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  5. Conference papers

Academic literature on the topic 'Diode en silicium'

Author: Grafiati
Published: 24 May 2025
Last updated: 31 July 2025

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Journal articles on the topic "Diode en silicium"

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Il’yaschenko, D. P., Dmitry A. Chinakhov, and Y. M. Gotovschik. "Investigating the Influence of the Power Supply Type upon the Properties of the Weld Joints under Manual Arc Welding." Advanced Materials Research 1040 (September 2014): 837–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1040.837.

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Abstract:
The given work considers the influence of the power supply type (diode rectifier DR-306 and inverter Nebula-315) upon the chemical composition, microstructure, mechanical properties of weld joints and upon health characteristics of the manual arc welding process.It has been ascertained that the power supply type has a significant influence upon the weld joints properties and health characteristics of the manual arc welding process. Using a new generation inverter power supply allows less heat input into the weld bead, thus, decreasing silicium and manganese burning, improving impact resistance
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Notton, Gilles, Ionut Caluianu, Iolanda Colda, and Sorin Caluianu. "Influence d’un ombrage partiel sur la production électrique d’un module photovoltaïque en silicium monocristallin." Journal of Renewable Energies 13, no. 1 (2023): 49–62. http://dx.doi.org/10.54966/jreen.v13i1.177.

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Abstract:
Le développement du marché photovoltaïque nécessite de connaître parfaitement la production électrique de ces systèmes sur différents sites en particulier pour estimer sa rentabilité économique. Cette estimation précise ne peut se faire qu’en prenant en compte les effets d’ombrage qui ont des conséquences dramatiques sur la puissance électrique délivrée. Dans cet article, nous avons testé un modèle double-diode de courbes I-V sur un module photovoltaïque au silicium monocristallin (BP585F) sous des conditions normales d’éclairement; puis après une brève explication du comportement électrique d
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3

Lu, W., K. L. Pey, N. Singh, et al. "Effect of Nickel Silicide Induced Dopant Segregation on Vertical Silicon Nanowire Diode Performance." MRS Proceedings 1439 (2012): 89–94. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.845.

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Abstract:
ABSTRACTIn this work, Dopant Segregated Schottky Barrier (DSSB) and Schottky Barrier (SB) vertical silicon nanowire (VSiNW) diodes were fabricated on p-type Si substrate using CMOS-compatible processes to investigate the effects of segregated dopants at the silicide/silicon interface and different annealing processes on nickel silicide formation in DSSB VSiNW diodes. With segregated dopants at the silicide/silicon interface, VSiNW diodes showed higher on-current, due to an enhanced carrier tunneling, and much lower leakage current. This can be attributed to the altered energy bands caused by t
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Abdesselem, S., A. Ouhab, and M. S. Aida. "Influence de la température de substrat sur la croissance et les propriétés des films minces de silicium amorphe déposés par pulvérisation cathodique." Canadian Journal of Physics 81, no. 11 (2003): 1293–302. http://dx.doi.org/10.1139/p03-101.

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Abstract:
We deposit thin films of a-Si:H by RF diode spray on substrate with temperatures varying from 200 to 500 °C. Knowing that this deposition method is violent when compared with the plasma-assisted deposition method, we have used low RF power to limit the energy of the Ar ions bombarding the surface of the growing film. Characterization of the films by UV–visible absorption spectroscopy suggests that the influence of the substrate temperature can be classified into three different regimes: (i) low temperature, Ts < 300 °C: the films show a strong disorder, the hydrogen is bound only in the pol
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Miakonkikh, Andrey, Alexander Rogozhin, Petr Solyankin, and Konstantin Rudenko. "Experimental study silicon low-dimensional structures for generation of THz radiation." ITM Web of Conferences 30 (2019): 08012. http://dx.doi.org/10.1051/itmconf/20193008012.

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Abstract:
Capabilities of precision technologies for manufacturing on SOI wafers of silicon low-dimensional structures for terahertz generation are investigated. The design of diode device based on array of silicon nanowires or on ultrathin (<10 nm) silicon layer are proposed. This generating silicon diode includes nano-sized elements with ballistic transport of carriers, which is coupled to a metal antenna made from silicide layer.
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Diawara, Yacouba, John F. Currie, S. Iraj Najafi, and John L. Brebner. "Détecteur photovoltaïque au silicium amorphe." Canadian Journal of Physics 68, no. 3 (1990): 317–20. http://dx.doi.org/10.1139/p90-050.

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Abstract:
We present here the results obtained for a hydrogenated amorphous silicon photovoltaic detector fabricated by plasma-enhanced chemical vapor deposition and integrated on a glass planar waveguide. Capacitance measurements of (Al, Cr) – a-Si:H – n+a-Si:H – Al multilayer Schottky diodes were used to model the devices and to deduce the properties of a-Si:H layer. A response time of 30 ns full width at half maximum in unbiased operation was obtained when tested using short (4 ns) guided light pulses; the response time value was obtained without external polarization, thus making the device autonomo
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Musaeva, S. N., E. A. Kerimov, N. F. Kazımov, and S. I. Huseynova. "Platinum Silicide-Silicon Schottky Diode Characteristics." Modern Electronic Technology 2, no. 2 (2018): 41. http://dx.doi.org/10.26549/met.v2i2.850.

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Abstract:
Abstrat: Photoelectric measurements are used to obtain additional information on the transportation mechanism of Schottky barrier structures.The main purpose of the study is to investigate the photoelectric properties of Shottky diodes based on PtSi - n - Si and PtSi - p - Si contacts.
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Kim, Kihyun, Yehwan Kang, Seungbok Yun, et al. "Reduced On-Resistance and Improved 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Performance by Laser Annealing on C-Face Ohmic Regions in Thin Structures." Coatings 12, no. 6 (2022): 777. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12060777.

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Abstract:
In this study, we investigated the characteristics of the n-type Ni/SiC ohmic contact using the laser annealing process on thin wafers. The electrical behavior of the ohmic contacts was tested in 4H-SiC JBS diode devices. As a result, a wafer thickness of 100 μm in the 4H-SiC JBS diode achieved a forward voltage of 1.33 V at 20 A with a laser annealing process using Ni silicide. Using a laser annealing process on a wafer thickness of 100 μm, an on-resistance decrease of almost 22% was demonstrated. Based on our experimental results, we suggest an alternative laser annealing fabrication scheme
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9

Kikuchi, Akira. "Nickel Silicide Formation and Related Schottky Barrier Diode Characteristics." Journal of The Electrochemical Society 136, no. 4 (1989): 1162–65. http://dx.doi.org/10.1149/1.2096827.

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Vassilevski, Konstantin, Irina P. Nikitina, Praneet Bhatnagar, et al. "High Temperature Operation of Silicon Carbide Schottky Diodes with Recoverable Avalanche Breakdown." Materials Science Forum 527-529 (October 2006): 931–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.931.

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Abstract:
4H-SiC diodes with nickel silicide (Ni2Si) and molybdenum (Mo) Schottky contacts have been fabricated and characterised at temperature up to 400°C. Room temperature boron implantation has been used to form a single zone junction termination extension. Both Ni2Si and Mo diodes revealed unchanging ideality factors and barrier heights (1.45 and 1.3 eV, respectively) at temperatures up to 400°C. Soft recoverable breakdowns were observed both in Ni2Si and Mo Schottky diodes at voltages above 1450 V and 3400 V depending on the epitaxial structure used. These values are about 76% and 94% of the ideal
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Dissertations / Theses on the topic "Diode en silicium"

1

Baraton, Laurent. "Fabrication et étude d'une diode moléculaire à résistancedifférentielle négative greffée sur silicium terminé hydrogène." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00150238.

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Abstract:
L'électronique moléculaire cherche à exploiter les propriétés de transport des électrons d'une ou d'un petit ensemble de molécules à travers les orbitales frontières. Son développement passe par la réalisation de composés hybrides, alliant des éléments actifs moléculaires à la technologie CMOS actuelle. Le but de ce travail est la réalisation d'un dispositif de ce type dans lequel une monocouche moléculaire complexe constitue le coeur électroactif d'un dispositif vertical. L'électrode inférieure est constituée par le substrat de silicium sur lequel la monocouche est greffée de façon covalente.
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2

Benhammou, Younes. "Développement de SPADs (Single Photon Avalanche Diodes) à cavité de germanium sur silicium en intégration 3D avec une technologie silicium CMOS 40nm." Thesis, Lyon, 2020. http://www.theses.fr/2020LYSEI123.

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Abstract:
Cette thèse porte sur une famille de photo-détecteurs appelés SPAD pour Single Photon Avalanche Diodes qui sont des jonctions PN polarisées en inverse au-delà de la tension de claquage. Les diodes SPADs sont reconnues pour présenter de très bonnes performances en détection de faibles flux lumineux avec une réponse extrême rapide. Afin d’améliorer l’efficacité de détection dans le proche infrarouge de diodes SPAD sur silicium, les objectifs de la thèse sont de concevoir, fabriquer et caractériser une nouvelle génération de photodiodes SPADs dans une technologie CMOS 40nm en intégrant une cavité
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Coyaud, Martin. "Caractérisation Fonctionnelle de Composants en Carbure de Silicium." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2002. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00477631.

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Abstract:
Le Carbure de Silicium, par ses propriétés intrinsèques, offre des perspectives dans le domaine de l'électronique de puissance à même de supplanter le Silicium aujourd'hui sollicité à ses limites. En particulier, le Carbure de Silicium (SiC) permet la réalisation de diodes réunissant la technologie Schottky et supportant une haute tension. Après avoir resitué la filière du SiC dans son contexte, on présente dans ce travail les éléments de physique du semiconducteurappliqués à la diode Schottky SiC et justifiant les propriétés et le dimensionnement du composant. Le comportement électrique stati
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4

Biscarrat, Jérôme. "Design, intégration technologique et caractérisation d'architectures de diodes JBS en carbure de silicium." Thesis, Tours, 2015. http://www.theses.fr/2015TOUR4001/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse est consacré à la conception et à la fabrication de diodes JBS en carbure de silicium. Une première partie de ce travail a consisté à concevoir par simulation une protection périphérique de la diode la plus efficace possible en réduisant sa sensibilité à la technologie (charges dans l’oxyde et activation des dopants). L’impact de la géométrie de l’anode de la diode JBS sur le champ électrique maximum sous le contact Schottky en inverse et la résistance série de la diode à l’état passant a été étudié. Une nouvelle architecture de diode JBS, à base de tranchées implantées, a
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Baraton, Laurent. "Fabrication et étude d'une diode moléculaire à résistance différentielle négative greffé sur silicium terminé hydrogène." Paris 11, 2004. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00150238.

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Abstract:
L'industrie de la microélectronique rencontre aujourd'hui des obstacles à la fois économiques et fondamentaux. Dans ce contexte de développement de technologies alternatives, nous avons cherché à développer un composant électronique, utilisable à l'échelle macroscopique, dont l'élément actif est un petit ensemble de molécules. Ce dispositif vertical est composé d'une molécule relativement complexe placée entre une électrode inférieure constituée par un substrat de silicium et un nanotube de carbone jouant le rôle d'électrode supérieure. Pour cela nous avons travaillé dans deux directions. Dans
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6

Nguyen, Thi Hao Nhi. "Broadband mid-infrared integrated electro-optical modulators and photodetectors in SiGe photonic circuits." Electronic Thesis or Diss., université Paris-Saclay, 2024. http://www.theses.fr/2024UPAST108.

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Abstract:
La spectroscopie dans la plage de longueurs d'onde du moyen infrarouge (2-20 µm) est une technique cruciale pour détecter et identifier des substances chimiques et biologiques. Dans ce contexte, les circuits photoniques intégrés à base de silicium (Si) opérant dans cette plage spectrale sont hautement attractifs pour développer des systèmes de spectroscopie moyen infrarouge compacts, qui pourront avoir des applications dans la surveillance environnementale, le diagnostic médical et les communications spatiales. L'intégration de composants photoniques actifs, tels que des modulateurs électro-op
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7

Chevalier, Florian. "Conception, fabrication et caractérisation de transistors à effet de champ haute tension en carbure de silicium et de leur diode associée." Phd thesis, INSA de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01016687.

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Abstract:
Dans le contexte des transports plus électriques, les parties mécaniques tendent à être remplacées par leurs équivalents électriques plus petits. Ainsi, le composant lui-même doit supporter un environnement plus sévère et de lourdes contraintes (haute tension, haute température). Les composants silicium deviennent alors inappropriés. Depuis la commercialisation des premières diodes Schottky en 2001, le carbure de silicium est le matériau reconnu mondialement pour la fabrication de dispositifs haute tension avec une forte intégration. Sa large bande d'énergie interdite et son fort champ électri
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8

Benoist, Thomas. "Conception de protections contre les décharges électrostatiques sur technologie avancée silicium sur isolant." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENT093/document.

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Abstract:
Dans l’industrie de la micro-électronique, les efforts à fournir pour les nouvelles applications développées deviennent de plus en plus contraignants et difficiles à supporter en terme de coût. Les agressions provenant des décharges électrostatiques (ESD) générées par l’environnement direct sur les puces constituent un facteur important de la chute de rendement et donc des coûts. Ces difficultés s’ajoutent aux limites physiques plus strictes pour fabriquer des transistors lorsque l’on aborde des échelles nanométriques. La technologie Silicium sur Isolant (SOI) a été développée afin de contourn
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9

Michez, Alain. "Simulation numérique de la collection des charges induites par un ion lourd dans une diode silicium." Montpellier 2, 1991. http://www.theses.fr/1991MON20168.

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Abstract:
Lorsqu'un ion lourd energetique traverse un dispositif a semi-conducteur, il genere une grande densite de paires electrons-trous le long de sa trace. Les porteurs libres ainsi crees vont perturber le fonctionnement du dispositif, particulierement s'ils se trouvent au voisinage d'une zone de charge d'espace. Nous presentons les techniques numeriques utilisees pour ce type de simulation, puis les resultats de simulation d'ion lourd traversant une jonction pn au silicium que nous comparons aux resultats experimentaux proposes dans la litterature. A l'aide de ces simulations, nous proposons une de
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10

Zhao, Weiwei. "Silizium-Oberwellenmischer für den Mikrowellenbereich." [S.l. : s.n.], 2002. http://www.bsz-bw.de/cgi-bin/xvms.cgi?SWB10277649.

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Books on the topic "Diode en silicium"

1

Vià, Cinzia Da, Gian-Franco Dalla Betta, and Sherwood Parker. Radiation Sensors with 3D Electrodes. Taylor & Francis Group, 2019.

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2

Radiation Sensors with 3D Electrodes. Taylor & Francis Group, 2019.

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3

Parker, Sherwood, Cinzia da Viá, and G. F. Betta. Radiation Sensors with 3D Electrodes. Taylor & Francis Group, 2021.

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4

Vià, Cinzia Da, Gian-Franco Dalla Betta, and Sherwood Parker. Radiation Sensors with 3D Electrodes. Taylor & Francis Group, 2019.

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Vià, Cinzia Da, Gian-Franco Dalla Betta, and Sherwood Parker. Radiation Sensors with 3D Electrodes. Taylor & Francis Group, 2019.

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6

Ultra-Fast Silicon Detectors: Design, Tests, and Performances. Taylor & Francis Group, 2021.

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7

Ferrero, Marco, Roberta Arcidiacono, Marco Mandurrino, Valentina Sola, and Nicol� Cartiglia. Ultra-Fast Silicon Detectors: Design, Tests, and Performances. Taylor & Francis Group, 2021.

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8

Ferrero, Marco, Roberta Arcidiacono, Marco Mandurrino, Valentina Sola, and Nicolò Cartiglia. Ultra Fast Silicon Detectors. Taylor & Francis Group, 2021.

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Ferrero, Marco, Roberta Arcidiacono, Marco Mandurrino, Valentina Sola, and Nicol� Cartiglia. Ultra-Fast Silicon Detectors: Design, Tests, and Performances. Taylor & Francis Group, 2021.

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10

Ultra-Fast Silicon Detectors: Design, Tests, and Performances. Taylor & Francis Group, 2023.

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Book chapters on the topic "Diode en silicium"

1

LACORD, Joris. "Z2FET à zéro ionisation par impact et zéro pente sous le seuil." In Au-delà du CMOS. ISTE Group, 2024. http://dx.doi.org/10.51926/iste.9127.ch4.

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Abstract:
Le Z2FET est un transistor à effet de champ avec « zéro » pente sous le seuil et « zéro » impact ionisation, basé sur une diode partiellement couverte par la grille et polarisée en direct sur silicium sur oxyde. Ce chapitre présente son fonctionnement, sa modélisation, les preuves expérimentales ainsi que la DRAM, les optimisations et d'autres applications potentielles.
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Conference papers on the topic "Diode en silicium"

1

Jimenez, Jorge R., Xiaodong Xiao, James C. Sturm, Paul W. Pellegrini, and Melanie M. Weeks. "Silicide/SiGe Schottky diode infrared detectors." In SPIE's International Symposium on Optical Engineering and Photonics in Aerospace Sensing, edited by Eustace L. Dereniak and Robert E. Sampson. SPIE, 1994. http://dx.doi.org/10.1117/12.179716.

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2

Yuryev, Vladimir A., Kirill V. Chizh, Valery V. Chapnin, and Victor P. Kalinushkin. "Metal silicide/Si thin-film Schottky-diode bolometers." In SPIE Microtechnologies, edited by Ion M. Tiginyanu. SPIE, 2015. http://dx.doi.org/10.1117/12.2178487.

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3

Yates, Kenneth L., and Eustace L. Dereniak. "Avalanche Characteristics Of Silicide Schottky Barrier Diodes." In 1988 Technical Symposium on Optics, Electro-Optics, and Sensors, edited by Solomon Musikant. SPIE, 1988. http://dx.doi.org/10.1117/12.945847.

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Satka, A., R. Srnanek, A. Vincze, D. Donoval, G. Irmer, and J. Kovac. "Investigation of Nickel Silicide Contact Layers for Power Diodes." In 2006 International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/asdam.2006.331175.

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Takahara, Motoki, Tarek M. Mostafa, Ryuji Baba та ін. "Electric properties of carbon-doped n-type β-FeSi2/p-type Si heterojunction diodes". У International Conference and Summer School on Advanced Silicide Technology 2014. Japan Society of Applied Physics, 2015. http://dx.doi.org/10.7567/jjapcp.3.011101.

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6

Mooney, Jonathan M., and Eustace L. Dereniak. "Optimization of the photoyield of platinum silicide Schottky barrier diodes." In OSA Annual Meeting. Optica Publishing Group, 1985. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1985.fr7.

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Abstract:
Measurements of the reflection and transmission in the mid-infrared of varying thicknesses (5400 Å) of platinum silicide films on silicon substrates are presented. The data are used to calculate the absorption and optical constants (n,k) of the thin films; the optical constants are then used to determine the structure of the optical cavity required to optimize the absorption of the metal film. Finally, a model for internal photoemission is combined with the calculated absorption measurements and the structure is reoptimized to determine the cavity structure required for greatest photoyield.
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Onizawa, Yuma, Tomohiro Akiyama, Nobuhiko Hori, Fumitaka Esaka, and Haruhiko Udono. "Observation of pn-junction depth in Mg2Si diodes fabricated by short period thermal annealing." In Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials (APAC Silicide 2016). Japan Society of Applied Physics, 2017. http://dx.doi.org/10.7567/jjapcp.5.011101.

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Huang, Wei, Lichun Zhang, Shudan Zhang, and Juyan Xu. "Thermal stability of Ni(Zr)Si silicide and Ni(Zr)Si/Si Schottky diode." In 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT). IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/icsict.2010.5667530.

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Galkin, Nikolay G., Konstantin N. Galkin, Igor M. Chernev, et al. "Formation and properties of p–i–n diodes based on hydrogenated amorphous silicon with embedded CrSi2, Mg2Si and Ca2Si nanocrystallites for energy conversion applications." In International Conference and Summer School on Advanced Silicide Technology 2014. Japan Society of Applied Physics, 2015. http://dx.doi.org/10.7567/jjapcp.3.011104.

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10

Zhao, Shu-Lan, Yuan J. Li, Jia F. Yu, et al. "New process for improving reverse characteristics of platinum silicide Schottky barrier power diodes." In Shanghai - DL tentative, edited by Shixun Zhou and Yongling Wang. SPIE, 1991. http://dx.doi.org/10.1117/12.47320.

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