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Dissertations / Theses on the topic 'Dopagem de Boro'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 9 February 2022

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Manne, Gustavo Andre Mogrão. "Contribuição para a sintese de diamante nanocristalino com dopagem de boro." [s.n.], 2008. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259959.

Full text
Abstract:
Orientadores: Vitor Baranauskas, Alfredo Carlos Peterlevitz<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-12T10:56:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Manne_GustavoAndreMograo_M.pdf: 4900447 bytes, checksum: 96ac39c8d4903a68da74c3db411b33b1 (MD5) Previous issue date: 2008<br>Resumo: Esta tese apresenta um estudo do crescimento e caracterização do diamante nanocristalino crescido por deposição química a partir da fase vapor (diamante CVD), com a introdução de boro durante o crescimento. Nosso
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Brandão, Lívia Elisabeth Vasconcellos de Siqueira. "Crescimento, dopagem e caracterização de filmes de nanodiamante CVD." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2014. http://hdl.handle.net/10183/90316.

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Abstract:
Filmes de nanodiamante (NCD – do inglês nanocrystalline diamond) são de amplo interesse tecnológico uma vez que reúnem propriedades ímpares numa reduzida área. A dopagem desses filmes permite controlar sua condutividade elétrica e, utilizá-los no setor eletroquímico e no desenvolvimento de dispositivos eletrônicos. Usualmente, NCD são crescidos pelo método de deposição química a vapor (CVD – do inglês chemical vapor deposition) a partir de substratos de silício. Boro é incorporado controladamente à rede cristalina do diamante durante o processo CVD, a partir de fonte gasosa, num processo basta
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Portela, Rafael Ribeiro. "DeterminaÃÃo eletroanalÃtica de nitrofurantoÃna (NFT) em fÃrmaco e em fluido biolÃgico utilizando eletrodo de diamante dopado com boro." Universidade Federal do CearÃ, 2008. http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=2842.

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Abstract:
CoordenaÃÃo de AperfeiÃoamento de NÃvel Superior<br>Este trabalho apresenta o estudo da quantificaÃÃo de nitrofurantoina (NFT) utilizando os filmes de diamante dopados com boro como material eletrÃdico. Estudos preliminares utilizando voltametria cÃclica (VC) mostraram que o mecanismo de reduÃÃo da nitrofurantoina (NFT) envolve adsorÃÃo e à influenciado pelo pH, o nÃvel de dopagem de boro no eletrodo de diamante tambÃm influÃncia na reduÃÃo da NFT. Eletrodos de diamante com 5000, 10000 e 20000 ppm de dopagem de boro foram utilizados no estudo e os pHs: 2,0; 4,0; 6,0; 8,0 foram investigados par
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Batista, Juliana Silva. "Modelos morfológicos e estruturais de fragmentos de nanotubos de carbono dopados com átomos de boro ou nitrogênio." [s.n.], 2007. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259943.

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Abstract:
Orientador: Vitor Baranauskas<br>Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-16T21:57:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Batista_JulianaSilva_M.pdf: 1650474 bytes, checksum: 5e384ffa01e0f6cf8cc9677c89725eab (MD5) Previous issue date: 2007<br>Resumo: A estrutura eletrônica dos nanotubos de carbono de parede única depende da direção de enrolamento das estruturas de grafeno, determinada pelo vetor quiral. Os nanotubos podem apresentar carácter metálico ou semicondutor. A partir deste vetor class
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Brandão, Lívia Elisabeth Vasconcellos de Siqueira. "Incorporação de boro em diamante CVD através de diferentes substratos." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2009. http://hdl.handle.net/10183/18427.

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Abstract:
Este trabalho apresenta um estudo sobre a inserção de boro em filmes de diamante crescidos via deposição química a vapor (CVD) e propõe-se a conceber uma rota alternativa de incorporação de boro por fonte sólida, em alta concentração, a partir do substrato de deposição. Num primeiro grupo de experimentos estudou-se o comportamento dos filmes depositados em zircônia parcialmente estabilizada, traçando procedimentos específicos de pré-tratamento dos substratos. Num segundo grupo de experimentos objetivou-se estudar a incorporação de boro em filmes crescidos em substratos de grafite e substratos
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Correa, Washington Luiz Alves. "Contribuição para a sintese de diamante com dopagens de boro, nitrogenio ou enxofre." [s.n.], 2004. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260578.

