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Dissertations / Theses on the topic 'Dispositifs CMOS et integration'

Author: Grafiati

Published: 7 July 2024

Last updated: 31 July 2025

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1

Dubreuil, Théophile. "Architecture 3D 1T1R innovante à base de RRAMs pour le calcul hyperdimensionnel." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2023. http://www.theses.fr/2023GRALT085.

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Abstract:

Dans les prochaines années, en raison des besoins toujours plus grands des applications d'apprentissage machine dans le domaine de l'intelligence artificielle, une augmentation soutenue de la capacité de calcul est nécessaire pour faire face à un véritable "déluge de données". Pour relever ce défi, les architectures de calcul immergé en mémoire (IMC) à haute performance nécessitent le développement de nouvelles technologies adaptées à la fois au calcul local et au stockage. Dans ce contexte, ce travail de thèse présente de nouvelles matrices mémoire 3D 1T1R qui sont dérivées des transistors à

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2

Charbonneau, Micaël. "Etude et développement de points mémoires résistifs polymères pour les architectures Cross-Bar." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENT116/document.

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Abstract:

Ces dix dernières années, les technologies de stockage non-volatile Flash ont joué un rôle majeur dans le développement des appareils électroniques mobiles et multimedia (MP3, Smartphone, clés USB, ordinateurs ultraportables…). Afin d’améliorer davantage les performances, augmenter les capacités et diminuer les coûts de fabrication, de nouvelles solutions technologiques sont aujourd’hui étudiées pour pouvoir compléter ou remplacer la technologie Flash. Citées par l’ITRS, les mémoires résistives polymères présentent des caractéristiques très prometteuses : procédés de fabrication à faible coût

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3

Cassé, Mikaël. "Caractérisation Électrique et Modélisation du Transport dans les Dispositifs CMOS Avancés." Habilitation à diriger des recherches, Université de Grenoble, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00974652.

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Abstract:

La micro-électronique est considérée comme une technologie révolutionnaire compte-tenu de la dynamique qu'elle a insufflée à l'économie mondiale depuis l'invention du circuit intégré dans les années 50. Jusqu'à récemment, les défis technologiques relevés ont consisté à conserver une ligne directrice de développement fondée sur une simple réduction des dimensions du transistor MOS, faisant basculer la micro-électronique dans l'ère de la nanoélectronique. Industriels et chercheurs tentent aujourd'hui de repousser les limites physiques imposées par la réduction d'échelle en agissant sur différent

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4

Lee, Sang Bruno. "Développement de procédés technologiques pour une intégration 3D monolithique de dispositifs nanoélectroniques sur CMOS." Thèse, Université de Sherbrooke, 2016. http://hdl.handle.net/11143/8955.

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Abstract:

Résumé : Le transistor monoélectronique (SET) est un dispositif nanoélectronique très attractif à cause de son ultra-basse consommation d’énergie et sa forte densité d’intégration, mais il n’a pas les capacités suffisantes pour pouvoir remplacer complètement la technologie CMOS. Cependant, la combinaison de la technologie SET avec celle du CMOS est une voie intéressante puisqu’elle permet de profiter des forces de chacune, afin d’obtenir des circuits avec des fonctionnalités additionnelles et uniques. Cette thèse porte sur l’intégration 3D monolithique de nanodispositifs dans le back-end-

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5

Lim, Tek Fouy. "Dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques pour les applications radio fréquences et millimétriques." Thesis, Grenoble, 2013. http://www.theses.fr/2013GRENT033/document.

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Abstract:

Ces travaux s'inscrivent dans un contexte où les contraintes vis-à-vis des décharges électrostatiques sont de plus en plus fortes, les circuits de protection sont un problème récurrent pour les circuits fonctionnant à hautes fréquences. La capacité parasite des composants de protection limite fortement la transmission du signal et peut perturber fortement le fonctionnement normal d'un circuit. Les travaux présentés dans ce mémoire font suite à une volonté de fournir aux concepteurs de circuits fonctionnant aux fréquences millimétriques un circuit de protection robuste présentant de faibles per

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6

Le, Goulven Katell. "Dispositifs institutionnels et integration des marches la commercialisation du porc au vietnam." Montpellier, ENSA, 2000. http://www.theses.fr/2000ENSA0012.

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Abstract:

L'objet de la these est d'analyser le fonctionnement d'un marche agricole -celui du porc- dans un pays en transition -le vietnam. Dans le cadre de la nouvelle economie institutionnelle et en partant de l'hypothese qu'il n'existe pas une forme universelle de marche, nous montrons que la diversite des marches est expliquee par la nature des arrangements institutionnels qui structurent les echanges et par les regles sociales qui supportent la mise en application de ces arrangements. Nous developpons d'abord une grille de lecture des niveaux institutionnels dans lesquels s'inscrivent les transacti

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7

Maggioni, Mezzomo Cécilia. "Caractérisation et modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des dispositifs en technologies CMOS avancées." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00987632.

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Abstract:

Ce travail porte sur la caractérisation et la modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des transistors MOS avancées. La structure de test utilisée est validée expérimentalement au moyen de la méthode de mesure de Kelvin. Pour comprendre le comportement des fluctuations, un modèle est d'abord proposé pour le régime linéaire. Il permet de modéliser les fluctuations de la tension de seuil des transistors avec implants de poche pour toutes les longueurs de transistor et aussi pour toute la gamme de tension de grille. Ensuite, l'appariement du courant de drain est caracté

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8

Maggioni, Mezzomo Cecilia. "Caractérisation et modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des dispositifs en technologies CMOS avancées." Thesis, Grenoble, 2011. http://www.theses.fr/2011GRENT044/document.

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Abstract:

Ce travail porte sur la caractérisation et la modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des transistors MOS avancées. La structure de test utilisée est validée expérimentalement au moyen de la méthode de mesure de Kelvin. Pour comprendre le comportement des fluctuations, un modèle est d’abord proposé pour le régime linéaire. Il permet de modéliser les fluctuations de la tension de seuil des transistors avec implants de poche pour toutes les longueurs de transistor et aussi pour toute la gamme de tension de grille. Ensuite, l’appariement du courant de drain est caracté

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9

Hossri, Nabil al. "Etude du phénomène métastable dans les dispositifs bistables de technologie CMOS modélisation, caractérisation et simulation." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37598345s.

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10

Hossri, Nabil al. "Etude du phénomène métastable dans les dispositifs bistables de technologie CMOS : modélisation, caractérisation et simulation." Bordeaux 1, 1986. http://www.theses.fr/1986BOR10868.

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Abstract:

Elaboration de modeles reels des elements logiques cmos a partir desquels on parvient a une formulation complete du fonctionnement des bistables elementaires en regime metastable. Expression theorique de la courbe d'incertitude en fonction des parametres technologiques et extrinseques du dispositif etudie. On en deduit les regles d'optimisation des performances de ces circuits vis a vis des declenchements marginaux

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11

Hossri, Nabil al. "Etude du phénomène métastable dans les dispositifs bistables de technologie CMOS : modélisation, caractérisation et simulation." Bordeaux 1, 1986. http://www.theses.fr/1986BOR10678.

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Abstract:

Elaboration de modeles reels des elements logiques cmos a partir desquels on parvient a une formulation complete du fonctionnement des bistables elementaires en regime metastable. Expression theorique de la courbe d'incertitude en fonction des parametres technologiques et extrinseques du dispositif etudie. On en deduit les regles d'optimisation des performances de ces circuits vis a vis des declenchements marginaux

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Labalette, Marina. "Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS." Thesis, Lyon, 2018. http://www.theses.fr/2018LYSEI037/document.

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Abstract:

La gestion, la manipulation et le stockage de données sont aujourd’hui de réels challenges. Pour supporter cette réalité, le besoin de technologies mémoires plus efficaces, moins énergivores, moins coûteuses à fabriquer et plus denses que les technologies actuelles s’intensifie. Parmi les technologies mémoires émergentes se trouve la technologie mémoire résistive, dans laquelle l’information est stockée sous forme de résistance électrique au sein d’une couche d’oxyde entre deux électrodes conductrices. Le plus gros frein à l’émergence de tels dispositifs mémoires résistives en matrices passive

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Solaro, Yohann. "Conception, fabrication et caractérisation de dispositifs innovants de protection contre les décharges électrostatiques en technologie FDSOI." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT098/document.

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Abstract:

L’architecture FDSOI (silicium sur isolant totalement déserté) permet une amélioration significative du comportement électrostatique des transistors MOSFETs pour les technologies avancées et est employée industriellement à partir du noeud 28 nm.L’implémentation de protections contre les décharges électrostatiques (ESD pour« Electro Static Discharge ») dans ces technologies reste un défi. Alors que l’approche standard repose sur l’hybridation du substrat SOI (gravure de l’oxyde enterré : BOX)permettant de fabriquer des dispositifs de puissance verticaux, nous nous intéressons ici à des structur

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Laforest, Timothé. "Nouveaux dispositifs intégrés pour l'analyse et le contrôle de lumière cohérente : conception conjointe de circuits opto-électroniques et systèmes optiques." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT113/document.

