Relevant bibliographies by topics / Dopage chimique / Dissertations / Theses
To see the other types of publications on this topic, follow the link: Dopage chimique.

Dissertations / Theses on the topic 'Dopage chimique'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 25 May 2024

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 50 dissertations / theses for your research on the topic 'Dopage chimique.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse dissertations / theses on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

SUBAGIYO, LAMBANG. "Dopage chimique d'oligomeres de phenylene par des metaux alcalins." Nantes, 2001. http://www.theses.fr/2001NANT2041.

Full text
Abstract:
Le dopage des polymeres conducteurs est relativement bien compris actuellement. Il conduit a la formation de porteurs de charge de nature polaronique susceptibles de se deplacer dans le materiau et de contribuer a une conductivite qui peut atteindre celle du cuivre dans le meilleur des cas. Toutefois, le role specifique de l'organisation supramoleculaire dans ces processus et la stabilisation de la charge polaronique par la deformation de la molecule sont des points qui meritent encore un eclaircissement. Dans ce travail, nous avons dope chimiquement les oligomeres p-terphenyle, p-quaterphenyl
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Velez, Emilio. "Graphène épitaxié sur SiC : dopage et fonctionnalisation." Thesis, Paris 6, 2014. http://www.theses.fr/2014PA066449/document.

Full text
Abstract:
Depuis sa découverte, le graphène a attiré beaucoup d’intérêt et ses propriétés remarquables font de lui un matériau très étudié par la communauté scientifique. Ce travail de thèse porte non pas sur ces propriétés intrinsèques, mais sur les possibilités de dopage et de fonctionnalisation du graphène pour d’éventuelles applications futures. Le choix du graphène épitaxié sur SiC comme matériau de base nous a permis d’avoir des échantillons adaptés aux études spectroscopiques (XPS, ARPES, NEXAFS) effectuées au synchrotron SOLEIL. Ces études sont indispensables pour la caractérisation macroscopiqu
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Velez, Emilio. "Graphène épitaxié sur SiC : dopage et fonctionnalisation." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2014. http://www.theses.fr/2014PA066449.

Full text
Abstract:
Depuis sa découverte, le graphène a attiré beaucoup d’intérêt et ses propriétés remarquables font de lui un matériau très étudié par la communauté scientifique. Ce travail de thèse porte non pas sur ces propriétés intrinsèques, mais sur les possibilités de dopage et de fonctionnalisation du graphène pour d’éventuelles applications futures. Le choix du graphène épitaxié sur SiC comme matériau de base nous a permis d’avoir des échantillons adaptés aux études spectroscopiques (XPS, ARPES, NEXAFS) effectuées au synchrotron SOLEIL. Ces études sont indispensables pour la caractérisation macroscopiqu
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Auvray, Stéphane. "Transistors à base de nanotubes de carbone réalisés par auto-assemblage et leur optimisation chimique." Paris 11, 2004. http://www.theses.fr/2004PA112011.

Full text
Abstract:
Ce travail concerne le développement d'une technique de positionnement sélectif des nanotubes de carbone et son utilisation pour la fabrication de transistors à base de nanotubes (CNTFETs) individuels auto-assemblés. Nous mettons en évidence le rôle crucial des interfaces nanotube/substrat et nanotube/électrodes dans le fonctionnement de ce type de dispositifs et nous proposons une méthode efficace d'optimisation de leurs perfonnances. La méthode de positionnement contrôlée repose sur la fonctionnalisation de surfaces de silice par un aminosilane. Cette technique confère localement une réactiv
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Rudatsikira, Alphonse. "Contribution a l'etude du dopage n du polyacetylene." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1986. http://www.theses.fr/1986STR13188.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Simonneau, Antony. "Synthèse d'oligomères de rangs 6 et 8 du polyparaphénylène : dopage chimique et type N et caractérisations spectroscopiques." Nantes, 1996. http://www.theses.fr/1996NANT2014.

Full text
Abstract:
Dans un premier temps, nous nous sommes occupés à mettre en place une synthèse simple de l'oligomère de rang 8 du ppp, le paraoctiphenyle, analogue à celle du parasexiphenyle dont nous avons par ailleurs amélioré la synthèse. Cette synthèse consiste en un couplage électrochimique réducteur de dérivés monobromes et conduit à l'obtention de produits totalement purs. Ensuite, une étude du parasexiphenyle dope chimiquement par les organoalcalins (dopage de type n) bi phényle, naphtalene et 1-phenylethylene sodium ou potassium a été menée selon différentes techniques de caractérisation spectroscopi
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Bayle, Alpin Marie-Laure. "Effet de l'exercice sur les concentrations d'androgènes chez la jeune femme : analyse de traces dans les urines : mise au point d'une phase d'extraction à base d'empreinte moléculaire." Lyon 1, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/37/09/44/PDF/these_version_DEFINITIVE.pdf.

