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Dissertations / Theses on the topic 'Dopant diffusion'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 25 July 2025

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1

Christensen, Jens S. "Dopant diffusion in Si and SiGe." Doctoral thesis, KTH, Microelectronics and Information Technology, IMIT, 2004. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-3712.

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Abstract:
<p>Dopant diffusion in semiconductors is an interestingphenomenon from both technological and scientific points ofview. Firstly, dopant diffusion is taking place during most ofthe steps in electronic device fabrication and, secondly,diffusion is related to fundamental properties of thesemiconductor, often controlled by intrinsic point defects:self-interstitials and vacancies. This thesis investigates thediffusion of P, B and Sb in Si as well as in strained andrelaxed SiGe. Most of the measurements have been performedusing secondary ion mass spectrometry on high purityepitaxially grown samples,
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Liao, Sheng Zhou. "Long-range lateral dopant diffusion in tungsten silicide layers." Thesis, Queen's University Belfast, 2011. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.534690.

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3

Chang, Ruey-dar. "Physics and modeling of dopant diffusion for advanced device applications /." Digital version accessible at:, 1998. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.

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4

De, Souza Maria Merlyne. "Atomic level diffusion mechanisms in silicon." Thesis, University of Cambridge, 1993. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.319817.

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5

Ndoye, Coumba. "Characterization of Dopant Diffusion in Bulk and lower dimensional Silicon Structures." Thesis, Virginia Tech, 2010. http://hdl.handle.net/10919/46321.

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Abstract:
The semiconductor industry scaling has mainly been driven by Mooreâ s law, which states that the number of transistors on a single chip should double every year and a half to two years. Beyond 2011, when the channel length of the Metal Oxide Field effect transistor (MOSFET) approaches 16 nm, the scaling of the planar MOSFET is predicted to reach its limit. Consequently, a departure from the current planar MOSFET on bulk silicon substrate is required to push the scaling limit further while maintaining electrostatic control of the gate over the channel. Alternative device structures that allow
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6

Hearne, M. T. "Diffusion models for the doping of semiconductor crystals." Thesis, University of Nottingham, 1988. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.384711.

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7

Janke, Colin. "Density functional theory modelling of intrinsic and dopant-related defects in Ge and Si." Thesis, University of Exeter, 2008. http://hdl.handle.net/10036/46913.

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Abstract:
This thesis covers the application of the local density approximation of density functional theory to a variety of related processes in germanium and silicon. Effort has been made to use calculated results to explain experimentally observed phenomena. The behaviour of vacancies and vacancy clusters in germanium has been studied as these are the dominant intrinsic defects in the material. Particular attention was paid to the annealing mechanisms for the divacancy as a precursor to the growth of the larger clusters, for which the electrical properties and formation energies have been studied. So
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8

Ismail, Razali. "Simulation of dopant diffusion in silicon using finite element method : an adaptive meshing approach." Thesis, University of Cambridge, 1988. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.291751.

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9

Velayudhan, Nirmalkumar. "Analysis of Thermally Diffused Single Mode Optical Fiber Couplers." Thesis, Virginia Tech, 1994. http://hdl.handle.net/10919/36771.

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Abstract:
The phenomenon of dopant diffusion as a viable means of coupler fabrication is investigated. It is well known that the diffusion of dopants can improve the uniformity of multimode star couplers manufactured by the fused biconical taper technique. The theoretical basis for the same phenomenon in a single mode coupler is developed, on the basis of the theory of diffusion and the Gaussian approximation for circular fibers. A novel technique to manufacture and design single mode optical fiber couplers with a minimization of the manufacturing complexity is demonstrated. Traditionally fused bi
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Moreau, Patrick. "Diffusion moléculaire d'un dopant hydrosoluble dans une phase lamellaire lyotropeTransition smectique - cholestérique dans un mélange de molécules amphiphiles." Bordeaux 1, 2004. http://www.theses.fr/2004BOR12896.

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Abstract:
L'étude des propriétés de diffusion moléculaire d'un dopant dans une phase lamellaire orientée nous permet de mettre en évidence les caractéristiques de diffusion dans un milieux fortement anisotrope. En particulier, la variation continue de la dilution du système montre l'existence de deux régimes : un régime dilué où les molécules diffusent comme dans un solvant et un nouveau régime, très confiné, dans lequel les molécules diffusent comme des dopants membranaires. Le développement d'un modèle prenant en compte la fluidité des membranes nous permet d'interpréter ces résultats dans la majorité
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MOREAU, Patrick. "Diffusion Moléculaire d'un dopant hydrosoluble dans une phase lamellaire lyotrope ---- transition smectique - cholestérique dans un mélange de molécules amphiphiles." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00009676.