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Abstract:

Parmi les techniques d'imagerie optiques utilisées en milieu clinique, la principale limitation est la faible résolution lorsque la profondeur d'examen dépasse quelques mm. Cette limite de résolution ne permet pas à l'heure actuelle de concurrencer les techniques d'imagerie médicales permettant de réaliser un examen du corps dans son intégralité (Rayons X, IRM, Scanner). Dans ce cadre, l'imagerie acousto-optique présente plusieurs avantages: elle permet de mesurer des propriétés optiques utiles pour la détection de tumeur, à la résolution spatiale des ultrasons. Cependant, les dispositifs de d

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Athanasiou, Sotirios. "Conception, fabrication et caractérisation de nouveaux dispositifs de FDSOI avancés pour protection contre les décharges électrostatiques." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAT003/document.

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Abstract:

Ce sujet de thèse a pour objectif principal la conception de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) en technologie silicium avancée sur isolant film mince (FDSOI) avec la compatibilité substrat massif. Ceci suppose une caractérisation ESD des dispositifs élémentaires déjà existants et une conception complète de nouveaux dispositifs sur technologie FDSOI. Ces caractérisations se feront, soit en collaboration avec les équipes de caractérisation ESD présents à STMicroelectronics-Crolles, soit directement par le doctorant grâce au banc de test ESD présent dans le laboratoire pour l

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Thirion, Valérie. "Croissance et nitruration à basse pression d'oxydes minces de silicium : caractérisations physiques et électriques pour l'application aux dispositifs CMOS." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1994. http://www.theses.fr/1994GRE10052.

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Abstract:

Avec la miniaturisation des technologies MOS, la diminution de l'épaisseur de l'oxyde de grille pose de nouvelles difficultés liées au contrôle de l'épaisseur, à la diffusion des impuretés et des dopants et à l'injection de porteurs chauds. Ce travail est consacré à la croissance et à la nitruration à basse pression d'oxyde de grille mince de silicium ; les mécanismes de ces réactions sont étudiés en relation avec les caractéristiques physico-chimiques et électriques des structures et dispositifs MOS. La croissance des oxydes très minces, qualifiée d'anormalement rapide, est décrite en faisant

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Pic, David. "Etude de la fiabilité de l'oxyde SiO2 dans les dispositifs CMOS avancés et les mémoires non-volatiles." Aix-Marseille 1, 2007. http://www.theses.fr/2007AIX11062.

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Abstract:

La fiabilité du diélectrique SiO2 suscite toujours un intérêt majeur pour l'intégration des nouvelles technologies et le développement de méthodes adaptées à l'évaluation de la qualité de l'oxyde lors de la fabrication des produits. L'épaisseur de cette couche n'a cessé de diminuer et est devenue inférieure à 1. 5 nm pour les technologies les plus avancées. L'origine physique du mécanisme responsable du claquage pour cette gamme d'oxyde n'est pas encore totalement élucidée. D'autre part, l'intégration des mémoires EEPROM est confrontée au mécanisme de courant de fuite induit par contrainte éle

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Ben, Akkez Imed. "Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENT081/document.

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Abstract:

> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d’une> technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques> combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d’apporter des explications sur des phénomènes> liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l’impact de ces> aspects sur les paramètres électrique ainsi que les paramètres de transport."<br>This manuscript presents a theoretical and experimental study ca

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Ben, akkez Imed. "Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00870329.

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Abstract:

> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d'une> technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques> combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d'apporter des explications sur des phénomènes> liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l'impact de ces> aspects sur les paramètres électrique ainsi que les paramètres de transport."

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Lim, Tek fouy. "Dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques pour les applications radio fréquences et millimétriques." Phd thesis, Université de Grenoble, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00947361.

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Abstract:

Ces travaux s'inscrivent dans un contexte où les contraintes vis-à-vis des décharges électrostatiques sont de plus en plus fortes, les circuits de protection sont un problème récurrent pour les circuits fonctionnant à hautes fréquences. La capacité parasite des composants de protection limite fortement la transmission du signal et peut perturber fortement le fonctionnement normal d'un circuit. Les travaux présentés dans ce mémoire font suite à une volonté de fournir aux concepteurs de circuits fonctionnant aux fréquences millimétriques un circuit de protection robuste présentant de faibles per

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Gautier, Gaël. "Conception, réalisation et mise au point d'une technologie CMOS en transistors couches minces sur substrat de verre." Rennes 1, 2002. http://www.theses.fr/2002REN10149.

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Fruleux, Frédérique. "Conception, élaboration et caractérisation de dispositifs CMOS émergents : une nouvelle approche d'intégration de transistors multi-grille de type FinFet." Lille 1, 2007. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2007/50376-2007-287.pdf.

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Abstract:

L'incroyable croissance des semi-conducteurs a été possible par l'extrême miniaturisation des composants CMOS jusqu'à des dimensions nanométriques. Aujourd'hui pour poursuivre cette évolution, il devient nécessaire d'introduire de nouvelles architectures de composants. Dans ce contexte, ce travail étudie l'une des architectures les plus prometteuses: le transistor CMOS double-grille de type FinFET. Ce travail présente notamment un procédé innovant, le procédé « spacer first », apportant une solution aux défis technologiques majeurs de ce type de composants, à savoir: les problèmes de résidus d

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Foucher, Johann. "Etude et développement de procédés de gravure plasma pour l'élaboration de grilles silicium de dispositifs CMOS sub-20 nm." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2003. http://www.theses.fr/2003GRE10031.

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Froment, Benoît. "Integration du siliciure de nickel pour les technologies cmos decananométriques : 65nm et en deça." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0063.

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Abstract:

Le siliciure de nickel pur ou allié avec du platine est maintenant utilisé comme contacts dans les technologies CMOS car il nécessite un plus faible budget thermique, possède une plus faible résistivité, consomme moins de silicium, a une formation contrôlée par la diffusion et permet d'obtenir une phase peu résistive sur SiGe, contrairement à son prédécesseur le siliciure de cobalt. Malgré ces avantages, un certains nombre de problèmes restaient ou restent liés à son intégration dans des dimensions décananométriques. Au-delà d'une meilleure connaissance du comportement en température et des pr

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Mitard, Jérôme. "Etude des propriétés électriques d’empilements high-K/grille métal en vue de leur intégration dans les dispositifs CMOS-sub 45 nm." Grenoble INPG, 2006. http://www.theses.fr/2007INPG0042.

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Abstract:

Ces travaux de recherche se concentrent autour de la caractérisation électrique des transistors MOS High-K/: métal. Tout d'abord, nous avons abordé successivement la stabilité de l'EOT correspondant à ces empilemen caractérisation 1er niveau des défauts liés à l'oxyde et l'analyse de la conduction. Ensuite, nous nous son intéressés à des défauts électriques spécifiques engendrant un phénomène particulièrement gênant, mieux 0 sous le nom de PB TI. Après la mise en place d'une technique de caractérisation innovante, notre étude m avant différentes catégories de défauts selon qu'ils sont réversib

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Gensolen, Fabrice. "ARCHITECTURE ET CONCEPTION DE RETINES CMOS :INTEGRATION DE LA MESURE DU MOUVEMENT GLOBALDANS UN IMAGEUR." Phd thesis, Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00119758.

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Abstract:

Les capteurs d'images CMOS n'étaient envisagés au début des années 90s que dans le cadre de recherches. La technologie CCD dominait alors. Puis l'évolution extraordinaire des procédés de fabrication de circuits intégrés CMOS a fait qu'aujourd'hui nous avons atteint une égalité en termes de parts du marché. Cette forte croissance est étroitement liée à l'avènement des dispositifs portables grand public tels que les téléphones<br />mobiles, qui embarquent pour la majorité les fonctions photo ou vidéo. En effet, les contraintes d'intégration et de coût favorisent la technologie CMOS. Cependant la

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Gout, Michel. "Le rapport entre langue et intégration dans les dispositifs linguistiques pour migrants nouveaux arrivants en Allemagne, Belgique, France et Royaume Uni." Thesis, Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM3038.

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Abstract:

Cette recherche sociolinguistique s’intéresse aux liens entre maitrise / connaissance de la langue du pays d’accueil et intégration. La connaissance de la langue officielle du pays d’immigration est en effet présentée, jusque dans les discours du Conseil de l’Europe, comme étant la clé de l’intégration des migrants et, depuis une dizaine d’année, nous assistons à la mise en place, dans la plupart des pays européens, de dispositifs d’apprentissage obligatoire de la langue d’accueil pour les nouveaux arrivants, censés résoudre les difficultés d’intégration. Mais parler la langue d’un pays est-il

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Save, Didier. "Etude et developpement de technologies d'isolation cmos pour circuits integres ulsi." Toulouse 3, 1988. http://www.theses.fr/1988TOU30011.

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Abstract:

L'isolation des circuits cmos est une des cles de leur miniaturisation extreme. Les technologies d'isolation de l'ulsi devront eliminer les risques de courants de fuite et de "latch up" a la peripherie du caisson, ainsi que les phenomenes perimetriques, dus a l'isolation de champ, qui degradent les performances des petits transistors (tension de seuil, capacite de diffusion). L'isolation dielectrique du caisson par tranchee profonde est choisie ici pour sa compatilibite avec les filieres de fabrication existantes. La principale difficulte de la technique reside dans la gravure parfaitement ver

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Ait-Ali, Cédric. "Les contributions des dispositifs hors classe aux apprentissages : le cas des élèves de 4ème et 3ème de l'enseignement agricole." Thesis, Toulouse 2, 2014. http://www.theses.fr/2014TOU20102/document.

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Abstract:

Cette thèse cible les dispositifs hors classe dans l’établissement et, plus précisément, leur contribution aux apprentissages des élèves, qu’ils soient scolaires ou psychosociaux. Elle vise à rendre compte de l’organisation hors classe des établissements et à connaître les appropriations spatiales et temporelles des jeunes dans les temps non scolaires et dans les moments informels. Le cadre théorique s’appuie sur le concept de dispositif pour explorer l’apprentissage, dans sa dimension "processus" et dans sa dimension "produit". La modélisation proposée permet de catégoriser et de caractériser

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Zhang, Yue. "Modélisation compacte et conception de circuit hybride pour les dispositifs spintroniques basés sur la commutation induite par le courant." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01058504.

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Abstract:

La miniaturisation du nœud technologique de CMOS en dessous de 90 nm conduit à une forte consommation statique pour les mémoires et les circuits logiques, due aux courants de fuite de plus en plus importants. La spintronique, une technologie émergente, est d'un grand intérêt pour remédier à ce problème grâce à sa non-volatilité, sa grande vitesse d'accès et son intégration facile avec les procédés CMOS. Comparé à la commutation induite par le champ magnétique, le transfert de spin (STT), une approche de commutation induite par le courant, non seulement simplifie le processus de commutation mai

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Harrison, Samuel. "Dispositifs GAA [Gate-All-Around] en technologie SON [Silicon-On-Nothing] : conception, caractérisation et modélisation en vue de l'intégration dans les noeuds CMOS avancés." Aix-Marseille 1, 2005. http://www.theses.fr/2005AIX11021.

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Abstract:

Depuis près de quarante ans, la densité d'intégration des transistors est doublée tous les deux ans environ, en suivant un rythme infernal dicté par la fameuse " loi de Moore ". Pourtant, cette dernière est aujourd'hui remise en question. En effet, pour la première fois, le transistor MOS " historique " est sur le point de buter sur des barrières physiques, électriques et technologiques quasi-insurmontables. La réduction des dimensions caractéristiques principales du MOS (mais aussi des tensions d'alimentation) s'accompagne de l'apparition d'un grand nombre d'effets parasites (effets canaux co

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Tachi, Kiichi. "Etude physique et technologique d'architectures de transistors MOS à nanofils." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00721968.

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Abstract:

Il a été démontré que la structure gate-all-around en nanofils de silicium peut radicalement supprimer les effets de canaux courts. De plus, l'introduction d'espaceurs internes entre ces nanofils peut permettre de contrôler la tension de seuil, à l'aide d'une deuxième grille de contrôle. Ces technologies permettent d'obtenir une consommation électrique extrêmement faible. Dans cette thèse, pour obtenir des opérations à haute vitesse (pour augmenter le courant de drain), la technique de réduction de la résistance source/drain sera débattue. Les propriétés de transport électronique des NWs empil

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Hernandez, Caroline. "Mise au point, developpement et integration de materiaux a base de si et ge dans les technologies avancees silicium de type cmos, bicmos et alternatives." Orléans, 1999. http://www.theses.fr/1999ORLE2046.

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Abstract:

Comme suite a son introduction dans la technologie bipolaire, le materiau sige a ete etudie en vue de son introduction dans les technologies cmos standard (<0,15m) ou alternatives. A l'aide d'une machine cvd mono-plaque industrielle, plusieurs types d'alliages sige ont ete etudies, developpes et testes dans differentes applications. Apres avoir degage les principaux mecanismes intrinseques (parametres de depots) et extrinseques (preparation de surface) qui conduisent a l'obtention de couches mono ou polycristallines de sige ayant des concentrations en ge variant entre 0 et 100%, des empilement

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Usai, Giulia. "Conception et Fabrication hybride 3D monolithique de relais NEMS co-integrés CMOS." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAT069.

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Abstract:

Ce travail de thèse porte sur les relais nano électromécaniques (NEMS en anglais). Afin de surmonter la limite d’efficacité énergétique inhérente à la technologie CMOS, l’utilisation de relais NEMS pour des circuits logiques a été récemment proposée. En effet, les bénéfices cumulés d’un courant nul à l’état bloqué et d’une commutation abrupte permettent d’améliorer le compromis puissance-performance lorsque la tension d’alimentation VDD est réduite.Cependant, les relais NEMS sont limités intrinsèquement par leur endurance, leur fréquence de fonctionnement ainsi que par leur faible densité d’in

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Philippe, Julien. "Technologie de fabrication et analyse de fonctionnement d'un système multi-physique de détection de masse à base de NEMS co-intégrés CMOS." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT099/document.

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Abstract:

Ces dernières décennies ont vu l'émergence des microsystèmes électromécaniques (MEMS) grâce notamment aux techniques de fabrication employées dans l'élaboration des transistors. L'utilisation de différentes propriétés physiques (électroniques, mécaniques, optiques par exemple) a permis la construction d'un large panel de capteurs miniaturisés. Résultant de la miniaturisation sub-micrométrique des MEMS, les nanosystèmes électromécaniques (NEMS) constituent un tout nouveau type d'objet permettant d'adresser des applications nécessitant un très haut niveau de sensibilité et de résolution, comme l

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Tallal, Jamal. "Développement de techniques de fabrication collectives de dispositifs électroniques à nanostructure unique." Phd thesis, Grenoble 1, 2007. http://www.theses.fr/2007GRE10205.

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Abstract:

Le développement actuel de la micro/nanoélectronique est basé sur une constante réduction des dimensions caractéristiques des structures fabriquées. Ce constant changement d'échelle va être confronté à terme à de nombreux obstacles à la fois physiques (courant de fuite important, effet quantique perturbateur. . . ) et technologiques (limite de résolution des procédés de fabrication industriels). Pour paliers à ces différents freins, une alternative prometteuse est l'intégration collective d'objets nanométriques dans des architectures électroniques. Dans ce contexte, nous avons tout d'abord dév

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Tallal, Jamal. "Développement de techniques de fabrication collectives de dispositifs électroniques à nanostructure unique." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00197851.

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Abstract:

Le développement actuel de la micro/nanoélectronique est basé sur une constante réduction des dimensions caractéristiques des structures fabriquées. Ce constant changement d'échelle va être confronté à terme à de nombreux obstacles à la fois physiques (courant de fuite important, effet quantique perturbateur ...) et technologiques (limite de résolution des procédés de fabrication industriels). Pour paliers à ces différents freins, une alternative prometteuse est l'intégration collective d'objets nanométriques dans des architectures électroniques. Dans ce contexte, nous avons tout d'abord dével

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Isselé, Hélène. "Caractérisation et modélisation mécaniques de couches minces pour la fabrication de dispositifs microélectronoiques-application au domaine de l'intégration 3D." Phd thesis, Université de Grenoble, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00987507.

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Abstract:

Fabriquer des dispositifs microélectroniques en utilisant des technologies d'intégration 3D nécessite une connaissance approfondie des problématiques mécaniques. En effet, les matériaux intégrés ont des propriétés thermomécaniques variées et sont déposés en couches minces sur un substrat aminci afin de pouvoir réaliser les interconnexions. Cette configuration nécessite un contrôle strict du niveau de déformation et de contrainte des dispositifs durant leur fabrication, afin de garantir leur intégrité. L'objectif de ce travail de thèse est d'exploiter les techniques de caractérisation disponibl

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Ribot, Pascal. "Développement et réalisation de structures Silicium et Silicium-Germanium par RTCVD et leur intégration dans les technologies BiCMOS et CMOS avancées." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2001. http://www.theses.fr/2001GRE10051.

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Gerber-Morata, Elisabeth. "Les dispositifs de formation et d'évaluation des compétences linguistiques des migrants adultes dans l’espace francophone européen : approches croisées." Thesis, Aix-Marseille, 2014. http://www.theses.fr/2014AIXM3003/document.

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Abstract:

Notre étude croisée qui concerne trois pays francophones européens (Belgique, France et Suisse) montre qu'il existe des différences notables sur le plan national en matière d'immigration et de politique d'intégration. En Europe, on constate la mise en place d'un contrôle accru des flux migratoires, de la lutte contre l'immigration illégale et de la restriction des demandes d'asile alors que la construction d'une action centrée sur la question sociale de l'intégration des populations migrantes peine à se concrétiser. Nous nous sommes intéressée à la mise en place de ces politiques par le biais

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Botelho, Diego Pereira. "Méthode des éléments naturels appliquée aux problèmes électromagnétiques : développement d’un outil de modélisation et de conception des dispositifs électriques." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT138/document.

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Abstract:

Afin de surmonter les difficultés de la méthode des éléments finis (MEF) liées à la forte dépendance de la solution au maillage, des méthodes sans maillage ont été développées durant les 20 dernières années. Ces techniques ont l’avantage de procurer des approximations très régulières, capables de répondre de manière plus satisfaisante aux exigences croissantes des applications. Cependant, certaines caractéristiques intrinsèques à la plupart de ces approches rendent leur mise en œuvre difficile : souvent des techniques supplémentaires spécifiques doivent être mises en place pour imposer les con

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Bourgeois, Clara. "Les défis de l'intersectorialité : l'exemple de la mise en oeuvre des dispositifs d'insertion professionnelle des immigrés." Thesis, Bordeaux, 2015. http://www.theses.fr/2015BORD0458/document.

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Abstract:

Depuis plusieurs années en France et en Europe, le législateur encourage le rapprochement desecteurs d’action publique dans le cadre des politiques d’activation des chômeurs, visant ainsi àmettre en place une approche plus globale et décloisonnée des problématiques d’insertionprofessionnelle. On cherche dans ce travail à analyser les logiques d’action que sous-tendent ceschangements à travers l’étude de leur mise en oeuvre par les acteurs institutionnels locaux et lesagents de terrain en charge de l’accompagnement des demandeurs d’emploi.Trois niveaux d’action publique sont donc analysés : un

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Kuprenaite, Sabina. "Heterogeneous integration of functional thin films for acoustic and optical devices." Thesis, Bourgogne Franche-Comté, 2019. http://www.theses.fr/2019UBFCD039.

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Abstract:

Le contrôle de la microstructure et de la morphologie de surface est essentiel pour que les couches minces soient appliquées dans des dispositifs optiques et acoustiques. Des couches minces de TiO2, LaNiO3 et ZnO et leurs hétérostructures ont été obtenues par des techniques de pulvérisation cathodique à radio fréquence et de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). L'optimisation des paramètres de dépôt, tels que la température, la pression totale de la chambre, la pression partielle d'O2 et la vitesse de croissance, a conduit à une amélioration de la qualité structurelle et fonctionnels des film

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Fagade, Carole. "L'intégration des dispositifs numériques de l'information et de la communication dans les universités béninoises : le cas de WhatsApp à l'Université d'Abomey-Calavi (UAC)." Electronic Thesis or Diss., Bordeaux 3, 2021. http://www.theses.fr/2021BOR30056.

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Abstract:

Á l’Université d’Abomey-Calavi (UAC), le nombre d’étudiants inscrits connaît chaque année une forte augmentation . Il faut ajouter à ce phénomène, la « vétusté » des moyens de communication de l’administration qui se limitent toujours au « bouche-à-oreille » ou à l’affichage, en ce qui concerne la communication avec les étudiants. Dans ce contexte, afin de satisfaire les besoins d’information et de communication qu’ils rencontrent, les responsables des étudiants et les étudiants eux-mêmes s’inventent le quotidien (de Certeau, 1990) à l’aide de l’internet. Ceux-ci se servent des réseaux sociaux

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Velmuradova, Maya. "Communication pour le développement et l'intégration sociale des nouveaux dispositifs : le rôle de la valeur perçue d'usage. : étude de cas dans l'appui à des Petites et moyennes entreprises au Turkménistan." Thesis, Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM5906/document.

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Abstract:

Un nombre d’auteurs appellent à reconsidérer la communication pour le développement et le changement social comme une question de techniques et société. Les modèles de l’intégration sociale des innovations en SIC sont donc utilisés ici pour étudier comment de nouveaux dispositifs d’appui sont acceptés et appropriés par leurs usagers dans les pays en développement, et notamment en Asie centrale (Turkménistan). Le fait que la réception et l’appropriation des dispositifs par leurs usagers est primordiale pour l’efficacité des programmes d’appui n’est plus à prouver. Nous synthétisons les modèles

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Velmuradova, Maya. "Communication pour le développement et l'intégration sociale des nouveaux dispositifs : le rôle de la valeur perçue d'usage. : étude de cas dans l'appui à des Petites et moyennes entreprises au Turkménistan." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM5906.

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Abstract:

Un nombre d’auteurs appellent à reconsidérer la communication pour le développement et le changement social comme une question de techniques et société. Les modèles de l’intégration sociale des innovations en SIC sont donc utilisés ici pour étudier comment de nouveaux dispositifs d’appui sont acceptés et appropriés par leurs usagers dans les pays en développement, et notamment en Asie centrale (Turkménistan). Le fait que la réception et l’appropriation des dispositifs par leurs usagers est primordiale pour l’efficacité des programmes d’appui n’est plus à prouver. Nous synthétisons les modèles

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Faye, Oumoul khairy Aby. "Les papillons de cité : trajectoires scolaires et parcours socioprofessionnels d'un groupe de jeunes sans qualification au sein des dispositifs d'insertion : une étude de cas à Strasbourg." Thesis, Strasbourg, 2018. http://www.theses.fr/2018STRAG002.

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Abstract:

Cette thèse de doctorat porte sur le parcours socio-institutionnel d’un groupe de jeunes peu ou sans qualification bénéficiant d’une mesure politique d’aide à l’insertion professionnelle. Le but de cette recherche a été d’étudier comment ce public, marqué par des formes de disqualifications plurielles, est pris en charge par les dispositifs qui leur sont consacrés. Notons, de prime à bord, que les personnes ayant recours à l’assistance publique ont longtemps été jugées à tort comme une strate homogène alors qu’il existe plusieurs types de rapports aux services d’action sociale qui varient en f

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Gamet, Arnaud. "Etude et mise en oeuvre de transitions passives aux interfaces circuit/boîtier pour les bases de temps intégrées résonantes." Thesis, Aix-Marseille, 2017. http://www.theses.fr/2017AIXM0002.

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Abstract:

L’intégration des oscillateurs dans les microcontrôleurs est aujourd’hui un enjeu industriel majeur suscitant une forte concurrence entre les principaux acteurs du marché. En effet, les oscillateurs sinusoïdaux sont des circuits indispensables, et sont majoritairement basés sur l’utilisation d’un résonateur à quartz ou MEMS externe. De plus en plus d’investigations sont menées afin d’intégrer des dispositifs résonants dans les boîtiers et éviter ainsi toutes les contraintes extérieures limitant les performances de l’oscillateur. En ce sens, nous avons étudié dans ce travail le comportement éle

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Tagro, Yoann. "Mise au point d’une méthodologie de caractérisation des 4 paramètres de bruit HF des technologies CMOS et HBT avancées dans la bande 60-110 GHz : développement de système à impédance variable in-situ." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10123/document.

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Abstract:

Les avancées technologiques sur la réduction de la longueur de grille en accord avec la loi de Moore permettent aujourd’hui d’avoir des transistors sur silicium assez performants (ft/fMax > 150 GHz). La connaissance des performances dynamiques et en bruit en gamme millimétrique des transistors passe par leur caractérisation qui aujourd’hui est rendue difficile à cause de la limitation en fréquence des appareils de mesure. Il a été question dans cette thèse d’établir dans un premier temps un état de l’art sur les tuners d’impédances. Cette étude a débouché sur la nécessité de concevoir et de

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Gamet, Arnaud. "Etude et mise en oeuvre de transitions passives aux interfaces circuit/boîtier pour les bases de temps intégrées résonantes." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2017. http://www.theses.fr/2017AIXM0002.

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Abstract:

L’intégration des oscillateurs dans les microcontrôleurs est aujourd’hui un enjeu industriel majeur suscitant une forte concurrence entre les principaux acteurs du marché. En effet, les oscillateurs sinusoïdaux sont des circuits indispensables, et sont majoritairement basés sur l’utilisation d’un résonateur à quartz ou MEMS externe. De plus en plus d’investigations sont menées afin d’intégrer des dispositifs résonants dans les boîtiers et éviter ainsi toutes les contraintes extérieures limitant les performances de l’oscillateur. En ce sens, nous avons étudié dans ce travail le comportement éle

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