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Academic literature on the topic 'Diffraction des rayons-X à incidence rasante'

Author: Grafiati
Published: 26 October 2024
Last updated: 31 July 2025

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Journal articles on the topic "Diffraction des rayons-X à incidence rasante"

1

Brunel, M., and F. de Bergevin. "Diffraction d'un faisceau de rayons X en incidence très rasante." Acta Crystallographica Section A Foundations of Crystallography 42, no. 5 (1986): 299–303. http://dx.doi.org/10.1107/s010876738609921x.

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2

Hélary, Doriane, Evelyne Darque-Ceretti, Anne Bouquillon, Marc Aucouturier, and Gabriel Monge. "Contribution de la diffraction de rayons X sous incidence rasante à l'étude de céramiques lustrées." Revue d'Archéométrie 27, no. 1 (2003): 115–22. http://dx.doi.org/10.3406/arsci.2003.1047.

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3

Arnaud, Y., M. Brunel, A. M. De Becdelivre, and P. Thevenard. "Étude par diffraction de rayons X en incidence rasante (GIXD) de surfaces métalliques implantées en azote." Journal de Chimie Physique 84 (1987): 341–45. http://dx.doi.org/10.1051/jcp/1987840341.

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4

Barbier, A., G. Renaud, and O. Robach. "Étude de la croissance de l'interface Ni/MgO(001) par diffraction de rayons X en incidence rasante." Le Journal de Physique IV 08, PR4 (1998): Pr4–221—Pr4–226. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1998427.

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5

Treheux, D., and H. Jaffrezic. "Quinze ans d’expérience en diffraction X sous incidence rasante." Matériaux & Techniques 88, no. 3-4 (2000): 61–67. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/200088030061.

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6

Andreazza, P., X. de Buchere, and R. Erre. "Diffraction des rayons X en incidence rasante pour l'analyse des transformations structurales de surfaces d'aciers induites par implantation ionique multiple." Le Journal de Physique IV 06, no. C4 (1996): C4–399—C4–408. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1996436.

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7

Barbier, A., G. Renaud, O. Robach, and P. Guénard. "La diffraction de rayons X en incidence rasante à l'ESRF : application à l'étude de surfaces et d'interfaces à base d'oxydes." Le Journal de Physique IV 08, PR5 (1998): Pr5–203—Pr5–213. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1998526.

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8

Erre, D., H. Jibaoui, and J. Cazaux. "Microscopie X par réflexion totale et diffraction de Kossel à incidence rasante : premiers résultats." Le Journal de Physique IV 06, no. C4 (1996): C4–393—C4–398. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1996435.

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9

Pelletier, H., M. Bach, J. J. Grob, and P. Mille. "Caractérisation du mode de durcissement structural des couches implantées à haute énergie par les techniques de nanoindentation et de diffraction des rayons X en incidence rasante." Le Journal de Physique IV 10, PR10 (2000): Pr10–245—Pr10–254. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:20001027.

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10

Houpert, C., L. Bourdeau, and O. Valfort. "Apport de la diffraction X sous incidence rasante pour l’étude microstructurale d’un acier 316L implanté à l’azote." Revue de Métallurgie 90, no. 9 (1993): 1106. http://dx.doi.org/10.1051/metal/199390091106.

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More sources

Dissertations / Theses on the topic "Diffraction des rayons-X à incidence rasante"

1

VERON, MARIE-BENOITE. "Etude des reconstructions de surface de cdte par diffraction de rayons x et d'electrons en incidence rasante." Paris 6, 1996. http://www.theses.fr/1996PA066428.

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Abstract:
Le travail de cette these porte sur l'etude des trois phases de surface de cdte (001) en fonction de la temperature par deux techniques: la diffraction de rayons x en incidence rasante (gixd) pour l'obtention des parametres structuraux et la diffraction d'electrons rapides (rheed) pour des etudes in-situ dans le bati d'epitaxie. L'etude par gixd de la phase mixte c(2x2)+(2x1) a mis en evidence une tres forte anisotropie de taille des domaines reconstruits, intrinseque a cette phase et due a la presence de parois d'antiphase, observees par de microscopie a effet tunnel. Les mesures de gixd ont
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2

Bensaid, Abdelmounim. "Etudes de couches minces par diffraction et fluorescence des rayons X en incidence très rasante : application au silicium poreux et au silicium sur alumine." Grenoble 1, 1988. http://www.theses.fr/1988GRE10144.

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Abstract:
L'utilisation d'un faisceau RX en incidence très rasante permet d'éviter les effets dûs au support. Application à la caractérisation de couches de Si poreux. Au cours de cette étude : Détermination de la densité en surface des couches, mise en évidence de la présence de pores et détermination de leur taille, étude de l'influence de ces pores sur le paramètre cristallin. L'étude de l'épitaxie Si/corindon a montré la possibilité d'utiliser les RX en incidence rasante pour le trace de profils de densité en profondeur et pour l'étude des variations structurales à l'interface
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3

GOUDOT, ANNE. "Structures microscopiques dans les films de langmuir d'acides carboxyliques fluores. Etude par diffraction en incidence rasante et reflectivite des rayons x." Paris 6, 1993. http://www.theses.fr/1993PA066104.

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Abstract:
Ce travail porte sur des films de langmuir d'acides carboxyliques a chaines perfluorees (c#1#1f#2#3cooh) ou mixtes fluorees/hydrocarbonees (c#1#0f#2#1ch#2cooh, c#8f#1#7(ch#2)#2cooh, c#8f#1#7(ch#2)#4cooh et c#8f#1#7(ch#2)#1#0cooh). Leurs diagrammes de phase ont ete etudies par des mesures d'isothermes de pression de surface, de reflectivite x et de diffraction x en incidence rasante. Nous montrons que les diagrammes de phase des films des acides c#1#1f#2#3cooh et c#1#0f#2#1ch#2cooh sont simplifies par rapport a ceux, complexes, des films d'acides gras fluorees qu'entre chaines hydrocarbones: ce
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4

ETGENS, VICTOR. "Etapes de la croissance epitaxiale par jets moleculaires de znte sur gaas(001) : une etude par diffraction de rayons-x sous incidence rasante." Paris 6, 1991. http://www.theses.fr/1991PA066111.

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Abstract:
La diffraction des rayons x sous incidence rasante a ete utilisee pour l'etude du debut de l'heteroepitaxie de semi-conducteurs ii-vi sur gaas(001) prepares par epitaxie de jets moleculaires. Les mesures ont ete faites a lure-orsay en utilisant le rayonnement produit par l'anneau de stockage dci. La procedure suivie a ete tout d'abord l'etude de la transition de phase entre les surfaces propres de gaas(001) riches en arsenic c(44)-24 in situ, puis celle des etats precurseurs de te-gaas(001) notamment ceux produit sur les surfaces gaas(001) riches en as (te-gaas 21 et 61) jusqu'a l'heteroepitax
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Leroy, Frédéric. "Diffusion centrale des rayons X en incidence rasante appliquée à l'étude in situ de la croissance de nanostructures : Vers la croissance auto-organisée." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00007372.

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Abstract:
La diffusion centrale des rayons X en incidence rasante a été appliquée à l'étude in situ de la croissance de nano-objets supportés. En s'appuyant sur une analyse quantitative des mesures expérimentales, la forme, la taille, l'orientation et la distance entre les nanostructures ont été déterminées. Nous avons appliqué cette technique à la caractérisation de la croissance d'agrégats de palladium sur MgO(001). La confrontation des résultats obtenus avec ceux déduits des clichés de microscopie électronique à transmission a permis de valider l'analyse. Plus particulièrement l'énergie d'interface e
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6

BROSSARD, FABIEN. "Etudes in-situ d'interfaces creees par voie electrochoimique par les techniques d'ondes stationnaires de rayons x et de diffraction de surface sous incidence rasante." Paris 7, 1997. http://www.theses.fr/1997PA077183.

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Abstract:
Les etudes des interfaces electrochimiques realisees in-situ, a l'aide des techniques de diffraction de rayons x ont, depuis une dizaine d'annees, pris une importance considerable dans la determination structurale de ces interfaces. Les proprietes structurales de la surface si-h(111) ont dicte le choix de cette orientation, tandis que la qualite cristalline du substrat de silicium a permis d'utiliser la technique des ondes stationnaires de rayons x afin d'etudier deux types d'interfaces. La jonction schottky realisee lors du depot de nickel requerant une trop grande epaisseur n'a pu etre carac
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Bensaid, Abdelmounim. "Etude de couches minces par diffraction et fluorescence des rayons X en incidence très rasante application au silicium poreux et au silicium sur alumine /." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37611777b.

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8

Jedrecy, Nathalie. "Etude de surfaces reconstruites et d'heteroepitaxies par diffraction des rayons x en ultra-vide sous incidence rasante gaas(001), de si(001) jusqu'a l'heteroepitaxie gaas/si." Paris 6, 1990. http://www.theses.fr/1990PA066179.

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Abstract:
La comprehension des transformations pouvant s'operer aux surfaces ou interfaces est particulierement importante pour l'elaboration des composants microelectroniques a partir de materiaux semiconducteurs. Le rearrangement des atomes des couches superficielles selon une structure ordonnee, le plus souvent differente de celle du materiau en volume, peut etre etudie grace a la diffraction des rayons x sous incidence rasante, sur les bases de la theorie cinematique. La mesure des intensites diffractees par une surface n'est cependant devenue possible qu'avec l'avenement du rayonnement synchrotron.
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9

Wilson, Axel. "Suivi par STM et GIXD de nanoparticules Au-Cu/TiO2(110) : de leur nucléation à leur évolution sous gaz réactifs." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2014. http://www.theses.fr/2014PA066469.

Full text
Abstract:
Nous avons étudié la synthèse, la structure et l'évolution sous gaz de nanoparticules (NPs) bimétalliques Au-Cu sur la surface (110) du rutile TiO2. Les NPs ont été obtenues par évaporation sous UHV. Pendant la croissance, la nature des sites de nucléation et l'évolution des densités et distributions de taille des NPs ont été suivies par microscopie à effet tunnel (STM), tandis que la structure et les relations d'épitaxies avec le substrat ont été suivies par diffraction de rayons X en incidence rasante (GIXD). Ces caractéristiques ont été mesurées sous oxygène, sous monoxyde de carbone ou sou
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Merckling, Clément. "Croissance épitaxiale d'oxydes "High-k" sur silicium pour CMOS avancé : LaAlO3, GdO3, γ-Al2O3". Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2007. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/cmerckling.pdf.

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Abstract:
La miniaturisation depuis 50 ans des composants, transistors MOSFET à base de silicium, dans les technologies CMOS est de plus en plus limité par l’apparition de phénomènes quantiques dans les dispositifs de taille sub-0,1 µm. L’épaisseur requise pour l’isolant de grille devenant trop faible, cela induit une très forte augmentation des courants de fuites à travers le diélectrique. Une solution pour résoudre ce problème est de remplacer la silice (SiO2), qui est l’isolant naturel du substrat de Si, par un autre matériau qui a une constante diélectrique plus élevée que celle de la silice. Avec c
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