Full text
Abstract:
L'étude des propriétés de diffusion moléculaire d'un dopant dans une phase lamellaire lyotrope orientée nous permet de mettre en évidence les caractéristiques de diffusion dans un milieu fortement anisotrope. En particulier, l'effet de la dilution du système met en évidence deux régimes : un régime dilué où les molécules diffusent comme dans un solvant et un nouveau régime, très confiné, dans lequel les molécules diffusent comme des dopants membranaires. Le développement d'un modèle prenant en compte la fluidité des membranes nous permet d'interpréter ces résultats dans la majorité des cas étu
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Lyytik�inen, Katja Johanna. "Control of complex structural geometry in optical fibre drawing." University of Sydney. School of Physics and the Optical Fibre Technology Centre, 2004. http://hdl.handle.net/2123/597.

Full text
Abstract:
Drawing of standard telecommunication-type optical fibres has been optimised in terms of optical and physical properties. Specialty fibres, however, typically have more complex dopant profiles. Designs with high dopant concentrations and multidoping are common, making control of the fabrication process particularly important. In photonic crystal fibres (PCF) the inclusion of air-structures imposes a new challenge for the drawing process. The aim of this study is to gain profound insight into the behaviour of complex optical fibre structures during the final fabrication step, fibre drawing.
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Lyytikäinen, Katja Johanna. "Control of complex structural geometry in optical fibre drawing." Thesis, The University of Sydney, 2004. http://hdl.handle.net/2123/597.

Full text
Abstract:
Drawing of standard telecommunication-type optical fibres has been optimised in terms of optical and physical properties. Specialty fibres, however, typically have more complex dopant profiles. Designs with high dopant concentrations and multidoping are common, making control of the fabrication process particularly important. In photonic crystal fibres (PCF) the inclusion of air-structures imposes a new challenge for the drawing process. The aim of this study is to gain profound insight into the behaviour of complex optical fibre structures during the final fabrication step, fibre drawing.
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Philippe, Thomas. "Précipitation du bore dans le silicium : expérience, méthodologie et modélisation." Phd thesis, Université de Rouen, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00648694.

Full text
Abstract:
Plusieurs phénomènes modifient la redistribution du bore dans le silicium fortement implanté. Pendant le recuit thermique d'activation, les interactions entre les dopants et les défauts d'implantations viennent affecter et complexifier la redistribution du bore. A cela peut venir s'ajouter des phénomènes de précipitation dans les régions sursaturées en dopants. Ces interactions peuvent conduire à la désactivation partielle des dopants. Cette thèse traite en particulier de la précipitation ou mise amas du bore dans le silicium fortement implanté. Ces questions sont étudiées en sonde atomique to
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Chen, Wanghua. "Modélisation de la croissance des nanofils de Si et métrologie à l'échelle atomique de la composition des nanofils." Phd thesis, Université de Rouen, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00651352.

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Abstract:
Les nanofils de silicium (Si) sont des nano-objets à une dimension. Ils font l'objet de beaucoup d'intérêt ces dernières années en raison de leurs bonnes propriétés et leur grand potentiel d'applications. Pour ces applications, il est important de parfaitement contrôler la croissance de ces objets ainsi que leurs dopages. Dans ce contexte, l'objectif de ce travail de thèse est la modélisation de la croissance des nanofils de Si et la métrologie à l'échelle atomique de la composition des nanofils. Dans la première partie de ce travail, nous avons étudié le taux de croissance (longueur) ainsi qu
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Perrin, Toinin Jacques. "Étude du dopage et de la formation des contacts pour les technologies germanium." Thesis, Aix-Marseille, 2016. http://www.theses.fr/2016AIXM4372.