Full text
Abstract:
La consommation frauduleuse de nandrolone est détectée dans les urines par la présence de ses métabolites isomères norandrostérone et norétiocholanolone. Afin de contrôler si, chez la femme, une activité sportive peut être responsable de l'augmentation de leurs productions endogènes, ainsi que de celles de la déhydroépiandrostérone et de l'androstérone, une méthode d'analyse urinaire faisant intervenir trois extractions sur phase solide suivies d'une analyse par GC-MS a été mise au point. Une correction des concentrations brutes en analytes a été appliquée par rapport au taux de créatinine, ma
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Jacquier, Christophe. "Nouvelles approches de la croissance épitaxiale de SiC : transport Chimique en Phase Vapeur (CVT) et techniques à partir d'une phase liquide Al-Si." Lyon 1, 2003. http://www.theses.fr/2003LYO10232.

Full text
Abstract:
L'intérêt du carbure de silicium (SiC) pour la réalisation de dispositifs fortes puissances, hautes fréquences ou fonctionnant à haute température est indéniable. Afin de palier aux difficultés d'une technologie pas encore mature (qualité du matériaux, techniques de cristallogénèse), nous avons décidé de développer de nouvelles approches de croissance épitaxiale. Ainsi, nous avons étudié la croissance de SiC par Épitaxie en Phase Liquide (LPE) et mécanisme Vapeur-Liquide-Solide (VLS) dans des bains Al-Si. La réduction de la température de croissance par rapport à la CVD est importante. De plus
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Bégin, Dominique. "Le polyacétylène hautement orienté : synthèse, caractérisation structurale, dopages p chimique et électrochimique, propriétés de transport." Nancy 1, 1990. http://www.theses.fr/1990NAN10199.

Full text
Abstract:
Cette étude est consacrée à la synthèse d'un polyacétylène hautement orienté HOPA. Sa pureté et sa densité (1,1 G/CM#3) permettent de l'étirer jusqu'à 10 fois. Une étude structurale très fine du fait de sa cristallinité et de l'orientation des fibres a été réalisée : Les deux isomères sont caractérisés par une maille orthorhombique de groupe d'espace PNAM. La voltamperométrie cyclique a mis en évidence la reversibilité du dopage et les mesures d'impédence complexe ont permis une approche de la diffusivité dans ce type de matériau : la densité du polyacétylène s'avère être un facteur déterminan
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Theobald, Marc. "Dépôt de carbone amorphe hydrogéné par PECVD pour l'élaboration de microcibles. Dopage et caractérisation." Montpellier 2, 2000. http://www.theses.fr/2000MON20033.

Full text
Abstract:
Afin de realiser des experiences de fusion par confinement inertiel, les microcibles en polymere hydrocarbone doivent etre de tres bonne qualite, avoir une faible rugosite de surface, ne pas etre poreuses ou fissurees. Les epaisseurs demandees pour les cibles du futur laser megajoule sont importantes (de l'ordre de 175 m) et les rugosites doivent etre inferieures a 50 nm. Pour obtenir de tels films, le depot chimique en phase vapeur assiste plasma est une technique interessante et tout a fait appropriee. Cette methode permet de controler precisement l'epaisseur par le temps de depot et il est
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
11

Cyril, Ailliot. "CARACTÉRISATION PAR HOLOGRAPHIE ÉLECTRONIQUE ET SIMULATION DU DOPAGE 2D SUR SUBSTRAT SOI ULTRA-MINCE." Phd thesis, Université de Grenoble, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00587918.

Full text
Abstract:
L'holographie électronique "off-axis" est une technique de MET sensible à la densité locale de porteurs, elle permet facilement une cartographie 2D du potentiel électrostatique et, par son large champ de vue, une analyse des profils de dopants actifs, directement utilisables pour le calibrage des outils de simulation des procédés. Les travaux de cette thèse (convention CIFRE entre le CEA-LETI et STMicroelectronics) ont pour objet, d'une part l'établissement de protocoles de préparation des échantillons, d'acquisition des données en holographie électronique, et d'autre part la comparaison entre
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
12

Picard, Erwann. "Étude et optimisation d’une étape industrielle de dépôt polysilicium dopé in situ au phosphore par LPCVD." Rennes 1, 2008. http://www.theses.fr/2008REN1S179.

Full text
Abstract:
La fabrication de microstructures à forts facteurs d’aspect s’impose pour l’intégration des composants électroniques passifs. Une des étapes clés de ces procédés d’intégration est le remplissage des structures 3D, réalisé par le dépôt d’une couche de polysilicium fortement dopé in situ (ISDP) par LPCVD. Cette thèse a permis l’étude, le développement et l’optimisation d’étapes de dépôt ISDP à travers un procédé d’intégration de structures passives. Les objectifs industriels liés à cette étape de dépôt ISDP sont les suivants : Remplir conformément des structures à fort facteur d’aspect tout en r
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
13

Sikorav, Laurence. "Evaluation du systéme Nb-Ti-Al + Si : influence de la composition chimique et du dopage au silicium sur les transformations de phase." Thesis, Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066527/document.

