir d'une phase vapeur. Cas du dépôt de silicium." Toulouse, INPT, 1993. http://www.theses.fr/1993INPT012G.
Full textAbstract:
Le reacteur annulaire, un nouveau type de reacteur de depot chimique a partir d'une phase vapeur (cvd), a murs chauds, constitue une alternative interessante pour resoudre divers problemes rencontres, dans l'industrie microelectronique, avec les appareils tubulaires conventionnels. Le but etait d'analyser scientifiquement le fonctionnement de ce nouveau reacteur, dans des conditions de basse pression (lpcvd), pour les cas de depot de silicium pur ou dope in situ au phosphore par pyrolyse de silane ou de disilane. Une modelisation numerique bidimensionnelle a, ainsi, ete developpee pour deux zones bien distinctes dans la chambre annulaire du reacteur. Le premier traitement concerne la zone d'entree, ou les reactifs commencent a produire diverses especes actives par decomposition thermique, qui vont jouer un role essentiel vis-a-vis du depot dans la zone suivante. La seconde modelisation est consacree a l'etude des phenomenes physico-chimiques dans la zone de depot. Chacun des deux traitements implique la determination locale et bidimensionnelle des champs de vitesse, de concentrations, de taux de reaction chimique dans le gaz et sur les surfaces par integration numerique des equations aux derivees partielles de conservation de la matiere et de vitesse de reaction. L'exploitation systematique de ces deux modeles et la confrontation des resultats du calcul avec des donnees experimentales se sont revelees riches d'enseignements et ont permis de progresser nettement dans la comprehension des phenomenes complexes qui sont mis en jeu, notamment, lors du depot de silicium dope in situ au phosphore. Par ailleurs, ces resultats ont ouvert diverses perspectives, aussi bien sur le plan theorique que sur le plan pratique, qui permettent d'envisager la mise au point de nouveaux procedes industriels plus performants
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Brousse, Benoit. "Réalisation et caractérisation de cellules photovoltaïques organiques obtenues par dépôt physique." Limoges, 2004. http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/18ec08d7-8895-42e8-841f-8700f4977e59/blobholder:0/2004LIMO0042.pdf.
Full textAbstract:
Ce travail concerne l'élaboration et la caractérisation de cellules photovoltaïques organiques (OPVs) bas coût, contribuant au développement des énergies renouvelables, et capables d'alimenter des appareils nomades (téléphone portable. . . ). Nous avons en particulier contribué au développement d'un banc d'expérimentation versatile destiné à l'obtention de diverses structures (bicouches, interpénétrées et multicouches) de cellules solaires à base de différents couples donneur-accepteur de petites molécules. Après la présentation d'une rétrospective des phénomènes physique et des mécanismes entrant en jeu, ainsi que celle du principe photovoltaïque dans les matériaux organiques, nous décrivons l'élaboration de notre manipulation et les étapes technologiques permettant de réaliser les cellules solaires. Les matériaux (organiques et métalliques) sont déposés en films minces (de 30 à 100nm) à la tournette (PEDOT-PSS) ou par évaporation sous vide (petites molécules et métallisation de la cathode) sur un substrat de verre recouvert d'une couche conductrice et semi-transparente d'ITO constituant l'anode. Les structures réalisées ont été caractérisées à l'air dans l'obscurité et sous illumination par des courbes I(V), des mesures capacitives et des spectres d'IPCE (spectre de photocourant). Différents couples donneur-accepteur (phtalocyanine/C60, oligomère de thiophène/C60 et phtalocyanine/dérivé de pérylène) ont été testés selon diverses configurations : hétérojonctions p-n distribuées ou non dans le volume. Les performances relevées laissent un avantage aux structures bicouches en raison de la granulosité du C60. Cette caractéristique nous a permis de concevoir une structure multicouche (CuPc/C60)3 efficace. Afin de remédier au problème lié au dépôt du C60, nous avons testé une autre molécule de type accepteur : un dérivé du pérylène (PPTC). Des études complémentaires ont été menées par l'implantation ionique des couches actives, permettant à la fois une densification et un dopage de celles-ci ; l'encapsulation des composants par VDP de polyimide (polymérisation en phase gazeuse) a été évaluée. A l'aide de cette technique, nous avons aussi développé une structure auto-protégée alternative
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Relave, Olivier. "Etude thermodynamique et expérimentale d'une méthode d'élaboration de nouveaux verres fluorés par dépôt chimique en phase vapeur." Grenoble INPG, 1988. http://www.theses.fr/1988INPG0091.
Full textAbstract:
L'etude des diagrammes de phase et du processus de purification est appliquee au systeme zrf::(4)-alf::(3)-gaf::(3)-inf::(3). Cette methode de preparation par voie seche permet d'obtenir des fluorures de tres haute purete
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Seah, Choon-Ming. "Synthesis of monolayer graphene on polycrystalline Ni and Ni-Cu bimetallic catalyst and study toward reuse of catalyst." Thesis, Université de Lorraine, 2015. http://www.theses.fr/2015LORR0281/document.
Full textAbstract:
Le graphène est une couche de carbone d’une épaisseur atomique pour laquelle les atomes de carbone sont hybridés sp². Il possède diverses propriétés remarquables supérieures à celles des autres matériaux connus. Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une méthode prometteuse pour produire du graphène monocouche. Dans cette étude, du graphène monocouche a pu être synthétisé directement sur une feuille de Ni polycristallin par CVD sous pression atmosphérique à l'aide d'un refroidissement rapide. Par ailleurs, nous proposons une technique simple pour préparer du graphène monocouche homogène dont la croissance est réalisée simultanément sur deux feuilles de Cu et de Ni assemblés en bicouche métallique. L’application du refroidissement rapide induit la formation de Ni3C, qui permet de réutiliser la feuille de Ni jusqu'à 6 fois sans causer d’écart significatif de la qualité et l'uniformité du graphène produit. Ce travail a donc démontré avec succès que le coût moyen pour synthétiser une monocouche de graphène de haute qualité pouvait être réduit avec des procédés simples à mettre en œuvreGraphene is a layer of sp2 hybridized carbon atoms with a thickness of only one atom. It possesses various magnificent properties that are not shared by other materials. To date, Chemical Vapor Deposition (CVD) is a promising method to produce wafer-scale graphene. From our study, monolayer graphene was grown directly on polycrystalline Ni foil under simple atmospheric pressure CVD with the assist of fast cooling. On the other hand, another facile technique was successful to grow uniform monolayer graphene simultaneously on both polycrystalline Ni and Cu foils using a Ni-Cu bilayer catalyst. The application of post-CVD fast cooling encourages the formation of Ni3C within the Ni foil, which subsequently enables the Ni foil to be reused again up to 6 cycles without causing a huge deviation. This work has successfully demonstrated a simple, novel and cost effective route to synthesize monolayer graphene with high quality
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Courtois, Christian. "Protection contre l'oxydation de composites C/SiC par dépôt chimique en phase vapeur (TiB2, Si3N4)." Limoges, 1992. http://www.theses.fr/1992LIMO0179.
Full textAbstract:
Les composites c/sic sont caracterises par une porosite non negligeable qui necessite l'utilisation de protections de surface anti-oxydation constituees d'une couche de sic et d'un verre de cicatrisation. Le but de ce travail est de tester un nouveau systeme protecteur consistant a remplacer le verre (generalement borate) par le diborure de titane (tib#2) capable de fournir par oxydation un revetement d'oxyde vitreux (b#2o#3). Le diborure de titane est obtenu par reduction simultanee de ticl#4 et bcl#3 par l'hydrogene. L'etude thermodynamique et cinetique du systeme est plus particulierement developpee au-dessous de 1200 k. Les depots sont caracterises par meb, microanalyse et diffraction des rx. Les tests d'oxydation sont conduits sous flux d'oxygene (5 l/h) pendant 24 heures et sont suivis par thermogravimetrie et caracterisation des produits d'oxydation. Il est montre qu'un depot de 20 m de tib#2 assure une protection efficace au-dessous de 1100c. Les cinetiques d'oxydation sont interpretees en faisant intervenir: la croissance parabolique de la couche d'oxyde (tio#2+b#2o#3), la volatilisation de b#2o#3 (determinee experimentalement) et l'oxydation interne eventuelle du composite. Enfin, l'effet d'une couche cvd de si#3n#4, deposee au-dessus de celle de tib#2, est etudie. L'oxydation limitee du diborure de titane en fond de fissure de la couche de si#3n#4, et la formation d'un verre borosilicate de faible volatilite, permettent d'expliquer l'amelioration du caractere protecteur confere par le revetement mixte jusqu'a des temperatures de l'ordre de 1300c
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Million-Brodaz, Jean-François. "Etude thermodynamique et expérimentale du dépôt chimique en phase vapeur du disiliciure de titane TiSi2." Grenoble INPG, 1987. http://www.theses.fr/1987INPG0131.
Full textAbstract:
L'etude thermodynamique du systeme ti-si-h-cl-ar nous a permis de determiner les conditions theoriques de depot de la phase tisi::(2) par depot chimique en phase vapeur (c. V. P. ) en fonction des parametres experimentaux : temperature de depot, pression totale et pressions partielles des differentes especes gazeuses (sih::(4), ticl::(4), h::(2), ar). A l'aide d'un reacteur c. V. D. A murs froids, fonctionnant sous pression atmospherique, nous obtenons des films minces de tisi::(2), confirmant ainsi l'approche thermodynamique. En vue d'une procedure de metallisation autoalignee, nous avons aborde le controle du caractere selectif du depot. Nous avons ainsi defini des conditions experimentales de depot selectif, qui permettent a partir d'un support de si partiellement recouvert de sio::(2), de realiser le depot de tisi::(2) uniquement dans les motifs de si non recouverts
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Delperier, Bernard. "Etude et modélisation d'un dépôt chimique en phase vapeur de silice à partir de tétraéthoxysilane." Toulouse, INPT, 1987. http://www.theses.fr/1987INPT013G.
Full text
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Saugnac, Frédéric. "Solutions solides carbone-bore-azote obtenues par dépôt chimique en phase vapeur : élaboration et caractérisation." Bordeaux 1, 1990. http://www.theses.fr/1990BOR10600.
Full textAbstract:
On fait passer un melange gazeux d'ammoniac, de trichlorure de bore, et d'acetylene a travers un reacteur chaud a une temperature de l'ordre de 1000#oc et a basse pression. Des composes de carbone, de bore et d'azote se deposent sur des substrats varies (graphite, silice, alumine par exemple). Suivant les valeurs donnees aux parametres caracteristiques du depot (par exemple la temperature, la pression, la composition du melange precurseur gazeux, le debit des gaz, etc) les depots peuvent etre constitues d'un materiau biphase (carbone et nitrure de bore) ou d'une solution solide monophasee. Le processus chimique est initie par la formation d'especes radicalaires actives (sous-chlorures de bore) qui reagissent tres rapidement avec l'acetylene. Si cette reaction est initiee en phase gazeuse, il se forme un depot ressemblant un peu a du noir de carbone. Si au contraire la vitesse de reaction est gouvernee par une cinetique reactionnelle de surface, on obtient sur le substrat un film tres regulier et tres uniforme, qui peut etre soit tres mal cristallise (amorphe), soit remarquablement bien ordonne parallelement a la surface du depot (cristallin). Le diagramme de phases des diverses solutions solides a pu etre construit. Les etudes de caracterisation comprennent l'analyse elementaire, la structure par diffraction des rayons x, la nature des liaisons esca, les effets de traitements thermiques sous atmosphere inerte, et la conductivite electrique
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Levesque, Olivier. "Matériaux composites carbonés obtenus par dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma réactif." Bordeaux 1, 1989. http://www.theses.fr/1989BOR10574.
Full textAbstract:
Le depot chimique en phase vapeur est un procede qui utilise le craquage thermique d'hydrocarbures pour l'elaboration des composites carbone/carbone. L'ajout d'un plasma reactif permet d'accroitre la dissociation du gaz et d'operer a plus basse temperature. Le role des principales contraintes experimentales (temperature, pression, debit, puissance du plasma. . . ) sur la dissociation de l'hydrocarbure (methane) et sur la quantite de depots carbones formes a ete etudie dans le but d'optimiser le procede et d'effectuer une correlation avec les caracteristiques chimiques et structurales de ces materiaux. L'infiltration utilisant cette technique est comparee a celle d'une decomposition thermique. Un modele mathematique traduisant la competition entre la reactivite chimique et le transport de matiere a ete developpe pour rendre compte des resultats obtenus