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Academic literature on the topic 'Effet d'irradiation'
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Journal articles on the topic "Effet d'irradiation"
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Chaouch, A., S. El Fartah, I. Pouliquen-Sonaglia, G. Lesgards, J. Raffi, and M. Trihi. "Effet de la dose d'irradiation sur la fraction tocophérolique d'huiles végétales." Journal de Chimie Physique et de Physico-Chimie Biologique 96, no. 1 (1999): 178–82. http://dx.doi.org/10.1051/jcp:1999128.
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2
Vreysen, Marc J. B., and A. M. V. Van Der Vloedt. "Stérilisation par irradiation de Glossina tachinoides Westw. pupae. I. Effet des doses fractionnées et de l’azote pendant l’irradiation à mi-course de la phase pupale." Revue d’élevage et de médecine vétérinaire des pays tropicaux 48, no. 1 (1995): 45–51. http://dx.doi.org/10.19182/remvt.9487.
Full textAbstract:
L'effet de l'azote pendant l'irradiation de pupes de Glossina tachinoides ainsi que le fractionnement des doses d'irradiation, ont été étudiés au milieu de la phase pupale. L'effet protecteur de l'azote contre des irradiations de 10 à 80 Gy de pupes âgées de 15 à 20 jours a été démontré par l'accroissement du taux global d'éclosion, par des niveaux plus élevés de fertilité résiduelle chez les mâles et par des durées de vie plus longues. La stérilité des màles traités par doses fractionnées séparées par 1 ou 2 jours a été identique à celle des mâles traités par une dose unique au 15e j après larviposition ; mais le taux de mutations létales induites était diminué pour des doses fractionnées séparées par un intervalle de 5 jours. La fécondité des femelles a été réduite lors du fractionnement de la dose d'irradiation à intervalle de 1 et 2 jours. Une stérilité complète a été obtenue chez les pupes femelles lorsque l'intervalle entre les doses fractionnées était de 5 jours, indépendamment de la dose utilisée.
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Bellili, Nadira, Hocine Djidjelli, and Amar Boukerrou. "Effet d'irradiation gamma sur les propriétés mécanique, thermique et la mouillabilité du PVC plastifié." Annales de chimie Science des Matériaux 38, no. 5-6 (2013): 179–88. http://dx.doi.org/10.3166/acsm.38.179-188.
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4
Frely, A., B. Beuneu, A. Barbu, and G. Jaskierowicz. "Effets d'irradiation sur l'état d'ordre chimique dans les alliages (Ni0.67Cr0.33)1-xFex." Le Journal de Physique IV 06, no. C2 (1996): C2–109—C2–114. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:1996215.
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5
Kalifa, G. "Les effets des faibles doses d'irradiation en pédiatrie ou l'approche bénéfice–risque." Archives de Pédiatrie 13, no. 6 (2006): 784–85. http://dx.doi.org/10.1016/j.arcped.2006.03.120.
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6
-Elmazria, Omar. "Simulation des effets d'irradiation par électrons sur la tenue de l'IGBT au "latchup"." Revue de l'Electricité et de l'Electronique -, no. 04 (1997): 79. http://dx.doi.org/10.3845/ree.1997.052.
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7
Taillard, R., A. Hennion, J. P. Massoud, J. C. Van Duysen, and J. Foct. "Vieillissement thermique et effets d'irradiation dans les zones fondues des cuves des réacteurs VVER." Le Journal de Physique IV 11, PR1 (2001): Pr1–49—Pr1–59. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:2001105.
Full textDissertations / Theses on the topic "Effet d'irradiation"
1
Rogez, Jean-Marc. "Caractérisation électrique d'hétérostructures III-V : étude de l'influence de défauts d'irradiation et d'interface." Lille 1, 1993. http://www.theses.fr/1993LIL10111.
Full textAbstract:
L'objectif de ce travail est de déterminer avec une bonne précision les discontinuités de bande d'hétérostructures 3-5 par des techniques électriques et d'étudier l'influence des défauts de volume ou d'interface sur les propriétés électriques de ces hétérostructures, notamment sur l'énergie d'activation associée à l'effet thermoïonique. Une modification des caractéristiques électriques, due à des défauts, doit être prise en compte pour déterminer précisément une discontinuité de bande. Nous déterminons, à l'aide de mesures du courant thermoïonique et de la capacité, les discontinuités de bande de conduction de structures s. I. S. Comportant des contacts ohmiques et basées sur des hétérostructures 3-5 de type pseudomorphique et métamorphique. Nous avons développé un modèle prenant en compte la position du niveau de fermi en fonction du dopage des matériaux, la quantification dans un puits, la formation d'une zone d'accumulation ou de déplétion, et simulant, par intégration de l'équation de poisson, le comportement électrique des structures en fonction de la température et de la tension appliquée<br>Par ailleurs, les structures s. I. S. Pseudomorphiques étudiées sont soumises à une irradiation électronique, afin d'introduire de façon contrôlée des défauts de volume connus. Les caractéristiques électriques sont alors considérablement dégradées. La barrière apparente vue par un électron est modifiée et l'on observe une variation non linéaire de la capacité en fonction de la température. Mais un recuit thermique permet de retrouver les caractéristiques initiales. D'autre part, nous étudions les caractéristiques électriques de deux hétérostructures gaas/gaalas/gaas dont l'une comporte un plan de dopage sur une interface, ce qui est un moyen d'introduire des défauts d'interface de façon contrôlée. Nous déterminons les densités de charges d'interface à l'aide de mesures du courant et de la capacité. L'effet, pour cette simple barrière, du plan de dopage sur l'énergie d'activation paraît faible
2
Favre, Jacques. "Etude des défauts d'irradiation par mesure in situ de l'effet Hall dans les semi-conducteurs à faible largeur de bande interdite /." Saclay : Commissariat à l'énergie atomique, 1991. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb354155298.
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3
Mikus, Pierre-Yves. "Etude des relations structure-propriétés de matériaux à base d'amidon : effet d'orientation et d'irradiation sous faisceau d'électrons." Thesis, Reims, 2011. http://www.theses.fr/2011REIMS038/document.
Full textAbstract:
Ce travail s'inscrit dans la démarche générale de compréhension et d'amélioration des propriétés mécaniques des matériaux thermoplastiques amylacés, en proposant une nouvelle démarche originale de modification structurale de l'amidon thermoplastique s’appuyant sur la combinaison de deux techniques: la réticulation de l'amidon sous faisceau d’électrons et l'orientation macromoléculaire issue du procédé de transformation par extrusion. La première partie du manuscrit est consacrée aux propriétés thermomécaniques de l’amidon plastifié et propose notamment une mise à jour de la courbe maitresse contrainte-allongement mettant en évidence le phénomène d’antiplastification mais aussi de surplastification grâce notamment à l’étude des propriétés à Tg équivalentes. L’évolution des températures de transition β (Tβ) des matériaux a pu être reliée aux différentes étapes de la plastification et des analyses ATG ont mises en évidence les phénomènes de sorption et désorption du plastifiant. Les mécanismes d’endommagement de l’amidon plastifié ont également été explorés à l’aide de la technologie de vidéotraction. Le second chapitre du document est consacré à l’étude de la réticulation de l’amidon thermoplastique à l’état solide sous faisceau d’électrons. De nombreux facteurs ont été étudiés comme la dose absorbée, la teneur en eau, la teneur en plastifiant, le type et la teneur en réactif introduit, ainsi que l’impact du taux de réticulation sur le mécanisme de rétrogradation. Le troisième et dernier chapitre traite du mécanisme d’orientation moléculaire particulier de l’amidon thermoplastique, et de son impact sur les propriétés mécaniques. Le couplage de l’orientation et de l’irradiation sous faisceau d’électrons a également été appréhendé<br>This work is part of the general approach aiming to understand and improving the mechanical properties of thermoplastics starch materials by proposing a new and original approach to the structural modification of thermoplastic starch through the combination of two techniques: radiation crosslinking and macromolecular orientation. The first part of the thesis focuses on the thermo-mechanical properties of plasticized starch and proposes an update to the master Stress-strain curve highlighting “antiplasticization” and “overplasticization” phenomena thanks to the study of properties at equivalent Tg. The evolution of materials β transition temperature (Tβ) could also be linked to the different plasticization stages and TGA results highlighted the sorption and desorption phenomenon of the plasticizer. The damage and fracture mechanisms of plasticized starch were also explored with videotraction technology. The second chapter of the document is devoted to the study of crosslinking of thermoplastic starch at solid state under an electron beam radiation. Many factors were explored like the absorbed dose, water content, plasticizer content, nature and amount of crosslinking agents introduced, and their impact on curing mechanisms and retrogradation of the plasticized starch. The third and final chapter deals with the specific mechanism of molecular orientation of the thermoplastic starch and its impact on mechanical properties. The coupling of orientation and irradiation under an electron beam was also investigated
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Mougnaud, Sarah. "Effets de l’irradiation sur l’évolution de la pellicule d’altération formée lors de la lixiviation des verres borosilicatés nucléaires." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016SACLS322/document.
Full textAbstract:
Les déchets nucléaires de haute activité, produits en France sous forme de colis de verre lors du traitement du combustible usé, sont destinés à être stockés en couche géologique profonde sur le long terme. L’arrivée de l’eau de l’environnement au contact du colis est prévue après quelques milliers d’années. De nombreuses études sur la durabilité d’un simulant non radioactif du verre industriel ont montré que le verre au contact de l’eau s’altère selon plusieurs régimes de vitesse, aboutissant à la formation d’une pellicule d’altération « passivante » et à l’instauration d’un régime de vitesse résiduelle sur le long terme. Cependant, la matrice vitreuse est soumise à la radioactivité des radioéléments qu’elle confine. Ce travail de thèse a pour objectif de se focaliser sur l’influence de l’irradiation sur la pellicule d’altération formée au cours de ce régime de vitesse résiduelle d’un point de vue structural et mécanistique. Dans ce but, la démarche choisie s’articule selon trois axes complémentaires. Des verres modèles simples non radioactifs ont été altérés et irradiés de façon externe afin d’observer les modifications engendrées par des effets électroniques (irradiations aux électrons et aux particules alpha).Le comportement à l’altération de ces mêmes types de verres, préalablement irradiés par des ions lourds, a été étudié de façon à appréhender l’impact de la dose balistique par le verre avant l’arrivée de l’eau. Enfin, l’altération d’un verre complexe dopé en émetteur alpha a été mise en œuvre afin de se rapprocher d’une situation plus réaliste<br>High-level radioactive waste (HLW) remaining after spent nuclear fuel reprocessing is immobilized within a glass matrix, eventually destined for geological disposal. Water intrusion into the repository is expected after several thousand years. The alteration of a non-radioactive surrogate for nuclear glass has been extensively studied and it has been determined that successive leaching mechanisms lead to the formation of a “passivating” alteration layer and to the establishment of a residual rate regime in the long term. However, glass packages are submitted to the radioactivity of confined radioelements. This work focuses on the influence of irradiation on the alteration layer formed during the residual rate regime, in a structural and mechanistic point of view. Three focal areas have been selected. Non-radioactive simple glasses have been leached and externally irradiated in order to determine modifications induced by electronic effects (irradiations with electrons and alpha particles). The same type of glass samples have been previously irradiated with heavy ions and their leaching behavior have been studied in order to assess the impact of ballistic dose cumulated by the glass before water intrusion. Leaching behavior of a complex radioactive glass, doped with an alpha-emitter, has been studied to consider a more realistic situation
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Aboujja, Sidi. "Électroluminescence en avalanche des jonctions p-n à base de silicium et d'arséniure de gallium, et effet d'irradiation." Sherbrooke : Université de Sherbrooke, 2000.
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Aboujja, Sidi. "Électroluminescence en avalanche des jonctions p-n à base de silicium et d'arseniure de gallium, et effet d'irradiation." Metz, 2000. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/UPV-M/Theses/2000/Aboujja.Sidi.SMZ0027.pdf.
Full textAbstract:
Dans ce travail de thèse nous étudions l'électroluminescence (EL) des jonctions à base de silicium (Si) et d'arséniures de gallium (GaAs), polarisées en avalanche. Dans le cas des jonctions p-n à base de Si (semi-conducteur à gap indirect), la polarisation en direct est accompagnée d'une émission de lumière dans l'infrarouge. Cette émission est due à la recombinaison des électrons-trous à travers le gap indirect appelée recombinaison interbande. La polarisation en avalanche est accompagnée d'une émission de lumière dans le visible. Cette émission fait l'objet de controverses depuis sa découverte en 1955. Il n'y a pas encore un accord définitif sur son origine. Une des causes du désaccord est la forme spectrale du signal qui apparaît non reproductible. Souvent les spectres sont présentés sans correction par la réponse du système de détection. La plupart des modèles proposés pour expliquer cette émission en avalanche se basent sur les transitions entre la bande de conduction et la bande de valence appelés modèles interbandes. Pour vérifier sa validité, nous avons exposé les jonctions aux irradiations dans le but d'introduire des défauts dans la bande interdite et nous avons fait varier la température afin de changer le gap et la population des porteurs. Nous avons observé que l'EL dans le mode de polarisation directe chute suite aux irradiations et à la baisse de température, comme prévu. Mais l'EL en avalanche est insensible à ces deux perturbations. Par conséquent nous avons rejeté le mécanisme de recombinaison interbande. Pour expliquer l'émission en avalanche nous proposons des transitions entre d'autres niveaux excités appelés sous-bandes de conduction. La mesure de durée de vie qui s'est révélée courte suggère des transitions directes entre sous-bandes de conduction. La confrontation de la structure de bandes d'énergie et l'expérience nous à permis d'attribuer cette émission en avalanche à des transitions entre les sous-bandes de conduction [gamma]1 et [gamma]'1 et / ou entre les extrema des sous bandes associées aux niveaux [gamma]'12 - [gamma]'2. Pour mieux comprendre cette émission en avalanche nous avons étudié l'EL des jonctions à base de GaAs, car ce matériau a un coefficient d'absorption différent de celui de Si à cause de son gap direct. Contrairement au Si, le spectre d'EL des jonctions à base de GaAs polarisées en avalanche contient deux transitions séparées, une première à 1. 44 eV et une deuxième à 1. 95 eV. La première est voisine de l'énergie du gap de GaAs (1. 43 eV) et a la même origine interbande que l'émission dans le mode de polarisation directe, la deuxième dont l'origine est controversée a une énergie plus grande que celle du gap. Cette dernière transition correspond à une émission dans le jaune, exactement comme l'émission en avalanche des jonctions à base de Si. Pour clarifier son origine, nous avons effectué les mêmes expériences que pour le Si en exposant les jonctions aux irradiations et en changeant la température. Les deux transitions ont un comportement différent avec l'irradiation et la température. Par conséquent, nous rejetons le modèle interbande pour la transition à 1. 95 eV. Des transitions entre une bande excitée et la bande de valence ont été proposées, mais l'énergie calculée de ces transitions dépasse largement 1. 95 eV. Nous pensons plutôt que la transition à 1. 95 eV est une transition indirecte entre la deuxième sous-bande de conduction et le minimum de la première sous-bande de conduction. Cette interprétation est en accord avec la valeur de l'énergie calculée et avec les résultats des mesures en fonction de température et de l'irradiation. En résumé, ce travail montre que dans les jonctions à base de Si et de GaAs polarisées en avalanche, la lumière est émise entre deux niveaux excités sans impliquer la bande de valence.
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Aboujja, Sidi. "Électroluminescence en avalanche des jonctions p-n à base de silicium et d'arséniure de gallium, et effet d'irradiation." Thèse, Université de Sherbrooke, 2000. http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/4996.
Full textAbstract:
Dans ce travail de thèse nous étudions l'électroluminescence (EL) des jonctions à base de silicium (Si) et d'arséniures de gallium (GaAs), polarisées en avalanche. Dans le cas des jonctions p-n à base de Si (semi-conducteur à gap indirect), la polarisation en direct est accompagnée d'une émission de lumière dans l'infrarouge. Cette émission est due à la recombinaison des électrons-trous à travers le gap indirect appelée recombinaison interbande. La polarisation en avalanche est accompagnée d'une émission de lumière dans le visible. Cette émission fait l'objet de controverses depuis sa découverte en 1955. Il n'y a pas encore un accord définitif sur son origine. Une des causes du désaccord est la forme spectrale du signal qui apparaît non reproductible. Souvent les spectres sont présentés sans correction par la réponse du système de détection. La plupart des modèles proposés pour expliquer cette émission en avalanche se basent sur les transitions entre la bande de conduction et la bande de valence appelés modèles interbandes. Pour vérifier sa validité, nous avons exposé les jonctions aux irradiations dans le but d'introduire des défauts dans la bande interdite et nous avons fait varier la température afin de changer le gap et la population des porteurs. Nous avons observé que l'EL dans le mode de polarisation directe chute suite aux irradiations et à la baisse de température, comme prévu. Mais l'EL en avalanche est insensible à ces deux perturbations. Par conséquent nous avons rejeté le mécanisme de recombinaison interbande. Pour expliquer l'émission en avalanche nous proposons des transitions entre d'autres niveaux excités appelés sous-bandes de conduction. La mesure de durée de vie qui s'est révélée courte suggère des transitions directes entre sous-bandes de conduction. La confrontation de la structure de bandes d'énergie et l'expérience nous a permis d'attribuer cette émission en avalanche à des transitions entre les sous-bandes de conduction [gamma][indice inférieur 1] et [gamma]'[indice inférieur 1] et/ou entre les extrema des sous bandes associées aux niveaux [gamma]'[indices inférieurs 12] - [gamma]'[indice inférieur 2]. Pour mieux comprendre cette émission en avalanche nous avons étudié l'EL des jonctions à base de GaAs, car ce matériau a un coefficient d'absorption différent de celui de Si à cause de son gap direct. Contrairement au Si, le spectre d'EL des jonctions à base de GaAs polarisées en avalanche contient deux transitions séparées, une première à 1.44 eV et une deuxième à 1.95 eV. La première est voisine de l'énergie du gap de GaAs (1.43 eV) et a la même origine interbande que l'émission dans le mode de polarisation directe, la deuxième dont l'origine est controversée a une énergie plus grande que celle du gap. En résumé, ce travail montre que dans les jonctions à base de Si et de GaAs polarisées en avalanche, la lumière est émise entre deux niveaux excités sans impliquer la bande de valence.
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Favre, Jacques. "Etude des défauts d'irradiation par mesure in-situ de l'effet Hall dans les semi-conducteurs à faible largeur de bande interdite." Palaiseau, Ecole polytechnique, 1989. http://www.theses.fr/1989EPXX0004.
Full textAbstract:
Des échantillons semi-conducteurs des groupes ii-vi, iii-v et iv-vi ont été irradiés a 20k, dans de l'hydrogène liquide, avec des électrons de grandes énergies comprises entre 0,7 et 2,7 mev. Les mesures in situ du coefficient de hall r#h et de la résistivité montrent que l'irradiation introduit un dopage de type p dans les matériaux du groupe iii-v et de type n dans ceux des groupes ii-vi et iv-vi. Une transition semi-conducteur-isolant accompagne l'entrée du potentiel chimique dans la bande interdite. Dans les matériaux du groupe iv-vi, il apparait un état métastable caractéristique de la forte compensation. Les échantillons de tellurure ou séléniure de plomb initialement de type p présentent les deux transitions successives semi-conducteur-isolant-semi-conducteur, ainsi qu'une inversion de type des porteurs majoritaires. L'analyse, suivant un modèle de cascade, de la vitesse de variation, en fluence, de la concentration de porteurs libres permet de situer les niveaux d'états localisés dans la bande interdite ou dans la bande de conduction : 1) dans les matériaux du groupe iv-vi, ces résultats sont confirmés par la saturation de la concentration électronique à fluence élevée, ainsi que par l'étude de la guérison des défauts introduits par l'irradiation : 2) dans les alliages hg#1##xcd#xte, l'analyse de l'accroissement en fluence de la concentration des électrons indique que seules les paires de Frenkel de mercure sont électriquement actives. La position énergétique du niveau d'états localises associe est évaluée, en fonction de la teneur en cadmium de l'alliage, à partir de la valeur limite de la concentration de porteurs
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Leray, Jean Luc. "Contribution à l'étude des phénomènes induits par les rayonnements ionisants dans les structures à effet de champ au silicium ou à l'arseniure de gallium utilisées en microélectronique." Paris 11, 1989. http://www.theses.fr/1989PA112378.
Full textAbstract:
L'interaction des rayonnements ionisants avec les semi-conducteurs et les isolants a pour effet de créer des charges et des courants d'électrons et de trous. Les défauts d'interface et de volume piègent ces charges. On traite ici des phénomènes relatifs aux structures Métal-Oxyde Semi-conducteur (MOS) et Métal-Semi-conducteur sur semi-isolant (MESFET), en distinguant les effets transitoires et les effets permanents. L'influence des conditions de fabrication (isolants, semi-isolants) est déterminante. On tente alors une synthèse des effets dans les isolants, sous forme de théories des phases transitoires et de l'état permanent auquel aboutit l'évolution de la structure MOS irradiée (création des porteurs, recombinaison, mouvement vers les interfaces, piégeage et dépiégeage, création de défauts d'interface). Un mécanisme est proposé pour relier les conditions de fabrications des structures MOS aux dégradations observées (effet de "durcissement").
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Richomme, Fabienne. "Etude expérimentale des propriétés structurales et magnétiques de multicouches fer/terbium : modulation de composition, anisotropie magnétique, effet d'irradiation aux ions." Rouen, 1996. http://www.theses.fr/1996ROUES008.
Full textAbstract:
Les multicouches Fe/Tb peuvent présenter une forte anisotropie magnétique perpendiculaire nécessaire à la réalisation d'un milieu d'enregistrement magnétique haute densité. Les multicouches étudiées ont été élaborées, soit par pulvérisation cathodique RF, soit par évaporation sous ultra-vide, puis caractérisées par spectrométrie Mössbauer par électrons de conversion, par diffraction de rayons X aux petits angles et grands angles et par mesures d'aimantation. Le grand nombre d'échantillons pulvérisés étudies a permis d'établir un diagramme précis des caractéristiques structurales et magnétiques des couches de fer dans un large domaine d'épaisseurs de fer et de terbium (eFe compris entre 0,22 et 3,35 nm, eTb entre 0,20 et 2,40 nm), à partir de valeurs très faibles, correspondant à des multicouches amorphes, jusqu'à présent peu explorées par spectrométrie Mössbauer. Les couches de fer cristallisent pour eFe égale à 2,3 nm. Les couches amorphes, d'abord modulées en composition, présentent aussi, à partir de 1,2 nm de fer nominal, une zone de fer amorphe pur au centre des couches de fer, qui modifie fortement les propriétés magnétiques des multicouches. Ces résultats ont été confirmés par la déposition sélective de fer 57, qui permet une analyse à l'échelle de la monocouche. L'observation séparée des deux interfaces Fe/Tb et Tb/Fe a montré qu'elles sont identiques dans les couches amorphes, mais très différentes dans les couches cristallisées. Les propriétés magnétiques, en particulier la direction d'anisotropie, ont été interprétées de manière cohérente à partir des différentes zones magnétiques observées. Le domaine d'anisotropie magnétique perpendiculaire est obtenu pour de faibles épaisseurs de fer. L'irradiation aux ions effectuée au GANIL a mis en évidence une étape inédite de démixion du fer et du terbium. L'étape usuelle de mélange n'est observée qu'au-dessus d'un pouvoir d'arrêt électronique seuil voisin de 22 keV/nm.