Full text
Abstract:
Les alliages intermétalliques réfractaires à base de niobium sont considérés comme ayant un bon potentiel pour les applications à haute température grâce à un bon compromis entre une bonne résistance à haute température et une bonne ductilité à température ambiante. En outre, cette famille d'alliages présente également un point de fusion élevé et une faible densité. De ce fait, ils sont de bons candidats pour les applications dans les aubes de turbine à basse pression pour une plage de température comprise entre 800 et 1000 ° C. Le but de cette étude est d'étudier les changements de compositio
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
14

Barakat, Yosry Fathallah Moustafa. "Dopage du dioxyde de titane par oxydation anodique : étude analytique et structurale, conséquences sur les propriétés protectrices." Compiègne, 1987. http://www.theses.fr/1987COMP0E69.

Full text
Abstract:
L'importance industrielle du titane et de ses alliages a montré la nécessité d'un développement technologique des méthodes de protection contre ce métal. Du point de vue électrochimique, le métal peut-être protégé par des traitements cathodiques ou anodiques. Dans ce travail, nous avons choisi la deuxième voie de protection, où nous avons appliqué une technique de dopage du dioxyde de titane par l'anodisation. Ce dopage d'oxyde a été réalisé dans différents milieux tant acides que basiques. Les conditions électrochimiques appliquées sont diverses, elles incluent la nature de l'électrolyte, sa
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
15

Mehmel, Lahcene. "Épaississement et dopage de films de diamant hétéroépitaxiés sur substrats multicouches Ir/SrTiO₃/Si (100)." Thesis, Paris 13, 2019. http://www.theses.fr/2019PA131047.

Full text
Abstract:
Le diamant est un matériau à large bande interdite possédant des caractéristiques physiques exceptionnelles qui pourraient permettre de repousser les limites d’utilisation des dispositifs d’électronique de puissance. Néanmoins, la difficulté de synthèse par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma microonde (MPACVD) de monocristaux de diamant de grande taille (supérieures à quelques cm²) constitue l’un des verrous principaux au développement de tels composants. L’objectif de ce travail de thèse est le développement d’un procédé de croissance permettant l’obtention d’un « wafer » de di
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
16

Warren, Patricia. "Epitaxie et dopage in situ de films et d’hétéro structures Si/Si 1-X GeX en phase vapeur : : application aux transistors bipolaires." Lyon, INSA, 1994. http://www.theses.fr/1994ISAL0084.

Full text
Abstract:
Une des applications les plus intéressantes du système silicium-germanium est le Transistor Bipolaire a Hétérojonction, et ce d'autant plus que l'on peut fabriquer ce transistor, dans une technologie fiable et bon marche, la technologie MOS silicium des années 90. D'un autre côté, la forte mobilité des porteurs libres confines dans ses zones non dopées, fait du transistor MOS a modulation de dopage ou MODFET un autre dispositif très attractif. Dans ce travail, nous avons développe l'épitaxie, en vue de ces deux applications, tout en tenant compte des contraintes apportées par l'introduction de
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
17

Gheeraert, Etienne. "Défauts de structure et impuretés dans les couches minces de diamant élaborées par dépôt chimique en phase vapeur." Grenoble 1, 1992. http://www.theses.fr/1992GRE10030.

Full text
Abstract:
Nous avons optimise la qualite du diamant en fonction des conditions de preparation, et etudie la nature et la concentration de ses defauts electroniques residuels, pour la realisation, a long terme, de dispositifs electroniques avec du diamant en couches minces. Les couches (polycristallines) sont deposees sur si par cvd assiste par filament chaud (hfcvd) a 750c, et plasma micro-ondes (mpcvd) entre 620 et 880c. En hfcvd, du w (10#1#6 at-cm#2) est incorpore, et il existe une couche interfaciale (30 a 250 a) de sic. En mpcvd, il y a une incorporation faible de si, et une epaisseur equivalente d
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
18

Jrad, Abdelhak. "Elaboration, characterization and design of ZnS thin films for optoelectronic applications." Thesis, Sorbonne Paris Cité, 2017. http://www.theses.fr/2017USPCC074/document.

Full text
Abstract:
Le sulfure de zinc est l'un des premiers semiconducteurs découverts. Il a un grand potentiel d’applications grâces à ses propriétés physicochimiques. Il est intensément utilisé dans des applications optoélectroniques, photocatalytiques et pour la détection de gaz. En particulier, il est utilisé pour des applications photovoltaïques. Dans ce contexte, nous avons commencé par l’étude de l’effet du dopage par des métaux de transition (manganèse, cobalt et cuivre) sur les propriétés structurales, microstructurales, morphologiques, optiques, électriques et magnétiques des couches minces de sulfure
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
19

Simon, Jacques. "Contribution à l'étude des dépôts LPCVD de silicium polycristallin par pyrolyse de disilane. Cas du dopage in-situ au phosphore." Toulouse, INPT, 1993. http://www.theses.fr/1993INPT062G.

Full text
Abstract:
Le silicium polycristallin ou amorphe hydrogene est un materiau tres interessant, utilise en micro-electronique pour la realisation de nombreux dispositifs. L'analyse de la phase gazeuse de decomposition a mis en exergue l'importance du role des reactions chimiques en phase homogene dans le mecanisme de dissociation thermique du disilane. L'ajout de phosphine dans la phase gazeuse entraine des modifications de sa composition. Les avantages apportes par l'utilisation du disilane en termes de temperature d'elaboration et de vitesse de croissance en presence de phosphine sont mis en evidence et c
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
20

Ali, Benamara Abdelkader. "Dopage du polyacétylène orienté par les alcalins en phase vapeur : propriétés de transport et propriétés optiques." Montpellier 2, 1992. http://www.theses.fr/1992MON20105.

Full text
Abstract:
Nous avons realise le dopage du polyacetylene par deux metaux alcalins (k et cs) en phase vapeur. La cinetique de dopage controlee par la mesure in-situ de la conductivite continue en fonction du temps de dopage suggere l'existence de stades, semblables a ceux que l'on observe en electrochimie. Les conductivites atteintes par le (k#ych)#x sont de 10#4(. Cm)##1. L'etude par spectroscopie infrarouge a montre que le polyacetylene fortement dope au potassium est un metal tridimensionnel isotrope. Tous les modes vibrationnels sont ecrantes par la reponse electronique du systeme. Pour un taux de dop
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
21

Zaghdoudi, Meriem. "Effet du dopage sur les propriétés de transport des couches de silicium polycristallin : application à la réalisation de transistors à base de ces couches." Rennes 1, 2009. http://www.theses.fr/2009REN1S205.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse est consacré à la fabrication de transistors en couches minces (TCM) de silicium polycristallin (Si-poly), déposé amorphe par LPCVD à 550° C et cristallisé en phase solide à 600° C sous la couche active qui est traditionnellement du Si-poly non-dopé. La première partie est réservée à l'étude des propriétés physiques, optiques et électriques du Si-poly très faiblement dopé en phosphore ou en bore, in-situ pendant le dépôt. L'ensemble des caractérisations physiques (Microscope Eléctronique à Balayage), optiques (transmission optique, photodéflexion thermique (PDS), photlumine
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
22

Arezki, Hakim. "Ingénierie des propriétés optoélectroniques du graphène." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016SACLS095/document.

Full text
Abstract:
Ce travail s’est articulé autour de la modulation des propriétés électroniques du graphène. Un des objectifs visés étant la conception d’électrodes transparentes pour des applications photovoltaïques. Différentes techniques de dopage ont été utilisées pour la modulation du travail de sortie (WF) et de la mobilité électronique comme l’incorporation d’azote in-situ lors de la croissance, l’incorporation d’azote ex-situ par acide nitrique et acide aurique. Diverses techniques de caractérisation ont été employées notamment la microscopie à force atomique AFM/CPAFM, la spectroscopie Raman, la spect
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
23

Ait-Amer, Slimane. "Elaboration d'un logiciel général de simulation de réacteurs de CVD." Toulouse, INPT, 1994. http://www.theses.fr/1994INPT004G.

Full text
Abstract:
Le procede de depot chimique a partir d'une phase vapeur (cvd) est d'une grande importance dans de nombreux secteurs industriels, notamment l'industrie microelectronique. Le but de ce travail est de developper un modele mathematique decrivant le fonctionnement des reacteurs de cvd. Dans un premier temps, pour resoudre le probleme des ecoulements, nous avons utilise un logiciel de commerce nomme estet. Par la suite, nous avons elabore un programme qui traite des phenomenes de transfert de matiere avec reactions chimiques en phase gazeuse et sur les surfaces solides. Ce programme est construit d
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
24

IGNATIOUS, FRANCIS-XAVIER. "Insertion de cations organiques dans le polyacetylene par voie chimique." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1989. http://www.theses.fr/1989STR13035.

Full text
Abstract:
Mecanisme du dopage par des cations organiques et cinetique d'insertion des cations dans le film. Pour un meme taux de dopage, la conductivite diminue lorsque la taille du cation insere augmente. La stabilite intrinseque des complexe (ch)::(x)/r::(4)n**(+), bonne a temperature ordinaire, est fortement activee a 100**(o)c (mecanisme de degradation du type hofman)
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
25

Pastre, Sybille. "Etude prospective et compréhension physico-chimique des renforts pour matériaux composites à base métallique argent dans les appareils électriques." Lille 1, 2005. http://www.theses.fr/2005LIL10153.

Full text
Abstract:
Cette étude s'inscrit dans le cadre d'une convention CIFRE en collaboration avec Schneider Electric et le Laboratoire de Cristallochimie et Physico-chimie du Solide à Villeneuve d'Ascq. Ce sujet porte sur la compréhension et l'amélioration des propriétés physico-chimiques des céramiques à base d'oxyde d'étain utilisées comme renfort dans les pastilles de contact à base métallique argent. En effet, les pièces de contact électriques font l'objet de sollicitations thermomécaniques qui détériorent la structure initiale, donc dégradent les propriétés d'emploi. L'élaboration du renfort Sn02 dopé CuO
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
26

Charbonnieras, Antony. "Capteurs piézorésistifs sur silicium : modélisation de l'influence du dopage et de la température : caractérisation du micro-usinage chimique de corps d'épreuve en silicium dans une solution de TMAH." Besançon, 2000. http://www.theses.fr/2000BESA2022.

Full text
Abstract:
La première partie de la thèse traite de la modélisation de la détection piézorésistive. Nous avons choisi une approche "microscopique", faisant appel au modèle de vallées et à la formulation de transport des électrons (équaton de Boltzmann). Ce choix nous a permis de proposer les expressions des coefficients piézorésistifs linéaires et non-linéaires qui incluent les effets de la température et du dopage de type N. Nous avons évalué les coefficients piézorésistifs, dits équivalents, dans un repère tourné quelconque et nous avons étudié leur évolution en fonction des angles, du dopage et de la
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
27

Lin, Yu-Pu. "Functionalization of two-dimensional nanomaterials based on graphene." Thesis, Aix-Marseille, 2014. http://www.theses.fr/2014AIXM4727.

Full text
Abstract:
Cette étude de la fonctionnalisation de graphène se base principalement sur la monocouche de graphène épitaxiée sur SiC. Les propriétés électroniques, structurales et les compositions chimiques du graphène fonctionnalisé sont étudiées. L'incorporation d'azote dans le graphène réalisée par les procédures à base de plasma montre un décalage de niveaux inoccupés du graphène vers EF , obtenue par les analyses spectroscopie de photoémission inverse en résolution angulaire. Ce dopage-n est attribué à la présence de graphitique-N. De plus, la configuration des espèces de N substitués dans le graphène
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
28

Reghima, Meriem. "Synthèse par voie aqueuse et analyses physico-chimique des couches minces à base de soufre." Thesis, Montpellier, 2015. http://www.theses.fr/2015MONTS269/document.

Full text
Abstract:
L'électronique intégrée connaît des développements importants pour des applications mettant en œuvre des capteurs en couches minces associés à une acquisition et un traitement des données appropriés. Le développement de couches minces qui peuvent être associées à des composants électroniques est un élément clé pour la mise en œuvre de nouveaux dispositifs. Un des objectifs de ma thèse est de montrer la faisabilité de couches minces de composés à base de soufre, par des techniques autres que celles mettant en jeu le vide. Ces techniques simples sont le spray et le dépôt chimique en solution aqu
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
29

Issaoui, Riadh. "Elaboration de films épais de diamant monocristallin dopé au bore par MPAVCD pour la réalisation de substrats de diamant P +." Paris 13, 2011. http://scbd-sto.univ-paris13.fr/secure/edgalilee_th_2011_issaoui.pdf.

Full text
Abstract:
L’objectif principal de ce travail de thèse est la synthèse de films épais (>100 μm) de dia-mant monocristallin fortement dopés au bore permettant la fabrication de substrats de diamant et le développement de composants verticaux pour des applications en électronique de puissance. Dans un premier temps, l’effet des différents paramètres de croissance a été étudié. Il a ainsi été mis en évidence l’existence d’une fenêtre de DPMO (caractérisée par le couple pression/puissance) qui permet d’assurer un bon compromis entre qualité, vitesse de croissance et efficacité de dopage per-mettant la cro
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
30

Blévin, Thomas. "Élaboration et caractérisation de solutions dopantes au bore innovantes par voie PECVD : application à la fabrication de cellules solaires à homojonction." Thesis, Lille 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LIL10137/document.

Full text
Abstract:
Cette thèse explore deux voies alternatives d’élaboration de l’émetteur bore des cellules à base de silicium cristallin de type n, afin de simplifier leur procédé de fabrication, d’une part, et d’améliorer leur rendement de conversion, d’autre part. La première voie, orientée transfert industriel, propose l’utilisation d’une couche diélectrique dopante (SiOx:B) déposée par PECVD-LF, recuite par diffusion thermique. Des paramètres d’émetteur similaires à ceux obtenus dans le cas d’une diffusion gazeuse BCl3 sont recherchés. La seconde approche, plus amont, envisage quant à elle l’élaboration d’
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
31

Messoussi, Rochdi. "Caractérisation optique, électrique et physico-chimique du sélénium polycristallin en couches minces et des interfaces métal-sélénium (M = Ni, Al, Te)." Nantes, 1990. http://www.theses.fr/1990NANT2030.

Full text
Abstract:
Les propriétés des couches minces polycristallines de sélénium hexagonal pures ou dopées par un halogène (iode ou chlore) déposées par évaporation thermique classique ont été étudiées en fonction de la température du substrat lors du dépôt, de la nature du substrat et du dopage des couches. Les effets des recuits sur les propriétés structurales et optiques de couches minces de sélénium pur ou dopé à l'iode sont étudiés par diffraction de rayons x, microscopie à balayage, spectroscopie de photoélectrons (xps), spectroscopie Raman et transmission optique. Parallèlement l'évolution de l'épaisseur
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
32

Gravisse, Nicolas. "Administration de DHEA chez le sujet jeune et sain : effets sur les performances sportives, la composition corporelle et les réponses hormonales." Thesis, Orléans, 2018. http://www.theses.fr/2018ORLE2059.

Full text
Abstract:
L’administration de déhydroépiandrostérone (DHEA) est interdite par l’Agence Mondiale Anti-dopage (AMA) en raison de son potentiel effet ergogénique. Cet effet serait médié par la transformation de la DHEA en testostérone connue pour son effet anabolisant. Pourtant, l’effet sur les performances sportives a été peu étudié chez l’homme jeune sain et n’a jamais été étudié chez la jeune femme saine. Le principal objectif de notre travail était donc d’évaluer l’effet d’une administration de DHEA de courte durée sur les performances sportives dans ces populations. Dans une étude croisée, randomisée,
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
33

Kilani, Mouna. "Étude de l'effet du dopage et du traitement thermique sur les propriètés optoélectroniques des couches minces d'In2S3 utilisées comme fenêtre optique dans un dispositif photovoltaïque." Thesis, Montpellier 2, 2013. http://www.theses.fr/2013MON20044/document.

Full text
Abstract:
Le présent travail s'articule autour de l'élaboration du matériau binaire In2S3 en couches minces en tant qu'alternative crédible au composé CdS, dans les cellules solaires à base de CuInS2. Nous avons utilisé la technique de dépôt chimique en solution (Chemical Bath Deposition ou CBD) qui est une technique non coûteuse, non toxique et facile à manipuler. Les couches fabriquées sont caractérisées de différents points de vue et à différentes échelles : caractérisations structurale par diffraction de rayons X (DRX), morphologique par Microscopie Electronique à Balayage (MEB), composition chimiqu
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
34

Mambou, Josiane. "Dopage au bore à partir de la phase vapeur : étude comparative des couches minces polycristallines et monocristallines de diamant." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10055.

Full text
Abstract:
Le diamant est un semi-conducteur tres prometteur pour les applications electroniques a haute temperature et de forte puissance. Neanmoins, pour optimiser les performances des dispositifs electroniques actuels, il est indispensable de mieux connaitre et de minimiser la concentration des defauts residuels qui limitent l'efficacite du dopage. Pour cela, nous avons elabore des couches minces de diamant dopees au bore, et etudie l'influence de l'incorporation de bore sur les proprietes du diamant et sur les defauts natifs. La caracterisation des couches s'est faite par differentes techniques : mic
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
35

Le, Rouge Antoine. "Nouveaux matériaux vitreux dopés par des ions ou des nanoparticules métalliques et destinés à la réalisation de fibres optiques." Thesis, Lille 1, 2013. http://www.theses.fr/2013LIL10143/document.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l'étude de nouveaux matériaux vitreux, dopés par des ions bismuth ou des nanoparticules d’or, à destination de l’optique guidée. L’efficacité optique dans l’infrarouge des composants réalisés avec des verres dopés bismuth sont limitées par la méconnaissance du centre émetteur. Nous étudions ici les propriétés de luminescence d’un système plus simple : la silice pure. L’évolution des propriétés spectroscopiques, avec la température, d’une fibre optique micro-structurée à cœur de silice dopée bismuth est étudiée. Nous en déduisons les énergies de vibration du centre
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
36

Paredes-Saez, Victorien. "Procédés d'épitaxie spécifiques au CMOS 14 et 10 nm : Morphologie et structure." Thesis, Lyon, 2017. http://www.theses.fr/2017LYSEI032/document.

Full text
Abstract:
Dans les technologies avancées, l’épitaxie des matériaux à base de silicium devient de plus en plus critique et les effets morphologiques importants. Les traitements thermiques ainsi que le dopage peuvent altérer la morphologie des épitaxies dégradant de façon considérable les performances des dispositifs. Les travaux de thèse ont pour objectifs de comprendre et résoudre ces problématiques, ils concernent donc l’étude de la morphologie et des forts dopages des épitaxies dans les motifs de petites tailles des technologies CMOS 14 et 10 nm. Nous avons étudié l’influence des conditions de recuit
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
37

Vo-Ha, Arthur. "Croissance localisée par transport VLS de carbure de silicium sur substrats SiC et diamant pour des applications en électronique de puissance." Thesis, Lyon 1, 2014. http://www.theses.fr/2014LYO10008/document.