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Abstract:
Orientador: Vitor Baranauskas<br>Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação<br>Made available in DSpace on 2018-08-05T18:10:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Correa_WashingtonLuizAlves_D.pdf: 3351242 bytes, checksum: 8f30a26c68d4c1e73a72d065eaedb4f9 (MD5) Previous issue date: 2004<br>Resumo: Estudamos processos de dopagem do diamante crescido por deposição química a partir da fase vapor (diamante CVD) com a introdução de impurezas dopantes durante o crescimento do diamante em reatores do tipo filamento-quente. Focalizamos nossa pesqu
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Gonçalves, Rebeca Dourado. "Estudo de Impurezas de Carbono em Nanoestruturas de BN." Universidade Federal da Paraí­ba, 2008. http://tede.biblioteca.ufpb.br:8080/handle/tede/5734.

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Abstract:
Made available in DSpace on 2015-05-14T12:14:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 parte1.pdf: 2147467 bytes, checksum: 06d61abcd760c3d3a8cc6b1d61af88fa (MD5) Previous issue date: 2008-08-21<br>Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES<br>In this work, we performed an analysis of the structural and electronic stability of nanostructures of Boron Nitride (BN), such as layers, tubes and cones, when doped with Carbon, through first-principles calculations as implemented in code SIESTA. We found that substitutional doping of Carbon for either a single Boron or a single N
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Pires, Rafael Fernando. "Magneto-transporte e magnetização em sistemas de carbono : filmes de diamante CVD dopado com boro e grafite HOPG implantado com Na." reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS, 2009. http://hdl.handle.net/10183/18424.

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Abstract:
As propriedades magnéticas e de magneto-transporte de filmes finos de diamante dopado com boro e de amostras massivas de grafite pirolítico altamente orientado (HOPG) implantado com sódio foram estudadas experimentalmente em função da temperatura, do campo magnético aplicado e da concentração de impurezas. Os filmes de diamante foram produzidos com a técnica de deposição química a partir da fase vapor (CVD). Os filmes foram crescidos sobre substrato de ZrO2 e são auto-sustentáveis. Fonte sólida de boro foi usada para o processo de dopagem. A introdução de boro produz uma banda de impurezas que
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Oliver, Cyril. "Dopage au Bore du Silicium Multicristallin de type N : application à la fabrication de cellules photovoltaïques par un procédé industriel." Thesis, Montpellier 2, 2011. http://www.theses.fr/2011MON20199/document.

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Abstract:
Cette thèse présente le développement d'un équipement permettant le dopage Bore des cellules photovoltaïques à base de silicium de type n. Un four de diffusion, appartenant à la société Semco Engineering a été développé pour tirer profit du procédé LYDOP (Leaktight Yield Doping en anglais), breveté par la société. Ce dernier a permis la mise au point d'un procédé de diffusion du Bore, régulé sous basse pression, intégrant une source dopante gazeuse à base de BCl3 afin d'effectuer le dopage de plusieurs plaques de silicium simultanément. Les principaux paramètres influençant le procédé de dopag
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Lagrange, Jean-Pierre. "Contribution à l'étude du dopage bore, azote et phosphore dans le diamant." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10210.

Full text
Abstract:
Le diamant est un semi-conducteur a large bande interdite (5. 4 ev) tres prometteur en electronique a haute temperature et de forte puissance. Cependant, son utilisation est limitee par l'absence d'un dopage de type n. Nous avons etudie dans cette these le dopage au bore du diamant (type p), et l'incorporation de phosphore et d'azote dans le diamant par implantation ionique. Nous avons elabore des couches minces de diamant par depot chimique en phase vapeur assiste par plasma micro-onde. Nous avons utilise dans notre etude diverses techniques de caracterisation : spectroscopie de diffusion ram
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Brunet, Frédéric. "Texture et microstructure de films de diamant : effet du dopage au bore." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10176.

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Abstract:
Le diamant presente des proprietes physiques intrinseques extremement attractives qui sont notamment appropriees pour des applications electroniques. Cependant, il convient de rester prudent car les caracteristiques globales des films (purete de la phase diamant, tailles des cristallites, epaisseur, morphologie, texture, contraintes internes etc. . . ) dependent fortement des conditions de croissance et conditionnent les proprietes des films. L'analyse quantitative de la texture (logiciel d'analyse de texture beartex) de films de diamant polycristallins deposes sur substrat de silicium par mpc
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Baron, Céline. "Dopage au bore et défauts associés dans des couches homoépitaxiées de diamant." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2005. http://www.theses.fr/2005GRE10179.

Full text
Abstract:
Pour la réalisation de dispositifs de puissance en diamant la maltrise du dopage bore est nécessaire à la fois pour les faibles (&lt;1. 5x1019 cm-3, tenue en tension) et les fortes (&gt; 3x1020 cm-3, contacts ohmiques) concentrations de bore. Une étude systématique des propriétés électroniques des couches de diamant - synthétisées par CVD assistée plasma - des faibles (4x1016 cm-3) aux fortes puis lourdes (1. 7x1021 cm-3) concentrations de bore a été ici menée par cathodoluminescence (CL). De nouvelles transitions excitoniques ont ainsi été observées pour les faibles dopages. Dans la gamme des
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Lanterne, Adeline. "Étude, réalisation et caractérisation de dopages par implantation ionique pour une application aux cellules solaires en silicium." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENY076/document.

Full text
Abstract:
Cette thèse a pour but d'étudier le dopage par implantation ionique pour la réalisation des différentes zones dopées des cellules solaires en silicium cristallin (émetteur, champ arrière...). L'avantage de l'implantation ionique, par rapport à la diffusion gazeuse, est de pouvoir contrôler le profil des dopants implantés ainsi que de simplifier les procédés de fabrication des cellules. Deux techniques d'implantation ionique ont été utilisées dans ces travaux, l'implantation classique par faisceau d'ions et l'implantation par immersion plasma. Des dopages au phosphore, au bore et à l'arsenic on
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Gonon, Patrice. "Films polycristallins de diamant : dopage au bore à partir de la phase vapeur." Grenoble 1, 1993. http://www.theses.fr/1993GRE10145.

Full text
Abstract:
En vue de la realisation de dispositifs electroniques a base de diamant, nous avons etudie le dopage au bore des films polycristallins de diamant elabores par depot chimique en phase vapeur. Les films dopes au bore sont caracterises a l'aide de mesures de diffraction x, d'absorption dans l'infrarouge, de diffusion raman, de cathodoluminescence, et de resonance paramagnetique electronique. Les proprietes electriques des films sont etudiees a l'aide de mesures du courant en fonction de la tension et de la temperature, de la capacite en fonction de la tension et de la frequence, et a l'aide de me
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Paviet-Salomon, Bertrand. "Procédés de dopage et de recuit laser pour la réalisation de cellules photovoltaïques au silicium cristallin." Phd thesis, Université de Strasbourg, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00969033.

Full text
Abstract:
Cette thèse se propose d'étudier les procédés de dopage et de recuit laser comme outils permettant la réalisation de cellules photovoltaïques au silicium cristallin. Des émetteurs dopés ou recuits par laser sont tout d'abord réalisés à l'aide de trois lasers et de différentes sources dopantes. Les lasers utilisés sont un laser vert nanoseconde, un laser excimère et un laser ultraviolet à haute cadence. Comme sources dopantes nous avons utilisé le verre de phosphore, des couches de nitrures de silicium dopées au bore ou au phosphore, ou encore des implantations ioniques de bore ou de phosphore.
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Chicot, Gauthier. "Effet de champs dans le diamant dopé au bore." Phd thesis, Université de Grenoble, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01062250.

Full text
Abstract:
Alors que la demande en électronique haute puissance et haute fréquence ne fait qu'augmenter, les semi-conducteurs classiques montrent leurs limites. Des approches basées soit sur des nouvelles architectures ou sur des matériaux à large bande interdite devraient permettre de les dépasser. Le diamant, avec ses propriétés exceptionnelles, semble être le semi-conducteur ultime pour répondre à ces attentes. Néanmoins, il souffre aussi de certaines limitations, en particulier d'une forte énergie d'ionisation du dopant de type p (bore) qui se traduit par une faible concentration de porteurs libres à
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Chicot, Gauthier. "Effet de champ dans le diamant dopé au bore." Phd thesis, Université de Grenoble, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00968699.

Full text
Abstract:
Dans ce projet de thèse, deux voies visant l'élaboration de transistors à effet de champ en diamant ont été explorées : le delta-doping et la structure métal oxyde semi-conducteur (MOS). Plusieurs couches nanométriques delta-dopées au bore ont été épitaxiées et caractérisées par effet Hall. Un mécanisme de conduction par saut a été détecté dans les couches isolantes. Une mobilité de 3±1 cm2/Vs a été mesurée dans toutes les couches delta-dopées présentant une conduction métallique, quelque soit leur épaisseur (de 2 nm à 40 nm). Des structures MOS ont été fabriquées en utilisant de l'oxyde d'alu
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Bonafos, Caroline. "Rôle des défauts End-Of-Range dans la diffusion anormale du bore." Toulouse, INSA, 1996. http://www.theses.fr/1996ISAT0025.

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Abstract:
Dans la fabrication de transistors cmos de taille submicronique, le bore est utilise comme dopant de la source et de la grille. Pour realiser des jonctions p+n inferieures a 100 nm, il faut implanter le bore a des energies de l'ordre de quelques kev. Pendant le recuit necessaire a son activation, de nombreux effets typiques de situations hors equilibre apparaissent tels la formation de defauts etendus, ainsi que la diffusion anormale du dopant, qui doit etre prise en compte dans la prediction des profils de dopant. Un premier volet de ce travail est consacre a etablir le lien entre les defauts
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Mambou, Josiane. "Dopage au bore à partir de la phase vapeur : étude comparative des couches minces polycristallines et monocristallines de diamant." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10055.

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Abstract:
Le diamant est un semi-conducteur tres prometteur pour les applications electroniques a haute temperature et de forte puissance. Neanmoins, pour optimiser les performances des dispositifs electroniques actuels, il est indispensable de mieux connaitre et de minimiser la concentration des defauts residuels qui limitent l'efficacite du dopage. Pour cela, nous avons elabore des couches minces de diamant dopees au bore, et etudie l'influence de l'incorporation de bore sur les proprietes du diamant et sur les defauts natifs. La caracterisation des couches s'est faite par differentes techniques : mic
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Lenoble, Damien. "Étude, réalisation et intégration de jonctions P+/N ultra-fines pour les technologies CMOS inférieures à 0,18 micromètre." Toulouse, INSA, 2000. http://www.theses.fr/2000ISAT0041.

Full text
Abstract:
La réalisation de jonctions ultra-fines est nécessaire à la formation des extensions du drain et de la source des transistors CMOS fortement sub-microniques. La formation de jonctions de type p+/n inférieures à 40 nm en profondeur nécessite l'utilisation d'implantation d'ions B+ à très faible énergie. Après avoir démontré les limites d'un tel procédé et notamment la saturation de la profondeur de jonction après implantation, nous avons étudié les techniques alternatives de dopage et en particulier le dopage assisté par faisceau laser. En raison de la finalité industrielle de nos travaux, le pr
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Barbay, Cyrille. "Films de diamant monocristallin dopés au bore pour des applications en électronique de puissance." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLS510/document.

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Abstract:
L’objectif de cette thèse porte sur la synthèse du diamant monocristallin dopé au bore par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde (MPCVD). Ces couches épitaxiées jouent le rôle de couches actives dans des composants pour l’électronique de puissance. Ces travaux s’inscrivent dans le cadre du projet Européen H2020 Greendiamond. Durant cette thèse, un traitement de gravure des défauts surfaciques des substrats de diamant HPHT par plasma Ar/O₂ a été mis au point. L’efficacité de ce traitement a été validée par diffraction des rayons X à haute résolution, spectroscopie Raman e
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Jousse, Didier. "Contribution à l'étude des états localisés et du dopage du silicium amorphe hydrogéné." Grenoble 1, 1986. http://www.theses.fr/1986GRE10123.

Full text
Abstract:
Etude par photodeflection thermique, resonance paramagnetique electronique, absorption optique et mesures de la photoconductivite et de capacite de diode schottky. Identification de defauts diamagnetiques, associes a la presence de microcavites et des liaisons disponibles comme defauts principaux dans a-si:h non dope, les liaisons disponibles devenant dominantes dans le cas de dopage par b ou as; mise en evidence d'un elargissement de la queue de bande de valence pour des rapports dopant/silicium superieurs a 0,1%at; signature des niveaux de la liaison disponible
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Fiori, Alexandre. "Nouvelles générations de structures en diamant dopé au bore par technique de delta-dopage pour l'électronique de puissance : croissance par CVD et caractérisation." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00967208.

Full text
Abstract:
Dans ce projet de thèse, qui s'appuie sur l'optimisation d'un réacteur de croissance du diamant et la construction d'un prototype, nous avons démontré l'épitaxie par étapes de couches de diamant, orientées (100), lourdement dopées au bore sur des couches de dopage plus faible dans le même processus, sans arrêter le plasma. Plus original, nous avons démontré la situation inverse. Nous présentons aussi des croissances assez lentes pour l'épitaxie de films d'épaisseur nanométriques avec de grands sauts de dopage, appelé delta-dopage. L'accent a été porté sur le gain en raideur des interfaces. Nou
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Ngamo, Toko Michel. "Redistribution du bore et de l'arsenic implantés dans le silicium : apport de la sonde atomique tomographique." Rouen, 2010. http://www.theses.fr/2010ROUES014.

Full text
Abstract:
L'augmentation des niveaux de dopages dans les extensions de source et de drain des transistors à effet de champ MOS est nécessaire à la miniaturisation des composants à semi-conducteurs. Les défauts créés par l'implantation ionique, technique principale de dopage des semi-conducteurs, entraînent au cours du recuit thermique l'apparition de phénomènes indésirables tels que la formation d'amas inactifs de dopants et la ségrégation de dopants aux interfaces avec des diélectriques. La sonde atomique tomographique assistée laser, technique récente, a été utilisée pour l'étude de la redistribution
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Blévin, Thomas. "Élaboration et caractérisation de solutions dopantes au bore innovantes par voie PECVD : application à la fabrication de cellules solaires à homojonction." Thesis, Lille 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LIL10137/document.

Full text
Abstract:
Cette thèse explore deux voies alternatives d’élaboration de l’émetteur bore des cellules à base de silicium cristallin de type n, afin de simplifier leur procédé de fabrication, d’une part, et d’améliorer leur rendement de conversion, d’autre part. La première voie, orientée transfert industriel, propose l’utilisation d’une couche diélectrique dopante (SiOx:B) déposée par PECVD-LF, recuite par diffusion thermique. Des paramètres d’émetteur similaires à ceux obtenus dans le cas d’une diffusion gazeuse BCl3 sont recherchés. La seconde approche, plus amont, envisage quant à elle l’élaboration d’
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Bergaud, Christian. "Implantation ionique de bore dans du silicium préamorphisé : réalisation, modélisation et caractérisation de jonctions p+/n ultra-minces." Toulouse, INSA, 1994. http://www.theses.fr/1994ISAT0032.

Full text
Abstract:
Ce memoire presente une contribution a l'etude de la formation de jonctions ultra-minces par implantation de bore dans du silicium preamorphise suivie d'un recuit thermique rapide. Dans une premiere partie, nous rappelons les avantages apportes par une etape de preamorphisation: suppression des effets de canalisation du bore et activation electrique complete des dopants. Malheureusement, lors du recuit, des defauts etendus, appeles defauts eor, apparaissent sous l'ancienne interface silicium amorphe/silicium cristallin. Nous avons identifie ces defauts dans la deuxieme partie de notre travail:
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Issaoui, Riadh. "Elaboration de films épais de diamant monocristallin dopé au bore par MPAVCD pour la réalisation de substrats de diamant P +." Paris 13, 2011. http://scbd-sto.univ-paris13.fr/secure/edgalilee_th_2011_issaoui.pdf.

Full text
Abstract:
L’objectif principal de ce travail de thèse est la synthèse de films épais (&gt;100 μm) de dia-mant monocristallin fortement dopés au bore permettant la fabrication de substrats de diamant et le développement de composants verticaux pour des applications en électronique de puissance. Dans un premier temps, l’effet des différents paramètres de croissance a été étudié. Il a ainsi été mis en évidence l’existence d’une fenêtre de DPMO (caractérisée par le couple pression/puissance) qui permet d’assurer un bon compromis entre qualité, vitesse de croissance et efficacité de dopage per-mettant la cro
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Ghodbane, Slimane. "Réalisation, étude et optimisation de couches minces de diamant dopees au bore en vue de leur utilisation comme électrodes pour la réduction des nitrates." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2007. http://www.theses.fr/2007GRE10010.

Full text
Abstract:
Afin de réaliser des électrodes pour la réduction électrochimique des nitrates, nous avons élaboré des couches minces homoépitaxiées {111} et polycristallines de diamant dopé type p avec par incorporation de différentes concentration de bore. Toutes les couches ont été obtenues par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-ondes. L'étude de l'évolution en fonction de la concentration de bore des propriétés physicochimiques et éléctroniques de ces couches a été réalisée par Raman (excitations rouge à 632. 8 nm et UV à 325 nm), cathodoluminescence à 5K, et microscopie électronique
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Wang, Mei. "Fonctionnalisation des surfaces de diamant dopé au bore et applications en biosciences." Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10021/document.

Full text
Abstract:
Le diamant présente des caractéristiques physique, chimique et mécanique exceptionnelles : une grande conductivité thermique, une dureté très élevée, une large bande, une transparence optique (de l'UV à l'IR) et une grande stabilité chimique. C'est un semi-conducteur à grand gap (5,45eV) possédant de bonnes propriétés mécaniques et caractérisé par ses propriétés de biocompatibilité. Le dopage de celui-ci lui confère de bonnes propriétés de conduction électrique et donc ouvre des perspectives pour son utilisation en bioélectronique. Pour cette fin, il est devenu urgent de développer une chimie
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Rajbhandari, Prashant. "Advanced NMR characterization of the effect of Al2O3, B2O3 and SiO2 doping on low-Tg phosphate based glass." Thesis, Lille 1, 2013. http://www.theses.fr/2013LIL10069/document.

Full text
Abstract:
Les verres de phosphates à faible Tg et forte stabilité thermique sont étudié dans le système (66-x)ZnO- xNa2O-33.4 P2O5. Les mesures DSC ont montré un écart Tx-Tg de 197 °C et une Tg de 339 °C pour x= 20. La RMN 31P 1D/2D révèle la diminution du désordre due à la substitution progressive de Zn par Na. Les formulations x=20 et x=33 ont été dopé par de l’Al2O3, B2O3 et SiO2 (1-4 % mol.) et ses effets sur les propriétés physiques comme la température de transition vitreuse, la stabilité thermique et la durabilité chimique ont été investiguées. La DRX et la RMN 31P ont été réalisés pour suivre le
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Forster, Maxime. "Compensation engineering for silicon solar cells." Phd thesis, INSA de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00876318.

Full text
Abstract:
This thesis focuses on the effects of dopant compensation on the electrical properties of crystalline silicon relevant to the operation of solar cells. We show that the control of the net dopant density, which is essential to the fabrication of high-efficiency solar cells, is very challenging in ingots crystallized with silicon feedstock containing both boron and phosphorus such as upgraded metallurgical-grade silicon. This is because of the strong segregation of phosphorus which induces large net dopant density variations along directionally solidified silicon crystals. To overcome this issue
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BOUCARD, Frédéric. "Modélisation de la diffusion des dopants dans le silicium pour la réalisation de jonctions fines." Phd thesis, Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00003671.

Full text
Abstract:
Le sujet de recherche de ce mémoire de thèse est consacré à la modélisation d'une étape particulière des procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique : la diffusion des dopants. Le premier volet de ce travail est dédié à la compréhension et la réadaptation des modèles classiques de diffusion. En effet, ceux-ci atteignent actuellement leurs limites en raison de la mauvaise description au cours des recuits de l'évolution des défauts créés par l'implantation ionique. La seconde partie de ce travail a donc été de comprendre le rôle des défauts étendus (petits amas, défauts \(113\), b
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Fontaine, Frédéric. "Aspects structuraux et électriques de l'implantation ionique de bore dans des couches de diamant." Grenoble 1, 1994. http://www.theses.fr/1994GRE10226.

Full text
Abstract:
Le but de cette these est d'etudier les aspects structuraux et electriques de l'implantation ionique de bore dans des couches de diamant. La these debute par la presentation des techniques d'elaborations des couches et par l'etude de l'influence de quelques parametres experimentaux. Les notions de base de l'implantation ionique et un rapide historique de l'application de cette technique au diamant font l'objet du second chapitre. Dans le troisieme chapitre, les caracterisations structurales et electriques des couches non recuites dans un premier temps, puis recuites dans un deuxieme temps, mon
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Siefert, Jean-Marie. "Utilisation in-situ d'une sonde de Kelvin pour l'étude du dopage et des profils de potentiel dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si : H)." Paris 11, 1986. http://www.theses.fr/1986PA112162.

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Abstract:
Cette thèse montre comment des mesures in situ de potentiel de surface à l'aide d'une sonde de Kelvin, couplées au dépôt par plasma de silane de couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) permettent de déterminer la position du niveau de Fermi en fonction du dopage et les profils de potentiel présents aux abords des jonctions à base de a-Si:H. Les densités d'états localisés de volume et de surface sont déduites pour une large gamme de dopages au phosphore et au bore. La densité d'états profonds de volume est de l'ordre de 5x1016cm-3 dans les échantillons non dopés. Elle augmente ave
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Boukezzata, Messaoud. "Mecanismes d'oxydation des si-lpcvd fortement dopes au bore." Toulouse 3, 1988. http://www.theses.fr/1988TOU30183.

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Abstract:
Etude de la cinetique et des mecanismes d'oxydation thermique de films dopes a 210**(20) cm**(-3) b "in situ" et par implantation post-depot. Les resultats prennent en compte les influences du mode de dopage et de la microstructure initiale des films (qui varie d'un etat quasi-amorphe a un etat nettement polycristallin). Leur analyse s'appuie sur a) un logiciel de modelisation de l'oxydation de si et la comparaison avec la cinetique d'oxydation de temoins monocristallins qui permettent de les exprimer en termes de constante de diffusion d et de la vitesse de reaction de surface k::(s) de l'oxy
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Bazizi, El Mehdi. "Modélisation physique et simulation de défauts étendus et diffusion des dopants dans le Si, SOI, SiGe pour les MOS avancés." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00509153.

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Abstract:
Dans les transistors MOS avancés, la réalisation de jonctions ultraminces (<15 nm) abruptes et fortement dopées par implantation ionique de dopant reste la voie privilégiée pour l'élaboration des extensions source/drain (S/D). Cependant, au cours du recuit d'activation, cette méthode s'accompagne de la formation de défauts étendus de type interstitiel et d'agglomérats défauts-dopants qui sont à l'origine de problèmes majeurs tels que la diffusion accélérée et transitoire (TED) des dopants et la dégradation des propriétés électriques des jonctions. L'objectif de cette thèse a été de modéliser d
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Nédélec, Sophie. "Diffusion et activation des dopants usuels dans les couches supérieures du MOS." Toulouse, INSA, 1996. http://www.theses.fr/1996ISAT0038.

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Abstract:
En technologie metal oxyde semi-conducteur (mos), la reduction des bilans thermiques engendre des phenomenes de desactivation des dopants dans le polysilicium de grille. La diminution de l'epaisseur de l'oxyde de grille entraine quant a elle un risque de penetration du bore venant du polysilicium a travers l'oxyde, semblant cependant etre limite par la nitruration de l'oxyde. La simulation correcte de ces phenomenes necessite l'etude de la redistribution des dopants dans le polysilicium, et dans l'oxyde pur ou nitrure. Dans l'oxyde, par ajustement de profils simules avec des profils experiment
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Volpe, Pierre-Nicolas. "Réalisation de composants unipolaires en diamant pour l'électronique de puissance." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00436438.

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Abstract:
Les objectifs de cette thèse se situent dans les domaines de l'élaboration et de la caractérisation du diamant dopé au bore ainsi que la réalisation par synthèse des différents éléments, de composants adaptés pour l'électronique de puissance. L'identification des défauts dans les couches homo-épitaxiées de diamant a été réalisée, et il à été en particulier montré que le pré-traitement plasma des substrats employés pour la croissance, peut se révéler comme une étape nécessaire dans le cadre de leurs éliminations. L'optimisation de la croissance de couches de diamant dopées au bore sur des subst
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Boucherit, Mohamed. "Etude et réalisation de dispositifs hyperfréquences sur matériaux grand gap : diode à effet tunnel résonant AlxGa1-xN/GaN, transistor HEMT boré à base de nitrure de gallium." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10004/document.

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Abstract:
Les travaux décrits dans cette thèse permettent d’apporter une contribution à quelques dispositifs existants à base de matériaux semiconducteurs à large bande interdite. Le premier concerne les oscillateurs de puissance HF et le second les amplificateurs de puissance en hyperfréquence. Les composants retenus pour réaliser ces deux dispositifs sont les diodes à effets tunnel résonant et les transistors à haute mobilité électronique. Ce travail de thèse est donc scindé en deux parties distinctes : - Les diodes à effet tunnel résonant AlGaN/GaN: les outils de simulations rigoureux du transport él
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Martins, Rodrigues Ana Candida. "Synthèse et propriétés électriques de verres oxydes conducteurs par ion lithium." Grenoble INPG, 1988. http://www.theses.fr/1988INPG0010.

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Abstract:
L'etude porte sur la variation de la conductivite electrique des systemes borotellurates et borophosphates suivants : lio::(2)-b::(2)o::(3)-te::(2)o::(4) et li::(2)o-b::(2)o::(3)-p::(2)o::(6)-lix (x=f, cl, br). L'effet de formateur mixte pour le premier systeme et l'effet de sel dopant dans le second systeme ont ete interpretes a l'aide de la theorie de l'electrolyte faible et d'un modele de solutions regulieres
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Poirot, Isabelle. "Etude du neptunium dans un verre borosilicate." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376004621.

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"Contribuição para a sintese de diamante com dopagens de boro, nitrogenio ou enxofre." Tese, Biblioteca Digital da Unicamp, 2004. http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000376515.

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Mouchet, (épouse Riuné) Céline. "Croissance de nanofils de silicium et de Si/SiGe." Phd thesis, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00345969.

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Abstract:
Les nanofils sont des matériaux prometteurs, d'une part en tant qu'éléments de micro-générateurs, thermoélectriques ou photovoltaïques, d'autre part en tant que briques de base de systèmes nanoélectroniques. Ils répondent aux exigences de miniaturisation, d'autonomie et de mobilité des appareils nomades. Ces travaux de thèse ont consisté en la synthèse de nanofils de Si et de Si/SiGe, et plus particulièrement l'étude paramétrique de la croissance ainsi que l'analyse de leur structure. Les nanofils de Si et de Si/SiGe croissent selon la méthode VLS (Vapeur-Liquide-Solide) à partir d'un catalyse
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