Full text
Abstract:
Les progrès récents concernant la fabrication des substrats de Ge mono- et poly-cristallins, ainsi que des substrats « Ge-sur-isolant », combinés au transfert des technologies des isolants « high-k » et des contacts ohmiques de la technologie Si vers la technologie Ge permettent d’envisager le développement d’une microélectronique à haute performance basée sur une technologie utilisant le Ge en remplacement du Si. Toutefois, afin de respecter les restrictions liées à la fabrication de la prochaine génération de dispositifs microélectroniques miniaturisés (MOSFETs à canal court), il est nécessa
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Wolf, Herbert, Florian Wagner, Jörg Kronenberg, Thomas Wichert, Roman Grill, and Eduard Belas. "Drift-diffusion of highly mobile dopants in CdTe." Universitätsbibliothek Leipzig, 2016. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-192877.

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Abstract:
The diffusion of Ag in CdTe exhibits anomalous concentration profiles, which essentially reflect the profile of the deviation from stoichiometry. At a diffusion temperature of about 800 K, the Ag dopant atoms are present as charged interstitials. The deviation from stoichiometry at diffusion temperature substantially changes upon an external source of Cd atoms. Such an external source can be represented either by the vapor pressure from metallic Cd or by a Cd layer arising at the interface to an evaporated layer of Cu or Au. Also, the Co diffusion in CdZnTe is shown to be strongly affected by
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Sung, Talun. "Doping diamond by forced diffusion /." free to MU campus, to others for purchase, 1996. http://wwwlib.umi.com/cr/mo/fullcit?p9720551.

Full text
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19

Wolf, Herbert, Florian Wagner, Jörg Kronenberg, Thomas Wichert, Roman Grill, and Eduard Belas. "Drift-diffusion of highly mobile dopants in CdTe." Diffusion fundamentals 8 (2008) 3, S. 1-8, 2008. https://ul.qucosa.de/id/qucosa%3A14149.

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Abstract:
The diffusion of Ag in CdTe exhibits anomalous concentration profiles, which essentially reflect the profile of the deviation from stoichiometry. At a diffusion temperature of about 800 K, the Ag dopant atoms are present as charged interstitials. The deviation from stoichiometry at diffusion temperature substantially changes upon an external source of Cd atoms. Such an external source can be represented either by the vapor pressure from metallic Cd or by a Cd layer arising at the interface to an evaporated layer of Cu or Au. Also, the Co diffusion in CdZnTe is shown to be strongly affected by
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Lobre, Clément. "Compréhension des mécanismes de dopage arsenic de CdHgTe par implantation ionique." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENI021/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse aborde l’ensemble de la problématique du dopage de type p de CdHgTe par implantation ioniqued’arsenic, de l’incorporation jusqu’à l’activation en passant par la diffusion. Pour chaque point considéré, plusieurstechniques de caractérisation ont été mises en oeuvre avec comme objectif la compréhension des mécanismes dedopage.Les dommages induits par le processus d’implantation ionique ont été étudiés d’un point de vue structural etélectrique, afin de déterminer leur influence sur les processus de diffusion et d’activation du dopant. Un effet derecuit sous irradiation a été mi
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Koffel, Stéphane. "Implantation, diffusion et activation des dopants dans le germanium." Grenoble INPG, 2008. http://www.theses.fr/2008INPG0094.

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Abstract:
Le germanium est un candidat pour la réalisation des futurs transistors MOS, du fait de la plus grande mobilité des porteurs par rapport au silicium. Il a été abandonné il y a une quarantaine d'années au profit du silicium et doit donc être redécouvert. Le but de ce travail est de comprendre les mécanismes mis en jeu au cours du dopage du germanium. Nous déterminons d'abord que le modèle de la densité d'énergie critique permet de prédire la formation et l'extension des couches amorphes dans le germanium. La vitesse d'épitaxie en phase solide est ensuite mesurée et pour la première fois dans le
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Perrin, Toinin Jacques. "Étude du dopage et de la formation des contacts pour les technologies germanium." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2016. http://www.theses.fr/2016AIXM4372.

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Abstract:
Les progrès récents concernant la fabrication des substrats de Ge mono- et poly-cristallins, ainsi que des substrats « Ge-sur-isolant », combinés au transfert des technologies des isolants « high-k » et des contacts ohmiques de la technologie Si vers la technologie Ge permettent d’envisager le développement d’une microélectronique à haute performance basée sur une technologie utilisant le Ge en remplacement du Si. Toutefois, afin de respecter les restrictions liées à la fabrication de la prochaine génération de dispositifs microélectroniques miniaturisés (MOSFETs à canal court), il est nécessa
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Canneaux, Thomas. "Étude de la diffusion des dopants usuels dans le germanium." Strasbourg, 2009. http://www.theses.fr/2009STRA6191.

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Abstract:
La technologie planar silicium doit aujourd’hui faire face à des limites physiques. Pour contourner celles-ci, un des moyens consiste à remplacer le silicium par un autre semi-conducteur dont la mobilité des porteurs est plus élevée. Le germanium est alors un bon candidat. Pour la fabrication de circuits performants, connaître les vitesses de diffusion des dopants dans le matériau est primordial. Dans ce but, ce travail a été consacré à l’étude de la diffusion du gallium, de l’indium, du phosphore, de l’arsenic et de l’antimoine dans le germanium. Nous avons déterminé les coefficients de diffu
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Frantík, Ondřej. "Vysokoteplotní procesy ve výrobě křemíkových fotovoltaických článků." Doctoral thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2014. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-233622.

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Abstract:
The thesis is focused on high temperature processes in crystalline solar cells production. Main topic is diffusion of traditional dopants phosphorus and boron. Diffusion processes for creating solar cells are different from classical diffusion in semiconductor industrial. It is reason why the thesis describes crated layers in detail. Knowledge of diffusion processes is used for creating bifacial solar cells and development of a new phosphorus emitter for conventional solar cells. Bifacial cells are a new type of cells. Developed new emitter increases efficiency and decreases cost of solar cell
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Malzbender, Jürgen. "A study of the diffusion of the halogens into cadmium telluride." Thesis, Coventry University, 1994. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.386545.

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Biswas, Ranjan. "Parallel computational methods for simulating the diffusion of dopants in silicon." Thesis, University of Cambridge, 1991. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.385902.

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Golshani, Fariborz. "Boron doping of diamond powder by enhanced diffusion and forced diffusion : diffusion concentrations, mechanical, chemical and optical properties /." free to MU campus, to others for purchase, 1997. http://wwwlib.umi.com/cr/mo/fullcit?p9842530.

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Nédélec, Sophie. "Diffusion et activation des dopants usuels dans les couches supérieures du MOS." Toulouse, INSA, 1996. http://www.theses.fr/1996ISAT0038.

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Abstract:
En technologie metal oxyde semi-conducteur (mos), la reduction des bilans thermiques engendre des phenomenes de desactivation des dopants dans le polysilicium de grille. La diminution de l'epaisseur de l'oxyde de grille entraine quant a elle un risque de penetration du bore venant du polysilicium a travers l'oxyde, semblant cependant etre limite par la nitruration de l'oxyde. La simulation correcte de ces phenomenes necessite l'etude de la redistribution des dopants dans le polysilicium, et dans l'oxyde pur ou nitrure. Dans l'oxyde, par ajustement de profils simules avec des profils experiment
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Pakfar, Ardechir. "Modélisation de la diffusion des dopants dans les alliages SiGe et SiGeC." Lyon, INSA, 2003. http://www.theses.fr/2003ISAL0002.

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Abstract:
Nous proposons une modélisation unifiée de la diffusion des dopants dans les alliages SiGe et SiGeC basée sur l'hypothèse que les différents effets physiques induits par les atomes de Germanium et de Carbone perturbent les concentrations à l'équilibre des défauts ponctuels, dont le rôle primordial dans le diffusion est largement admis, par rapport à leur valeur standard dans le silicium pur. L'analyse critique de la bibliographie permet de dégager ces phénomènes : l'effet chimique, l'effet de la contrainte et l'effet de Fermi agissent sur les défauts ponctuels et donc, sur la diffusion des imp
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Bonito, Oliva Valeria. "Diffusion de silicium et dopage de type n dans le AlN." Electronic Thesis or Diss., Université Côte d'Azur, 2024. https://intranet-theses.unice.fr/2024COAZ5009.

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Abstract:
Dans cette thèse, nous menons une étude approfondie de la diffusion du silicium (Si) dans le nitrure d'aluminium (AlN) massif et dans de l'AlN épitaxé sur substrat saphir.Nous introduisons le Si dans l'AlN à partir d'une couche de de Si1-xNx amorphe déposée par pulvérisation réactive. Notre étude concerne des recuits thermiques effectués à des températures comprises entre 1500 et 1700°C, avec des durées variant de 1 à 4 heures. En utilisant des techniques analytiques avancées telles que la spectrométrie de masse à ions secondaires (SIMS), la spectroscopie de rayons X à dispersion d'énergie (ED
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Vandenbossche, Eric. "Contribution à la modélisation de la diffusion des dopants en fortes concentrations dans le silicium." Lille 1, 1994. http://www.theses.fr/1994LIL10158.

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Abstract:
Les phenomenes de diffusion des dopants dans le silicium ont une importance grandissante dans les technologies actuelles et futures. En effet, les budgets thermiques diminuent avec les dimensions des dispositifs, et des phenomenes de diffusion transitoire apparaissent lors de la fabrication de jonctions ultra-courtes p#+/n et n#+/p. Ce memoire traite essentiellement des mecanismes de diffusion, bases sur les reactions entre dopants et defauts ponctuels, lesquels sont les interstitiels (atomes de silicium en site interstitiel) et les lacunes (site substitutionnel vacant). La sursaturation des d
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Boucard, Frédéric. "Modélisation de la diffusion des dopants dans le silicium pour la réalisation de jonctions fines." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2003. http://www.theses.fr/2003STR13067.

Full text
Abstract:
Le sujet de recherche de ce mémoire de thèse présente la modélisation d'une étape particulière des procédés mis en œuvre en microélectronique: la diffusion des dopants. Le premier volet de ce travail est consacré à la compréhension et la réadaptation des modèles classiques de diffusion. En effet, ceux-ci atteignent actuellement leurs limites, en raison de la mauvaise description au cours des recuits de l'évolution des défauts créés par l'implantation ionique. La seconde partie de ce travail a donc été de comprendre le rôle des défauts étendus (petits amas, défauts {113}, boucles de dislocation
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Normand, Pascal. "Contribution à l'étude de la diffusion des impuretés dopantes dans le silicium : diffusion des impuretés dopantes dans des structures silicium sur isolant obtenues par implantation d'oxygène." Grenoble INPG, 1992. http://www.theses.fr/1992INPG0164.

Full text
Abstract:
Dans une premiere partie, cette etude traite des elements fondamentaux utiles a l'analyse de la migration des impuretes dans le silicium. Une formulation generale des equations de transport dans le cas du mecanisme lacunaire de migration des impuretes dopantes est notamment proposee sur la base de la theorie phenomenologique de la diffusion fondee sur la thermodynamique des processus irreversibles. Ces equations sont discutees a travers les coefficients de transport phenomenologiques explicites en termes de caracteristiques elementaires (concentrations de defauts, interactions lacune-impurete,
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Castro, Susana Patricia. "CHARACTERIZATION OF THE BORON DOPING PROCESSUSING BORON NITRIDE SOLID SOURCE DIFFUSION." NCSU, 1999. http://www.lib.ncsu.edu/theses/available/etd-19990523-142337.

Full text
Abstract:
<p>CASTRO, SUSANA PATRICIA. Characterization of the Boron Doping Process UsingBoron Nitride Solid Source DiffusionThe purpose of this research has been to develop an optimum process for the borondoping of implants and polysilicon gates of metal-oxide-semiconductor (MOS) devices.An experimental design was constructed to determine the effects of diffusiontemperature, time, and ambient on characteristics of the doping process. A temperaturerange of 800 to 1000 degrees Celsius was studied with a diffusion time between 10 and60 minutes. Two diffusion ambients were used for doping processes, a pure
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BOUCARD, Frédéric. "Modélisation de la diffusion des dopants dans le silicium pour la réalisation de jonctions fines." Phd thesis, Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00003671.

Full text
Abstract:
Le sujet de recherche de ce mémoire de thèse est consacré à la modélisation d'une étape particulière des procédés de fabrication mis en oeuvre en microélectronique : la diffusion des dopants. Le premier volet de ce travail est dédié à la compréhension et la réadaptation des modèles classiques de diffusion. En effet, ceux-ci atteignent actuellement leurs limites en raison de la mauvaise description au cours des recuits de l'évolution des défauts créés par l'implantation ionique. La seconde partie de ce travail a donc été de comprendre le rôle des défauts étendus (petits amas, défauts \(113\), b
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Ihaddadene, Lenglet Mékioussa. "Simulation de la diffusion de dopants de type P dans les structures à base d'INP." Rouen, 2002. http://www.theses.fr/2002ROUES045.

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Abstract:
Les études sur la modélisation de la diffusion du béryllium (BE) dans les matériaux III-V sont entreprises afin de répondre aux problèmes posés par la diffusion indésirable des dopants de type p pendant les différentes étapes de réalisation des composants actifs et plus particulièrement dans les transistors bipolaires à hétérojonction. Ce travail de thèse concerne d'une part, la modélisation de la diffusion du Be dans des structures épitaxiées : homojonctions ternaire (GaInAs) et quaternaire (GaInAsP) et l'hétérojonction ternaire/binaire (GaInAs/InP) et d'autre part, celle du Be implanté dans
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Blum, Ivan. "Diffusion et redistribution des dopants et du platine dans les siliciures de nickel sur silicium." Aix-Marseille 3, 2010. http://www.theses.fr/2010AIX30061.

Full text
Abstract:
L' objectif de cette étude est de quantifier la diffusion et la solubilité de I' As, du B et du Pt dans les siliciures de Ni afin de mieux comprendre leur redistribution lors de la siliciuration. Pour cela, les différents éléments ont été implantés dans des films de siliciures 5-Ni2Si et NiSi et leur diffusion et leur solubilité ont été étudiées par spectrométrie de masse d' ions secondaires (SIMS) et par sonde atomique tomographique (APT). Des coefficients de diffusion ont pu être mesurés notamment en comparant des mesures SIMS à des simulations de diffusion à deux dimensions. Des expériences
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Castro, Susana Patricia. "Characterization of the boron doping process using boron nitride solid source diffusion." Raleigh, NC : North Carolina State University, 1999. http://www.lib.ncsu.edu/etd/public/etd-2923142349901421/etd.pdf.

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Kovac, Urban. "3D drift diffusion and 3D Monte Carlo simulation of on-current variability due to random dopants." Thesis, University of Glasgow, 2010. http://theses.gla.ac.uk/2309/.

Full text
Abstract:
In this work Random Discrete Dopant induced on-current variations have been studied using the Glasgow 3D atomistic drift/diffusion simulator and Monte Carlo simulations. A methodology for incorporating quantum corrections into self-consistent atomistic Monte Carlo simulations via the density gradient effective potential is presented. Quantum corrections based on the density gradient formalism are used to simultaneously capture quantum confinement effects. The quantum corrections not only capture charge confinement effects, but accurately represent the electron impurity interaction used in prev
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Marcon, Jérôme. "Simulation numérique de la diffusion de dopants dans les matériaux III-V pour les composants microoptoélectroniques." Rouen, 1996. http://www.theses.fr/1996ROUES061.

Full text
Abstract:
Le sujet de cette thèse concerne la modélisation et la simulation numérique de la diffusion des dopants dans les composants microoptoélectroniques à base de matériaux III-V. Cette diffusion peut se produire au cours des traitements thermiques nécessaires à la fabrication des composants (épitaxie, réalisations de contacts,. . . ) Dans un premier temps, les aspects physiques et technologiques de la diffusion sont abordés. Une attention particulière est accordée au mécanisme substitutionnel-interstitiel de diffusion. La modélisation de la diffusion des dopants de type p dans les matériaux III-V a
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Moreno, Dickerson C. "The diffusion of phosphorus into diamond from phosphorus-doped silicon through field enhanced diffusion by optical activation /." free to MU campus, to others for purchase, 2003. http://wwwlib.umi.com/cr/mo/fullcit?p3091948.

Full text
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Rodriguez, Nicolas. "Diffusion des dopants dans les dispositifs de la microélectronique : codiffusion de l’arsenic et du phosphore dans le silicium, étude unidimensionnelle et bidimensionnelle." Aix-Marseille 3, 2008. http://www.theses.fr/2008AIX30029.

Full text
Abstract:
La diffusion des dopants du Si dans les dispositifs de la microélectronique a été étudiée en 1 et 2 dimensions. Les effets de codiffusion de l’As et du P ont été caractérisés dans le but de la fabrication des "sources" et "drains" des dernières technologies de transistors (90 nm). Nous observons une accélération transitoire de la diffusion de l’As et du P lorsque ces 2 dopants sont présents en même temps dans le Si. Cet effet, qui dépend principalement de la dose d’As, semble provenir d’une modification des caractéristiques des clusters AsnV en présence de P. De plus, nous montrons que la diff
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Zaltron, Annamaria. "Local doping of lithium niobate by iron diffusion: a study of photorefractive properties." Doctoral thesis, Università degli studi di Padova, 2011. http://hdl.handle.net/11577/3425330.

Full text
Abstract:
In the last decades the electronic data transmission technology has progressively reached its performance limits and it is nowadays evident that further advances can be achieved only by all-optical signal processing systems. Thus the research in nonlinear optics have been rapidly expanding in the last twenty years, developing many applications of photonics which are now relevant for industrial and consumer markets. In particular, in electro-optic materials the phenomena based on the photorefractive effect are doubtless playing a major role in the building up of optoelectronic signal transmissi
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Rasul, Faiz. "Theoretical investigation of diffusion in bulk material and superlattice structures." Thesis, University of Hull, 1999. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.310279.

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Reiser, Patrick [Verfasser], Wolfram [Akademischer Betreuer] Jaegermann, and Annemarie [Akademischer Betreuer] Pucci. "Modifying and Controlling Diffusion Properties of Molecular Dopants in Organic Semiconductors / Patrick Reiser ; Wolfram Jaegermann, Annemarie Pucci." Darmstadt : Universitäts- und Landesbibliothek Darmstadt, 2019. http://d-nb.info/1203221398/34.

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West, Matthew K. "Diffusion of sulfur into natural diamond : characterization and applications in radiation detection /." free to MU campus, to others for purchase, 1999. http://wwwlib.umi.com/cr/mo/fullcit?p9964011.

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Colombeau, Benjamin. "Interactions entre défauts étendus et anomalies de diffusion des dopants dans le silicium : modèle physique et simulations prédictives." Toulouse 3, 2001. http://www.theses.fr/2001TOU30128.

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CATUNDA, CARLOS EDUARDO GUEDES. "INFLUENCE OF TEMPERATURE AND CHROME DOPANTS IN CONFIGURATIONAL TRANSIENT DIFFUSION OF IRON OXIDE IN HIGH ALUMINA POROUS REFRACTORY MATRIX." PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO, 2017. http://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/Busca_etds.php?strSecao=resultado&nrSeq=29929@1.

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Abstract:
PONTIFÍCIA UNIVERSIDADE CATÓLICA DO RIO DE JANEIRO<br>COORDENAÇÃO DE APERFEIÇOAMENTO DO PESSOAL DE ENSINO SUPERIOR<br>PROGRAMA DE SUPORTE À PÓS-GRADUAÇÃO DE INSTS. DE ENSINO<br>Meios heterogêneos porosos submetidos a ataque químico em condições de alta temperatura representam um segmento de destacada importância no campo científico e industrial. O perfil de penetração efetiva de difundentes em meios porosos é um tópico de ampla significância e complexidade em fenômenos de transporte de momento, calor e massa; pois descreve o conceito do fenômeno de difusão configuracional transiente nas zonas
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Calvo, Pascal. "Evolution cinétique des défauts {113} en cours de recuit thermique de silicium implanté : influence sur la diffusion des dopants." Toulouse 3, 2004. http://www.theses.fr/2004TOU30281.

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Abstract:
Dans les structures MOS, la réalisation de jonctions ultraminces p+/n par implantation ionique de bore reste la voie privilégiée pour l'élaboration d'extensions source/drain d'une profondeur inférieure à 20 nm. Cependant, au cours du recuit d'activation, cette méthode s'accompagne de la formation de défauts étendus de type interstitiel (clusters, défauts {113} et boucles de dislocation) qui sont à l'origine de problèmes majeurs tels que la diffusion accélérée et transitoire (TED) des dopants et la dégradation des propriétés électriques des jonctions. Afin d'élaborer des stratégies permettant d
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Kociniewski, Thierry. "HOMOEPITAXIE ET DOPAGE DE TYPE n DU DIAMANT." Phd thesis, Université de Versailles-Saint Quentin en Yvelines, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00349978.

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Abstract:
Ce travail a pour objectif d'étudier différentes voies susceptibles de conduire à un dopage reproductible de type n du diamant avec de bonnes propriétés électriques et cristallines. La première fut l'étude de couches homoépitaxiées de diamant dopé phosphore avec la mise en oeuvre d'une ligne de dopage issue de la technologie MOCVD sur notre bâti de croissance MPCVD. Cette ligne utilise un précurseur liquide stocké dans un bulleur. Le précurseur choisi a été la tertiarybutylphosphine, composé organique du phosphore. Une étude concernant l'influence de la température sur la croissance de films h
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