Relevant bibliographies by topics / Dioxyde de silicium

Contents

  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Book chapters
  4. Conference papers

Academic literature on the topic 'Dioxyde de silicium'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 2 February 2022

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Dioxyde de silicium.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Dioxyde de silicium"

1

Oliviero, F., P. Frallonardo, L. Peruzzo, A. Scanu, R. Ramonda, P. Sfriso, L. Tauro, F. Lioté, and L. Punzi. "Identification des cristaux de dioxyde de silicium dans le liquide synovial arthrosique." Revue du Rhumatisme 74, no. 10-11 (November 2007): 1086. http://dx.doi.org/10.1016/j.rhum.2007.10.123.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Realdon, Nicola, Enrico Ragazzi, Marisa Dal Zotto, and Gabriella Dalla Fini. "Effects of Silicium Dioxide on Drug Release from Suppositories." Drug Development and Industrial Pharmacy 23, no. 11 (January 1997): 1025–41. http://dx.doi.org/10.3109/03639049709150491.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Leboda, R., V. A. Tertykh, V. V. Sidorchuk, and J. Skubiszewska-Ziȩba. "Peculiarities of steam-phase hydrothermal modification of pyrogenic silicium dioxide." Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 135, no. 1-3 (April 1998): 253–65. http://dx.doi.org/10.1016/s0927-7757(97)00258-6.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Pyell, Ute. "CE characterization of semiconductor nanocrystals encapsulated with amorphous silicium dioxide." ELECTROPHORESIS 29, no. 3 (February 2008): 576–89. http://dx.doi.org/10.1002/elps.200700411.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Dördelmann, Gregor, Hendrik Pfeiffer, Alexander Birkner, and Ulrich Schatzschneider. "Silicium Dioxide Nanoparticles As Carriers for Photoactivatable CO-Releasing Molecules (PhotoCORMs)." Inorganic Chemistry 50, no. 10 (May 16, 2011): 4362–67. http://dx.doi.org/10.1021/ic1024197.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Hoffmann, C., P. Plate, A. Steinbrück, and S. Kaskel. "Nanoporous silicon carbide as nickel support for the carbon dioxide reforming of methane." Catalysis Science & Technology 5, no. 8 (2015): 4174–83. http://dx.doi.org/10.1039/c4cy01234h.

Full text
Abstract:
High surface area SiCs are used as supports for nickel in the carbon dioxide reforming of methane. Proper pre-treatment of the SiC suppressed nickel silicide formation and allowed high levels of activity.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Panteleeva, Viktoriya V., and Anatoliy B. Shein. "ANODIC PROCESSES ON NiSi ELECTRODE IN SODIUM HYDROXIDE SOLUTIONS." IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENIY KHIMIYA KHIMICHESKAYA TEKHNOLOGIYA 59, no. 2 (July 11, 2018): 64. http://dx.doi.org/10.6060/tcct.20165902.5269.

Full text
Abstract:
Anodic behavior of NiSi in (0.1 – 5.0) M NaOH in the range of potentials from corrosion potential up to oxygen evolution potential was studied using methods of polarization and impedance measurements. It was concluded that in the alkaline electrolyte the selective dissolution of silicon from the nickel silicide occurs. High chemical resistance of NiSi is due to the formation on its surface the passivating film, consisting mainly from poorly soluble products of anodic oxidation of nickel (it may also include a small content of silicon dioxide and silicates). The equivalent electrical circuit modeling the passive state of the silicide was proposed.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Nemuschenko, Dmitry A., Vladimir V. Larichkin, Anastasiya P. Onipchenko, and Vasilij S. Subbotin. "A research into the distribution of silicium dioxide nanoparticles in the mixing water." Vestnik MGSU, no. 5 (May 2020): 678–87. http://dx.doi.org/10.22227/1997-0935.2020.5.678-687.

