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Dissertations / Theses on the topic 'Diodes à barrière de Schottky – Propriétés thermiques'

Author: Grafiati
Published: 15 June 2024
Last updated: 31 July 2025

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1

Pompidou, Quentin. "Effets électriques sur les conductances thermique d’interface métal/semiconducteur." Electronic Thesis or Diss., Reims, 2025. http://www.theses.fr/2025REIMS003.

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Abstract:
Depuis des décennies, les pertes de chaleurs sont devenues d'une importance capitale pour la production d'énergie. Avec la demande croissante, les industriels ont fait naître le besoin pour de nouvelles technologies contre ces pertes. Un des acteurs principaux est l'industrie du semi-conducteur. En effet, leurs produits sont plus complexes qu'ils ne l'étaient par le passé, afin de permettre des opérations d'avantage sophistiquées. Aujourd'hui, ces composants électriques sont des hétérostructures composées de nombreux éléments à l'échelle nanométrique et d'une grande densité d'interfaces. Cela
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2

Tang, Xiao. "Optimisation théorique et expérimentale de composants hyperfréquences de la filière nitrure de gallium à partir d’études physico-thermiques et électriques." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10004/document.

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Abstract:
Le travail de thèse consiste à étudier des composants de la filière nitrure de gallium à partir d’études électriques et d’un modèle physico-thermique. Les dispositifs de cette filière sont très prometteurs pour des applications de puissance en hyperfréquence. Cependant, leurs performances électriques sont limitées par deux causes principales : La première cause est liée à la réalisation des contacts. Dans ce travail, nous avons étudié des contacts Schottky TiN sur hétérostructures AlGaN/GaN sur substrats Si (111) réalisés par pulvérisation magnétron. Une analyse détaillée des paramètres obtenu
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3

Bouillaud, Hugo. "Fabrication et optimisation des caractéristiques thermiques de diodes Schottky de la filière GaAs et reportées sur SiHR pour des applications de multiplication de fréquences." Electronic Thesis or Diss., Université de Lille (2022-....), 2023. http://www.theses.fr/2023ULILN043.

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Abstract:
Les besoins exponentiels liés aux applications exploitant le domaine THz nécessitent d'accroitre l'éventail des sources disponibles et d'optimiser leur fabrication. Dans ce travail de thèse, nous nous sommes intéressés aux diodes schottky en vue de la réalisation de multiplicateurs de fréquences. Notre travail de recherche expérimental a consisté en l'optimisation des caractéristiques de diodes schottky de filière GaAs, par le développement et la mise en œuvre d'un procédé de fabrication innovant. Dans un premier temps, nous avons réalisé des diodes schottky GaAs sur substrat GaAs de différent
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4

Prévot, Jean-Louis. "Relation entre propriétés électriques et adhésives des interfaces polyoléfine-métal." Mulhouse, 1988. http://www.theses.fr/1988MULH0099.

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Abstract:
L'adhésion entre aluminium et polyoléfines (emballage) est obtenue par fusion sous pression de la polyoléfine au contact du métal. L'examen du comportement électrique de l'interface polymère-métal (intensité-potentiel en courant continu) montre une bonne corrélation entre les propriétés électriques et adhésives. Un modèle de l'interface polymère-métal, associant une barrière de Schottky et une charge d'espace, modulée en fonction des propriétés adhésives est proposé
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5

Meva'a, Charles Simon. "Caractérisation électrique du matériau AlInAs élaboré par épitaxie par jets moléculaires à basse température." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1996. http://www.theses.fr/1996ECDL0056.

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Abstract:
L'objectif de ce travail est l'etude des proprietes electriques du materiau alinas elabore par epitaxie par jets moleculaires a basse temperature de croissance (< 500c). Il s'agit en particulier d'identifier les niveaux de defauts presents dans le materiau, de determiner la nature et l'origine de ces defauts, ainsi que leur influence sur le comportement electrique d'un composant simple, la diode schottky/alinas. Pour caracteriser le materiau, nous avons utilise trois methodes de mesures: les mesures de courant en fonction de la temperature, les mesures de bruit basse frequence (bbf), et les me
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6

Lajaunie, Luc. "Influence de la préparation de surface sur les propriétés physiques des contacts à base Cobalt sur n-Ge." Poitiers, 2009. http://theses.edel.univ-poitiers.fr/theses/2009/Lajaunie-Luc/2009-Lajaunie-Luc-These.pdf.

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Abstract:
L'influence de différentes méthodes de préparation de surface sur la microstructure et les propriétés électriques des contacts à base Co sur n-Ge a été étudiée. Il a été montré que les nettoyages thermiques s'accompagnent de la diffusion d'impuretés métalliques dans le substrat. Lors du recuit, ces impuretés sont piégées par la formation des germaniures de cobalt. Un nettoyage à 700°C ou une attaque au HF permettent d'éliminer l'oxyde de germanium natif à l'interface M/SC, contrairement à un nettoyage thermique à 400°C qui cependant modifie la nature chimique de l’oxyde. Pour tous les échantil
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7

Letellier, Juliette. "Diodes Schottky en diamant un nouveau pas vers les applications pour l'électronique de puissance." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAT073.

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Abstract:
Le diamant est reconnu comme étant le meilleur candidat pour l’électronique de puissance. Actuellement, le composant le plus avancé est la diode Schottky. Ce composant présente déjà des résultats prometteurs, mais certaines améliorations restent nécessaires, telles que l'augmentation des courants à l’état passant combinée à une augmentation de la tension de claquage. Ces contraintes électriques sont toujours étroitement liées aux propriétés du matériau et à la qualité de la croissance du diamant par CVD. Dans cette thèse, des solutions seront proposées et présentées à partir des étapes de croi
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El, Zammar Georgio. "Process of high power Schottky diodes on the AlGaN/GaN heterostructure epitaxied on Si." Thesis, Tours, 2017. http://www.theses.fr/2017TOUR4030/document.

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Abstract:
Les convertisseurs à base de Si atteignent leurs limites. Face à ces besoins, le GaN, avec sa vitesse de saturation des électrons et le champ électrique de claquage élevés est candidat idéal pour réaliser des redresseurs, surtout s’il est épitaxié sur substrat à bas cout. Ce travail est dédié au développement des diodes Schottky sur AlGaN/GaN. Une couche de SiNx en faible traction a été obtenue. Un contact ohmique de Ti/Al avec une gravure partiel a donné une Rc de 2.8 Ω.mm avec une résistance Rsh de 480 Ω/□. Des diodes Schottky avec les étapes issues de ces études ont été fabriqué. La diode r
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9

Santos, Osvaldo Joaquim dos. "Etude de mécanisme de transport sur les photodétecteurs IV-VI." Montpellier 2, 1995. http://www.theses.fr/1995MON20090.

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Abstract:
Nous avons etudie des dispositifs photodiodes reposant sur des contacts redresseur du type pb/p-pbse. Les couches minces de pbse ont ete elaborees par epitaxie par jets moleculaires (ejm). Cette etude est basee sur la modelisation des processus de conduction du courant a travers la barriere (courant par effet tunnel, generation-recombinaison, diffusion, courant de fuite). Des mesures de caracteristiques i(v) entre 4-300k et c(v) a 77k ont ete realisees. Des resultats experimentaux de capacite presentent une dependance lineaire de c#-#2(v). L'etude des caracteristiques i(v) a mis en evidence qu
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10

Brouri, Tayeb. "Élaboration et étude des propriétés électriques des couches minces et des nanofils de ZnO." Phd thesis, Université Paris-Est, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00648173.

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Abstract:
L'oxyde de zinc (ZnO) est un semi-conducteur à large gap direct (3,37 eV) qui possède de nombreuses propriétés intéressantes (piézoélectrique, optique, catalytique, chimique...). Un large champs d'applications fait de lui l'un des matériaux les plus étudiés de la dernière décennie, notamment sous forme nanostructurée. Dans ce travail, nous nous intéressons à la synthèse par électrochimie des couches minces, des micro- & nano-plots, et des nanofils de ZnO. Deux méthodes ont été utilisées : la première dite Template consiste à la fabrication des micro- et nanopores en réseau ordonné à l'aide de
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Amor, Sarrah. "Étude des défauts dans les alliages de semi-conducteurs à grand gap B(AlGa)N et de leur rôle dans les propriétés de transport : application aux photo-détecteurs U." Thesis, Université de Lorraine, 2017. http://www.theses.fr/2017LORR0286/document.

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Abstract:
Le nitrure de gallium (GaN) et ses alliages ternaires et quaternaires suscitent de plus en plus d’intérêt dans les communautés scientifiques et industrielles pour leur potentiel d’utilisation dans des dispositifs électroniques haute fréquence, dans les transistors à forte mobilité électroniques, dans la photo-détection UV et les cellules solaires de nouvelles générations. L’aboutissement de ces nouveaux composants reste entravé à l’heure actuelle, entre autre, par la non maîtrise des techniques d’établissement de contacts électriques. C’est dans ce cadre général que s’inscrivent les travaux de
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Breil, Nicolas. "Contribution à l’étude de techniques de siliciuration avancées pour les technologies CMOS décananométriques." Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10188/document.

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Abstract:
Dans le cadre de la réduction des dimensions des technologies CMOS, le module de jonction apparaît comme un point bloquant pour l’amélioration des performances. En particulier, la hauteur de barrière entre le siliciure et le silicium limite le courant passant du transistor. Cette thèse adresse spécifiquement la problématique du contrôle de la hauteur de barrière suivant deux directions. D’une part, nous étudions l’intérêt d’une modification du métal formant le siliciure. D’autre part, nous évaluons le potentiel des techniques de ségrégation de dopants pour la modulation de la hauteur de barriè
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Soubiron, Thibaut. "Jonctions nanométriques à base d'électrodes ou de nanofils en siliciure de titane." Lille 1, 2006. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2006/50376-2006-Soubiron.pdf.

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Abstract:
Les techniques de mesure du transport dans des nano-objets telles que la jonction brisée, le nanopore ou les électrodes planaires séparées par quelques nanomètres souffrent toutes de la même restriction : l'impossibilité d'observer les nano-objets au sein même du dispositif de mesure et par conséquent, l'incapacité d'interpréter précisément les phénomènes de conduction dans ces jonctions nanométriques. Aussi, nous avons envisagé de réaliser un dispositif permettant d'observer des nano-objets connectés à deux électrodes conductrices. L'idée proposée est d'utiliser la microscopie à effet tunnel
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Oheix, Thomas. "Réalisation de dopages localises de type N ET P pour protections périphériques pour diodes de puissance en GaN épitaxié sur Si." Thesis, Tours, 2015. http://www.theses.fr/2015TOUR4024.

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Abstract:
Ces dernières années, la consommation énergétique n’a cessé de s’accroitre. Pour contrer cela, les systèmes de conversion électrique se doivent d’être plus performants, d’améliorer les rendements tout en limitant l’encombrement des systèmes, réduisant ainsi les matières premières utilisées. Parmi les systèmes de conversion efficaces, le correcteur du facteur de puissance et sa diode "boost" assurent un rendement de conversion d’environ 95 %. Ces travaux de thèse s’intéressent à la réalisation de ce type de diode en utilisant un matériau différent du traditionnel silicium, le nitrure de gallium
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Ben, Amar Achraf. "Résonateurs MEMS à base d’hétérostructures AlGaN/GaN." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10073/document.

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Abstract:
En raison de leurs propriétés physiques et leur stabilité chimique, les semi-conducteurs à large bande interdite comme les nitrures d’éléments III doivent permettre de réaliser des dispositifs ayant une meilleure performance dans des environnements sévères. De plus, leur piézoélectricité et la possibilité de les utiliser en technologie monolithique sur silicium rendent cette filière particulièrement intéressante pour intégrer des microsystèmes électro-mécaniques MEMS avec des composants actifs HEMT dans la perspective de réalisation d’une nouvelle génération de capteurs. Le développement des M
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