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Academic literature on the topic 'Dispositivos semiconductores de potencia'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 13 February 2022

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Journal articles on the topic "Dispositivos semiconductores de potencia"

1

Guevara, Esteban, José Tinajero, Mauro Guevara, and Mildred Cajas. "Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC MOSFETs." Revista Perspectivas 2, no. 1 (2020): 33–37. http://dx.doi.org/10.47187/perspectivas.vol2iss1.pp33-37.2020.

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Abstract:
Actualmente los transistores de efecto de campo fabricados en carbono de silicio son una tecnología emergente que está ingresando al mercado de los dispositivos de potencia, debido a los superiores beneficios que presenta esta familia de semiconductores con relación al silicio. Por su amplia banda prohibida presenta varias peculiaridades de defectuosidad dentro de su estructura que afectan directamente a las características eléctricas de los dispositivos, el objetivo de este artículo es determinar el grado de defectuosidad al interno de la estructura MOS, mediante la técnica de caracterización
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2

Berrones, Sofia, Ronald Marcelo Barcia Macías, Mildred Cajas Buenaño, and Andres Morocho Caiza. "Aplicación de Mediciones de Ruido de Baja Frecuencia para el Análisis de Efectos de Estrés Térmico y Eléctrico en Dispositivos de Potencia." Revista Perspectivas 2, no. 2 (2020): 7–12. http://dx.doi.org/10.47187/perspectivas.vol2iss2.pp7-12.2020.

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Abstract:
Este documento presenta el estudio del efecto del estrés térmico y eléctrico en dispositivos semiconductores de potencia a través de mediciones de ruido de baja frecuencia. Se aplico una prueba de Polarización Inversa a Alta Temperatura (HTRB por sus siglas en inglés) a los dispositivos de potencia, determinando sus características eléctricas. Las herramientas utilizadas para este estudio fueron una fuente de tensión variable hasta 1200V diseñada para la aplicación de estrés eléctrico, un módulo de temperatura compuesto por un mini calentador y un módulo de control diseñado para la aplicación
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Valdez Bahena, Adolfo, Susana Estefany De León Aldaco, and Jesus Aguayo Alquicira. "Implementación digital basada en FPGA de la técnica PWM para el inversor multinivel en cascada." Ingeniería Investigación y Tecnología 21, no. 4 (2020): 1–9. http://dx.doi.org/10.22201/fi.25940732e.2020.21.4.032.

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Abstract:
El desarrollo de topologías de inversores multiniveles ha dado lugar a diversas técnicas de modulación de ancho de pulso, entre las más utilizadas están las que utilizan señales portadoras múltiples. Sin embargo, el inconveniente de la aplicación de este tipo de técnicas de modulación es que es necesario generar un gran número de señales de conmutación para todos los dispositivos de semiconductores de potencia que componen el inversor. Los conjuntos de puertas programables en el campo son una herramienta poderosa que permite obtener estas señales de manera rápida y precisa. El propósito de est
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4

Monsoriu, J. A., M. H. Giménez, F. Giménez, and M. J. Marín. "Modelización de superredes cuánticas con MathematicaQc." Modelling in Science Education and Learning 4 (June 5, 2011): 299. http://dx.doi.org/10.4995/msel.2011.3094.

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Abstract:
<p>Las superredes cuánticas son dispositivos nanoestruturados formados por varias capas delgadas de semiconductores distribuidas generalmente de forma periódica. Desde un punto de vista pedagógico, resulta sencillo determinar la dispersión de electrones en estos sistemas aplicando un modelo de pozos de potencial definido por la estructura de la red. De esta forma, los coeficientes de transmisión y reflexión pueden calcularse con fines docentes mediante el uso del Método de las Matrices de Transferencia (MMT). En esta contribución se presenta un sencillo código MMT desarrollado con Mathem
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5

Rafael-Valdivia, Guillermo. "Modelo compacto con capacidad de predicción de parámetros físicos para amplificadores de RF." Revista Facultad de Ingeniería 28, no. 51 (2019): 73–87. http://dx.doi.org/10.19053/01211129.v28.n51.2019.9132.