Full text
Abstract:
Introduction. The co-authors studied suspensions of silicium dioxide nanoparticles in the water. The application of suspensions helps to most effectively add nanoparticles to slip ceramic mixtures and mixtures that contain concrete. A review of publications has proven that Russian and foreign researchers are willing to learn more about nanoparticles used to modify various materials. Particles having different chemical properties are applied depending on the types of problems to be solved. The method of ultrasonic dispersion of fillers in the matrix material is widely used; surfactants stabilize suspensions and mortars. Silicon dioxide, being one of the cheapest ultra-dispersed powders, has been proven as an active filler designated for building materials. Materials and methods. A method of ultrasonic dispersion was used to uniformly distribute nanoparticles in the water. A surfactant was added to the suspension to reduce the reaggregation of particles and to rise the stability of suspensions in the course of time. The turbidimetric method was employed to control the nanoparticle distribution efficiency in the suspension, and a spectrophotometer was used to identify the dimensions of solid particles by measuring the optical density. Results. The co-authors have proven the efficiency of the ultrasonic method in distributing nano-sized particles over the water. The suspensions, developed by the co-authors, were used to mold samples of ceramics; a scanning electron microscope and a nozzle, designated for the identification of chemical compositions, were used to identify dimensions of nanoparticle conglomerates in the matrix. The co-authors identified the concentration of OP-10 surfactant that was optimal for the destruction of conglomerates in the suspension; the impact of the ultrasonic treatment duration was assessed in respect of the suspension. Conclusions. The research findings can be contributed to ceramic production technologies for versatile nanoparticles to be employed to modify materials.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Devyatkin, S. V. "Electrochemistry of silicon in chloro-fluoride and carbonate melts." Journal of Mining and Metallurgy, Section B: Metallurgy 39, no. 1-2 (2003): 303–7. http://dx.doi.org/10.2298/jmmb0302303d.

Full text
Abstract:
The electrochemical behavior of K2SiF6 in chloro-fluoride melts and that of SiO2 in carbonate melts has been studied. Silicon, titanium silicides, boron silicide and ternary compounds Ti-Si-B have been deposited from chloro-fluoride melts. Only SiC was deposited from carbonate-silica melts under carbon dioxide atmosphere (that is, excessive pressure of CO2).
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

d’Heurle, F. M., R. D. Frampton, E. A. Irene, Hao Jiang, and C. S. Petersson. "Rate of formation of silicon dioxide; semiconducting ruthenium silicide." Applied Physics Letters 47, no. 11 (December 1985): 1170–72. http://dx.doi.org/10.1063/1.96315.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Dissertations / Theses on the topic "Dioxyde de silicium"

1

Htabou, Mohammed. "Caractérisation des électrets formés à partir de dioxyde de silicium." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20242.

Full text
Abstract:
L'etude que nous avons realisee, vise a mieux apprehender les correlations entre les parametres du systeme si/sio#2 et son environnement d'une part, et la stabilite de la charge piegee d'autre part. Parmi les parametres pouvant modifier la capacite de stockage des charges, nous avons examine les effets du type de substrat, de l'epaisseur de l'oxyde, de la polarite de la charge injectee, et de l'humidite environnante avec ou sans traitement a l'hexamethyldisilazane. Par des mesures tsdc nous avons mis en evidence l'effet des ions sodium sur la densite de charge piegee. Une methode de passivation par pulverisation cathodique de cible de teflon est proposee. Le resultat est compare a celui obtenu par passivation si#3n#4
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

SALAUN, MICHEL ANNE-CLAIRE. "Analyse et caracterisation d'interfaces silicium polycristallin/dioxyde de silicium pour des applications a des capacites et des transistors en couches minces." Rennes 1, 1996. http://www.theses.fr/1996REN10055.

Full text
Abstract:
Ce travail est consacre aux dispositifs de type mos realises en technologie basse temperature (00c) et technologie moyenne temperature (50c) et mettant en jeu des couches minces de silicium polycristallin. Des capacites mops (metal-oxyde-polysilicium-silicium) sont realisees et caracterisees electriquement par c(v). Un modele specifique reposant sur le calcul de la capacite, a partir de la resolution bidimensionnelle de l'equation de poisson a ete mis au point, en prenant en compte la structure polycristalline idealisee. A partir de ce modele, il est possible de distinguer les distributions de pieges a l'interface et aux joints de grains. Differentes pressions de depot et techniques de cristallisation de la couche de silicium polycristallin ont pu etre comparees grace a cet outil. On montre ainsi que les couches de silicium deposees a 550c et 90 pa et cristallisees directement pendant l'oxydation a 950c permettent d'obtenir la moins grande densite de pieges aux joints de grains (1x10#1#8 cm#-#3. Ev#-#1 au milieu de la bande interdite) ainsi qu'une interface si-poly/oxyde de meilleure qualite (d#i#t=1x10#1#2 cm#-#2. Ev#-#1 au milieu de la bande interdite). Les conclusions precedentes sont confirmees par les performances de transistors en couches minces (tft). De plus, le bon fonctionnement de ces transistors jusqu'a 300c permet d'envisager l'integration de ces transistors en silicium polycristallin dans les circuits de petite puissance intelligente de type smart-power
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Qiu, Kehui. "Transfert de silicium et de carbone entre un gaz CO-SiO-CO2 et un alliage Fe-Si-C : étude de laboratoire." Châtenay-Malabry, Ecole centrale de Paris, 1993. http://www.theses.fr/1993ECAP0301.

Full text
Abstract:
Dans les réacteurs d'élaboration de la fonte à l'aide de coke, le transfert du silicium vers le métal dépend des pressions partielles des deux gaz SiO et Co2 dilués dans un courant de Co. L'effet du Co2 est mal connu et difficile à évaluer. Nous présentons une tentative de mesurer la teneur en Co2 d'un mélange Co-SiO-Co2 en étudiant le transfert couplé de silicium et de carbone vers des gouttes d'alliage Fe-Si-C. Notre appareil, déjà utilisé par TONG [89 TON], comporte, dans la même zone chaude (1600C°), un générateur de SiO et un réacteur de SiO et un réacteur d'échange de Si et C entre le gaz et l'alliage. Nous avons procédé à de nombreuses vérifications sur l'émission de SiO dans le générateur et sur le transfert du silicium et du carbone entre le gaz Co-SiO-Co2 et des bains d'alliage liquide (11 g environ). Nous trouvons: 1) que la pression partielle de SiO est stable et reproductible (2,6. 10-3 atm) et 2) que les vitesses de transfert du silicium et du carbone sont en bon accord avec celles de TONG. Notre tentative de mesurer la pression partielle de Co2 à l'aide de gouttes témoins (0,29. 10-3 ± 0,5. 10-3 atm) ne conduit pas a une précision suffisante. L’équilibre dans un temps raisonnable et l'analyse chimique des gouttes présentent des exigences contradictoires sur la masse des gouttes que nous n'avons pas pu concilier. Pour éclairer une évolution non monotone de l'analyse des gouttes vers leur équilibre final, nous avons établi un modèle d’ « équilibre instantané » entre les gouttes et le gaz usé et mis a jour diverses caractéristiques du transfert couple du silicium et du carbone: maxima et minima de teneur en silicium ou en carbone, direction privilégiée d'approche de l'équilibre. Ce même modèle fournit une évaluation des durées minimales de mise en équilibre en fonction de la masse de gouttes et du débit du gaz
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Lemiti, Mustapha. "Couches de dioxyde de silicium obtenues par dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse (C. V. D. ) : élaboration et caractérisation." Lyon 1, 1985. http://www.theses.fr/1985LYO19022.

Full text
Abstract:
Nous avons mis au point un dispositif permettant d'élaborer des couches de SiO₂ à partir d'une phase gazeuse (C. V. D. ). Le procédé consiste à hydrolyser un composé halogéné (SiCl₄) par de la vapeur d'eau, au voisinage d'un substrat de silicium suivant la réaction : SiC1₄+ 2H₂0 -> Si0₂ + 4HC1. Les dépôts ont été réalisés essentiellement à température ambiante. L'influence des paramètres expérimentaux sur la cinétique de dépôt a été; étudiée. L'analyse physico-chimique des couches ainsi obtenues (ellipsométrie, Raman, Auger, décharge luminescente) nous a renseigné sur la nature des liaisons, la stœchiométrie et le profil des impuretés dans la couche. Après optimisation des paramètres, des structures MOS ont été réalisées pour étudier les défauts électriquement actifs dans l'oxyde et à l'interface Si-Si0₂. Par les méthodes classiques (C(V), G(V), I(V), C(ω,T), G(ω,T), nous avons évalué la densité d'états d'interface qui varie autour de 10¹¹ eV⁻¹ cm⁻² et les charges dans l'oxyde à 10¹² ch. /cm. L'influence de certains paramètres expérimentaux sur les propriétés électriques des structures MOS a été dégagée.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Lamy, Manon. "Le dioxyde de titane : un matériau nouveau pour la photonique à 1.55 µm et à 2 µm." Thesis, Bourgogne Franche-Comté, 2018. http://www.theses.fr/2018UBFCK061/document.

Full text
Abstract:
Dans les prochaines décennies, les limites des systèmes de communications optiques actuels seront atteintes à moins d'adopter de nouvelles solutions. L'une d'elles est l'utilisation d'une nouvelle plage spectrale autour de 2 µm stimulée par l'apparition des amplificateurs fibrés dopés thulium. Dans ce manuscrit, nous nous y intéresserons dans le cadre de transmissions très courtes distances sur puces photoniques. Divers matériaux, dont le dioxyde de titane, seront ainsi explorés.Ce travail de thèse a deux principaux objectifs. D'une part, il vise à démontrer que le dioxyde de titane (TiO2), matériau encore peu exploré, est prometteur pour des applications télécoms en le comparant à des plateformes plus matures. D'autre part, il tend à introduire la bande spectrale autour de 2 µm comme une solution à envisager pour les télécommunications de nouvelle génération.Plus précisément, la première partie de cette thèse a pour but de développer une technique pour coupler efficacement la lumière dans les structures en TiO2). Pour la première fois, une configuration faisant appel à un réseau métallique enterré a été évaluée numériquement avant d'être caractérisée expérimentalement. La seconde partie présente des transmissions télécoms haut-débit (10 Gbit/s) autour de µm réalisées sans erreurs dans des guides d'ondes sub-longueur d'onde ou multimodes en dioxyde de titane, silicium ou silicium-germanium. Pour terminer, des fonctions non-linéaires sont explorées sur ces puces photoniques. Il a été ainsi démontré une conversion en longueurs d'onde à 2 µm atteignant -10dB sur silicium ou la génération du premier supercontinuum s'étalant du visible à 2 µm dans un guide d'onde en TiO2
In the next decades, the limits of current optical communication systems will be reached unless new solutions are adopted. On of them is the use of a new spectral range around 2 µm enabled by the emergence of thulium-doped fiber amplifiers. In this thesis, we will focus on it in the context of very short distances transmissions on photonic chips. Various materials, mainly titanium dioxide (TiO2), will be explored.This thesis work has two main objectives. On the one hand, it aims to demonstrate that a material relatively unexplored, titanium dioxide, is promising for telecom applications by comparing it to more mature plateforms. On the other hand, it tends to introduce the spectral band around 2 µm as a solution to be considered for next-generation communications.More precisely, the first part of this thesis aims to develop a technique to efficiently couple light in TiO2 structures. For the first time, a configuration using a buried metallic grating was evaluated numerically and then characterized experimentally. The second part presents error-free high-speed (10 Gbit/s) telecom transmissions around 2 µm carried out in subwavelength or multimode waveguides in titanium dioxide, silicon or silicon-germanium. Finally, nonlinear functions are explored on the photonic chips. Thus, it has been demonstrated a wavelength conversion at 2 µm reaching -10dB on a silicon waveguide or the first supercontinuum generation spreading from visible to 2 µm wavelength in a TiO2 waveguide
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Brémare, Noémie. "Etude expérimentale du rayonnement d'un plasma hyperenthalpique de dioxyde de carbone et de l'interaction plasma-surface." Rouen, 2014. http://www.theses.fr/2014ROUES036.

Full text
Abstract:
L’entrée hypersonique d’un engin dans l’atmosphère de Mars entraine la création d’une onde de choc détachée de la paroi en amont de l’appareil. Cette couche de choc est le lieu de création d’un plasma hors équilibre à haute enthalpie composé d’espèces fortement radiatives (CO2, CO, C2, CN, O. . . ). Dans l’optique d’un futur vol habité vers la planète Mars, il est primordial d‘estimer le flux radiatif à la paroi afin d’avoir une protection thermique de l’appareil suffisante. L’objectif de cette thèse est la compréhension de la physico-chimie du plasma dans ces conditions thermodynamiques proches de la couche de choc en proche paroi lors d’une entrée martienne. Un des moyens de reproduire en laboratoire ces conditions extrêmes est la torche à plasma inductive. Deux configurations aérodynamiques sont étudiées : le plasma en situation de jet libre ainsi créé et son interaction avec un échantillon de SiC (matériau non ablatif). L’introduction d’une surface dans l’écoulement proche équilibre entraine la formation d’une couche limite thermique et chimique (liée aux réactions de paroi). La caractérisation de la physico-chimie du plasma est faite par spectroscopie d’émission. Le rôle des différentes espèces radiatives, CO, C2, C et O, est exposé et la température cinétique du plasma est estimée. L’étude du rayonnement montre le déséquilibre entre le mode de stockage de l’énergie des états excités des espèces radiatives avec la translation. Différents modes de production des états excités sont proposés et les voies privilégiées sont discutées. Des analyses de surface sont réalisées afin d’avoir des informations supplémentaires sur la physico-chimie du plasma. Ces analyses et les observations faites par spectroscopie d’émission permettent de conclure sur la présence de carbone à la paroi suite à une oxydation sélective du SiC. Un autre résultat majeur est la présence de bulles déjà observées dans la littérature et signataires de la transition entre les régimes d’oxydation passive et active
The hypersonic entry of a vehicle into Mars atmosphere leads to the formation of a shock wave in front of the spacecraft wall. A non-equilibrium and high enthalpy plasma is created in the shock layer and strongly radiative species are present (CO2, CO, C2, CN, O. . . ). The radiative flux has to be estimated accurately in order to protect the vehicule during a future Mars human flight. The purpose of this work is to understand the physical chemistry of plasma thermodynamic conditions closed to the wall during a Mars entry. Those conditions are reproduced with an inductively coupled plasma torch. Two aerodynamic configurations are studied : the freestream and the interaction between the plasma jet and a SiC sample (non-ablative material). A thermal and a chemical boundary layers are identified. The characterization of radiative species is made by emission spectroscopy. The behaviour of CO, C2, C and O is exposed and the translation temperature is estimated. The study of radiation shows that equilibrium is not reached in the freestream between excitation modes of radiating states on the one hand and translation on the other hand. Production of excited states are exposed and discussed in details. Surface analysis and emission spectroscopy show carbon presence on the sample coming from SiC oxidation. Bubbles over the silica layer are observed and were already described in the literature. Due to those structures, the oxidation regime is found to be at the transition between passive and active
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Follegot, Jean-Pierre. "Développement de techniques d'analyse électrique et électro-optique des dispositifs MOS." Lyon, INSA, 1985. http://www.theses.fr/1985ISAL0033.

Full text
Abstract:
La nécessité de réaliser des couches isolantes de bonne qualité, c'est-à-dire exemptes de défauts électriquement actifs, conduit au développement de techniques d'analyse électre-optique sophistiquées, précises et sensibles. Dans le cadre de ce travail, nous avons développé plusieurs d'entre elles. Pour ce faire, nous avons mis en œuvre un dispositif expérimental particulièrement performant. Celui-ci regroupe : 1) des méthodes purement électriques fournissant des informations relatives aux propriétés électriques de l'interface Si-Si02 (exploitation de la réponse capacitive quasi-statique, de la dispersion d'admittance avec la fréquence) ; 2) des méthodes électre-optiques permettant de connaître non seulement les hauteurs de barrières de potentiel aux interfaces grille-isolant et isolant semiconducteur, mais aussi les caractéristiques physiques des pièges profonds localisés dans la couche d'oxyde. Une étude théorique préalable du problème posé par l'analyse des structures de petites dimensions, nous a conduit à définir un "cahier des charges ». Compte tenu de celui-ci, nous avons conçu et réalisé l'ensemble expérimental que nous avons ensuite utilisé pour l'analyse de quelques structures. Les modèles permettant l'exploitation des réponses capacitives et en courant conduisent aux divers paramètres des centres de capture des porteurs photo-injectés, à partir de l'une ou l'autre interface. Nous avons identifié un certain nombre de défauts électriquement actifs dans les couches de SiO2 , de nature intrinsèque ou extrinsèque (mode de croissance, implantation, diffusion de certaines impuretés). Par ailleurs, grâce à ce dispositif, nous avons étudié les hauteurs de barrières de potentiel dans les structures Métal-SiO2-Si à grille semi-transparente.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Pansiot, Julien. "Élaboration, caractérisation et modélisation de nouvelles varistances à base de dioxyde d’étain." Thesis, Lyon 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LYO10032.

Full text
Abstract:
Des investigations ont été menées concernant la caractérisation des céramiques semi-conductrices à matrice SnO2, en particulier dans des domaines de densités de courant et de champs électriques élevés. L’ensemble du procédé d’élaboration a été analysé et optimisé, de manière à obtenir des composés aux propriétés électriques aptes à l’application varistance. L’addition de plusieurs dopants a été étudiée, et deux éléments ont donné lieu à un comportement électrique remarquable. Le dopage des grains de SnO2 par l’aluminium (III) permet d’accroître leur conductivité apparente et de ce fait, d’obtenir des composants dont la plage de fonctionnement est équivalente à celle observée pour des varistances ZnO. Le silicium apparaît aux joints de grains dans la microstructure des céramiques. Il réduit fortement la surface effective des joints de grains, entrainant une diminution importante de la zone de fonctionnement des varistances. Simultanément, la caractéristique courant-tension est quasi-idéale avec des coefficients de non-linéarité supérieurs à 100 et des profils de variation similaires à ceux observés pour les diodes Zener. La modélisation du mécanisme de conduction au niveau d’un joint de grain SnO2-SnO2 suggère que ces céramiques présentent un potentiel théorique supérieur aux céramiques à base de ZnO du fait d’une largeur de bande interdite plus importante. Enfin, un comparatif technico-économique succinct a ensuite été proposé, afin d’illustrer la compétitivité des deux matériaux pour l’application varistance
Many investigations have been conducted on semiconductive ceramics with a tin dioxide matrix, particularly in the high electric field and high current density ranges. The sintering process has been optimized, in order to obtain compounds with electrical properties compatible with the varistor application. Among the many dopants studied, two elements produced a remarkable electrical behavior. By doping SnO2 grains with Aluminium (III) allows an increase of their apparent conductivity and hence, widens the working range of tin oxide based compounds, up to the ZnO varistors ones. It appears that the silicium is located on the grain boundaries in the ceramic microstructure. This element reduces strongly the effective surface of the grain boundaries and causes an important diminution of the varistors working range. Simultaneously, the current-voltage behavior appears to be like those observed for a Zener diode, with non-linearity coefficients higher than 100 and nearly ideal variation profiles. The conduction modelling in the SnO2-SnO2 grain boundary area reflects that these ceramics present theoretically a higher potential than ZnO based ceramics, due to a wider SnO2 bandgap. A brief technico-economical comparison has been proposed in order to highlight the competitiveness between the two materials for the varistor applications
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Guilbert, Sébastien René Charles. "Les cellules solaires photovoltaiques : optimisation et extension des cellules au silicium amorphe : préparation à l'introduction de nouvelles technologies." Lille 1, 2003. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2003/50376-2003-363.pdf.

Full text
Abstract:
Parmi les énergies renouvelables, on rencontre l'énergie photovoltai͏̈que. Les cellules solaires sont en général constitués de silicium qui peut être sous la forme amorphe ou cristalline avec la forme amorphe beaucoup moins onéreuse que la forme cristalline. La société Free Energy Europe produit des cellules solaires au silicium amorphe. Dans le procédé de fabrication, le silicium amorphe est directement déposé sur un substrat de verre recouvert de SnO2. A mon arrivée au sein de cette entreprise, il existait un certain nombre de dysfonctionnements dans le procédé de fabrication engendrant 25% de rejets. La mise en évidence et la résolution de tous ces problèmes ont permis de faire descendre ce nombre de rejets en dessous de 5%. Ensuite, le travail de recherche a été mené dans le but d'optimiser les caractéristiques initiales mais aussi stabilisées (suite à l'effet Staebler-Wronski) des cellules solaires.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Demarne, Vincent. "Réalisation d'un capteur de gaz intégré sur silicium : étude des mécanismes physicochimiques liés au fonctionnement de ces capteurs, dans le cas de couches minces de dioxyde d'étain pur et dopé /." [S.l.] : [s.n.], 1991. http://library.epfl.ch/theses/?nr=934.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Book chapters on the topic "Dioxyde de silicium"

1

Terpstra, Marten. "Intemediates mainly consisting of silicium dioxide, silicates and ceramics, with a great variety of metal components." In Materials for Refractories and Ceramics, 167–73. Dordrecht: Springer Netherlands, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-4325-4_16.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Conference papers on the topic "Dioxyde de silicium"

1

Sonoya, K., and S. Tobe. "Extension of Life of Thermal Barrier Sprayed Coatings by Incorporating MoSi2." In ITSC 2000, edited by Christopher C. Berndt. ASM International, 2000. http://dx.doi.org/10.31399/asm.cp.itsc2000p1249.

Full text
Abstract:
Abstract Trends of turbine blades of advanced aircraft gas turbine engines are to increase output power of the engines, to increase engine efficiency, and to reduce environmental emission, and thus, higher operating temperatures of the engines are required. One of the technologies for increasing the operating temperature is a thermal barrier splayed coating. A research paper claims that molybdenum silicide in a splayed coating has a self-healing capability for cracks formed in the coating by embedding the cracks with silicon dioxide formed from molybdenum silicide at high temperatures. This article discusses the methods for the extension of life of thermal barrier sprayed coatings by incorporating molybdenum silicide. It discusses monitoring method for detecting cracking conditions in heating and cooling cycles by signals of acoustic emission. A possibility of estimating fatigue life by utilizing an X-ray method for measuring residual stress is also considered.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the extended bibliographies on the topic 'Dioxyde de silicium' for particular source types:
Journal articles Dissertations / Theses
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography