Relevant bibliographies by topics / Diffraction X sous incidence

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  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Books
  4. Book chapters
  5. Conference papers
  6. Reports

Academic literature on the topic 'Diffraction X sous incidence'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 4 May 2024

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Journal articles on the topic "Diffraction X sous incidence"

1

Treheux, D., and H. Jaffrezic. "Quinze ans d’expérience en diffraction X sous incidence rasante." Matériaux & Techniques 88, no. 3-4 (2000): 61–67. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/200088030061.

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2

Hélary, Doriane, Evelyne Darque-Ceretti, Anne Bouquillon, Marc Aucouturier, and Gabriel Monge. "Contribution de la diffraction de rayons X sous incidence rasante à l'étude de céramiques lustrées." Revue d'Archéométrie 27, no. 1 (2003): 115–22. http://dx.doi.org/10.3406/arsci.2003.1047.

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3

Houpert, C., L. Bourdeau, and O. Valfort. "Apport de la diffraction X sous incidence rasante pour l’étude microstructurale d’un acier 316L implanté à l’azote." Revue de Métallurgie 90, no. 9 (September 1993): 1106. http://dx.doi.org/10.1051/metal/199390091106.

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4

Guinebretière, R., O. Masson, M. C. Silva, A. Fillion, J. P. Surmont, and A. Dauger. "Diffraction des rayons X en réflexion sous incidence fixe. Mise en œuvre d'un détecteur courbe à localisation (CPS 120 Inel)." Le Journal de Physique IV 06, no. C4 (July 1996): C4–111—C4–121. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1996411.

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5

Muşat, Viorica, Elena Emanuela Herbei, Elena Maria Anghel, Michael P. M. Jank, Susanne Oertel, Daniel Timpu, and Laurenţiu Frangu. "Low-Temperature and UV Irradiation Effect on Transformation of Zirconia -MPS nBBs-Based Gels into Hybrid Transparent Dielectric Thin Films." Gels 8, no. 2 (January 20, 2022): 68. http://dx.doi.org/10.3390/gels8020068.

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Abstract:
Bottom-up approaches in solutions enable the low-temperature preparation of hybrid thin films suitable for printable transparent and flexible electronic devices. We report the obtainment of new transparent PMMA/ZrO2 nanostructured -building blocks (nBBs) hybrid thin films (61–75 nm) by a modified sol-gel method using zirconium ethoxide, Zr(OEt)4, and 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane (MPS) as a coupling agent and methylmethacrylate monomer (MMA). The effect of low-temperature and UV irradiation on the nBBs gel films is discussed. The thermal behaviors of the hybrid sols and as-deposed gel films were investigated by modulated thermogravimetric (mTG) and differential scanning calorimetry (DSC) analysis. The chemical structure of the resulted films was elucidated by X-ray photoelectron (XPS), infrared (IR) and Raman spectroscopies. Their morphology and crystalline structure were observed by scanning electron microscopy (SEM), high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM), and grazing incidence X-ray diffraction. The cured films show zirconia nanocrystallites of 2–4 nm in the hybrid matrix and different self-assembled structures for 160 °C or UV treatment; excellent dielectric behavior, with dielectric constant values within 6.7–17.9, depending on the Zr(OEt)4:MMA molar ratio, were obtained.
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6

Gubanova, Nadezhda, Vasilii Matveev, Elena Grebenshchikova, Demid Kirilenko, Yana Sazonova, and Olga Shilova. "Pt and Pd Nanoparticle Crystallization in the Sol-Gel-Derived Thin SiO2 Films." Physchem 3, no. 2 (June 15, 2023): 259–69. http://dx.doi.org/10.3390/physchem3020018.

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Abstract:
The crystallization and distribution the features of Pt, Pd and Pt/Pd nanoparticles in spin-on glass SiO2 films were studied within a wide range of the dopant concentrations in silica sol (from 10 to 80 mol.% Pt, Pd or Pt/Pd per 100 mol.% Si). The grazing incidence X-ray diffraction (GIXRD) characterization revealed that the formation of 4–8 nm sized crystalline Pt, Pd and Pt/Pd nanoparticles in SiO2 films began at the dopant concentrations of at least 10 mol.% Pt and/or Pd per 100 mol.% Si. The nanoparticles obtained from sols with the lower Pt, Pd or Pt/Pd concentrations were characterized by an amorphous structure. The dopants distribution over the film thickness (~21–47 nm) was studied using X-ray reflectometry. The effect of the dopant concentration, spin-coating modes and heat treatment temperature on the film thickness was characterized. When only one of the dopants (Pt or Pd) was introduced into the silica sol, the resulting nanoparticles were preferentially localized close to the film surface. When dopants were used together, the Pt/Pd nanoparticles were distributed more evenly.
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7

Imamov, R. M., and D. V. Novikov. "Grazing Incidence Diffraction X-Ray Topography." Solid State Phenomena 19-20 (January 1991): 467–70. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.19-20.467.

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8

Imamov, R. M., A. A. Lomov, and D. V. Novikov. "Grazing incidence diffraction X-ray topography." Physica Status Solidi (a) 115, no. 2 (October 16, 1989): K133—K134. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211150232.

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9

Durbin, S. M., and T. Gog. "Grazing-incidence Bragg–Laue X-ray diffraction." Acta Crystallographica Section A Foundations of Crystallography 45, no. 1 (January 1, 1989): 132–41. http://dx.doi.org/10.1107/s0108767388010657.

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10

Basu, Jaydeep K. "Grazing incidence X-ray scattering and diffraction." Resonance 19, no. 12 (December 2014): 1158–76. http://dx.doi.org/10.1007/s12045-014-0140-9.

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More sources

Dissertations / Theses on the topic "Diffraction X sous incidence"

1

ETGENS, VICTOR. "Etapes de la croissance epitaxiale par jets moleculaires de znte sur gaas(001) : une etude par diffraction de rayons-x sous incidence rasante." Paris 6, 1991. http://www.theses.fr/1991PA066111.

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Abstract:
La diffraction des rayons x sous incidence rasante a ete utilisee pour l'etude du debut de l'heteroepitaxie de semi-conducteurs ii-vi sur gaas(001) prepares par epitaxie de jets moleculaires. Les mesures ont ete faites a lure-orsay en utilisant le rayonnement produit par l'anneau de stockage dci. La procedure suivie a ete tout d'abord l'etude de la transition de phase entre les surfaces propres de gaas(001) riches en arsenic c(44)-24 in situ, puis celle des etats precurseurs de te-gaas(001) notamment ceux produit sur les surfaces gaas(001) riches en as (te-gaas 21 et 61) jusqu'a l'heteroepitaxie de znte sur gaas(001) dans le domaine des epaisseurs inferieures a 50 a. Pour l'heteroepitaxie de znte sur gaas(001) (desaccord de parametre de 7. 9%) nous avons utilise la diffraction x et la microscopie electronique a haute resolution de maniere a obtenir des resultats precis sur l'epaisseur critique pour le systeme et a mettre en evidence l'important role que l'histoire thermique joue sur l'etat des contraintes et sur la relaxation. Un debut de croissance bi-dimensionnel a ete constate jusqu'a l'epaisseur de 15 a, en partant d'une surface gaas c(44)
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2

BROSSARD, FABIEN. "Etudes in-situ d'interfaces creees par voie electrochoimique par les techniques d'ondes stationnaires de rayons x et de diffraction de surface sous incidence rasante." Paris 7, 1997. http://www.theses.fr/1997PA077183.

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Abstract:
Les etudes des interfaces electrochimiques realisees in-situ, a l'aide des techniques de diffraction de rayons x ont, depuis une dizaine d'annees, pris une importance considerable dans la determination structurale de ces interfaces. Les proprietes structurales de la surface si-h(111) ont dicte le choix de cette orientation, tandis que la qualite cristalline du substrat de silicium a permis d'utiliser la technique des ondes stationnaires de rayons x afin d'etudier deux types d'interfaces. La jonction schottky realisee lors du depot de nickel requerant une trop grande epaisseur n'a pu etre caracterise. Le greffage des molecules benzeniques marquees au brome, etudie en parallele par microscopie tunnel (stm), ne resiste pas a l'action du faisceau de rayons x. La mise au point d'une cellule electrochimique innovante, adaptee aux anneaux de stockage de la troisieme generation, nous a amene a choisir une surface assez bien caracterisee : l'or (111) en milieu sulfurique avec ou sans sulfate de cuivre, ceci afin de tester les capacites de cette cellule. L'etude de ces systemes par diffraction de surface sous incidence rasante nous a permis d'eclaircir de nombreuses questions et de confirmer d'autres informations portant sur ces systemes. En particulier nous pensons avoir clairement mis en evidence le role preponderant des sulfate lors de la transition entre les etats non reconstruit et reconstruit de la surface en presence d'acide sulfurique seul. Par contre ceux ci ne jouent dans nos experiences qu'un role mineur lors du balayage anodique de potentiel. Le decapage du depot massif de cuivre par le faisceau (e = 21 kev) devrait etre minimise grace a un hacheur, et a une reduction du temps d'acquisition. Le recours a une geometrie adaptee aux rayons x durs a permis de diminuer tres fortement les temps d'acquisitions des donnees et de se rapprocher ainsi des resultats acquis par stm.
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3

Merckling, Clément. "Croissance épitaxiale d'oxydes "High-k" sur silicium pour CMOS avancé : LaAlO3, GdO3, γ-Al2O3." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2007. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/cmerckling.pdf.

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Abstract:
La miniaturisation depuis 50 ans des composants, transistors MOSFET à base de silicium, dans les technologies CMOS est de plus en plus limité par l’apparition de phénomènes quantiques dans les dispositifs de taille sub-0,1 µm. L’épaisseur requise pour l’isolant de grille devenant trop faible, cela induit une très forte augmentation des courants de fuites à travers le diélectrique. Une solution pour résoudre ce problème est de remplacer la silice (SiO2), qui est l’isolant naturel du substrat de Si, par un autre matériau qui a une constante diélectrique plus élevée que celle de la silice. Avec ces oxydes « high-κ » on peut viser une épaisseur physique d’isolant plus élevée et donc diminuer les courants de fuites tout en maintenant la capacité surfacique du transistor constante. Les solutions industrielles actuelles développées sont à base d’oxydes « high-κ » amorphes. Une alternative serait l’utilisation d’oxydes monocristallins épitaxiés directement sur silicium qui permettrait de retrouver les propriétés de l’oxyde massif et d’obtenir des interfaces abruptes sans présence de couches interfaciales. Cependant le choix du matériau est limité par le désaccord de maille avec le substrat et aussi par la compatibilité et la stabilité thermodynamique des oxydes vis-à-vis du Si. Les matériaux explorés dans cette thèse ont été LaAlO3 et Gd2O3 choisis pour leurs propriétés électroniques (constante diélectrique et discontinuités de bandes) et γ-Al2O3 choisi pour ses qualités thermodynamiques vis-à-vis du Si. La méthode d’élaboration utilisée a été l’épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous avons tout d’abord commencé par étudier le système LaAlO3/Si. Après avoir défini les conditions optimales de croissance (température, pression d’oxygène et vitesse de croissance), par homoépitaxie (sur un substrat de LaAlO3(001)) et hétéroépitaxie (sur un substrat de SrTiO3(001)), nous avons exploré les possibilités de faire croître cet oxyde directement sur Si(001). N’ayant pas pu trouver de fenêtre de croissance compatible, une solution a été d’utiliser une fine couche interfaciale de SrO ou de SrTiO3 pour obtenir une phase solide de LaAlO3 sur Si. Cependant les limitations thermodynamiques de l’interface à base d’alcalino-terreux (Sr) rendent incompatible la réalisation de transistors CMOS. Le deuxième oxyde étudié a été l’oxyde de gadolinium (Gd2O3). Si la croissance s’est révélée monodomaine et de très bonne qualité sur Si(111), nous avons observé une croissance bidomaine sur substrat de Si(001). Ceci provient de l’alignement des plans (110) de l’oxyde sur les plans (001) du Si, tournés de 90° à chaque marche de silicium, Nous avons alors montré que l’utilisation d’un substrat vicinal de Si(001) désorienté de 6° permet de favoriser qu’un seul domaine de Gd2O3. Malgré ses limitations (formation de silicate interfacial à hautes températures) le système Gd2O3/Si est actuellement considéré comme un des plus intéressants pour l’intégration dans les technologies CMOS. Afin d’obtenir des interfaces abruptes et stables thermodynamiquement, nous avons exploré les possibilités offertes par l’oxyde γ-Al2O3. Après avoir mis en évidence la possibilité de faire croître un film fin de γ-Al2O3(001) pseudomorphe avec une interface cohérente, nous avons défini différents assemblages possibles combinant γ-Al2O3 et un oxyde « high-κ ». Une solution originale qui permet d’intégrer un oxyde « high-κ » cristallin sur Si avec une interface abrupte et stable a été proposée
Résumé en anglais
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Wilson, Axel. "Suivi par STM et GIXD de nanoparticules Au-Cu/TiO2(110) : de leur nucléation à leur évolution sous gaz réactifs." Thesis, Paris 6, 2014. http://www.theses.fr/2014PA066469/document.

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Abstract:
Nous avons étudié la synthèse, la structure et l'évolution sous gaz de nanoparticules (NPs) bimétalliques Au-Cu sur la surface (110) du rutile TiO2. Les NPs ont été obtenues par évaporation sous UHV. Pendant la croissance, la nature des sites de nucléation et l'évolution des densités et distributions de taille des NPs ont été suivies par microscopie à effet tunnel (STM), tandis que la structure et les relations d'épitaxies avec le substrat ont été suivies par diffraction de rayons X en incidence rasante (GIXD). Ces caractéristiques ont été mesurées sous oxygène, sous monoxyde de carbone ou sous mélange CO+O2 jusqu'à des pressions de 10-5 mbar.Nous montrons par STM que les défauts de la surface de type cluster de TiOx sont des sites de nucléation préférentiels pour les NPs. Par ailleurs, des NPs Au-Cu sont obtenues lors de l'évaporation séquentielle d'Au suivi de Cu. Les résultats de GIXD montrent que le Cu diffuse dans le volume des NPs d'Au initiales et forme une solution solide cfc. Les relations d'épitaxies entre les NPs alliées et le substrat indiquent que l'axe <110> des NPs est parallèle à l'axe [001] du substrat, mais que différentes orientations du plan interfacial sont possibles.En fonction de leur composition, la morphologie et à la structure des NPs sont modifiées sous faible pression d'oxygène. Tandis que les NPs de Cu pur disparaissent progressivement sous gaz, une faible proportion d'Au (de l'ordre de 5%) permet de les stabiliser. Cependant, les mesures de diffraction montrent que le Cu migre à la surface des NPs. Un recuit des NPs sous UHV permet de retrouver leur structure initiale
We have studied the synthesis, the structure and the evolution in reactive environment of Au-Cu bimetallic nanoparticles (NPs) deposited under UHV on a (110) surface of rutile TiO2. During the growth, the type of the nucleation sites and the evolution of both density and size distribution of the NPs were followed with Scanning Tunneling Microscopy (STM), whereas the structure and the epitaxial relations with the substrate were determined using Grazing Incidence X-ray Diffraction (GIXD). These features were measured under oxygen, carbon monoxide and a mix of CO+O2 for pressures bellow 10-5 mbar.We show trough STM imaging that TiOx type of surface defects are a preferential nucleation site for NPs. Moreover GIXD results show that the Cu is able to diffuse inside the initial Au NPs to form a solid solution of fcc structure. The epitaxial relations between alloyed NPs and substrate indicate that the <110> axis of the NPs is parallel to the [001] axis of the substrate, but several orientations for the interfacial plan are possible.According to their composition, the structure and the morphology of the NPs can be modified in the presence of a low pressure of oxygen. Whereas Cu NPs progressively disappear in reactive environment, a small proportion of Au (around 5%) is enough to stabilize the morphology of the NPs. However, diffraction measurements show that in these conditions, the Cu segregates to the surface of the NP. A thermal annealing of the NPs under UHV allow to recover their initial structure
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Jedrecy, Nathalie. "Etude de surfaces reconstruites et d'heteroepitaxies par diffraction des rayons x en ultra-vide sous incidence rasante gaas(001), de si(001) jusqu'a l'heteroepitaxie gaas/si." Paris 6, 1990. http://www.theses.fr/1990PA066179.

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Abstract:
La comprehension des transformations pouvant s'operer aux surfaces ou interfaces est particulierement importante pour l'elaboration des composants microelectroniques a partir de materiaux semiconducteurs. Le rearrangement des atomes des couches superficielles selon une structure ordonnee, le plus souvent differente de celle du materiau en volume, peut etre etudie grace a la diffraction des rayons x sous incidence rasante, sur les bases de la theorie cinematique. La mesure des intensites diffractees par une surface n'est cependant devenue possible qu'avec l'avenement du rayonnement synchrotron. Par ailleurs, l'environnement ultra-vide implique dans l'etude de la plupart des surfaces a necessite la realisation de dispositifs experimentaux, associant les techniques de diffraction x a celles de preparation et de caracterisation sous ultra-vide. Le couplage d'un diffractometre 4-cercles a une chambre de preparation par epitaxie de jets moleculaires a ete realise a lure (orsay). L'analyse de la reconstruction c(44) sur gaas(001) a confirme la chimisorption de dimeres d'arsenic sur une terminaison (001) as, et revele la coexistence de domaines ordonnes avec une meme symetrie mais des arrangements atomiques differents, expliquant la stchiometrie variable sur cette surface. La conformation asymetrique des dimeres sur la surface propre (001) reconstruite 21 du silicium a pu etre etablie, le caractere symetrique des dimeres d'arsenic sur as/si(001) 21 ayant ete verifie. La methode a aussi ete utilisee pour l'etude in-situ des stades initiaux de l'heteroepitaxie de gaas sur si, particulierement en ce qui concerne l'evolution de la relaxation plastique. Une accommodation non elastique des ilots au stade de la nucleation a ete mise en evidence, ainsi que l'existence d'un gradient de parametre. La croissance a partir d'un depot initial amorphe a aussi ete etudiee
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Wiegart, Lutz. "Autoassemblage de monocouches organiques à faible température." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00164719.

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Abstract:
A température ambiante, la plupart des monocouches constituées de molécules formées de chaînes alcanes présentent des phases caractérisées par la rotation des chaînes autour de leur axe moléculaire. Afin d'obtenir un ordre cristallin, il est impératif de réduire l'énergie du système. De nouvelles sous-phases liquides utilisant des agents cryoprotectifs permettent d'accéder à des températures plus faibles que la température de glace de l'eau. Les monocouches de surfactants tels que les acides gras ou les phospholipides ont été préparées à volume et pression surfacique constants. L'étude de la stabilité des films par refroidissement a été effectuée par des isothermes de Langmuir et GIXOS et celle de l'ordre dans le plan par GIXD. Les molécules adoptent des phases cristallines qui sont induites par un processus d'autoassemblage d'origine exclusivement entropique et dont la densité de compactage est similaire à celle d'un monocristal à trois dimensions. La technique d'XPCS a enfin été employée pour relier la dynamique de surface du système étudié à la formation des phases cristallines.
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Wiegart, Lutz. "Autoassemblage de monocouches organiques à faible température." Phd thesis, Grenoble 1, 2007. http://www.theses.fr/2007GRE10111.

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Abstract:
A température ambiante, la plupart des monocouches constituées de molécules formées de chaînes alcanes présentent des phases caractérisées par la rotation des chaînes autour de leur axe moléculaire. Afin d’obtenir un ordre cristallin, il est impératif de réduire l’énergie du système. De nouvelles sous-phases liquides utilisant des agents cryoprotectifs permettent d’accéder à des températures plus faibles que la température de glace de l’eau. Les monocouches de surfactants tels que les acides gras ou les phospholipides ont été préparées à volume et pression surfacique constants. L'étude de la stabilité des films par refroidissement a été effectuée par des isothermes de Langmuir et GIXOS et celle de l’ordre dans le plan par GIXD. Les molécules adoptent des phases cristallines qui sont induites par un processus d’autoassemblage d’origine exclusivement entropique et dont la densité de compactage est similaire à celle d’un monocristal à trois dimensions. La technique d’XPCS a enfin été employée pour relier la dynamique de surface du système étudié à la formation des phases cristallines
At ambient temperature monolayer phases of most alkane chain molecules exhibit phases, characterised by the rotation of the chain around the molecular axis. Consequently, these phases are only weakly ordered rather than crystalline. In order to achieve crystalline ordering, the energy of the system needs to be reduced. New cryo-protective liquid subphases extend the accessible range to much lower temperatures than the freezing threshold of water. Monolayers of common surfactants like fatty acids and phospholipids were prepared under constant volume/constant surface pressure conditions and their phase behaviour was studied upon cooling. First insights into film stability and evolution upon cooling were achieved by Langmuir isotherms and GIXOS, while the in-plane ordering was investigated by GIXD. The molecules were found to adapt crystalline phases by a purely entropy driven self-assembly process, reaching packing densities similar to three dimensional single crystals. The evolution of the structure parameters compare to those of bulk alkanes undergoing the rotator-crystalline phase transition. XPCS was employed to relate the surface dynamics of the system to the appearance of crystalline phases. The phase transition was found to be accompanied by a change of the dynamics from propagating to overdamped capillary waves
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Pons, Frédéric. "Étude des transformations structurales superficielles induites par implantation ionique et frottement dans les métaux." Paris 11, 1987. http://www.theses.fr/1987PA112366.

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Abstract:
J'ai conçu et réalisé un équipement de tribométrie adapté à l'étude du comportement sous frottement de surfaces implantées. Un montage de diffraction de rayons X permettant l'analyse cristallographique résolue en profondeur (50nm) de couches minces, a également été mis au point et une méthodologie proposée. Nous avons contribué à l'étude des mécanismes d'amorphisation par implantation ionique de métaux et par irradiation d'alliages métalliques cristallins. Combinée à la canalisation de particules α, la diffraction de rayons X sous incidence rasante a permis la mise en évidence de contraintes dans le réseau précédant ou accompagnant la formation d'amas amorphes. Les différentes cinétiques d'amorphisation obtenues en fonction de la température sur un système métal-métal (A1 implanté Ni) confirment les précédents résultats obtenus sur des systèmes métaux-métalloïdes (Ni implanté en P et B, Pd en Si). La température et la concentration de l'élément stabilisateur de la phase amorphe sont les principaux paramètres régissant l'amorphisation dans le cas de l'implantation alors que dans le cas de l'irradiation (Ni3 B, A1Ni irradiés) le paramètre important est la densité de défauts créés par ion incident. L'utilisation de techniques de caractérisation physicochimiques (R. B. S. , N. R. A. , S. I. M. S. , X. P. S. ) couplées aux techniques précédentes nous ont permis, dans le cas de couches de Ti 1-x Nx, forméeS par implantation d'azote à multiénergiee, de corréler leur propriétés mécaniques à leur structure et à ses transformations sous frottement
I have designed and realized a friction test equipment suitable for the study of friction behaviour of ion implanted surfaces. An experimental X-Ray diffraction set up, allowing crystallographical depth resolved analysis (50nm) on thin layers, has also been developed and a methodology proposed. We have contributed to the study of amorphization mechanisms in two cases: ion implantation of a pure metal and irradiation of crystalline metallic alloys. Combined with the channeling technique. Grazing X-Ray diffraction has led to study the particular role of stresses in the lattice. Preceding or accompanying amorphous cluster formation. Different amorphization kinetics obtained as a function of temperature on a metal-metal system (Ni implanted A1) reinforce previous results on metal-metalloid systems (P,B and Si implanted in Ni and Pd). The temperature and the concentration of stabilizing species in the amorphous phase are the main parameters governing ion implantation. Whereas the important parameter in the case of ion irradiation is the defects density created by incident ions. The use of different spectroscopy techniques (R. B. S. , N. R. A, S. I. M. S, X. P. S. ) combined with channeling and grazing X-Ray has allowed to correlate the mechanical properties to the structure and the transformations under friction in the case of Ti 1-x Nx layers elaborated by nitrogen multi-energy implantation
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Nappé, Jean-Christophe. "Évaluation du comportement sous irradiation de Ti3SiC2 : Étude de l'endommagement structural et microstructural." Phd thesis, Ecole Nationale Supérieure des Mines de Saint-Etienne, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00445458.

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Abstract:
Parmi les six nouveaux systèmes de réacteurs nucléaires envisagés par le Forum International Génération IV ; le réacteur à neutrons rapides et à caloporteur gaz est étudié en France. Ses conditions de fonctionnement nominal (haute température et pression d'hélium) ont conduit à la sélection de céramiques non-oxydes pour la gaine de combustible. Parmi ces céramiques ; Ti3SiC2 se distingue par sa particularité à combiner certaines propriétés des métaux à celles des céramiques. Cependant ; son comportement en réacteur n'est pas connu. L'objectif de cette thèse est ainsi de caractériser l'endommagement de Ti3SiC2 sous irradiation ; en utilisant les irradiations ioniques pour simuler l'effet des irradiations neutroniques. Des échantillons ont été irradiés par différents couples ion-énergie (Au de 4 MeV ; Kr de 74 MeV ; Xe de 92 MeV et de 930 MeV) à différentes fluences et températures. Après irradiation ; les modifications structurales ont été caractérisées par diffraction des rayons X sous faible incidence et par microscopie électronique en transmission de sections transverses alors que la microscopie à force atomique a permis l'étude des modifications microstructurales. Ainsi ; quelles que soient les irradiations réalisées Ti3SiC2 reste cristallisé (jusqu'à 7 dpa d'endommagement) et aucune trace latente n'est observable (28 keV nm-1 de pouvoir d'arrêt électronique maximal). De plus ; en fonction des paramètres d'irradiation ; une dilatation de la maille hexagonale compacte de Ti3SiC2 suivant l'axe c est observée ; induisant notamment des microdéformations. Enfin ; d'un point de vue microstructure ; les irradiations aux ions Xe de 92 MeV induisent la formation de monticules en surface alors qu'un léger gonflement est observé pour les irradiations aux ions Au de 4 MeV.
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Merckling, Clément. "Croissance épitaxiale d'oxydes "high-κ" sur silicium pour CMOS avancé : LaAlO3, Gd2O3, γ-Al2O3." Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00201791.

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Abstract:
La miniaturisation depuis 50 ans des composants, transistors MOSFET à base de silicium, dans les technologies CMOS est de plus en plus limité par l'apparition de phénomènes quantiques dans les dispositifs de taille sub-0,1 µm. L'épaisseur requise pour l'isolant de grille devenant trop faible, cela induit une très forte augmentation des courants de fuites à travers le diélectrique. Une solution pour résoudre ce problème est de remplacer la silice (SiO2), qui est l'isolant naturel du substrat de Si, par un autre matériau qui a une constante diélectrique plus élevée que celle de la silice. Avec ces oxydes « high-κ » on peut viser une épaisseur physique d'isolant plus élevée et donc diminuer les courants de fuites tout en maintenant la capacité surfacique du transistor constante.
Les solutions industrielles actuelles développées sont à base d'oxydes « high-κ » amorphes. Une alternative serait l'utilisation d'oxydes monocristallins épitaxiés directement sur silicium qui permettrait de retrouver les propriétés de l'oxyde massif et d'obtenir des interfaces abruptes sans présence de couches interfaciales. Cependant le choix du matériau est limité par le désaccord de maille avec le substrat et aussi par la compatibilité et la stabilité thermodynamique des oxydes vis-à-vis du Si. Les matériaux explorés dans cette thèse ont été LaAlO3 et Gd2O3 choisis pour leurs propriétés électroniques (constante diélectrique et discontinuités de bandes) et γ-Al2O3 choisi pour ses qualités thermodynamiques vis-à-vis du Si. La méthode d'élaboration utilisée a été l'épitaxie par jets moléculaires (EJM).
Nous avons tout d'abord commencé par étudier le système LaAlO3/Si. Après avoir défini les conditions optimales de croissance (température, pression d'oxygène et vitesse de croissance), par homoépitaxie (sur un substrat de LaAlO3(001)) et hétéroépitaxie (sur un substrat de SrTiO3(001)), nous avons exploré les possibilités de faire croître cet oxyde directement sur Si(001). N'ayant pas pu trouver de fenêtre de croissance compatible, une solution a été d'utiliser une fine couche interfaciale de SrO ou de SrTiO3 pour obtenir une phase solide de LaAlO3 sur Si. Cependant les limitations thermodynamiques de l'interface à base d'alcalino-terreux (Sr) rendent incompatible la réalisation de transistors CMOS.
Le deuxième oxyde étudié a été l'oxyde de gadolinium (Gd2O3). Si la croissance s'est révélée monodomaine et de très bonne qualité sur Si(111), nous avons observé une croissance bidomaine sur substrat de Si(001). Ceci provient de l'alignement des plans (110) de l'oxyde sur les plans (001) du Si, tournés de 90° à chaque marche de silicium, Nous avons alors montré que l'utilisation d'un substrat vicinal de Si(001) désorienté de 6° permet de favoriser qu'un seul domaine de Gd2O3. Malgré ses limitations (formation de silicate interfacial à hautes températures) le système Gd2O3/Si est actuellement considéré comme un des plus intéressants pour l'intégration dans les technologies CMOS.
Afin d'obtenir des interfaces abruptes et stables thermodynamiquement, nous avons exploré les possibilités offertes par l'oxyde γ-Al2O3. Après avoir mis en évidence la possibilité de faire croître un film fin de γ-Al2O3(001) pseudomorphe avec une interface cohérente, nous avons défini différents assemblages possibles combinant γ-Al2O3 et un oxyde « high-κ ». Une solution originale qui permet d'intégrer un oxyde « high-κ » cristallin sur Si avec une interface abrupte et stable a été proposée.
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More sources

Books on the topic "Diffraction X sous incidence"

1

Flom, Erik B. Studies of the liquid-vapor interfaces of gallium and bismuth-gallium using grazing incidence x-ray diffraction. 1993.

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2

Deshpande, U. P., T. Shripathi, and A. V. Narlikar. Iron-oxide nanostructures with emphasis on nanowires. Edited by A. V. Narlikar and Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533053.013.23.

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Abstract:
This article examines the properties of iron-oxide nanostructures, with particular emphasis on nanowires. It begins with an overview of iron-oxide nanostructures and nanowires, followed by a discussion of the synthesis of aligned ?-Fe2O3 nanowires and nanosheets by a simple thermal oxidation route. It then describes the preferential bending of [110] grown ?-Fe2O3 nanowires about the C-axis and quantitative estimation of nanowire alignment using X-ray diffraction and grazing incidence X-ray diffraction. It also considers the growth mechanism of ?-Fe2O3 nanowires and nanosheets, different nanowire morphologies, rotational slip in ?-Fe2O3 nanosheets, and the influence of local environment and substrate microstructure on nanowire growth.
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3

Daudon, Michel, and Paul Jungers. Cystine stones. Edited by Mark E. De Broe. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/med/9780199592548.003.0203_update_001.

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Abstract:
Cystinuria, an autosomal recessive disease (estimated at 1:7000 births worldwide), results from the defective reabsorption of cystine and dibasic amino acids (also ornithine, arginine, lysine, COAL) by epithelial cells of renal proximal tubules, leading to an abnormally high urinary excretion of these amino acids. Due to the poor solubility of cystine at the usual urine pH, formation of cystine crystals and stones ensues. Incidence of homozygotes is estimated at 1 in 7000 births worldwide, but is lower in European countries and much higher in populations with frequent consanguinity. Cystine stones represent 1–2% of all stones in adults and 5–8% in paediatric patients, with an equal distribution between males and females.Cystinuria is caused by inactivating mutations in the gene SLC3A1 or SLC7A9, both encoding proteins contributing to the function of the heterodimeric transport system of cystine.Cystine nephrolithiasis may present in infants, most frequently in adolescents or young adults, sometimes later. Cystine calculi are weakly radio-opaque. Stone analysis using infrared spectroscopy (or X-ray diffraction) allows immediate and accurate diagnosis. Urinary amino acid chromatography quantifies urinary cystine excretion, needed to define the therapeutic strategy.Urological treatment of cystine stones currently uses extracorporeal stone wave lithotripsy or flexible ureterorenoscopy with Holmium laser, that is, minimally invasive techniques. However, as cystine stones are highly recurrent, preventive therapy is essential.Medical treatment combines reduced methionine and sodium intake, to lower cystine excretion; hyperdiuresis (> 3 L/day) to reduce cystine concentration; and active alkalinization preferably using potassium citrate (40–80 mEq/day) to increase cystine solubility by rising urine pH up to 7.5–8. If these measures are insufficient to prevent recurrent stone formation, a thiol derivative (D-penicillamine or tiopronin), which converts cystine into a more soluble disulphide, should be added. Close monitoring and adherence of the patient to the therapeutic programme are needed to ensure life-long compliance, the key for successful prevention in the long term.
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Book chapters on the topic "Diffraction X sous incidence"

1

Sakata, Osami, and Masashi Nakamura. "Grazing Incidence X-Ray Diffraction." In Surface Science Techniques, 165–90. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-34243-1_6.

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2

Garbauskas, Mary F., Donald G. LeGrand, and Raymond P. Goehner. "Application of Grazing Incidence X-Ray Diffraction to Polymer Blends." In Advances in X-Ray Analysis, 373–77. Boston, MA: Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-2972-9_42.

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3

Takahara, Atsushi, and Yuji Higaki. "X-Ray and Neutron Reflectivity and Grazing Incidence X-Ray Diffraction." In Molecular Soft-Interface Science, 129–39. Tokyo: Springer Japan, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-4-431-56877-3_8.

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4

Huang, T. C. "Surface and Ultra-Thin Film Characterization by Grazing-Incidence Asymmetric Bragg Diffraction." In Advances in X-Ray Analysis, 91–100. Boston, MA: Springer US, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-9996-4_10.

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5

Prévot, Geoffroy. "Direct Measurement of Elastic Displacement Modes by Grazing Incidence X-Ray Diffraction." In Mechanical Stress on the Nanoscale, 275–97. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527639540.ch13.

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6

Schamper, C., D. Dornisch, W. Moritz, H. Schulz, R. Feidenhans’l, M. Nielsen, F. Grey, and R. L. Johnson. "Au Adsorption on Si(111) Studied by Grazing Incidence X-Ray Diffraction." In Springer Proceedings in Physics, 17–20. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-77144-6_4.

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7

Stabenow, Rainer, and Alfried Haase. "New Tools for Grazing Incidence Diffraction Measurements: Comparison of Different Primary and Secondary Beam Conditioners." In Advances in X-Ray Analysis, 87–94. Boston, MA: Springer US, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-5377-9_11.

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8

Heizmann, J. J., A. Vadon, D. Schlatter, and J. Bessières. "Texture Analysis of Thin Films and Surface Layers by Low Incidence Angle X-Ray Diffraction." In Advances in X-Ray Analysis, 285–92. Boston, MA: Springer US, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-9110-5_37.

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9

Ballard, B. L., P. K. Predecki, and D. N. Braski. "Stress-Depth Profiles in Magnetron Sputtered Mo Films Using Grazing Incidence X-ray Diffraction (Gixd)." In Advances in X-Ray Analysis, 189–96. Boston, MA: Springer US, 1994. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-2528-8_25.

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10

Predecki, Paul, X. Zhu, and B. Ballard. "Proposed Methods for Depth Profiling of Residual Stresses using Grazing Incidence X-Ray Diffraction (GIXD)." In Advances in X-Ray Analysis, 237–45. Boston, MA: Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-2972-9_28.

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Conference papers on the topic "Diffraction X sous incidence"

1

Clemens, B. M., A. P. Payne, T. C. Hufnagel, J. A. Bain, and S. Brennan. "In-Situ Grazing Incidence X-Ray Diffraction During Sputter Deposition." In Physics of X-Ray Multilayer Structures. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1992. http://dx.doi.org/10.1364/pxrayms.1992.wa4.

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Abstract:
Many aspects of thin film growth can be studied most directly using in-situ techniques. These include a host of critical phenomena which are only observed for very thin layers and are no longer available for study if the film is grown to bulk levels. Although sputter deposition is a very widely used deposition technique both in research and industry, in-situ studies of film growth during sputter deposition are rare. This is primarily because the sputtering gas precludes the use of conventional electron diffraction techniques. Photon based diffraction techniques, on the other hand, are immune to the deleterious effects of the argon sputtering gas and offer a powerful method for investigating film structure provided a source of sufficient brightness is used. We recently performed experiments in which grazing incidence x-ray scattering (GIXS)[1] using synchrotron radiation was implemented in-situ to study film growth by sputter deposition . A special UHV deposition chamber was developed with appropriate x-ray windows and precision sample positioning mechanisms needed in performing a diffraction experiment [2]. During the initial test of this new technique and apparatus, we examined two metal/metal systems: gadolinium/cobalt and molybdenum/nickel.
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2

Goray, Leonid I., Alexander S. Dashkov, Viktor E. Asadchikov, Boris S. Roshchin, Arsen E. Muslimov, and Vladimir M. Kanevsky. "Grazing-incidence X-ray reflectometry and fluorescence analysis of the metallic-coated sinusoidal diffraction grating." In 2019 Days on Diffraction (DD). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/dd46733.2019.9016515.

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3

Windt, David L., Steven M. Kahn, and Gary E. Sommargren. "Diffraction-limited astronomical X-ray imaging and X-ray interferometry using normal-incidence multilayer optics." In Astronomical Telescopes and Instrumentation, edited by Joachim E. Truemper and Harvey D. Tananbaum. SPIE, 2003. http://dx.doi.org/10.1117/12.461288.

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4

Imamov, Rafik M., O. G. Melikyan, and Dmitry V. Novikov. "Control and characterization of semiconductor superlattices by grazing: incidence x-ray diffraction method." In International Conference on Microelectronics, edited by Andrzej Sowinski, Jan Grzybowski, Witold T. Kucharski, and Ryszard S. Romaniuk. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.131045.

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5

Zhang, Yan, Fan Qichao, Li Jiawei, Zhang Hui, Huabin He, Chao Wang, Wei Gao, and Ji Fang. "The using of x-ray grazing incidence diffraction technique in KDP surface characterization." In Advanced Fiber Laser Conference (AFL2022), edited by Pu Zhou. SPIE, 2023. http://dx.doi.org/10.1117/12.2666983.

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6

Omi, H., T. Kawamura, Y. Kobayashi, S. Fujikawa, Y. Tsusaka, Y. Kagoshima, and J. Matsui. "Inhomogeneous strain in thin silicon films analyzed by grazing incidence x-ray diffraction." In 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2006. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2006.i-8-3.

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7

Watanabe, K., Y. Kimura, and K. Mukai. "Grazing Incidence X-ray Diffraction Measurements of Columnar InAs/GaAs Quantum-Dot Structures." In 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2009. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2009.h-1-8.

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8

Raab, E. L., D. M. Tennant, W. K. Waskiewicz, A. A. MacDowell, and R. R. Freeman. "X-ray imaging near the diffraction limit." In OSA Annual Meeting. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1990. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1990.tub3.

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Abstract:
A principle motivation for producing soft x-ray imaging systems is to surpass the resolution of visible-light systems. Such systems have been demonstrated for ~13 nm radiation using multilayer-coated mirrors with normal-incidence reflectivities of approximately 40%. Unique impediments to achieving diffraction-limited resolution arise due to the phased nature of multilayer reflection, as well as the stringency at 13 nm of the λ/8 surface figure requirement. To examine the consequences of the multilayer coating, we performed a Foucault knife-edge test on a spherical optic both before and after a molybdenum/silicon coating was deposited. A 22-period undulator source was sufficiently powerful at 13 nm to provide a measurable reflection even without the multilayer coating. The results of the knife-edge scans were fit by a diffraction model, with the mirror’s effective surface characterized by Zemike polynomials. We noted a slight difference in the image after the multilayer was deposited. This was attributed to a slight decrease in some of the higher-order aberration terms. The difference in effective surface figure was less than λ/8 for the two measurements, indicating that a multilayer coating does not alter the effective surface figure of an optic in a way that is detrimental to the resolutions.
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9

Tarrio, C., R. D. Deslattes, A. Caticha, and J. Pedulla. "Trends in the X-Ray Diffraction of Multilayers." In Physics of X-Ray Multilayer Structures. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1994. http://dx.doi.org/10.1364/pxrayms.1994.tua.4.

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Abstract:
Understanding the morphology of multilayer structures (MLS's) is an important step toward the preparation of high-quality multilayer mirrors for use in the extreme ultraviolet. To gain information about the structure, the x-ray reflectivity is measured at grazing angles. These data are then analyzed using any of a number of models to gain information about such characteristics as d spacing, spacing uniformity, heavy element fill factor (Γ), and diffusion boundary widths. Several models have been used with varying degrees of success to describe the x-ray diffraction of multilayers. The matrix method, in which the reflectivity is explicitly calculated at each interface, is exact for abrupt interfaces, but to include diffusion it is necessary to divide each boundary into many layers, which slows the calculations considerably. Traditional x-ray diffraction models allow for rapid calculations, but make approximations that are not generally applicable to multilayers. The kinematical model, in which only one reflection is allowed within the sample, is only accurate for low reflectivities, and thus is not valid near the Bragg peaks of the MLS. The dynamical model allows for multiple reflections, but is not accurate away from Bragg peaks at grazing incidence.
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10

AKIMOTO, Koichi, Jun'ichiro MIZUKI, Ichiro HIROSAWA, and Junji MATSUI. "Semiconductor Interface and Surface Structure Studies by Means of Grazing Incidence X-Ray Diffraction." In 1989 Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1989. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1989.s-e-2.

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Reports on the topic "Diffraction X sous incidence"

1

Jones, L. Ruthenium-Platinum Thin Film Analysis Using Grazing Incidence X-ray Diffraction. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), September 2004. http://dx.doi.org/10.2172/833117.

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2

Fritz, S. Structural Characterization of a pentacene monolayer on an amorphous SiO2 substrate with grazing incidence x-ray diffraction. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), February 2004. http://dx.doi.org/10.2172/826751.

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