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Dissertations / Theses on the topic 'Dopage p'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 10 February 2022

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1

Tavares, Russo Céline. "Etude et réalisation de jonctions p/n en diamant." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2006. http://www.theses.fr/2006GRE10190.

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Abstract:
Dans le but de réaliser des ionctions pIn monocristallines en diamant {111}, des études ont été menées sur le substrat de diamant et sur les couches de diamant evo dopées de type n et de. Les défauts de surface et internes au substrat de diamant ont été analysés par des observations optiques. Des mesures AFM et par la diffraction de rayons X. Les défauts dus au polissage de la surface du substrat ont en particulier été identifiés comme pouvant détériorer la qualité cristalline des couches evo. Un prétraitement par gravure RIE de la surface du substrat avant la croissance a été utilisé dans le
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Herrbach-Euvrard, Julie. "Organic semiconductor p-doping : toward a better understanding of the doping mechanisms and integration of the p-doped layer in organic photodetectors." Thesis, Lille 1, 2017. http://www.theses.fr/2017LIL10072/document.

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Abstract:
Contrairement à l’électronique conventionnelle à base de silicium, l’électronique organique offre de nouvelles possibilités telles que la production sur grande surface et à faible bilan thermique, ou encore l’utilisation de substrats flexibles et transparents. Afin d’améliorer la conductivité des semi-conducteurs ainsi que le contact polymère-électrode métallique, le dopage en électrons et en trous doit être développé dans les matériaux organiques. Dans cette thèse, des techniques de caractérisation électrique (courant tension à température variable, capacité, spectroscopie d’admittance), opti
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Plissard, Sébastien. "Dopage P de CdxHg(1-x)Te par épitaxie par jets moléculaires." Grenoble INPG, 2007. http://www.theses.fr/2007INPG0099.

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Abstract:
Nous avons étudié le dopage extrinsèque de type P du CdHgTe réalisé par épitaxie par jets moléculaires et avons montré que l'impureté arsenic était le meilleur candidat pour ce dopage. L'incorporation du dopant P lors de la croissance cristalline du matériau a été obtenue grâce à trois sources différentes: une cellule à effusion, une cellule cracker et une cellule plasma. Après un recuit d'activation, les mesures électriques de ces échantillons ont montré un dopage P de quelques 1016 à quelques 1018 porteurs par centimètre cube. En comparant ces mesures et les taux d'arsenic incorporés lors de
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Sartel, Corinne. "Homoépitaxie du Sic-4H à partir de différents précurseurs : réalisation du dopage p." Lyon 1, 2003. http://www.theses.fr/2003LYO10256.

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Abstract:
Grâce à ses propriétés intrinsèques, le carbure de silicium permet de réaliser des dispositifs pour la microélectronique de puissance pouvant fonctionner en milieux hostiles qu'il est impossible d'obtenir à partir de la filière silicium. Nous avons réalisé des couches de SiC de bonne qualité, d'épaisseur et de dopage bien contrôlés. Les précurseurs employés pour l'homoépitaxie du SiC-4H par CVD sont le mélange classique silane/propane et pour la première fois le mélange hexaméthyldisilane/propane. Différents paramètres de croissance influençant la morphologie de surface des couches épitaxiées,
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Nunes, Domschke Tamara. "P-doped semiconducting polymers : process optimization, characterization and investigation of air stability." Thesis, Lyon, 2020. http://www.theses.fr/2020LYSES020.

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Abstract:
Les semi-conducteurs organiques (OSCs) sont des matériaux prometteurs pour la production à faible coût de dispositifs électroniques imprimés flexibles et de grandes surfaces. Dans ce contexte, le dopage moléculaire permet de contrôler les propriétés électriques des OSC, offrant un outil puissant pour améliorer les performances de différents dispositifs électroniques. Malgré les progrès dans la compréhension fondamentale du mécanisme de dopage et de leurs procédés, la stabilité des OSC dopés p ont reçu peu d'attention. Or, la stabilité de l'état dopé p en présence d'oxygène et d'humidité est un
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Lenoble, Damien. "Étude, réalisation et intégration de jonctions P+/N ultra-fines pour les technologies CMOS inférieures à 0,18 micromètre." Toulouse, INSA, 2000. http://www.theses.fr/2000ISAT0041.

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Abstract:
La réalisation de jonctions ultra-fines est nécessaire à la formation des extensions du drain et de la source des transistors CMOS fortement sub-microniques. La formation de jonctions de type p+/n inférieures à 40 nm en profondeur nécessite l'utilisation d'implantation d'ions B+ à très faible énergie. Après avoir démontré les limites d'un tel procédé et notamment la saturation de la profondeur de jonction après implantation, nous avons étudié les techniques alternatives de dopage et en particulier le dopage assisté par faisceau laser. En raison de la finalité industrielle de nos travaux, le pr
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Bégin, Dominique. "Le polyacétylène hautement orienté : synthèse, caractérisation structurale, dopages p chimique et électrochimique, propriétés de transport." Nancy 1, 1990. http://www.theses.fr/1990NAN10199.

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Abstract:
Cette étude est consacrée à la synthèse d'un polyacétylène hautement orienté HOPA. Sa pureté et sa densité (1,1 G/CM#3) permettent de l'étirer jusqu'à 10 fois. Une étude structurale très fine du fait de sa cristallinité et de l'orientation des fibres a été réalisée : Les deux isomères sont caractérisés par une maille orthorhombique de groupe d'espace PNAM. La voltamperométrie cyclique a mis en évidence la reversibilité du dopage et les mesures d'impédence complexe ont permis une approche de la diffusivité dans ce type de matériau : la densité du polyacétylène s'avère être un facteur déterminan
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Pignon, Bruno. "CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'INFLUENCE DU DOPAGE SUR LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES CUPRATES SUPRACONDUCTEURS." Phd thesis, Université François Rabelais - Tours, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011536.

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Abstract:
Dans ce mémoire, nous avons approché l'étude du diagramme de phase (T,p) des cuprates à travers l'étude des effets du dopage sur les propriétés électroniques de deux systèmes La2-xSrxCuO4 et Bi2Sr2Ca1-xYxCu2-yZnyO8+d.  Dans un premier temps, la conductivité optique de deux échantillons La2-xSrxCuO4 a été analysée, dans les plans et perpendiculairement aux plans : un composé sous-dopé (x = 0,08) et le composé optimalement dopé (x = 0,15). Suivant l'axe c et à faibles fréquences, nous avons observé une diminution de la conductivité optique en diminuant la température pour l'échantillon sous-dop
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Arnoult, Alexandre. "Dopage par modulation d'hétérostructures de semiconducteurs II-VI semimagnétiques en épitaxie par jets moléculaires." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10237.

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Abstract:
Une etude theorique preliminaire a cette these a prevu que lorsque l'on introduit un gaz de trous bidimensionnel (2d) dans un puits quantique de semiconducteur semimagnetique, l'interaction entre les spins localises et les porteurs de charges induit une transition de phase ferromagnetique. Nous avons mis au point l'elaboration d'un tel systeme a base de tellurures en epitaxie par jets moleculaires, ainsi que la caracterisation au niveau microscopique des interfaces, du dopage et du transfert de porteurs dans le puits quantique. Ceci nous a permis d'elaborer des echantillons ayant donne lieu a
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Vo-Ha, Arthur. "Croissance localisée par transport VLS de carbure de silicium sur substrats SiC et diamant pour des applications en électronique de puissance." Thesis, Lyon 1, 2014. http://www.theses.fr/2014LYO10008/document.

Full text
Abstract:
La croissance localisée de SiC dopé p par un mécanisme Vapeur-Liquide-Solide (VLS) a été effectuée sur substrats SiC-4H (0001) 8°off et diamant (100). Pour ce faire, des motifs constitués d'un empilement silicium-aluminium sont fondus puis alimentés en propane. Dans le cas de l'homoépitaxie de SiC-4H, il a été démontré que la quantité limitée de phase liquide initiale entraine une évolution constante des paramètres de croissance en raison de l'appauvrissement graduel en silicium. Il est toutefois possible de trouver des conditions de croissance satisfaisantes (alliage contenant 40 at% Si, 1100
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Sejil, Selsabil. "Optimisation de l'épitaxie VLS du semiconducteur 4H-SiC : Réalisation de dopages localisés dans 4H-SiC par épitaxie VLS et application aux composants de puissance SiC." Thesis, Lyon, 2017. http://www.theses.fr/2017LYSE1170/document.

Full text
Abstract:
L'objectif du projet VELSIC a été de démontrer la faisabilité de jonctions p+/n- profondes dans le semiconducteur 4H-SiC, de haute qualité électrique, comprenant une zone p++ réalisée par un procédé original d'épitaxie localisée à basse température (1100 – 1200°C), en configuration VLS (Vapeur - Liquide - Solide). Cette technique innovante de dopage par épitaxie utilise le substrat de SiC mono cristallin comme un germe de croissance sur lequel un empilement enterré de Al - Si est porté à fusion pour constituer un bain liquide, lequel est alimenté en carbone par la phase gazeuse. Cette méthode
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Boudjema, Bouzid. "Propriétés électriques et spectroscopiques de matériaux moléculaires (métallophtalocyanines) : étude du dopage p et n par cosublimation en vue de l'obtention de composants électroniques." Lyon 1, 1987. http://www.theses.fr/1987LYO10007.

Full text
Abstract:
Evolution des proprietes in situ apres fabrication. L'effet de l'oxygene a ete etudie en detail. La mobilite des porteurs dans la diphtalocyanine de lutetium intrinseque a ete etudiee. On etudie l'effet du dopage par ddq et tcnq, ttf et dips. Caracterisation du piegeage des echantillons dopes ou non; interpretation des courbes de thermocourants a faible tension par un effet poole-frenkel. Etude rpe et emission photoelectronique rx
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Bergaud, Christian. "Implantation ionique de bore dans du silicium préamorphisé : réalisation, modélisation et caractérisation de jonctions p+/n ultra-minces." Toulouse, INSA, 1994. http://www.theses.fr/1994ISAT0032.

Full text
Abstract:
Ce memoire presente une contribution a l'etude de la formation de jonctions ultra-minces par implantation de bore dans du silicium preamorphise suivie d'un recuit thermique rapide. Dans une premiere partie, nous rappelons les avantages apportes par une etape de preamorphisation: suppression des effets de canalisation du bore et activation electrique complete des dopants. Malheureusement, lors du recuit, des defauts etendus, appeles defauts eor, apparaissent sous l'ancienne interface silicium amorphe/silicium cristallin. Nous avons identifie ces defauts dans la deuxieme partie de notre travail:
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Boudjema, Bouzid. "Propriétés électriques et spectroscopiques de matériaux moléculaires (métallophtalocyanines) étude du dopage P et N par cosublimation en vue de l'obtention de composants électroniques /." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37603273v.

Full text
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Amichi, Lynda. "Etude du dopage de type p dans des nanostructures de GaN par corrélation entre sonde atomique tomographique et holographie électronique hors axe optique." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY088/document.

Full text
Abstract:
La thèse porte sur l’étude du dopage de type p, à base de Mg, dans des nanostructures de GaN, dans le but de relier la distribution spatiale du dopant à son activité électrique grâce à la corrélation entre sonde atomique tomographique (APT) et holographie électronique hors axe optique réalisée dans un microscope électronique en transmission (TEM). L'APT est une technique de caractérisation qui repose sur l'évaporation par effet de champ des atomes de surface d'un échantillon, permettant l'analyse en termes de morphologie et de composition, en trois dimensions et à l'échelle atomique. L'hologra
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Polteau, Baptiste. "Étude de semi-conducteurs de type p nanostructurés à base de métaux de transition pour une application en DSSC-p." Thesis, Rennes 1, 2016. http://www.theses.fr/2016REN1S046/document.

Full text
Abstract:
Dans le but d'améliorer le rendement des cellules à colorant de type p (DSSC-p), ces travaux s'attachent à la synthèse et la caractérisation de matériaux semi-conducteurs de type p (SCs-p) sous forme de nanoparticules. En ce sens, des SCs-p répondant à un cahier des charges (bande de valence basse en énergie, grande surface spécifique, bon conducteur et bonne transparence) ont été étudiés. Dans ce cadre, une stratégie a été développée pour améliorer les propriétés de NiO (l'actuel matériau de référence) en optimisant sa nanostructuration, sa forte non-stœchiométrie en nickel et par son dopage
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Haneche, Nadia. "Etudes optiques de ZnO et des solutions solides Zn[1-x]MgxO et Zn[1-x]CdxO : conception de nanostructures et dopage de type p." Versailles-St Quentin en Yvelines, 2011. http://www.theses.fr/2011VERS0037.

Full text
Abstract:
L’oxyde de zinc (ZnO) est un semi conducteurs à grand gap actuellement très étudié pour les applications en optoélectronique. Les verrous actuels pour ces applications sont liés à la conception de structures à puits quantiques, et surtout à la réalisation du dopage type p de ZnO. Dans cette perspective, nous avons étudié les propriétés optiques des couches élaborées par MOCVD principalement à l’aide de la photoluminescence (PL). Les alliages Zn1-xMgxO et Zn1-xCdxO ont montré de très bons taux d’incorporation du Mg et de Cd. Les hétérostructures à puits quantiques de ZnO/Zn1-XMgXO polaires, et
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Issaoui, Riadh. "Elaboration de films épais de diamant monocristallin dopé au bore par MPAVCD pour la réalisation de substrats de diamant P +." Paris 13, 2011. http://scbd-sto.univ-paris13.fr/secure/edgalilee_th_2011_issaoui.pdf.

Full text
Abstract:
L’objectif principal de ce travail de thèse est la synthèse de films épais (>100 μm) de dia-mant monocristallin fortement dopés au bore permettant la fabrication de substrats de diamant et le développement de composants verticaux pour des applications en électronique de puissance. Dans un premier temps, l’effet des différents paramètres de croissance a été étudié. Il a ainsi été mis en évidence l’existence d’une fenêtre de DPMO (caractérisée par le couple pression/puissance) qui permet d’assurer un bon compromis entre qualité, vitesse de croissance et efficacité de dopage per-mettant la cro
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Fang, Zhihua. "N and p-type doping of GaN nanowires : from growth to electrical properties." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAY007/document.

Full text
Abstract:
Les nanostructures à base de nitrures d’éléments III suscitent un intérêt croissant, en raison de leurs propriétés singulières et de leurs applications technologiques potentielles, dans les diodes électroluminescentes (LED) notamment. La maîtrise et le contrôle du dopage de ces nanostructures est un enjeu crucial, mais difficile. A ce sujet, cette thèse apporte une contribution nouvelle, en explorant le processus de dopage de type n et p des nanofils (NFs) de GaN crus par épitaxie par jets moléculaires (EJM). En particulier, les propriétés électriques de ces structures ont été caractérisées pa
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Tchoulfian, Pierre. "Propriétés électriques, optiques et électro-optiques de microfils GaN pour la réalisation de LEDs." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GRENT013.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse porte sur la caractérisation à l'échelle du fil unique des propriétés de fils GaN de taille micronique (µfil), en vue du développement d'une technologie de diodes électroluminescentes (LEDs) à base d'une assemblée de µfils GaN crûs par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. Chaque µfil est lui-même une LED constituée d'un cœur de type n et d'une coquille de type p, entre lesquels est insérée une zone active composée de multi-puits quantiques InGaN/GaN. En premier lieu, les propriétés électriques des différentes régions du cœur de type n ont été analysées par des me
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JALLOT, EDOUARD. "Influence du dopage en zinc et en manganese sur la cinetique de resorption d'un implant d'hydroxyapatite et etude des effets de matrice dans la methode nucleaire p. I. X. E. Utilisee." Clermont-Ferrand 2, 1997. http://www.theses.fr/1997CLF21880.

Full text
Abstract:
Ce travail porte sur l'hydroxyapatite neutre, l'hydroxyapatite dopee en manganese, l'hydroxyapatite dopee en zinc et sur le melange comprenant 75 % d'hydroxyapatite plus 25 % de phosphate tricalcique. Les ceramiques ont ete implantees dans la corticale de la diaphyse du femur de moutons. L'etude de l'evolution au cours du temps des teneurs globales en elements mineraux dans les quatre biomateriaux a ete realisee par radioactivation a l'aide de neutrons thermiques et de neutrons rapides. L'etude des effets de matrice en p. I. X. E. (particles induced x-rays emission) a ete effectuee avec la met
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Brochen, Stéphane. "Propriétés électriques du ZnO monocristallin." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00872067.

Full text
Abstract:
L'oxyde de zinc ZnO, est un semiconducteur II-VI très prometteur pour les applications en opto-électronique dans le domaine UV, notamment pour la réalisation de dispositifs électroluminescents (LED). Les potentialités majeures du ZnO pour ces applications résident notamment dans sa forte liaison excitonique (60 meV), sa large bande interdite directe (3.4 eV), la disponibilité de substrats massifs de grand diamètre ainsi que la possibilité de réaliser des croissances épitaxiales de très bonne qualité en couches minces ou nano structurées (nanofils). Néanmoins, le développement de ces applicatio
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Luong, Thi kim phuong. "Croissance épitaxiale du germanium contraint en tension et fortement dopé de type n pour des applications en optoélectronique intégrée sur silicium." Thesis, Aix-Marseille, 2014. http://www.theses.fr/2014AIXM4002.

Full text
Abstract:
Le silicium (Si) et le germanium (Ge) sont les matériaux de base utilisés dans les circuits intégrés. Cependant, à cause de leur gap indirect, ces matériaux ne sont pas adaptés à la fabrication de dispositifs d'émission de lumière, comme les lasers ou diodes électroluminescentes. Comparé au Si, le Ge pur possède des propriétés optiques uniques, à température ambiante son gap direct est de seulement 140 meV au-delà du gap indirect tandis qu'il est supérieur à 2 eV dans le cas du Si. Compte tenu du coefficient de dilatation thermique du Ge, deux fois plus grand que celui du Si, une croissance de
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Valour, Arnaud. "Synthèse d'oxyde de zinc dopé azote sous formes de poudre et de couche mince : caractérisation du type de semiconductivité." Thesis, Rennes 1, 2017. http://www.theses.fr/2017REN1S014/document.

Full text
Abstract:
Cette thèse fait suite à des travaux ayant permis, de manière non reproductible, la stabilisation de l’oxyde de zinc de type-p (p-ZnO:N) sur une période de plus de deux ans par décomposition de ZnO2 sous flux de NH3. L’objectif de ces travaux était de maîtriser de manière reproductible la synthèse de p-ZnO:N sous formes de poudre, puis de couche mince, dans l’optique de réaliser des homojonctions p-ZnO:N/n-ZnO ayant de potentielles applications dans le domaine de l’optoélectronique. Dans ce but, différents paramètres de la synthèse ayant permis initialement l’obtention de p-ZnO:N fortement lac
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Soueidan, Maher. "Croissance hétéroépitaxiale du SiC-3C sur substrats SiC hexagonaux; Analyses par faisceaux d'ions accélérés des impuretés incorporées." Phd thesis, Université Claude Bernard - Lyon I, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00136231.

Full text
Abstract:
L'utilisation de germes Si pour l'épitaxie du SiC-3C génère de nombreux défauts dans les couches en<br />raison du désaccord de maille et de la dilatation thermique. Le SiC-3C peut aussi être déposé sur<br />substrats SiC-α(0001) en s'affranchissant des problèmes rencontré sur substrat Si. La difficulté de<br />contrôler la germination initiale génère cependant des macles qui sont difficiles à éviter ou éliminer<br />ensuite.<br />L'utilisation de l'épitaxie en phase vapeur comme technique de croissance n'a pas permis de<br />s'affranchir de ces macles malgré l'optimisation de la préparation d
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Tolosa, Fabio Enrique Fajardo. "Dopagem tipo-p de filmes de germânio amorfo hidrogenado." [s.n.], 1994. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278027.

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Abstract:
Orientador: Ivan Chambouleyron<br>Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin<br>Made available in DSpace on 2018-07-19T20:32:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tolosa_FabioEnriqueFajardo_D.pdf: 3143657 bytes, checksum: 682fad4709e469a0b59d9a350223f147 (MD5) Previous issue date: 1994<br>Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo dos efeitos da incorporação de In, Ga e AI nas propriedades optoeletrônicas dos filmes de germânio amorfo hidrogenado (a-Ge:H). Os filmes dopados de a-Ge:H foram preparados pelo co-sputtering de pequenas quantidades das es
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Dhellemmes, Sébastien. "Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés." Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00087202.

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Abstract:
La montée en fréquence des composants renforce l'intérêt pour les semi-conducteurs phosphorés. Le développement des cellules à source solide de phosphore avec vanne et craqueur permet d'envisager des perspectives industrielles pour l'Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM), face à la concurrence du dépôt chimique en phase vapeur. C'est l'objectif du laboratoire commun P-Taxy entre Riber et l'IEMN, au sein duquel s'est déroulée cette thèse.<br />Plusieurs aspects de l'EJM de composés phosphorés ont été étudiés dans un bâti de grand volume. Les interfaces phosphures sur arséniures ont été caractéri
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Colchesqui, Luciane Martins de Barros. "Síntese, caracterização e dopagem do poli(sulfeto de p-fenileno)." Universidade de São Paulo, 1991. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-19022015-104504/.

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Abstract:
Poli (sulfeto de p-fenileno) (PPS) na forma de pó foi obtido através da reação química do p-diclorobenzeno com sulfeto de sódio em N-metilpirrolidona em um sistema de aço inox especialmente construído. Após a fusão do PPS sobre uma placa de vidro em temperaturas de cerca de 300&#176C, as placas foram resfriadas rapidamente, resultando em amostras amorfas. A caracterização estrutural das amostras foi feita utilizando-se técnica de difração de raios-x, medida do espectro de absorção no infravermelho e Varredura diferencial Calorimétrica (DSC). A condutividade elétrica de pastilhas (PPS/PPP) em f
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Yang, Jing. "P-n junction dopant profiling using scanning capacitance microscopy /." [St. Lucia, Qld.], 2004. http://www.library.uq.edu.au/pdfserve.php?image=thesisabs/absthe18333.pdf.

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Levine, Alexandre. "Propriedades Óticas de Estruturas Semicondutoras com Dopagem Planar do Tipo n ou p." Universidade de São Paulo, 1998. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/.

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Abstract:
Estruturas semicondutoras com dopagem planar são sistemas de considerável interesse tanto para a a pesquisa básica como para a aplicação em dispositivos. Neste trabalho caracterizamos estruturas semicondutoras com dopagem planar tipo n ou p, utilizando técnicas de espectroscopia ótica tais como fotoluminescencência (PL) e fotoluminescência-excitação (PLE). As amostras foram crescidas com a técnica de Epitaxia por Feixe Molecular (BEM, Molecular Beam Epitaxy) no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do IFUSP, com exceção das amostras com dopagem planar tipo p que foram crescidas
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Dussaigne, Amélie. "Diodes électroluminescentes blanches monolithiques." Phd thesis, Université de Nice Sophia-Antipolis, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00332387.

Full text
Abstract:
Ce travail concerne la croissance par épitaxie sous jets moléculaires avec NH3 comme source d'azote de diodes électroluminescentes (DELs) blanches monolithiques. La méthode proposée au laboratoire consiste à insérer dans la zone active de la DEL des puits quantiques (Ga,In)N émettant dans le bleu et le jaune. Bien que la concentration en In de l'alliage InxGa1-xN soit limitée à 20-25%, la présence d'un champ électrique interne dans les hétérostructures nitrures permet d'obtenir des longueurs d'onde balayant tout le spectre visible. Malheureusement, ce champ électrique diminue aussi la force d'
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Wang, Lin. "Carrier profiling of ZnO nanowire structures by scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy." Thesis, Lyon, 2016. http://www.theses.fr/2016LYSEI031/document.

Full text
Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l'application des techniques Scanning Capacitance Microscopy (SCM) et Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) pour la caractérisation électrique de nanofils de ZnO avec l'objectif d'en déterminer le dopage par profilage des porteurs libres suite à des essais de dopage de type p. Afin de pouvoir utiliser un référentiel planaire nécessaire à ces mesures par sonde locale, un procédé de remplissage par dip-coating et de polissage a été spécialement développé sur des champs de nanofils quasi-verticaux. De plus, dans le but de parvenir à un étalonnage des mesure
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Ardahan, Gulben. "A New P And N Dopable Selenophene Derivative And Its Electrochromic Properties." Master's thesis, METU, 2005. http://etd.lib.metu.edu.tr/upload/3/12609595/index.pdf.

Full text
Abstract:
A novel electrically conducting polymer, poly(2-dodecyl-4,7-di(selenophen-2-yl)benzotriazole) (Poly(SBT)), containing selenophene as a strong donor and benzotriazole as a strong acceptor group was synthesized by electrochemical polymerization. Homopolymerization and copolymerization ( in the presence of 3,4-ethylenedioxythiophene (EDOT) ) was achieved in acetonitrile/ dichloromethane(95/5 v/v) with 0.1M tetrabutylammonium hexafluorophosphate (TBAPF6). The electrochemical and optical properties of homopolymer and copolymer were investigated by Cyclic voltammetry, UV-Vis, near IR Spectroscopy
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Maurel, Philippe. "Contribution a l'etude des proprietes physiques des composes ga : :(x)in::(1-x)as::(y)p::(1-y) obtenus par croissance en phase vapeur par la methode des organometalliques." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066517.

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Abstract:
Etude des proprietes electriques et optiques a basse temperature dans inp de haute purete. Observation de l'effet hall quantique par etude detaillee de proprietes de transport des porteurs bidimensionnels a l'heterojoncion, a dopage module de type p ou n dans inp/ga::(0,47) in::(0,53) as et inp/ga::(0,25) in::(0,75) as::(0,5) p::(0,5). Etude des proprietes structurelles et optiques des puits quantiques multiples inp/ga::(0,47) in::(0,53) as
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Pereira, Viviane Santos. "Preparação de suportes de carbono dopados com nitrogênio (N), enxofre (S) e fósforo (P) para aplicação na oxidação eletroquímica do metanol." Universidade de São Paulo, 2016. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85134/tde-23092016-101551/.

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Abstract:
Neste trabalho o carbono comercial Vulcan XC72 foi modificado com heteroátomos de N, S e P por meio do tratamento térmico a 800 °C com ureia, ácido sulfúrico e ácido fosfórico, respectivamente. Os carbonos modificados foram utilizados na preparação de eletrocatalisadores Pt/C e PtRu/C e aplicados na oxidação eletroquímica do metanol. Os materiais obtidos foram caracterizados por espectroscopia dispersiva de raios X, difração de raios X, espectroscopia Raman, microscopia eletrônica de transmissão e voltametria cíclica. A oxidação eletroquímica do metanol foi estudada por voltametria cíclica e c
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Oheix, Thomas. "Réalisation de dopages localises de type N ET P pour protections périphériques pour diodes de puissance en GaN épitaxié sur Si." Thesis, Tours, 2015. http://www.theses.fr/2015TOUR4024.

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Abstract:
Ces dernières années, la consommation énergétique n’a cessé de s’accroitre. Pour contrer cela, les systèmes de conversion électrique se doivent d’être plus performants, d’améliorer les rendements tout en limitant l’encombrement des systèmes, réduisant ainsi les matières premières utilisées. Parmi les systèmes de conversion efficaces, le correcteur du facteur de puissance et sa diode "boost" assurent un rendement de conversion d’environ 95 %. Ces travaux de thèse s’intéressent à la réalisation de ce type de diode en utilisant un matériau différent du traditionnel silicium, le nitrure de gallium
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Mu, Wei. "INVESTIGATION OF N SINGLE ATOM AND DIATOM DOPANT GAS EFFECT ON THE CONDUCTIVITY OF NITROGEN-DOPED ZNO THIN FILMS GROWN BY THERMAL EVAPORATION PROCESS." Miami University / OhioLINK, 2009. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=miami1250195098.

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Benarfa, Houria. "Proprietes de photoluminescence de gaas : contribution a l'etude de gaas heteroepitaxie sur (ca,sr)f2 par la technique des jets moleculaires." Toulouse, INSA, 1986. http://www.theses.fr/1986ISAT0019.

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Abstract:
ANALYSE DE LA PHOTOLUMINESCENCE DE STRUCTURES GaAs/(Ca,Sr))F2/GaAs, A FLUORURE ACCORDE EN MAILLE AU GAAS; INFLUENCE DES PARAMETRES DE CROISSANCE ET DE LA DISTANCE A L'INTERFACE. COMPARAISON DES PERFORMANCES DE SEMICONDUCTEUR HETEROEPITAXIE A CELLES DE GAAS EPITAXIE; ETUDE DE COUCHES DE GAAS EPITAXIE SUR CAF2 MASSIF
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Colin, Thierry. "Etude et réalisation d'hétérojonctions CdxHg(1-x)Te/CdyHg(1-y)Te en épitaxie par jets moléculaires." Grenoble 1, 1991. http://www.theses.fr/1991GRE10120.

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Abstract:
La realisation en ejm d'heterojonctions a base de cmt a necessite la reprise d'une etude detaillee de la croissance de ce materiau suivant l'orientation (111). La presence d'une couche adsorbee de tellure a la surface du materiau en croissance semble jouer un role majeur dans le controle de la qualite cristalline. Les efforts entrepris pour controler la croissance et mettre en place une modelisation quantitative nous ont permis d'etudier les principaux effets parasites rencontres en ejm de cmt. La mise en place d'innovations technologiques importantes a permis d'en reduire certains effets. Le
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BRIAND, DAVID. "Silicium depose par l. P. C. V. D. Et dope in-situ : depot, caracterisation et application." Rennes 1, 1995. http://www.theses.fr/1995REN10158.

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Abstract:
Ce travail est consacre au silicium depose et dope in-situ par lpcvd (low pressure chemical vapour deposition) a basse temperature ( 600c) dans un reacteur tubulaire horizontal a paroi chaude. Les systemes gazeux employes sont respectivement silane-helium-phosphine pour le dopage au phosphore et silane-helium-diborane pour le dopage au bore. La premiere partie traite du dopage au phosphore. Les conditions experimentales conduisant a une incorporation uniforme du phosphore sur la gamme 3x10#1#6 - 3x10#2#0 atomes/cm#3 sont etudiees. La seconde partie traite du dopage au bore. Des problemes d'uni
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Novais, Sarah Vieira. "Biochars in the mitigation of greenhouse gases and on phosphorus removal and reuse." Universidade de São Paulo, 2018. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/11/11140/tde-10052018-170240/.

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Abstract:
Measures aimed at mitigating environmental impacts, especially the anthropic ones, are being progressively studied. Increasing greenhouse gases (GHG) emissions are among the biggest environmental problems in the world, with agriculture one of the major contributors to this impact. Water eutrophication from land misuse and agricultural systems also fits into such a scenario of concern. Biochar, the product of the pyrolysis of organic materials, appears as a recover of a list of environmental problems, among them the mitigation of GHG and the recovery of eutrophic or wastewater. In this sense, b
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IDRISSI-BENZOHRA, MALIKA. "Etude des jonctions verticales p+n a emetteur en silicium lpcvd fortement dope in-situ au bore." Rennes 1, 1996. http://www.theses.fr/1996REN10171.

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Abstract:
La caracterisation electrique de diodes a jonction en polysilicium/monosilicium est mise en uvre afin de mettre en relief l'importance et l'influence des parametres technologiques sur leurs performances. Cette caracterisation est aussi exploitee pour identifier le mecanisme dominant le transport dans de telles structures. Les diodes etudies sont a jonction p+n. La region p#+ est un film en polysilicium fortement dope (2. 10#2#1 cm#-#3) in-situ au bore. Les parametres qui definissent le procede sont la temperature de depot, le type de nettoyage de la surface du substrat et l'epaisseur de la cou
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Lamas, Tomás Erikson. "Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos." Universidade de São Paulo, 2004. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/.

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Abstract:
Durante as últimas três décadas, a epitaxia por feixe molecular se estabeleceu como uma técnica excelente para o crescimento de camadas semicondutoras de alta qualidade, tanto para a construção de dispositivos quanto para a pesquisa básica. No entanto ainda não existe um método universalmente aceito para obter-se camadas dopadas do tipo p nesta técnica de crescimento. Neste trabalho, estudamos, otimizamos e comparamos três diferentes métodos para a dopagem de camadas de GaAs do tipo p. Dois desses métodos exploraram o caráter anfotérico do silício em substratos de GaAs(311)A (através da mudanç
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Giordano, Anthony J. "Altering the work function of surfaces: The influential role of surface modifiers for tuning properties of metals and transparent conducting oxides." Diss., Georgia Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1853/53989.

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Abstract:
This thesis focuses on the use of surface modifiers to tune the properties of both metals and metal oxides. Particular attention is given to examine the modification of transparent conducting oxides (TCOs) including indium tin oxide and zinc oxide both through the use of phosphonic acids as well as organic and metal-organic dopants. In this thesis a variety of known and new phosphonic acids are synthesized. A subset of these molecules are then used to probe the relationship between the ability of a phosphonic acid to tune the work function of ITO and how that interrelates with the coverage
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CHBIHI, EL WAHOUDI ABDELOUAHED. "Approche theorique de la photoemission de champ a partir de semiconducteurs degeneres. Cas des pointes de silicium faiblement dope p." Clermont-Ferrand 2, 1996. http://www.theses.fr/1996CLF21873.

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Abstract:
Apres avoir defini l'emission de champ sur les pointes metalliques, nous approfondissons la theorie de photoemission de champ sur des metaux en partant des travaux de bagchi, schwartz et gao. La theorie est comparee aux resultats experimentaux de reifenberger et al. Nous examinons ensuite l'emission de champ a partir d'un semiconducteur ou nous avancons sur le pas de r. Stratton a travers la theorie de l'emission de champ des semiconducteurs, en preconisant une nouvelle interpretation theoriques des anomalies de croissance de courant avec le champ, frequemment rencontrees dans la caracteristiq
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CHEVRIER, JEAN-BAPTISTE. "Etude du transport electronique dans des dispositifs pin ou nipin en silicium amorphe hydrogene sous fort champ electrique. Role de la couche dopee p." Paris 7, 1993. http://www.theses.fr/1993PA077029.

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Abstract:
La pin en silicium amorphe hydrogene (a-si:h) est la structure de base des photopiles. Avec une couche intrinseque plus epaisse elle est bien adaptee a la detection de rayonnements en grande surface. L'application d'un tres fort champ electrique s'est avere necessaire si l'on veut obtenir une collection des charges efficace. Nous montrons la necessite d'une couche p epaisse pour l'application de fortes polarisations. Une diode d'une epaisseur de 5 microns a pu, ainsi, etre soumise a des champs extremement eleves allant jusqu'a 100 volts/micron. Un modele reposant, notamment, sur la statistique
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Wagner, Louis. "Precise nuclear data of the 14N(p,gamma)15O reaction for solar neutrino predictions." Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, 2018. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A31122.

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Abstract:
The 14N(p,gamma)15O reaction is the slowest stage of the carbon-nitrogen-oxygen cycle of hydrogen burning and thus determines its reaction rate. Precise knowledge of its rate is required to improve the model of hydrogen burning in our sun. The reaction rate is a necessary ingredient for a possible solution of the solar abundance problem that led to discrepancies between predictions of the solar standard model and helioseismology. The solar 13N and 15O neutrino fluxes are used as independent observables that probe the carbon and nitrogen abundances in the solar core. This could settle the disag
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Abellán, Sánchez María Rosario. "Estudio en poblaciones seleccionadas de la fiabilidad de nuevos protocolos de detección de consumo de hormonas recombinantes (hgH y EPO)." Doctoral thesis, Universitat Pompeu Fabra, 2006. http://hdl.handle.net/10803/7103.

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Abstract:
Las hormonas recombinantes eritropoyetina (EPO) y hormona de crecimiento (GH), prácticamente iguales a las endógenas y de corta vida media en circulación, son de difícil detección directa en el control antidopaje. <br/>Se determinaron los valores poblacionales de los biomarcadores indirectos EPO, receptor soluble de la transferrina, insulin-like growth factor-I (IGF-I) y procolágeno tipo III péptido (P-III-P), en poblaciones seleccionadas de deportistas, y el efecto del ejercicio y los distintos tipos de entrenamiento sobre su concentración sérica. <br/>La comparación de resultados obtenidos m
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Buzzi, Christophe. "Développement de bolomètres monolithiques silicium refroidis à 0,3 K pour le satellite FIRST (Far Infrared and Submillimetre Telescope)." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1999. http://www.theses.fr/1999GRE10116.

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Abstract:
Nous presentons un developpement de matrices de bolometres monolithiques silicium pour la detection du rayonnement submillimetrique ( = 100 m1 mm) realise au cea/leti. L'application visee est l'instrument spire du futur telescope spatial first (far infrared and submillimetre telescope) de l'agence spatiale europeenne. Le plan focal propose fonctionne a 0,3 kelvin et fait appel aux technologies collectives de la micro-electronique, du micro-usinage silicium, et de la micro-connectique. L'absorption du rayonnement repose sur un principe original de double-resonance electromagnetique. L'elevation
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Medeiros, Amanda Lucena de. "Influ?ncia do m?todo de s?ntese e caracteriza??o de p?s comp?sitos de NiO- Ce1-xEuxO2-δ para anodos catal?ticos de c?lulas a combust?vel." Universidade Federal do Rio Grande do Norte, 2013. http://repositorio.ufrn.br:8080/jspui/handle/123456789/12795.

Full text
Abstract:
Made available in DSpace on 2014-12-17T14:07:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 AmandaLM_DISSERT.pdf: 3676559 bytes, checksum: 256cb3ce22bbf3b5f114a2ff3021de96 (MD5) Previous issue date: 2013-02-06<br>Conselho Nacional de Desenvolvimento Cient?fico e Tecnol?gico<br>Fuel cells are electrochemical devices that convert chemical energy into electricity. Due to the development of new materials, fuel cells are emerging as generating clean energy generator. Among the types of fuel cells, categorized according to the electrode type, the solid oxide fuel cells (SOFC) stand out due to be the only device
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