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Abstract:
En el presente trabajo se ha presentado un análisis de transistores de efecto de campo usando fuentes de voltaje pulsadas. Se han realizado medidas de microondas en dispositivos de tecnología HEMT’s y LDMOS poniendo en evidencia la diferencia entre el comportamiento estático y dinámico de dichos dispositivos. En base a las medidas se ha realizado un procesamiento de datos derivando una nueva ecuación con la capacidad de reproducir ambos tipos de comportamiento con elevada precisión y en diferentes puntos de operación. Consecuentemente el trabajo aporta un nuevo modelo basado en un circuito no
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Narváez-Matituy, Yamith Enrique, Andrés Fernando Ordóñez-Hurtado, and Víctor Manuel Quintero-Florez. "ANÁLISIS DEL DESEMPEÑO DE UN SISTEMA DE COMUNICACIÓN DE DA-TOS DE CORTO ALCANCE VÍA RADIO EN 2.4 GHZ BASADO EN ESPECTRO ENSANCHADO POR SECUENCIA DIRECTA (DSSS)." Revista de Investigaciones Universidad del Quindío 23, no. 1 (2012): 40–47. http://dx.doi.org/10.33975/riuq.vol23n1.417.

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Abstract:
En el presente artículo se hace una introducción teórica acerca de la técnica de trasmisión de Espectro En-sanchado por Secuencia Directa (DSSS, Direct Sequence Spread Spectrum) y las ventajas obtenidas al mo-dificar sus parámetros de configuración. Se presenta una descripción general del sistema de comunicación de datos vía radio de corto alcance en 2.4 GHz basado en DSSS desarrollado a partir de los dispositivos de Ra-dio Programables en un Chip (PRoC, Programmable Radio on Chip) de Cypress Semiconductor Corp. Una vez desarrollado el sistema de comunicación se diseñó un plan de pruebas para
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García López, Manuel, P. Ponce, Luis A. Soriano, A. Molina, and Jaime J. Rodriguez. "Mejora de la Vida Útil en los Módulos de Electrónica de Potencia de un BLDCM Mediante la Optimización de un Control Difuso." Revista Iberoamericana de Automática e Informática industrial 16, no. 1 (2018): 66. http://dx.doi.org/10.4995/riai.2018.9078.

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Abstract:
<p>El tiempo de vida útil en los elementos de electrónica de potencia en accionamientos eléctricos para motores de corriente directa sin escobillas BLDCM (por sus siglas en inglés Brushless Direct Current Motor), pueden verse afectados debido a las pérdidas por conmutación y conducción que aparecen durante su operación. Estas pérdidas normalmente no se considerarán en el diseño del controlador, por lo que su vida útil disminuye drásticamente o genera fallas prematuramente. El presente trabajo propone la optimización de un controlador difuso mediante el algoritmo PSO (por sus siglas en in
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8

Pérez-Rodríguez, A., B. Garrido, C. Bonafos, et al. "Síntesis por implantación iónica de nanocristales semiconductores para dispositivos en tecnología de Si." Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 39, no. 4 (2000): 458–62. http://dx.doi.org/10.3989/cyv.2000.v39.i4.798.

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Macías, Hugo Alejandro, Mauricio Mauledoux, and Willian Aperador. "Diseño y construcción de un generador ultrasónico para la evaluación de la erosión y corrosión por cavitación en recubrimientos duros." Ingenium Revista de la facultad de ingeniería 14, no. 27 (2013): 41. http://dx.doi.org/10.21500/01247492.2593.

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Abstract:
<p>Los generadores ultrasónicos son dispositivos de potencia que proporcionan la tensión y frecuencia adecuadas para el buen funcionamiento de los transductores piezoeléctricos.<br />Los nuevos desarrollos en la electrónica de potencia contribuyen al logro de un mejor desempeño de los generadores permitiéndoles alcanzar las frecuencias y tensiones necesarias, al tiempo que reducen los armónicos del sistema alargando la vida útil de los transductores. En este artículo se presenta el proceso de diseño de un generador ultrasónico para un transductor Langevin de 1Kw de potencia que ser
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10

Moreno Rubio,, Jorge Julián, Edison Ferney Angarita Malver, Norma Restrepo Burgos, Julián Leonardo Rodríguez, Juan Mauricio Salamanca, and William Alexander Cuevas Carrero. "Amplificadores de potencia para aplicaciones de microondas basados en dispositivos GaN (GaN-based Power amplifiers for microwave applications)." Ingeniería Investigación y Desarrollo 16, no. 1 (2016): 21. http://dx.doi.org/10.19053/1900771x.5120.

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Abstract:
Este artículo presenta una discusión sobre las estrategias de diseño de diferentes tipos de amplificadores de potencia para aplicaciones RF/Microondas, tales como el amplificador de carga sintonizada, Clase F, F inverso y Doherty. Además, se muestra la caracterización en onda continua de los amplificadores arriba mencionados, y una comparación de los resultados obtenidos, en términos de ganancia, eficiencia y potencia de salida.
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Dissertations / Theses on the topic "Dispositivos semiconductores de potencia"

1

Gálvez, Sánchez José-Luis. "Analysis of bidirectional switch power modules for matrix converter application." Doctoral thesis, Universitat Autònoma de Barcelona, 2017. http://hdl.handle.net/10803/457719.

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Abstract:
Existeix una creixent demanda en aplicacions industrials que requereixen una transferència bidireccional de potència entre la xarxa elèctrica i una càrrega i viceversa com per exemple: elevadors, escales mecàniques, energies renovables (molins de vent, fotovoltaica, cel·les de combustible, xarxes elèctriques intel·ligents), tracció elèctrica, etc. La possibilitat de dur a terme una conversió AC-AC directa sense un bus de contínua és una realitat gràcies a la topologia de convertidor matricial de potència (CM). La típica configuració d’un CM consisteix en nou interruptors bidireccionals (IBDs)
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2

Munayco, Ormeño Luis Francisco, and Viera Erik Alonso Prado. "Diseño e implementación de una fuente de poder múltiple de 500 W, para el encendido y operación de una lámpara Flash en modo Simmer, a fin de excitar ópticamente a un dispositivo láser tipo Nd: YAG." Bachelor's thesis, Universidad Peruana de Ciencias Aplicadas (UPC), 2017. http://hdl.handle.net/10757/622287.

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Abstract:
Propuesta de diseño, construcción y pruebas de una fuente de poder múltiple aplicada a un láser Nd: YAG. Para el diseño y construcción de esta fuente de poder, se utilizan técnicas de convertidores conmutados, los cuales trabajan en alta frecuencia para lograr mayor eficiencia del convertidor obteniendo reducción de espacio respecto a las fuentes de poder tradicionales. Desde hace muchos años, la tecnología en el campo de la electricidad y electrónica ha ido avanzando constantemente con una clara tendencia a hacer equipos cada vez más pequeños, eficientes y portátiles. Asimismo, las fuentes de
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3

Cuadrado, Santolaria Alba. "Semiconductores orgánicos derivados del carbazol y su aplicación en dispositivos electrónicos." Doctoral thesis, Universitat de Barcelona, 2019. http://hdl.handle.net/10803/667874.

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Abstract:
En los últimos años se han llevado a cabo intensas investigaciones dentro del campo de los materiales orgánicos semiconductores, principalmente enfocados a su aplicación en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos como son los OTFTs, los OLEDs y las celdas solares orgánicas. Los materiales orgánicos aún no han adquirido el protagonismo de los materiales inorgánicos en estas áreas, ya que estos últimos presentan mejores eficiencias y mayores valores de movilidades de carga. No obstante, su fácil procesamiento, la posibilidad de recubrir grandes superficies flexibles, su ligereza y su bajo c
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Zeljami, Kaoutar. "Caracterización y Modelado de Dispositivos Semiconductores Para Uso en Sistemas de Telecomunicaciones a Frecuencias de Terahercios." Doctoral thesis, Universidad de Cantabria, 2013. http://hdl.handle.net/10803/120189.

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Abstract:
El objetivo de esta tesis ha sido el estudio, la caracterización y el modelado de diodos Schottky, desde continua (DC) hasta la banda de frecuencia W. Se trata de diodos comerciales que se han desarrollado en Virginia Diodes: un diodo Schottky simple (SA), un diodo Zero Bias (ZBD) y una configuración de dos diodos en antiparalelo. El modelado se ha realizado mediante una combinación de medidas en continua, medidas en baja frecuencia, medidas de los parámetros de scattering para dos rangos frecuenciales (DC-50GHz, 75-110GHz), medidas Pin/Pout, y medidas del montaje de un conjunto de transicione
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Serran, Nivaldo Vicençotto. "Estudo e realização de difusões com dopantes do tipo "preforms" para dispositivos semicondutores de potencia." [s.n.], 1991. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259323.

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Abstract:
Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica<br>Made available in DSpace on 2018-07-14T02:48:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Serran_NivaldoVicencotto_M.pdf: 3211859 bytes, checksum: d36918c3b265d1dfd5b3cdabe0b39493 (MD5) Previous issue date: 1991<br>Resumo: Não informado<br>Abstract: Not informed.<br>Mestrado<br>Mestre em Engenharia Elétrica
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Klider, Karine Cristina Carrilho Weber dos Santos. "PREPARAÇÃO DE COMPOSTOS ORGÂNICOS COM POTENCIAL APLICAÇÃO EM DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS: AVALIAÇÃO DE PROPRIEDADES FOTO-FÍSICAS E ELETROQUÍMICAS." UNIVERSIDADE ESTADUAL DE PONTA GROSSA, 2016. http://tede2.uepg.br/jspui/handle/prefix/11.

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Abstract:
Made available in DSpace on 2017-07-20T12:40:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Karine Klider.pdf: 4696661 bytes, checksum: 1625309038e6d64e39214301b4f96f7b (MD5) Previous issue date: 2016-07-27<br>Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior<br>In this study, we evaluated the optical and electrochemical properties of organic compounds of different types in order to analyze their potential for application active layer in photovoltaic devices. The work was divided into three parts. The first discloses the preparation and characterization of a derivative of 1,8-naphthalimide chromo
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Cárdenas, Concha Viktor Oswaldo. "Conversor de energia luminosa em eletrica para dispositivos de baixa potencia utilizando o efeito piroeletrico do polimero PVDF." [s.n.], 2004. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/267671.

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Abstract:
Orientador: João Sinezio de Carvalho Campos<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Quimica<br>Made available in DSpace on 2018-08-04T05:35:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CardenasConcha_ViktorOswaldo_M.pdf: 2223601 bytes, checksum: e0b74d1a610662f88f23a92489ad6173 (MD5) Previous issue date: 2004<br>Resumo: O polímero polifluoreto de vinilideno (PVDF, PVF2) há décadas é conhecido como um material que possui diversas propriedades (óptica, mecânica e elétrica), se destacando dentre os polímeros, pois raramente se tem um polímero com tantas proprie
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Matos, Díaz Gabriel Armando. "Diseño de un amplificador de ganancia programable con disipación de potencia adaptada a la ganancia para sistemas de adquisición de señales neuronales." Bachelor's thesis, Pontificia Universidad Católica del Perú, 2019. http://hdl.handle.net/20.500.12404/14654.

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9

Zamanillo, Sáinz de la Maza José María. "Metodología para la extracción lineal y no-lineal de modelos circuitales para dispositivos MESFET y HEMT de media-alta potencia." Doctoral thesis, Universidad de Cantabria, 1996. http://hdl.handle.net/10803/10677.

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Abstract:
En la presente tesis se muestra una nueva metodología de extracción "inteligente" de modelos circuitales lineales y no lineales para dispositivos MESFET y HEMT, además de efectuar numerosas aportaciones en el campo de las medidas radioeléctricas de dichos dispositivos mediante diseño del hardware y del software necesario para la automatización de las mismas. Por otro lado se presenta un novedoso modelo de Gran Señal para dispositivos HEMT de potencia que da cuenta del fenómeno de la compresión de la transconductancia y es fácilmente implementable en simuladores no lineales comerciales del tipo
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Quezada, Novoa Andrés Alberto. "Diseño e implementación de inversor fotovoltaico de bajo costo." Tesis, Universidad de Chile, 2012. http://www.repositorio.uchile.cl/handle/2250/112523.

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Abstract:
Ingeniero Civil Electricista<br>El presente trabajo aborda los conceptos básicos, sobre electrónica, semiconductores de potencia, controladores digitales de señales y software de simulación en electrónica de potencia, para lograr diseñar y construir un inversor MPPT fotovoltaico de 2kW de potencia nominal que sirva como base para desarrollos en esta área. Se presenta una introducción al tema, los objetivos de la memoria y una breve descripción del estado del arte, conocimientos necesarios para desarrollar un equipo de estas características. En función de estos antecedentes se presenta el dise
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Books on the topic "Dispositivos semiconductores de potencia"

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López, Enrique G. León. Principios fundamentales de los dispositivos de semiconductores. Limusa, 1996.

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González, Mónica Liliana. Dispositivos electrónicos. Editorial de la Universidad Nacional de La Plata (EDULP), 2015. http://dx.doi.org/10.35537/10915/49424.

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Abstract:
Este texto presenta los fundamentos de los Dispositivos Electrónicos básicos, principio físico de funcionamiento y aplicación en circuitos simples. El Capítulo 1 trata al Diodo, dispositivo semiconductor básico, no lineal, sus características y limitaciones de funcionamiento y el estudio de modelos eléctricos equivalentes lineales que permitan utilizar técnicas de análisis de circuitos en circuitos simples. El Capítulo 2 trata al Transistor Bipolar de Unión. Extendiendo el conocimiento logrado en el estudio del Diodo se interpreta el funcionamiento físico de este dispositivo más complejo. Adem
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3

Singh, Jasprit. Dispositivos Semiconductores. MC Graw Hill, 2000.

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Chatelain, Jean Daniel. Dispositivos De Semiconductores. Editorial Limusa S.A. De C.V., 2002.

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5

Ven, J. C. J. Van de. Seleccion de Semiconductores de Potencia. Paraninfo, 1991.

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6

Rashid, Muhammad H. Electronica de Potencia - Circuitos, Dispositivos. Prentice Hall, 1999.

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Garcia, Antonio Abellan, Jose Manuel Benavent Garcia, and Emilio Figueres Amoros. Electronica de Potencia - Teoria y Aplicaciones. Alfaomega Grupo Editor, 2000.

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8

Rengel Estévez, Raúl. Fundamentos físicos de la informática. Ediciones Universidad de Salamanca, 2020. http://dx.doi.org/10.14201/0dd0167.

Full text
Abstract:
En este libro se abordan los fundamentos que permiten comprender la física subyacente a la operación de los circuitos digitales que constituyen la base de los aparatos electrónicos que utilizamos a diario. Ordenadores personales, teléfonos inteligentes, cámaras digitales, videoconsolas… La nuestra es una sociedad de la información, en la que cada día empleamos multitud de dispositivos. Todo ello ha sido posible gracias a la increíble evolución de la electrónica, y en particular, a los circuitos electrónicos de estado sólido. La informática tal y como la conocemos hoy en día es posible gracias
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Book chapters on the topic "Dispositivos semiconductores de potencia"

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Salomón Preciado, Ana María, Miguel Aleman-Arce, Francisco Javier de Moure Flores, Jorge Ricardo Aguilar Hernández, Osvaldo Vigil Galán, and Gerardo Silverio Contreras Puente. "Crecimiento de películas delgadas en atmósfera de oxígeno mediante la técnica de sublimación-CSVT." In Avances de investigación en Nanociencias, Micro y Nanotecnologías. Volumen II. OmniaScience, 2020. http://dx.doi.org/10.3926/oms.404.4.

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Abstract:
Las celdas solares de CdTe/CdS en película delgada depositadas sobre substratos flexibles y en la configuración sustrato no han tenido buena respuesta fotovoltaica, dando menores eficiencias que sus homologas desarrolladas en configuración superestrato. Son dos los procesos relacionados con el deterioro de las propiedades de la película absorbente CdTe, estos son: 1) el tratamiento con cloruro de cadmio que se deposita sobre el CdTe antes del CdS no permite que se mejore la unión entre estos semiconductores; 2) el contenido de cobre que se deposita en el contacto trasero de la celda o durante el depósito de CdTe degradando las propiedades de la película. Sin embargo, en el año 2013 se logró desarrollar una celda solar CdTe/CdS sobre sustrato de molibdeno flexible, incorporando de manera controlada capas atómicas de cobre entre el CdTe y el CdS, alcanzando una eficiencia de 11.5 %. Estos resultados dejan claro que aún hay mucho por investigar en cuanto a los materiales disponibles para celdas solares y la importancia que tiene el conocer sus propiedades para entender y dirigir la investigación hacia desarrollo de dispositivos fotovoltaicos eficientes, de bajo costo y que brinden beneficio a largo plazo. En el presente trabajo se presentan los resultados de estudios de las películas delgadas de CdTe depositadas mediante la técnica de sublimación por transporte de vapor en espacio cercano (CSVT, por sus siglas en inglés), sobre sustratos de molibdeno flexible. En estos depósitos se variaron espesores para evaluar la interacción del oxígeno usado durante el depósito en las propiedades estructurales, ópticas, eléctricas, químicas y morfológicas del CdTe. Los resultados mostraron que el oxígeno forma óxidos de teluro y teluratos de cadmio en la superficie de la película de CdTe. Además, se encontró evidencia de defectos comunes del CdTe tales como maclas y fallas de apilamiento.
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Conference papers on the topic "Dispositivos semiconductores de potencia"

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Marrero Vera, Samuel, Ignacio de la Nuez Pestana, and Mario Hernández Tejera. "Problemática en la ubicación de dispositivos FACTS en los sistemas eléctricos de potencia." In XXXIX Jornadas de Automática. Universidade da Coruña. Servizo de Publicacións, 2020. http://dx.doi.org/10.17979/spudc.9788497497565.0776.

Full text
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Sanches, Matheus Ferraroni, Oscar Jaime Ciceri Coral, and Leandro Aparecido Villas. "RP-Sim: Radio Propagation Simulator." In XXXVIII Simpósio Brasileiro de Redes de Computadores e Sistemas Distribuídos. Sociedade Brasileira de Computação, 2020. http://dx.doi.org/10.5753/sbrc_estendido.2020.12395.

Full text
Abstract:
Radio Propagation Simulator (RP-Sim) é uma ferramenta que foi desenvolvida com o propósito de auxiliar na análise de cobertura e desempenho de redes sem fio, podendo auxiliar durante o estágio de planejamento e alocação de infraestrutura. A versão atual do RP-Sim considera obstáculos, como prédios e construções, diferentes modelos de propagação, diferentes modulações e configuração dos dispositivos de comunicação, como posicionamento, altura, ganhos, frequência e largura de banda, para calcular a potência de recepção e a taxa de erro de bit (BER) em uma região ou em um local específico. Além d
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Gallastegui Gonzalez, Samuel. "La emersión como transcodificación del espacio digital global al espacio físico local." In III Congreso Internacional de Investigación en Artes Visuales :: ANIAV 2017 :: GLOCAL. Universitat Politècnica València, 2017. http://dx.doi.org/10.4995/aniav.2017.4954.

Full text
Abstract:
En las dos últimas décadas, los dispositivos móviles y las tecnologías de realidad mixta nos han permitido hibridar los espacios digitales y los físicos, creando espacios transcodificados que se retroalimentan mutuamente. La computación ubicua, las tecnologías nómadas y los dispositivos geolocalizados funden la frontera entre el espacio digital global y los espacios físicos locales donde se mueve la persona, lo cual ha transformado la forma en la que ésta experiencia ambos espacios, ya que no accede a ellos a través de una interfaz fija, sino que el espacio físico es ahora una interfaz para el
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Viveros, Israel, Sidney René Toledo Martínez, Josimar Muñoz Delgado, and Rafael Zamudio Reyes. "Prototipo de Celula Robotica para Manufactura." In INNODOCT 2018. Editorial Universitat Politècnica de València, 2018. http://dx.doi.org/10.4995/inn2018.2018.8849.

Full text
Abstract:
El presente proyecto pretende estructurar el proceso de análisis, diseño, implementación y puesta en marcha de un prototipo robótico, enfocado a procesos de manufactura, utilizando diseños de autómatas aplicados a dispositivos de maquinado industrial, herramientas de mecatrónica y aplicaciones de ingeniería de sistemas, el objetivo es desarrollar una herramienta didáctica, que permita implementar, emular y desarrollar diversos procesos de manufactura, que por medio de interfaces gráficas permitan visualizar y controlar de forma intuitiva procesos industriales de manera automatizada, impulsando
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