Full text
Abstract:
La croissance localisée de SiC dopé p par un mécanisme Vapeur-Liquide-Solide (VLS) a été effectuée sur substrats SiC-4H (0001) 8°off et diamant (100). Pour ce faire, des motifs constitués d'un empilement silicium-aluminium sont fondus puis alimentés en propane. Dans le cas de l'homoépitaxie de SiC-4H, il a été démontré que la quantité limitée de phase liquide initiale entraine une évolution constante des paramètres de croissance en raison de l'appauvrissement graduel en silicium. Il est toutefois possible de trouver des conditions de croissance satisfaisantes (alliage contenant 40 at% Si, 1100
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
38

Volpe, Pierre-Nicolas. "Réalisation de composants unipolaires en diamant pour l'électronique de puissance." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00436438.

Full text
Abstract:
Les objectifs de cette thèse se situent dans les domaines de l'élaboration et de la caractérisation du diamant dopé au bore ainsi que la réalisation par synthèse des différents éléments, de composants adaptés pour l'électronique de puissance. L'identification des défauts dans les couches homo-épitaxiées de diamant a été réalisée, et il à été en particulier montré que le pré-traitement plasma des substrats employés pour la croissance, peut se révéler comme une étape nécessaire dans le cadre de leurs éliminations. L'optimisation de la croissance de couches de diamant dopées au bore sur des subst
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
39

Xu, Tao. "Localized growth and characterization of silicon nanowires." Electronic Thesis or Diss., Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10061.

Full text
Abstract:
Les nanofils de silicium semblent très prometteurs pour utilisation comme éléments d'assemblage des composants à l'échelle nanométrique grâce à leur compatibilité avec la technologie conventionnelle du silicium. Ce travail de thèse se focalise sur la croissance épitaxialle et la caractérisation de nanofils de silicium. Dans la première partie, les nanofils de silicium sont fabriqués par la méthode Vapeur-liquide-Solide (VLS) à partir de catalyseurs d'or, en utilisant deux techniques: dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et épitaxie par jets moléculaire (MBE). Les catalyseurs d'or sont déposés
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
40

Meffre, Wilfrid. "Guides d'onde d'oxydes dopés terres rares, élaborés par MO-CVD à source liquide, pour des applications en optique intégrée." Grenoble INPG, 1999. http://www.theses.fr/1999INPG0129.

Full text
Abstract:
Ces dernieres annees, l'essor considerable des telecommunications necessite des debits d'information toujours plus eleves. Une des voies de recherche consiste a ameliorer les amplificateurs optiques inseres a intervalles reguliers dans les liaisons par fibres optiques. Dans ce but, des couches minces d'oxydes d'aluminium (ou alumine, al 2o 3) et d'yttrium (ou yttria, y 2o 3) dopes avec des elements de terres rares (erbium, ytterbium) ont ete elaborees. Les techniques utilisees sont des procedes de depots chimiques en phase vapeur a partir de precurseurs organometalliques (mo-cvd), et a source
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
41

Viana, Carlos Eduardo. "Réalisation et caractérisation d'une technologie CMOS-TFT à basse température (<600° C)." Rennes 1, 2002. http://www.theses.fr/2002REN10148.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
42

Gehin, Thomas. "Mise en oeuvre de l'épitaxie par jets moléculaires pour la synthèse de diamant monocristallin." Lille 1, 2004. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2004/50376-2004-179-180.pdf.

Full text
Abstract:
Le diamant est un matériau qui possède des propriétés exceptionnelles et peut jouer un rôle de première importance dans les dispositifs électroniques de puissance ou fonctionnant en milieux hostiles. Depuis une vingtaine d'années, la synthèse de films minces de diamant par dépôt chimique en phase gazeuse (CVD) a permis son emploi dans des dispositifs passifs. Cependant, les difficultés associées au contrôle de ses propriétés électriques (maîtrise du dopage de type n) empêchent son utilisation en électronique active. L'Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM) est une technique de croissance à très
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
43

Barbay, Cyrille. "Films de diamant monocristallin dopés au bore pour des applications en électronique de puissance." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLS510/document.

Full text
Abstract:
L’objectif de cette thèse porte sur la synthèse du diamant monocristallin dopé au bore par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde (MPCVD). Ces couches épitaxiées jouent le rôle de couches actives dans des composants pour l’électronique de puissance. Ces travaux s’inscrivent dans le cadre du projet Européen H2020 Greendiamond. Durant cette thèse, un traitement de gravure des défauts surfaciques des substrats de diamant HPHT par plasma Ar/O₂ a été mis au point. L’efficacité de ce traitement a été validée par diffraction des rayons X à haute résolution, spectroscopie Raman e
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
44

Xu, Tao. "Localized growth and characterization of silicon nanowires." Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10061/document.

Full text
Abstract:
Les nanofils de silicium semblent très prometteurs pour utilisation comme éléments d'assemblage des composants à l'échelle nanométrique grâce à leur compatibilité avec la technologie conventionnelle du silicium. Ce travail de thèse se focalise sur la croissance épitaxialle et la caractérisation de nanofils de silicium. Dans la première partie, les nanofils de silicium sont fabriqués par la méthode Vapeur-liquide-Solide (VLS) à partir de catalyseurs d'or, en utilisant deux techniques: dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et épitaxie par jets moléculaire (MBE). Les catalyseurs d'or sont déposés
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
45

Fetzer, Vincent. "Effet du dopage sur l’émission électronique des cathodes à oxyde : étude des facteurs physiques et chimiques de surface." Dijon, 2007. http://www.theses.fr/2007DIJOS073.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
46

Zrir, Mohammad ali. "Tensile-strained and highly n-doped Germanium for optoelectronic applications." Thesis, Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM4036/document.

Full text
Abstract:
Dans le cadre de ce travail de thèse, nous avons étudié une approche permettant de réaliser les composants d'émission de la lumière basés sur les couches epitaxiées de Ge contraint en tension et fortement dopé de type n. Afin de créer de contrainte en tension dans les films épitaxiés de Ge, nous avons investi deux méthodes : faire croître du Ge sur InGaAs ayant un paramètre de maille plus grand que celui de Ge, et faire croître du Ge sur Si, en prenant l'avantage du coefficient de dilatation thermique du Ge, qui est deux fois plus grand que celui du Si. Concernant la croissance de Ge sur les s
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
47

Yeghoyan, Taguhi. "Dépôt de silicium polycristallin contenant du carbone pour des applications radiofréquence." Thesis, Lyon, 2019. http://www.theses.fr/2019LYSE1059.

Full text
Abstract:
Pour les futures applications en télécommunications 5G, des substrats à base de silicium présentant une faible perte de signal et une excellente linéarité sont nécessaires. Parmi les solutions envisagées, la technologie RF-SOI est la plus avancée. Son empilement contient une couche de Haute Résistivité (HR), riche en pièges pour les porteurs de charges, composée de silicium polycristallin (poly-Si) de haute pureté déposée sur l’oxyde natif d'un substrat HR (HR-Si). Ce système présente certaines limitations provenant essentiellement de l'interface HR-Si/SiO2 et de sa stabilité thermique, mais é
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
48

Rosell-Laclau, Eliette. "Addition d'éléments de transition dans les alliages Al-Ni précurseurs des catalyseurs de nickel de Ranay." Grenoble INPG, 1994. http://www.theses.fr/1994INPG0071.

Full text
Abstract:
Cette etude concerne l'influence d'elements d'addition (titane, fer et chrome) dans les alliages precurseurs al-ni, des catalyseurs de nickel de raney. Deux aspects principaux ont ete developpes lors de ce travail. La premiere partie traite de l'effet du dopant sur la reactivite des phases al#3ni et al#3ni#2 vis-a-vis de l'extraction d'aluminium par attaque alcaline. L'attaque de al#3ni par propagation d'un front plan, a permis de mettre en evidence un processus d'attaque identique que ce soit sans dopant ou en presence de titane ou de chrome. Une energie d'activation de 60 kj/mol a ete determ
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
49

Thomas, Régis. "MOX dopé chrome : optimisation du dopage et de l'atmosphère de frittage." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01037885.

Full text
Abstract:
Dans un contexte d'accroissement des marges de sûreté des réacteurs de générations II et III vis-à-vis des scénarios accidentels, des efforts importants de recherche sont consacrés à l'amélioration de la microstructure du combustible MOX à l'issue de son procédé de fabrication. Les deux caractéristiques microstructurales recherchées sont l'accroissement de l'homogénéité de répartition du plutonium et l'augmentation de la taille de grain. Dans cette optique, une solution envisagée est l'ajout lors du procédé de fabrication et sans modification de celui-ci, de sesquioxyde de chrome Cr2O3. Une pr
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
50

Ni, Liang. "Silicon nanowires synthesized by VLS growth mode for gas sensing applications." Rennes 1, 2012. http://www.theses.fr/2012REN1S010.

Full text
Abstract:
Ce travail de recherche a consisté à réaliser de dispositifs microélectroniques à partir de nanofils de silicium (SiNWs) synthétisés par la méthode VLS (Vapor Liquid Solid). La croissance de ces nanofils a été effectuée par dépôt LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) à l’aide d’un catalyseur métallique (or). Le dopage in-situ de type N (à partir de phosphore) des nanofils de silicium a été démontré pour une gamme comprise entre 2. 1016 et 2. 1020 at. Cm-3. Les propriétés électriques des nanofils ont été étudiées en fonction du dopage et de la température. Deux dispositifs différents à
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography