Relevant bibliographies by topics / Diode en silicium / Dissertations / Theses
To see the other types of publications on this topic, follow the link: Diode en silicium.

Dissertations / Theses on the topic 'Diode en silicium'

Author: Grafiati
Published: 24 May 2025
Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 50 dissertations / theses for your research on the topic 'Diode en silicium.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse dissertations / theses on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

Baraton, Laurent. "Fabrication et étude d'une diode moléculaire à résistancedifférentielle négative greffée sur silicium terminé hydrogène." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00150238.

Full text
Abstract:
L'électronique moléculaire cherche à exploiter les propriétés de transport des électrons d'une ou d'un petit ensemble de molécules à travers les orbitales frontières. Son développement passe par la réalisation de composés hybrides, alliant des éléments actifs moléculaires à la technologie CMOS actuelle. Le but de ce travail est la réalisation d'un dispositif de ce type dans lequel une monocouche moléculaire complexe constitue le coeur électroactif d'un dispositif vertical. L'électrode inférieure est constituée par le substrat de silicium sur lequel la monocouche est greffée de façon covalente.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Benhammou, Younes. "Développement de SPADs (Single Photon Avalanche Diodes) à cavité de germanium sur silicium en intégration 3D avec une technologie silicium CMOS 40nm." Thesis, Lyon, 2020. http://www.theses.fr/2020LYSEI123.

Full text
Abstract:
Cette thèse porte sur une famille de photo-détecteurs appelés SPAD pour Single Photon Avalanche Diodes qui sont des jonctions PN polarisées en inverse au-delà de la tension de claquage. Les diodes SPADs sont reconnues pour présenter de très bonnes performances en détection de faibles flux lumineux avec une réponse extrême rapide. Afin d’améliorer l’efficacité de détection dans le proche infrarouge de diodes SPAD sur silicium, les objectifs de la thèse sont de concevoir, fabriquer et caractériser une nouvelle génération de photodiodes SPADs dans une technologie CMOS 40nm en intégrant une cavité
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Coyaud, Martin. "Caractérisation Fonctionnelle de Composants en Carbure de Silicium." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2002. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00477631.

Full text
Abstract:
Le Carbure de Silicium, par ses propriétés intrinsèques, offre des perspectives dans le domaine de l'électronique de puissance à même de supplanter le Silicium aujourd'hui sollicité à ses limites. En particulier, le Carbure de Silicium (SiC) permet la réalisation de diodes réunissant la technologie Schottky et supportant une haute tension. Après avoir resitué la filière du SiC dans son contexte, on présente dans ce travail les éléments de physique du semiconducteurappliqués à la diode Schottky SiC et justifiant les propriétés et le dimensionnement du composant. Le comportement électrique stati
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Biscarrat, Jérôme. "Design, intégration technologique et caractérisation d'architectures de diodes JBS en carbure de silicium." Thesis, Tours, 2015. http://www.theses.fr/2015TOUR4001/document.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse est consacré à la conception et à la fabrication de diodes JBS en carbure de silicium. Une première partie de ce travail a consisté à concevoir par simulation une protection périphérique de la diode la plus efficace possible en réduisant sa sensibilité à la technologie (charges dans l’oxyde et activation des dopants). L’impact de la géométrie de l’anode de la diode JBS sur le champ électrique maximum sous le contact Schottky en inverse et la résistance série de la diode à l’état passant a été étudié. Une nouvelle architecture de diode JBS, à base de tranchées implantées, a
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Baraton, Laurent. "Fabrication et étude d'une diode moléculaire à résistance différentielle négative greffé sur silicium terminé hydrogène." Paris 11, 2004. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00150238.

Full text
Abstract:
L'industrie de la microélectronique rencontre aujourd'hui des obstacles à la fois économiques et fondamentaux. Dans ce contexte de développement de technologies alternatives, nous avons cherché à développer un composant électronique, utilisable à l'échelle macroscopique, dont l'élément actif est un petit ensemble de molécules. Ce dispositif vertical est composé d'une molécule relativement complexe placée entre une électrode inférieure constituée par un substrat de silicium et un nanotube de carbone jouant le rôle d'électrode supérieure. Pour cela nous avons travaillé dans deux directions. Dans
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Nguyen, Thi Hao Nhi. "Broadband mid-infrared integrated electro-optical modulators and photodetectors in SiGe photonic circuits." Electronic Thesis or Diss., université Paris-Saclay, 2024. http://www.theses.fr/2024UPAST108.

Full text
Abstract:
La spectroscopie dans la plage de longueurs d'onde du moyen infrarouge (2-20 µm) est une technique cruciale pour détecter et identifier des substances chimiques et biologiques. Dans ce contexte, les circuits photoniques intégrés à base de silicium (Si) opérant dans cette plage spectrale sont hautement attractifs pour développer des systèmes de spectroscopie moyen infrarouge compacts, qui pourront avoir des applications dans la surveillance environnementale, le diagnostic médical et les communications spatiales. L'intégration de composants photoniques actifs, tels que des modulateurs électro-op
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Chevalier, Florian. "Conception, fabrication et caractérisation de transistors à effet de champ haute tension en carbure de silicium et de leur diode associée." Phd thesis, INSA de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01016687.

Full text
Abstract:
Dans le contexte des transports plus électriques, les parties mécaniques tendent à être remplacées par leurs équivalents électriques plus petits. Ainsi, le composant lui-même doit supporter un environnement plus sévère et de lourdes contraintes (haute tension, haute température). Les composants silicium deviennent alors inappropriés. Depuis la commercialisation des premières diodes Schottky en 2001, le carbure de silicium est le matériau reconnu mondialement pour la fabrication de dispositifs haute tension avec une forte intégration. Sa large bande d'énergie interdite et son fort champ électri
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Benoist, Thomas. "Conception de protections contre les décharges électrostatiques sur technologie avancée silicium sur isolant." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENT093/document.

Full text
Abstract:
Dans l’industrie de la micro-électronique, les efforts à fournir pour les nouvelles applications développées deviennent de plus en plus contraignants et difficiles à supporter en terme de coût. Les agressions provenant des décharges électrostatiques (ESD) générées par l’environnement direct sur les puces constituent un facteur important de la chute de rendement et donc des coûts. Ces difficultés s’ajoutent aux limites physiques plus strictes pour fabriquer des transistors lorsque l’on aborde des échelles nanométriques. La technologie Silicium sur Isolant (SOI) a été développée afin de contourn
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Michez, Alain. "Simulation numérique de la collection des charges induites par un ion lourd dans une diode silicium." Montpellier 2, 1991. http://www.theses.fr/1991MON20168.

Full text
Abstract:
Lorsqu'un ion lourd energetique traverse un dispositif a semi-conducteur, il genere une grande densite de paires electrons-trous le long de sa trace. Les porteurs libres ainsi crees vont perturber le fonctionnement du dispositif, particulierement s'ils se trouvent au voisinage d'une zone de charge d'espace. Nous presentons les techniques numeriques utilisees pour ce type de simulation, puis les resultats de simulation d'ion lourd traversant une jonction pn au silicium que nous comparons aux resultats experimentaux proposes dans la litterature. A l'aide de ces simulations, nous proposons une de
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Zhao, Weiwei. "Silizium-Oberwellenmischer für den Mikrowellenbereich." [S.l. : s.n.], 2002. http://www.bsz-bw.de/cgi-bin/xvms.cgi?SWB10277649.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
11

Ovalle, Taylor David Alexander. "Contribution au développement de mélangeur sous-harmonique au-delà de 200 GHz sur silicium visant des applications haut-débit." Electronic Thesis or Diss., Université Côte d'Azur, 2024. http://www.theses.fr/2024COAZ5010.

Full text
Abstract:
Aujourd'hui, le nombre d'appareils électroniques connectés fait face à une croissance exponentiel motivé par la demande constante d'utilisateurs pour plus de mobilité, donnant lieu à une croissance du trafic de débit de données global. C'est pourquoi l'amélioration de la connectivité sans-fils est cruciale pour appuyer les débits de donnés nécessaires pour les applications émergentes. En conséquence, le standard IEEE 802.15.3d a fixé une bande continue entre 253-321 GHz pour supporter la future technologie 6G, en attendant des transmissions de débits de donnés élevés à faible consommation par
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
12

Rocheman, Simon. "Validation expérimentale des outils de simulation des réactions nucléaires induites par les neutrons et les protons dans le silicium : irradiation d'une diode silicium et d'une caméra CCD." Montpellier 2, 2008. http://www.theses.fr/2008MON20241.

Full text
Abstract:
L'environnement spatial est un environnement radiatif principalement composé de protons. En plus de représenter un danger pour l'électronique, ces particules sont à l'origine de neutrons secondaires dans l'atmosphère. Lorsqu'elles traversent la matière, ces protons et ces neutrons peuvent provoquer des réactions nucléaires et ainsi créer des particules ionisantes. Par ce biais, les réactions nucléaires induites avec le silicium des composants électroniques peuvent provoquer des dysfonctionnements. Ces erreurs posent de réels problèmes dans les applications avioniques et spatiales. Des outils d
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
13

Kubica, Romain. "Etude de diodes SOI verticales pour la détection LWIR." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2025. http://www.theses.fr/2025GRALT001.

Full text
Abstract:
Le sujet de la thèse concerne les imageurs infrarouge non refroidis. Plus particulièrementcelui-ci repose sur l’étude des microbolomètres, des détecteurs thermiques fonctionnantdans la bande LWIR (Long Wavelength InfraRed) entre 8 μm et 14 μm.Au cours des dernières années, le marché des microbolomètres s’est accru dans différentssecteurs industriels (automobile, spatial, surveillance) induisant ainsi des besoinspour une production à grande échelle et à faible coût. Contrairement aux filières classiquesde microbolomètres, qui utilisent des thermistances à base d’oxydes métalliques tels quedes o
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
14

Jean, Frédérique. "Diodes électroluminescentes organiques à microcavités résonnantes compatibles CMOS." Phd thesis, Université de Bretagne occidentale - Brest, 2002. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00002144.

Full text
Abstract:
Le but de ce travail est d'étudier la possibilité d'intégrer à faible coût des sources optiques dans les circuits électroniques. Les matériaux organiques apparaissent comme de bons candidats car il est aisé de les déposer sur toutes sortes de substrats et certains matériaux électroluminescents ont un très bon rendement. Les diodes électroluminescentes organiques (OLEDs) ont une émission très large, tant sur le plan spectral que sur le plan angulaire, ce qui en fait des composants peu adaptés à la réalisation d'interconnexions optiques. Nous avons donc travaillé sur des OLEDs à microcavités rés
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
15

Fournol, Adrien. "Détecteurs TéraHertz haute performance pour l’imagerie passive." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT036.

Full text
Abstract:
L’imagerie en bande sub-TéraHertz (sub-THz) a de nombreuses applications et notamment pour la sécurité avec la détection d’objets dissimulés par des obscurants (vêtements, emballages), ou la vision en atmosphère opaque (sable, poussière). Réaliser une imagerie en mode passif de ces scènes, avec des détecteurs intégrables en grands plans focaux, aurait pour avantage une réduction de coût et d’encombrement par rapport aux solutions actuelles. Cela nécessite des détecteurs avec une Puissance Minimale Détectable (MDP) inférieure au picoWatt (pW). Cette thèse présente un microbolomètre avec une abs
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
16

Valentin, François. "Optimisation du silicium amorphe hydrogéné préparé par décharge luminescente à basse fréquence pour l'utilisation dans divers dispositifs de type diode Schottky." Grenoble 1, 1987. http://www.theses.fr/1987GRE10173.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
17

Valentin, François. "Optimisation du silicium amorphe hydrogène préparé par décharge luminescente à basse fréquence pour l'utilisation dans divers dispositifs de type diode Schottky." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37610451k.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
18

Oheix, Thomas. "Réalisation de dopages localises de type N ET P pour protections périphériques pour diodes de puissance en GaN épitaxié sur Si." Thesis, Tours, 2015. http://www.theses.fr/2015TOUR4024.

Full text
Abstract:
Ces dernières années, la consommation énergétique n’a cessé de s’accroitre. Pour contrer cela, les systèmes de conversion électrique se doivent d’être plus performants, d’améliorer les rendements tout en limitant l’encombrement des systèmes, réduisant ainsi les matières premières utilisées. Parmi les systèmes de conversion efficaces, le correcteur du facteur de puissance et sa diode "boost" assurent un rendement de conversion d’environ 95 %. Ces travaux de thèse s’intéressent à la réalisation de ce type de diode en utilisant un matériau différent du traditionnel silicium, le nitrure de gallium
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
19

Phulpin, Tanguy. "Contribution à l'analyse des mécanismes de défaillance lors de décharges électrostatiques et de radiations aux ions lourds de composants MESFET en carbure de silicium." Thesis, Toulouse 3, 2017. http://www.theses.fr/2017TOU30049/document.

Full text
Abstract:
La gestion de l'énergie électrique est au cœur des enjeux environnementaux. L'éclosion de semi-conducteurs à grand gap comme le carbure de silicium (SiC) permet la réalisation de composants aux performances supérieures à celles des composants en silicium pour l'électronique de puissance. Toutefois, le comportement de ces dispositifs lors de décharges électrostatiques (ESD) ou lors de radiations est mal connu et nécessite des études spécifiques. Dans ces travaux, plusieurs composants MESFET SiC ont ainsi été testés face aux ESD et l'étude des mécanismes de défaillance a montré soit la défaillan
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
20

Felsl, Hans Peter. "Silizium- und SiC-Leistungsdioden unter besonderer Berücksichtigung von elektrisch-thermischen Kopplungseffekten und nichtlinearer Dynamik." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2010. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-200902077.

Full text
Abstract:
Diese Arbeit befasst sich mit Hochleistungsdioden aus den Halbleitermaterialen Silizium und Siliziumkarbid. Analysiert werden die statischen und dynamischen Schalteigenschaften. Bei den SiC-Bauelementen handelt es sich um unipolare Schottky-Dioden und bei den Silizium-Dioden um bipolare pin-Dioden. Bei den SiC-Schottky-Dioden liegt der Schwerpunkt auf der Analyse des statischen Durchbruchverhaltens von Randstrukturen und auf der Untersuchung der Selbsterwärmung bei Einzel- und Mehrpulsbelastung. Bei den bipolaren Silizium-Dioden wird das Durchbruchverhalten bei niedrigen und hohen Stromdichte
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
21

Becerra, Loic. "Hétérostructures et disponibles microélectriques à base d'oxydes High-k : Préparés sur silicium par EJM." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2008. http://www.theses.fr/2008ECDL0036.

Full text
Abstract:
Depuis 40 ans, l’industrie microélectronique s’est développée en exploitant la technologie CMOS silicium et en se livrant à une course effrénée vers la miniaturisation des dispositifs. Cette miniaturisation est de plus en plus limitée par l’apparition de phénomènes quantiques. Ainsi, désormais beaucoup trop fine pour autoriser des densités de courants de fuite acceptables au bon fonctionnement des transistors MOSFET, la traditionnelle couche isolante de grille SiO2-SiOxNy s’est vue détrônée au profit des oxydes high-κ qui, à structure capacitive équivalente, présentent une épaisseur physique p
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
22

Jousse, Didier. "Contribution à l'étude des états localisés et du dopage du silicium amorphe hydrogéné." Grenoble 1, 1986. http://www.theses.fr/1986GRE10123.

Full text
Abstract:
Etude par photodeflection thermique, resonance paramagnetique electronique, absorption optique et mesures de la photoconductivite et de capacite de diode schottky. Identification de defauts diamagnetiques, associes a la presence de microcavites et des liaisons disponibles comme defauts principaux dans a-si:h non dope, les liaisons disponibles devenant dominantes dans le cas de dopage par b ou as; mise en evidence d'un elargissement de la queue de bande de valence pour des rapports dopant/silicium superieurs a 0,1%at; signature des niveaux de la liaison disponible
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
23

Koukos, Konstantinos. "Vers les sources optiques compatibles CMOS : corrélation entre élaboration et propriétés des nanocristaux de Si par LPCVD." Toulouse 3, 2009. http://thesesups.ups-tlse.fr/858/.

Full text
Abstract:
Les systèmes sur puce comportant des fonctions optiques ont un vif intérêt pour les futures générations de systèmes embarqués, les telecommunications, l'instrumentation. La faisabilité d'une source silicium compatible avec la technologie CMOS reste à ce jour un verrou majeur pour ouvrir la voie à des systèmes optoélectroniques intégrés. L'utilisation des nanocristaux de silicium dans une matrice de SiO2 est actuellement une voie prometteuse visant à lever ce verrou. L'objectif de cette thèse est d'étudier la faisabilité de sources émettant dans le visible/proche infrarouge à base de nanocrista
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
24

Neplokh, Vladimir. "Développement et application de la technique analytique de courant induit par faisceau d’électrons pour la caractérisation des dispositifs à base de nanofils de nitrure de gallium et de silicium." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016SACLS427/document.

Full text
Abstract:
In this thesis I present a study of nanowires, and, in particular, I apply EBIC microscopy for investigation of their electro-optical properties. First, I describe details of the EBIC analytical technique together with a brief historical overview of the electron microscopy, the physical principles of the EBIC, its space resolution, parameters defining the signal amplitude, and the information we can acquire concerning defects, electric fields, etc. Then I focus on the characterization of LEDs based on GaN nanowires, which were analyzed in a cross-section and in a top view configurations. The E
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
25

Kleider, Jean-Paul. "Etude des centres profonds du silicium amorphe hydrogène a-Si:H par des mesures d'admittances de diodes Schottky : caractérisation d'interfaces SI::(X)-N::(1-X):H/A-SI:H sur des structures MIS." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066015.

Full text
Abstract:
DDétermination des caractéristiques du silicium amorphe hydrogène par mesure et analyse des admittances de diodes Schottky fournies sur ce matériau: densité d'états en-dessous et au niveau de fermi avec section de capture efficace des électrons et énergie d'activation du matériel.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
26

Gidel, Vincent. "Contribution à la modélisation RF de diode Schottky intégrée en Technologie BiCMOS 55 nm et visant des applications sub-THz." Thesis, Université Côte d'Azur, 2020. http://www.theses.fr/2020COAZ4088.

Full text
Abstract:
Dans un monde qui doit faire face aux défis de la mobilité et de la sécurité, le besoin croissant d’applications adaptées aux nouveaux modes de vie a fait émerger de nouveaux marchés technologiques. L’enjeu réside à la fois dans l’augmentation du trafic mondial de données mobiles ainsi que dans la conception de systèmes de détection LiDAR plus efficients. Cette tendance duale a motivé de nombreux travaux de recherche en bande millimétrique afin de développer de circuits toujours plus performants. Les recherches scientifiques présentées dans cette thèse s’inscrivent dans ce sens. La première pa
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
27

Huang, Runhua. "Conception, suivi de fabrication et caractérisation électrique de composants haute tension en SiC." Phd thesis, INSA de Lyon, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00708553.

Full text
Abstract:
Les composants actifs en électronique de puissance sont principalement à base de Silicium. Or, le silicium a des limites en termes de température d'utilisation, fréquence de commutation et de tenue en tension. Une alternative au Si peut être les semi-conducteurs à grand gap tels que le SiC-4H. Grâce aux travaux de plusieurs équipes de chercheurs dans le monde, les performances s'améliorent d'année en année. Le laboratoire AMPERE conçoit, réalise et caractérise des composants de puissance en SiC-4 H. Cette thèse s'inscrit dans les projets SiCHT2 et VHVD du laboratoire. Le travail réalisé au cou
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
28

Lee, Kyunghwa. "Etude des dispositifs à dopage électrostatique et des applications dans les technologies FD-SOI." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAT041.

Full text
Abstract:
La récente technologie Fully Depleted SOI (FD-SOI) est une excellente alternative à la technologie conventionnelle CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductorqui a mené le développement incessont des circuits intégrés. FD-SOI offre une faible consommation d'énergie et un contrôle électrostatique amélioré pour les transistors MOS, même dans les nœuds très avancés (14 et 28 nm). En raison de leurs dimensions nanométriques, aussi bien en épaisseur qu’en longueur, les transistors FD-SOI présentent des mécanismes de fonctionnement et des caractéristiques très spécifiques. L’état de l’art du FD-SO
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
29

Serghir, Hachemi. "Contribution au développement des techniques de caractérisation électrique des matériaux et des dispositifs silicium sur isolant." Grenoble INPG, 1995. http://www.theses.fr/1995INPG0151.

Full text
Abstract:
Ce memoire est consacre a la caracterisation et a la modelisation des materiaux et des dispositifs silicium sur isolant (soi). Dans le premier chapitre, nous presentons les differentes technologies des substrats soi et leur interet pour la microelectronique. Nous rappelons ensuite les phenomenes specifiques des transistors mos fabriques sur ces substrats. Le deuxieme chapitre est consacre a la modelisation et a la caracterisation d'un pseudo-transistor mos realise sur un substrat simox. Le grand nombre de parametres electriques et technologiques determine est suffisant pour l'optimisation du m
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
30

Nobis, Frank. "Charakterisierung von a-Si:H/c-Si-Heterokontakten und dünnen Schichten aus hydrogenisiertem amorphem Silizium, hergestellt mittels gepulstem DC-Magnetronsputtern." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2013. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-127840.

Full text
Abstract:
Dünne Schichten aus hydrogenisiertem amorphem Silizium a-Si:H spielen für die Photovoltaik eine wichtige Rolle. Einerseits kommt für die Dünnschicht-Photovoltaik unterschiedlich dotiertes a-Si:H in den Schichten einer p-i-n-Solarzelle zur Anwendung, andererseits stellen Heterokontakt-Solarzellen aus amorphem und kristallinem Silizium (a-Si:H/c-Si) wegen ihres hohen Wirkungsgrades derzeit ein sehr aktuelles Forschungsthema dar. Die Abscheidung der a-Si:H-Schichten im Rahmen dieser Arbeit erfolgt mit der Methode des Magnetronsputterns (Kathodenzerstäubung). Dieses für die in-line-Beschic
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
31

Chriqui, Yves. "Intégration monolithique sur silicium d'émetteurs de lumière à base de GaAs par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques sur pseudo-substrat de Ge/Si." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008758.

Full text
Abstract:
L'intégration monolithique de GaAs sur Si permettrait la réalisation de sources de lumière sur Si pour des applications notamment dans les interconnexions optiques ou les cellules solaires à haut rendement et faible coût. Toutefois, les différences intrinsèques entre les deux matériaux conduisent à l'apparition de défauts dans la couche de GaAs (dislocations, fissures, parois d'inversion). Nous démontrons que l'utilisation de pseudo-substrats, constitués d'une couche tampon de Ge sur un substrat de Si, combinée à l'insertion d'un super-réseau par épitaxie par couche atomique (ALE) en début de
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
32

Berthou, Maxime. "Implementation of high voltage Silicon Carbide rectifiers and switches." Phd thesis, INSA de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00770661.

Full text
Abstract:
In this document, we present ou study about the conception and realization of VMOS and Schottky and JBS Diodes on Silicon Carbide. This work allowed us optimize and fabricate diodes using Tungsten as Schottky barrier on both Schottky and JBS diodes of different blocking capability between 1.2kV and 9kV. Moreover, our study of the VMOS, by considering the overall fabrication process, has permitted to identify the totality of the problems we are facing. Thusly we could ameliorate the devices and try new designs as the VIEMOS or the monolithic integration of temperature and current sensors.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
33

Baumann, Jens. "Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2004. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200400653.

Full text
Abstract:
Summary (english): The thesis investigates the potential of thin films of Ta, Ti and W and their nitrides to suppress copper induced interactions in the contact area to silicon. Possible interactions between Cu and gaseos or solid materials within preparation and lifetime of an integrated circuit are summarized. The degradation mechanisms to be expected are the solution of Cu in Si and the formation of Cu3Si. Thin conductive diffusion barriiers are needed to suppress this mechanisms. The requirements on these barriers are discussed. The most important criterion, their resistivity, is determine
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
34

Nguyen, Tran-Thuat. "Synthèse et contrôle de la taille de nanocristaux de silicium par plasma froid. Application dans les domaines de l'optoélectronique et de la nanoélectronique." Phd thesis, Ecole Polytechnique X, 2008. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00504166/en/.

Full text
Abstract:
Dans cette thèse nous avons montré que l'on peut on peut synthétiser des nanocristaux de silicium en utilisant des plasmas pulsés de silane dilué dans l'hydrogène. Dans nos conditions de dépôt, en changeant le temps de croissance entre 100 msec et 1 seconde, nous avons pu contrôler la taille des nanocristaux (de 4 nm à 12 nm). A partir de la mesure de la taille des nanocristaux sur les images MET, nous avons pu calculer la vitesse de croissance radiale. Cette vitesse est proportionnelle à la pression partielle de silane dans le mélange gazeux. Nous avons également montré le rôle important de l
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
35

Pestana, Ricardo. "Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P." Universidade de São Paulo, 2006. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/.

Full text
Abstract:
Este trabalho apresenta a fabricação e a caracterização elétrica de contatos Al/Ti/Ni(Pt)Si sobre junções rasas N+P com aproximadamente 0,2 ìm de profundidade, sendo que o monosiliceto de níquel foi formado a partir da estrutura Ni(30nm)/Pt(1,5nm)/Si. O comportamento elétrico dos diodos obtidos no melhor processo foi adequado, com as seguintes médias e desvios padrões: corrente reversa por unidade de área de 33,8nA/cm2 ±12,3 nA/cm2 e corrente reversa por unidade de perímetro de 654pA/cm ±229pA/cm para tensão reversa de -5V, a resistência reversa dos diodos quadrados de 268,9G? ±97,7G? e a resi
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
36

Baumann, Jens. "Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen." Doctoral thesis, 3-8322-2532-3, 1995. https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A18149.

Full text
Abstract:
Summary (english): The thesis investigates the potential of thin films of Ta, Ti and W and their nitrides to suppress copper induced interactions in the contact area to silicon. Possible interactions between Cu and gaseos or solid materials within preparation and lifetime of an integrated circuit are summarized. The degradation mechanisms to be expected are the solution of Cu in Si and the formation of Cu3Si. Thin conductive diffusion barriiers are needed to suppress this mechanisms. The requirements on these barriers are discussed. The most important criterion, their resistivity, is d
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
37

Boutry, Arthur. "Theoretical and experimental evaluation of the Integrated gate-commutated thyristor (IGCT) as a switch for Modular Multi Level Converters (MMC)." Thesis, Lyon, 2021. http://www.theses.fr/2021LYSEI095.

Full text
Abstract:
Une étude sur la réduction/suppression de l'inductance de limitation di/dt pour IGCTs et du clamp RCD en utilisant des diodes rapides en silicium (Si) et des diodes en carbure de silicium (SiC) dans les convertisseurs multiniveaux modulaires (MMC). Cette thèse contient :- Analyse des sous-modules de MMC HVDC existants.- Évaluation de l'intérêt des IGCTs dans les sous-modules MMC HVDC et comparaison des pertes avec les IGBT, en utilisant des facteurs de mérite spécifiques aux MMC créés dans cette thèse.- Test de double pulse avec diode à récupération rapide dans un module plastique pour tenter
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
38

Baumann, Jens. "Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen." Aachen Shaker, 2004. http://archiv.tu-chemnitz.de/pub/2004/0072.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
39

Abachi, Tahar. "Diodes schottky sur silicium amorphe hydrogene : caracterisations, densite d'etats localises." Nantes, 1987. http://www.theses.fr/1987NANT2006.

Full text
Abstract:
Des couches minces de silicium amorphe hydrogene deposees par decharge plasma ont ete caracterisees par mesures d'absorptions optique, ir, de spectroscopie d'electrons (esca xps), de resistivite et de pouvoir thermoelectrique ainsi que par etude de diodes schottky
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
40

Abachi, Tahar. "Diodes Schottky sur silicium amorphe hydrogéné caractérisations, densité d'états localisés /." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37602044g.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
41

Bazin, Anne-Elisabeth. "Conception de diodes Schottky sur 3C- SiC épitaxié sur silicium." Thesis, Tours, 2009. http://www.theses.fr/2009TOUR4002/document.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse est consacré à la réalisation d’une diode Schottky de puissance sur 3C-SiC épitaxié sur silicium. La majeure partie de ce travail a donc consisté à étudier la réalisation du contact ohmique. Pour cela, plusieurs métaux ont été étudiés et caractérisés électriquement à l’aide de motifs TLM. Parmi ces métaux, l’empilement Ti-Ni a montré de bons résultats de résistance spécifique de contact (autour de 10-5 O.cm²) à la fois sur des couches dopées in situ et implantées (azote ou phosphore). Cette étude électrique a été complétée par une analyse physique des couches. La réalisatio
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
42

Monflier, Richard. "Etude des défauts induits par recuit laser excimère dans le silicium." Thesis, Toulouse 3, 2019. http://www.theses.fr/2019TOU30067.

Full text
Abstract:
La micro-électronique est un domaine exigeant, en constante évolution, motivé par le secteur applicatif et les besoins des utilisateurs. La réalisation de jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la poursuite de son évolution, et notamment pour son composant de base, le transistor MOS. Dans ce contexte, de nouvelles techniques de dopage permettant d'obtenir des jonctions ultra-minces ont été développées. Le recuit par laser nanoseconde (LTA) en mode " melt " est une de ces techniques. En effet, il permet une très forte activation locale (en surface et en profondeur)
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
43

Yates, Kenneth Lee 1959. "Avalanche characteristics of silicide Schottky barrier diodes." Thesis, The University of Arizona, 1987. http://hdl.handle.net/10150/276634.

Full text
Abstract:
This thesis investigates the use of an avalanche Platinum Silicide (PtSi) Schottky Barrier Diode as a detector in fiber optic communication systems for the 1.3 to 1.5 mum spectral region. The avalanche process is used to amplify the signal prior to electrical interfacing in order to enhance the signal-to-noise ratio. The amount of multiplication is predicted by the impact ionization coefficients for electrons and holes, alpha and beta, respectively. By using PtSi Schottky diodes, where alpha > beta, pure electron injection can be accomplished by irradiating with photons of energy psi hnu Eg
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
44

Ortolland, Sylvie. "Etude de la tenue en tension de composants de puissance en carbure de silicium." Lyon, INSA, 1997. http://www.theses.fr/1997ISAL0055.

Full text
Abstract:
L'objet de la thèse est d'étudier la tenue en tension de diodes de puissance, bipolaires et Schottky, réalisées sur des substrats en carbure de silicium de poly type SiC-6H. Ces diodes possèdent une protection périphérique de type MESA ou plane avec une extension latérale de jonction encore appelée JTE dont les caractéristiques ont été optimisées par simulation grâce au logiciel Medici. Les performances électriques de ces diodes ainsi que leurs limitations liées à la qualité cristalline du matériau ou à des contraintes technologiques ont été étudiées. Nous avons ainsi testé des structures MESA
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
45

Ernst, Thomas. "Etude des structures MOSFET avancées sur SOI pour les applications basse consommation." Grenoble INPG, 2000. http://www.theses.fr/2000INPG0118.

Full text
Abstract:
Cette etude, a but prospectif, s'attache a concevoir et comparer differentes architectures mosfet dans la perspective d'applications basse tension et basse puissance. Un premier chapitre introductif met en evidence les enjeux de ces applications ainsi que les proprietes essentielles des materiaux et des structures mos soi. Dans le deuxieme chapitre, nous proposons un modele inedit du courant de recombinaison dans les diodes pin a simple et double grille, pouvant etre introduit sous une forme compacte dans les simulateurs de dispositifs, ou utilise en caracterisation fine de la qualite des inte
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
46

Risaletto, Damien. "Caractérisation électrique en commutation de diodes haute tension en carbure de silicium." Lyon, INSA, 2007. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2007ISAL0026/these.pdf.

Full text
Abstract:
Les systèmes intégrés de puissance sont de plus en plus utilisés. Cette technologie rend coûteux le prototypage itératif, c'est pourquoi il est nécessaire de recourir à la simulation des convertisseurs. Pour cela il est nécessaire de modéliser les composants du système. Dans le cadre du GdR "Intégration des systèmes de Puissance à 3 Dimensions", le laboratoire AMPERE a réalisé des diodes PIN en SiC de calibre 4,8kV. La caractérisation statique et en commutation de ces diodes permet de connaître leurs performances et extraire les paramètres technologiques utilisés dans leur modèle : WB, ND, τ e
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
47

Risaletto, Damien Morel Hervé Raynaud Christophe. "Caractérisation électrique en commutation de diodes haute tension en carbure de silicium." Villeurbanne : Doc'INSA, 2008. http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=risaletto.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
48

Feltin, Eric. "Hétéro-épitaxie de Nitrure de Gallium sur substrat de silicium (111) et applications." Nice, 2003. http://www.theses.fr/2003NICE4075.

Full text
Abstract:
Le travail présenté dans ce mémoire concerne l’hétéro-épitaxie de nitrure de galium sur substrat de silicium (111) par Epitaxie en Phase Vapeur d’OrganoMatalliques pour les applications optoélectroniques associées aux nitrures d’éléments III. Les fortes contraintes biaxiales en tension, issues de l’hétéro-épitaxie sur silicium, mènent à la fissuration des couches de GaN. Les diverses études (expérimentales et théoriques) des contraintes intrinsèque et thermique présentes dans GaN apportent une meilleure compréhension de la croissance de GaN sur Si (111), mais permettent aussi de mieux cerner l
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
49

Gay, Henquinet Nathalie. "Détection, caractérisation électrique et élimination de défauts dans le silicium. Application à la tenue en tension de diodes PN." Aix-Marseille 3, 1997. http://www.theses.fr/1997AIX30127.

Full text
Abstract:
Des plaquettes de silicium f. Z. Soumises a des traitements a temperature elevee et de longue duree ont ete etudiees. Ces traitements etaient necessaires a la preparation de diodes haute tension pouvant supporter au moins 2kv. Les traitements infliges au materiau sont : des implantations de dopants, des oxydations, des recuits sous oxygene ou azote a des temperatures voisines de 1100c pendant des durees de l'ordre de 5 h voire 100 h. La fabrication de ces diodes a ete suivie etape par etape. Les traitements prolonges a haute temperature sous azote sont nocifs. L'azote diffuse vite sous forme d
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
50

Gamal, Salah. "Etude et modélisation du comportement électrique des diodes de puissance en haute température." Lyon, INSA, 1992. http://www.theses.fr/1992ISAL0023.

Full text
Abstract:
Ce mémoire est consacré à l'étude des diodes de puissance à haute température afin de dégager les limitations réelles de l'augmentation de la température maximale de jonction dans ces dispositifs. Des analyses théoriques et expérimentales et des interprétations du comportement des diodes en silicium à haute température sont effectuées. Une méthode originale pour déterminer la durée de vie des porteurs libres dans la zone centrale des diodes de type PIN est proposée. Finalement, une comparaison entre deux diodes assez semblables en silicium et en carbure de silicium, ainsi qu'une estimation des
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the bibliographies on the topic 'Diode en silicium' for other source types:
Journal articles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography