Academic literature on the topic 'Effet tunnel bande à bande'

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Journal articles on the topic "Effet tunnel bande à bande"

1

Gagné, Jean-Marie, and François Babin. "Effet galvanique et spectroscopie d'ionisation multiphotonique à large bande : application à l'uranium." Journal de Physique II 2, no. 4 (1992): 827–37. http://dx.doi.org/10.1051/jp2:1992169.

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Yu, Zi-Tian, Heng-Yu Wang, Wenjun Wang, et al. "Experimental and Numerical Investigation on the Effects of Foundation Pit Excavation on Adjacent Tunnels in Soft Soil." Mathematical Problems in Engineering 2021 (April 22, 2021): 1–11. http://dx.doi.org/10.1155/2021/5587857.

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Abstract:
Excavations near an existing tunnel are often encountered in underground construction. The influence of the excavation on the adjacent tunnels is not yet fully understood. This study presented a centrifugal model test about excavation next to existing tunnels in soft soil foundation. The bending moment of diaphragm wall, surface settlement, tunnel deformation, and earth pressure around the tunnel were mainly studied. The influence of tunnel location is further studied by numerical simulation. During the stabilization stage of foundation pit, the diaphragm walls present convex deformation towards foundation pit, and the surface settlement outside the diaphragm wall appears to be the concave groove type. During the overexcavation stage, the diaphragm walls are almost damaged, and the shear bands are nearly tangent to the tunnels. The displacement of the tunnels and the surface settlement rapidly increase. The deformation of the diaphragm wall and the surface settlement are limited by the existing tunnel. The numerical results indicate that the change of tunnel location has little effect on the retaining wall but an obvious effect on the tunnel itself.
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3

Morales, Raúl G. E. "Déplacement spectral de la bande π-π*(1Lb) du benzaldéhyde par effet de solvant". Bulletin des Sociétés Chimiques Belges 89, № 7 (2010): 515–20. http://dx.doi.org/10.1002/bscb.19800890704.

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4

Ancori, Bernard. "Espace-temps d’un réseau sociocognitif complexe. II : Temporalités historiques et entropie sociocognitive." Nouvelles perspectives en sciences sociales 4, no. 1 (2009): 9–76. http://dx.doi.org/10.7202/019639ar.

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Abstract:
RésuméL’espace d’un réseau sociocognitif complexe représenté dans un article précédent n’est qu’un épisode du temps de ce dernier dont les dimensions spatiales et temporelles sont ainsi indissociables. Sa dimension temporelle comporte plusieurs aspects liés. En effet, le temps subjectif de chaque acteur observé et le temps objectif de l’observateur du réseau nécessitent l’introduction d’un troisième terme pour pouvoir être pensés en tant que temps. Ce troisième terme est le temps comme tel, sous lequel sont subsumés temps subjectif et objectif. Le temps subjectif est ici celui d’acteurs internes au réseau et le temps objectif celui d’un observateur de ce dernier. Les rôles de l’acteur observé et celui de l’observateur du réseau étant interchangeables, ce texte suggère d’associer au temps comme telle la forme topologique d’une bande de Moebius. Plus généralement, le temps comme tel prend la forme d’une structure feuilletée d’une infinité de bandes de Moebius ordonnées selon une hiérarchie croissante de raccordements entre niveaux d’organisation d’un réseau qui peut en comporter un nombre infini. Ce texte analyse les modifications de cette structure lorsqu’elle est réduite à trois niveaux d’organisation. Dans le cadre d’une certaine continuité des temps subjectif et objectif au sein du réseau, ces modifications s’appliquent à une bande de Moebius donnée. Tel est le cas des périodes de « science normale » dans l’analyse kuhnienne de l’évolution scientifique, ou plus généralement dans tout processus d’apprentissage n’impliquant pas de bouleversement majeur. Mais lorsque cette continuité est rompue, par exemple à l’occasion d’une révolution scientifique, d’une conversion religieuse ou de tout autre rupture majeure dans un processus d’apprentissage, la bande de Moebius elle-même se trouve changée.
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LICOIS, D., and D. MARLIER. "Pathologies infectieuses du lapin en élevage rationnel." INRAE Productions Animales 21, no. 3 (2020): 257–68. http://dx.doi.org/10.20870/productions-animales.2008.21.3.3400.

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Abstract:
La pathologie représente un poids économique important en élevage rationnel du lapin de chair. En effet, un quart des lapereaux meurent entre la naissance et la vente. Chez les reproductrices, sur trois femelles entrant dans une bande, une meurt avant la 3ème mise bas, une autre est réformée pour cause de performances insuffisantes (infertilité) ou problème sanitaire, une seule assure une production. Deux syndromes principaux sont classiquement identifiés chez le lapin : le syndrome respiratoire qui domine chez les adultes et le syndrome digestif, plus fréquent chez les lapins en croissance. Dans cette synthèse nous ferons le point sur les principales maladies infectieuses pouvant être rencontrées dans les élevages rationnels et sur les recherches développées au cours de ces dernières années concernant les agents étiologiques impliqués.
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Chouinard, Daniel. "La science est-elle soluble dans l’humour ? Le cas de la collection « Savais-tu ? »." Nouveaux cahiers de la recherche en éducation 11, no. 2 (2013): 169–77. http://dx.doi.org/10.7202/1017501ar.

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Abstract:
Depuis deux décennies, l’éditeur Michel Quintin offre un catalogue d’ouvrages d’initiation aux sciences, avec une préférence marquée pour la zoologie, comme en font foi les collections « Ciné-faune », « Activités nature » et « Ça grouille autour de moi. » Par-delà leur teneur en information scientifique, celles-ci mettent toutes de l’avant le lecteur et sa participation comme élément essentiel de la stratégie d’apprentissage. Le cas de la collection « Savais-tu ? » devient emblématique du paradoxe latent de ces tactiques pédagogiques. En effet, le texte explicatif s’inscrit dans une courte bande dessinée censée illustrer le propos scientifique, ce qui infléchit à la longue le processus d’assimilation des connaissances. Si la charge scientifique du propos reste minimale et bien ciblée, la découverte du monde immédiat entourant l’enfant-lecteur s’avère, quant à elle, peut-être le véritable enjeu de ces documentaires.
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Hoek, Leo H. "Timbres-poste et intermédialité." Protée 30, no. 2 (2003): 33–44. http://dx.doi.org/10.7202/006729ar.

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Abstract:
Résumé La classification et l’interprétation de textes intermédiaux, c’est-à-dire des textes combinant le texte avec l’image, dépend du point de vue adopté vis-à-vis de la situation de communication, soit la production, soit la réception de tels textes. La production d’un texte intermédial est, dans certains cas, simultanée (affiches, bande dessinée, pubs) et consécutive dans d’autres cas (critique d’art, ekphrasis, illustrations). La réception d’un texte intermédial est, dans la plupart des cas, simultanée (illustrations, affiches, pubs, bande dessinée) et consécutive dans certains cas particuliers (critique d’art, ekphrasis). À la base de ces deux critères, simultanéité ou consécutivité, on peut distinguer différents degrés d’enchevêtrement du texte et de l’image dans le discours intermédial. Un troisième critère – la distinctivité, c’est-à-dire la possibilité de séparer physiquement le texte de l’image – permet maintenant de distinguer entre quatre degrés d’intrication croissante : transposition, juxtaposition, combinaison et fusion du texte et de l’image. Une telle catégorisation mène à une construction théorique de types virtuels d’enchevêtrement et d’intermédialité. Il s’avère qu’un nombre limité de catégories nous permet de définir toute occurrence de discours intermédial comme une combinaison spécifique de types intermédiaux et que toute occurrence de discours intermédial peut être définie selon les termes de ces catégories. Cela ne veut pas dire que les occurrences se conforment ou se limitent nécessairement aux catégories distinguées. Celles-ci ne constituent en effet pas un nombre limité de types d’intermédialité, car bien d’autres combinaisons sont possibles. Le timbre-poste commémoratif – discours presque toujours intermédial – constitue un exemple parfait à la fois du pouvoir descriptif de la catégorisation proposée et de la créativité artistique spécifique déployée dans chaque timbre. Une analyse des relations entre texte et image dans une série de timbres néerlandais montre l’efficacité de la catégorisation élaborée et la possibilité de combiner différentes catégories de discours intermédial dans un seul timbre-poste.
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SANTAMARIA, JACOBO, JAVIER GARCIA-BARRIOCANAL, ZOUHAIR SEFRIOUI, and CARLOS LEON. "INDUCED MAGNETISM AT OXIDE INTERFACES." International Journal of Modern Physics B 27, no. 19 (2013): 1330013. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979213300132.

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Abstract:
Interfaces between correlated oxides are attracting great interest. Electron correlations give rise to novel forms of couplings between electronic ground states at both sides of the interface. The bonding discontinuity at the interface between magnetic and nonmagnetic oxides is at the origin of a form of low dimensional magnetism in the otherwise nonmagnetic material. Its origin is the splitting of its bands due to the hybridization with the exchange split bands of the magnetic material. This induced magnetism could find interesting functionalities in devices with operation controlled by the interface such as tunnel or field effect devices of interest in spintronics.
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Huang, Qiang, Pan Li, Dongming Zhang, Hongwei Huang, and Feng Zhang. "Field Measurement and Numerical Simulation of Train-Induced Vibration from a Metro Tunnel in Soft Deposits." Advances in Civil Engineering 2021 (February 16, 2021): 1–20. http://dx.doi.org/10.1155/2021/6688746.

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Abstract:
Train-induced vibration is increasingly attracting people’s concern nowadays. In the coastal areas, many metro tunnels are built in the soft deposits, so the train-induced vibration effect is more serious. Nevertheless, the existing research studies mainly focus on the dynamic responses in the tunnel or on the ground surface while vibration characteristics in the ground are seldom studied. In this paper, a comprehensive field measurement was performed by installing accelerometers in the tunnel and soil layers and on the ground surface to capture the response characteristics of the track-tunnel-ground system. Elastoplastic numerical simulation considering the soil-water coupling was conducted to reveal the responses of acceleration, dynamic displacement, and excess pore water pressure using FE code DBLEAVES. Measurement results indicate that high-frequency contents (>500 Hz) attenuate rapidly in the propagation process; the dominant frequency of the rail concentrates in the middle- and high-frequency bands, about 25–400 Hz and 1000–1500 Hz, while the frequencies of the track bed, soil layers, and ground surface drop to below 400, 200, and 100 Hz, respectively. The vertical ground acceleration decreases like an arc in the transverse direction while there is transverse acceleration amplification phenomenon at a distance from the upper haunch and lower haunch of the tunnel. Overall, the area affected by train vibration in the soft deposits is about 30 m away from the metro tunnel. Numerical simulation based on soil-water coupled analysis is feasible to model the vibration characteristics in the soft deposits and confirms that there is acceleration amplification in the ground. Moreover, numerical results indicate that excess pore water pressure can be accumulated during each train vibration, so the train-induced settlement will be a potential problem in the long term for the metro tunnel.
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POWELL, E. S., and I. A. TRAIL. "Forces Transmitted Along Human Flexor Tendons – The Effect of Extending the Fingers Against the Resistance Provided by Rubber Bands." Journal of Hand Surgery (European Volume) 34, no. 2 (2009): 186–89. http://dx.doi.org/10.1177/1753193408096016.

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Abstract:
We wished to test the hypothesis that postoperative extension of repaired flexor tendons against rubber bands will reduce the stress on the repairs, and therefore the risk of rupture. During 24 routine carpal tunnel decompression operations the force in flexor tendons was measured using a load cell. The patients flexed and extended their fingers with and without a rubber band providing resistance to extension. We found no statistically significant difference between the force measured in the tendon with or without the presence of rubber bands. To conclude, we have shown that if the application of rubber band dynamic splintage after flexor tendon repair has any advantage, it is not by reducing the forces transmitted along the tendon during resisted extension or by aiding flexion.
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More sources

Dissertations / Theses on the topic "Effet tunnel bande à bande"

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Hiebel, Fanny. "Etude de l'interface graphène - SiC(000-1) (face carbone) par microscopie à effet tunnel et simulations numériques ab initio." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00680068.

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Abstract:
Le graphène est un cristal bidimensionnel composé d'atomes de carbone arrangés sur un réseau en nids d'abeille. Ce matériau présente des propriétés électroniques intéressantes tant au niveau fondamental qu'en vue d'applications avec notamment une structure de bande exotique en " cône de Dirac " et de grandes mobilités de porteurs. Sa fabrication par graphitisation du SiC est particulièrement adaptée aux applications électroniques. Nous avons étudié ce système par microscopie à effet tunnel (STM) et simulations numériques ab initio avec comme objectif la caractérisation au niveau atomique de l'interface graphène - SiC(000-1) (face carbone) et l'étude de l'impact du substrat sur la structure électronique du graphène. Après un chapitre introductif à la thématique du graphène, suivi d'un chapitre présentant les deux techniques utilisées au cours de ce travail, nous présentons nos échantillons faiblement graphitisés obtenus sous ultra-vide. Nous avons identifié deux types d'interfaces, les reconstructions natives de la surface du SiC(000-1) appelées (2x2)C et (3x3), sur lesquelles reposent les ilots monoplan de graphène, avec un fort désordre rotationnel donnant lieu à des figures de moiré sur les images STM. Nous montrons par imagerie STM et spectroscopie tunnel que l'interaction graphène/(3x3) est très faible. Nous étudions ensuite le cas d'interaction plus forte graphène/(2x2) successivement du point de vue des états du graphène et des états de la reconstruction, dans l'espace direct et réciproque, de façon expérimentale et théorique. Enfin, nous considérons l'effet de défauts observés par STM à l'interface des ilots sur (2x2), modélisés par des adatomes d'hydrogène, sur le dopage et la structure de bande électronique du graphène.
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THOMAS, Benjamin. "Effets propagatifs d'impulsions lumineuses femtosecondes dans des tunnels optiques." Phd thesis, Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 2002. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00003643.

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Abstract:
Deux exemples de tunnels optiques sont étudiés par des méthodes de l'optique femtoseconde pour leurs propriétés propagatives. Le premier est une opale artificielle : un matériau de la famille des cristaux photoniques aux propriétés analogues dans le domaine optique à celles des semiconducteurs. Ils possèdent une bande interdite photonique (BIP) empêchant pour toutes les directions la propagation de photons dont l'énergie se trouve dans cette bande. Le second système est un bi-prisme en réflexion totale.<br> La première partie est consacrée aux opales : empilements réguliers de sphères de silice submicrométriques. Chaque phase de l'élaboration est en revue. Une description théorique des propriétés des cristaux photoniques est faite pour plusieurs structures. On en déduit que les opales n'ont pas de BIP mais une "stop-band" inhibant la transmission des photons dont la bande d'énergies dépend de la direction. Les caractéristiques structurelles, mises en relation avec les propriétés spectrales, sont abordées par des méthodes microscopiques et optiques. Un dispositif de temps de vol a été réalisé pour déterminer les propriétés propagatives d'opales sondées par un continuum en utilisant un fenêtrage temporel par absorption à deux photons dans du ZnS. Après des corrections en fréquence et en temps, on dispose du profil spectral de vitesse de groupe. Celui-ci est expliqué par un modèle basé sur la relation de Kramers-Krönig. Cela permet de décrire la "stop-band" comme un système à "deux niveaux photoniques".<br> La dernière partie est dédiée à l'étude de la transposition en optique d'un nouvel effet prédit dans les conditions de l'effet tunnel : "l'évaporation quantique". Il se manifeste par l'augmentation drastique de la transmission d'un paquet d'onde. Il se produit en transférant à l'instant de la réflexion une petite quantité de mouvement au paquet d'onde. Un bi-prisme en réflexion totale séparé par une lame d'air est employé pour reproduire les conditions de cet effet. On utilise une technique pompe-sonde qui simule le transfert de moment par effet Kerr. Après analyse des effets en compétition avec l'évaporation quantique, nous observons des signaux qui, une fois traités selon des critères précis, ont les caractéristiques de l'effet recherché. Ceci constitue une présomption de la première observation en optique de ce nouvel effet.
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Liu, Fanyu. "Caractérisation électrique et modélisation du transport dans matériaux et dispositifs SOI avancés." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT034/document.

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Abstract:
Cette thèse est consacrée à la caractérisation et la modélisation du transport électronique dans des matériaux et dispositifs SOI avancés pour la microélectronique. Tous les matériaux innovants étudiés(ex: SOI fortement dopé, plaques obtenues par collage etc.) et les dispositifs SOI sont des solutions possibles aux défis technologiques liés à la réduction de taille et à l'intégration. Dans ce contexte,l'extraction des paramètres électriques clés, comme la mobilité, la tension de seuil et les courants de fuite est importante. Tout d'abord, la caractérisation classique pseudo-MOSFET a été étendue aux plaques SOI fortement dopées et un modèle adapté pour l'extraction de paramètres a été proposé. Nous avons également développé une méthode électrique pour estimer la qualité de l'interface de collage pour des plaquettes métalliques. Nous avons montré l'effet bipolaire parasite dans des MOSFET SOI totalement désertés. Il est induit par l’effet tunnel bande-à-bande et peut être entièrement supprimé par une polarisation arrière. Sur cette base, une nouvelle méthode a été développée pour extraire le gain bipolaire. Enfin, nous avons étudié l'effet de couplage dans le FinFET SOI double grille, en mode d’inversion. Un modèle analytique a été proposé et a été ensuite adapté aux FinFETs sans jonction(junctionless). Nous avons mis au point un modèle compact pour le profil des porteurs et des techniques d’extraction de paramètres<br>This thesis is dedicated to the electrical characterization and transport modeling in advanced SOImaterials and devices for ultimate micro-nano-electronics. SOI technology is an efficient solution tothe technical challenges facing further downscaling and integration. Our goal was to developappropriate characterization methods and determine the key parameters. Firstly, the conventionalpseudo-MOSFET characterization was extended to heavily-doped SOI wafers and an adapted modelfor parameters extraction was proposed. We developed a nondestructive electrical method to estimatethe quality of bonding interface in metal-bonded wafers for 3D integration. In ultra-thin fully-depletedSOI MOSFETs, we evidenced the parasitic bipolar effect induced by band-to-band tunneling, andproposed new methods to extract the bipolar gain. We investigated multiple-gate transistors byfocusing on the coupling effect in inversion-mode vertical double-gate SOI FinFETs. An analyticalmodel was proposed and subsequently adapted to the full depletion region of junctionless SOI FinFETs.We also proposed a compact model of carrier profile and adequate parameter extraction techniques forjunctionless nanowires
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Varache, Renaud. "Development, characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells." Thesis, Paris 11, 2012. http://www.theses.fr/2012PA112279/document.

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Abstract:
L’interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l’interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d’interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l’approximation d’une densité d’état (DE) constante dans la bande interdite de a-Si:H. L’influence des principaux paramètres de la structure sur la courbure de bande est étudiée : décalage de bande, densité d’état dans a-Si:H, défaut d’interface, etc. La présence d’un effet de confinement quantique est discutée. Grâce à une comparaison entre ces calculs et des mesures de conductance planaire en fonction de la température sur des structures (p)a-Si:H/(n)c-Si et (n)a-Si:H/(p)c-Si, les décalages de bande de valence et de conduction ont pu être estimés à 0.36 eV et 0.15 eV respectivement. En outre, il est montré que le décalage de la bande de valence est indépendant de la température, alors que le décalage de la bande de conduction suit les évolutions des bandes interdites de c-Si et a-Si:H. Ces mesures tendent à prouver que le ‘branch point’ dans a-Si:H est indépendant du dopage.Ensuite, les calculs analytiques sont approfondis pour prendre en compte différents aspects de la structure complète incorporée dans les cellules : contact avec un oxyde transparent conducteur, présence d’une couche de a-Si:H non-dopée à l’interface. A l’aide de simulations numériques et à la lumière de mesures de conductance planaire conjuguées à des mesures de la qualité de passivation de l’interface, des pistes pour optimiser les cellules à hétérojonction sont commentées. En particulier, il est montré qu’un optimum doit être trouvé entre une bonne passivation et une courbure de bande suffisante. Ceci peut être accompli par un réglage fin des propriétés de la couche tampon (épaisseur, dopage), du contact (travail de sortie élevé) et de l’émetteur (p)a-Si:H (densité de défauts et épaisseur). En particulier, un émetteur avec une DE importante conduit paradoxalement à de meilleures performances.Enfin, un nouveau type d’interface a été développé. La surface de c-Si a été oxydée volontairement dans de l’eau pure dé-ionisée à 80 °C avant le dépôt de (p)a-Si:H afin d’obtenir une structure (p)a-Si:H/SiO2/(n)c-Si. A l’aide d’un modèle de courant par effet tunnel implémenté dans le logiciel de simulation numérique AFORS-HET, l’effet d’une couche à grande bande interdite (comme c’est le cas pour SiO2) sur les performances de cellules est étudié : le facteur de forme et le courant de court-circuit sont extrêmement réduits. En revanche, une couche de SiO2 n’a que peu d’impact sur les propriétés optiques de la structure. Expérimentalement, les échantillons réalisés montrent une qualité de passivation à mi-chemin entre le cas sans couche tampon et le cas avec (i)a-Si:H : ceci est expliqué par la présence d’une charge fixe négative dans l’oxyde. La courbure de bande dans c-Si est moins affectée par la présence d’une couche d’oxyde que d’une couche de (i)a-Si:H. Les cellules solaires réalisées démontrent que le concept a le potentiel d’aboutir à de hauts rendements : sur des structures non-optimisées, une tension de court-circuit supérieure à 650 mV a été démontrée, alors que l’oxyde ne semble pas limiter le transport de charge<br>The interface between amorphous silicon (a-Si:H) and crystalline silicon (c-Si) is the building block of high efficiency solar cells based on low temperature fabrication processes. Three properties of the interface determine the performance of silicon heterojunction solar cells: band offsets between a-Si:H and c-Si, interface defects and band bending in c-Si. These three points are addressed in this thesis.First, an analytical model for the calculation of the band bending in c-Si is developed. It assumes a constant density of states (DOS) in the a-Si:H band gap. The influence of most parameters of the structure on the band bending is studied: band offsets, DOS in a-Si:H, interface defects, etc. The presence of quantum confinement at the interface is discussed. Analytical calculations and temperature dependent planar conductance measurements are compared such that the band offsets on both (p)a-Si:H/(n)c-Si and (n)a-Si:H/(p)c-Si can be estimated: the valence band offset amounts 0.36 eV while the conduction band offset is 0.15 eV. In addition, it is shown that the valence band offset is independent of temperature whereas the conduction band offset follows the evolutions of c-Si and a-Si:H band gaps with temperature. A discussion of these results in the frame of the branch point theory for band line-up leads to the conclusion that the branch point in a-Si:H is independent of the doping.Then, analytical calculations are developed further to take into account the real solar cell structure where the a-Si:H/c-Si structure is in contact with a transparent conductive oxide and an undoped buffer layer is present at the interface. Measurements of the planar conductance and of the interface passivation quality are interpreted in the light of analytical calculations and numerical simulations to open a way towards a method for the optimization of silicon heterojunction solar cells. It is particularly shown that a trade-off has to be found between a good passivation quality and a significant band bending. This can be realized by tuning the buffer layer properties (thickness, doping), the TCO-contact (high work function) and the emitter (defect density and thickness). Interestingly, an emitter with a high DOS leads to better cell performances.Finally, a new type of interface has been developed, that was not applied to heterojunction solar cells so far. The c-Si surface has been oxidized in deionized water at 80 °C before the (p)a-Si:H emitter deposition such that (p)a-Si:H/SiO2/(n)c-Si structures were obtained. A tunneling current model has been developed, implemented in the 1D numerical device simulator AFORS-HET and used to study the effect of a wide band gap interfacial layer (as it is the case for SiO2) on cell performance: the fill-factor and the short-circuit current are dramatically reduced for thick and high barriers. However, a SiO2 layer has only little impact on optical properties. Fabricated samples show a passivation quality halfway between samples with no buffer layer and with an (i)a-Si:H buffer layer: this is explained by the presence of a negative fixed charge in the oxide. The band bending in (n)c-Si is higher with an oxide layer than with an (i)a-Si:H buffer layer. Solar cells demonstrate that this new concept has the potential to achieve high power conversion efficiencies: for non-optimized structures, an open-circuit voltage higher than 650 mV has been demonstrated, while the oxide does not seem to create a barrier to charge transport
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Varache, Renaud. "Développement, caractérisation et modélisation d'interfaces pour cellules solaires à haut rendement à base d'hétérojonctions de silicium." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00781937.

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Abstract:
L'interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l'interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d'interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l'approximation d'une densité d'état (DE) constante dans la bande interdite de a-Si:H. L'influence des principaux paramètres de la structure sur la courbure de bande est étudiée : décalage de bande, densité d'état dans a-Si:H, défaut d'interface, etc. La présence d'un effet de confinement quantique est discutée. Grâce à une comparaison entre ces calculs et des mesures de conductance planaire en fonction de la température sur des structures (p)a-Si:H/(n)c-Si et (n)a-Si:H/(p)c-Si, les décalages de bande de valence et de conduction ont pu être estimés à 0.36 eV et 0.15 eV respectivement. En outre, il est montré que le décalage de la bande de valence est indépendant de la température, alors que le décalage de la bande de conduction suit les évolutions des bandes interdites de c-Si et a-Si:H. Ces mesures tendent à prouver que le 'branch point' dans a-Si:H est indépendant du dopage.Ensuite, les calculs analytiques sont approfondis pour prendre en compte différents aspects de la structure complète incorporée dans les cellules : contact avec un oxyde transparent conducteur, présence d'une couche de a-Si:H non-dopée à l'interface. A l'aide de simulations numériques et à la lumière de mesures de conductance planaire conjuguées à des mesures de la qualité de passivation de l'interface, des pistes pour optimiser les cellules à hétérojonction sont commentées. En particulier, il est montré qu'un optimum doit être trouvé entre une bonne passivation et une courbure de bande suffisante. Ceci peut être accompli par un réglage fin des propriétés de la couche tampon (épaisseur, dopage), du contact (travail de sortie élevé) et de l'émetteur (p)a-Si:H (densité de défauts et épaisseur). En particulier, un émetteur avec une DE importante conduit paradoxalement à de meilleures performances.Enfin, un nouveau type d'interface a été développé. La surface de c-Si a été oxydée volontairement dans de l'eau pure dé-ionisée à 80 °C avant le dépôt de (p)a-Si:H afin d'obtenir une structure (p)a-Si:H/SiO2/(n)c-Si. A l'aide d'un modèle de courant par effet tunnel implémenté dans le logiciel de simulation numérique AFORS-HET, l'effet d'une couche à grande bande interdite (comme c'est le cas pour SiO2) sur les performances de cellules est étudié : le facteur de forme et le courant de court-circuit sont extrêmement réduits. En revanche, une couche de SiO2 n'a que peu d'impact sur les propriétés optiques de la structure. Expérimentalement, les échantillons réalisés montrent une qualité de passivation à mi-chemin entre le cas sans couche tampon et le cas avec (i)a-Si:H : ceci est expliqué par la présence d'une charge fixe négative dans l'oxyde. La courbure de bande dans c-Si est moins affectée par la présence d'une couche d'oxyde que d'une couche de (i)a-Si:H. Les cellules solaires réalisées démontrent que le concept a le potentiel d'aboutir à de hauts rendements : sur des structures non-optimisées, une tension de court-circuit supérieure à 650 mV a été démontrée, alors que l'oxyde ne semble pas limiter le transport de charge.
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Boucherit, Mohamed. "Etude et réalisation de dispositifs hyperfréquences sur matériaux grand gap : diode à effet tunnel résonant AlxGa1-xN/GaN, transistor HEMT boré à base de nitrure de gallium." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10004/document.

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Abstract:
Les travaux décrits dans cette thèse permettent d’apporter une contribution à quelques dispositifs existants à base de matériaux semiconducteurs à large bande interdite. Le premier concerne les oscillateurs de puissance HF et le second les amplificateurs de puissance en hyperfréquence. Les composants retenus pour réaliser ces deux dispositifs sont les diodes à effets tunnel résonant et les transistors à haute mobilité électronique. Ce travail de thèse est donc scindé en deux parties distinctes : - Les diodes à effet tunnel résonant AlGaN/GaN: les outils de simulations rigoureux du transport électronique vertical dans les hétérostructures de nitrures n’existent pas ou ne sont pas accessibles en Europe. Ceci a nécessité la conception d’un nouvel outil de simulation pour analyser et optimiser les dispositifs et aider à la conception. Le modèle développé dans ce manuscrit de thèse est basée sur la résolution auto-cohérente des équations de Schrödinger-Poisson dans l’approche des fonctions de Green hors équilibre. Coté technologique, la stratégie employée pour obtenir un certain nombre d’hétérostructures libres de dislocations reposait sur la réalisation de nano-diodes en suivant les deux approches suivantes. La première dite « ascendante » met en œuvre la technique d’épitaxie sélective sur des ouvertures de masque diélectrique et sur des piliers GaN avec des diamètres compris entre 100 nm et 5 µm. La seconde approche dite « descendante » repose sur la réduction de taille des dispositifs et par voie de conséquence du nombre de dislocations présentes en leur sein. Les caractéristiques électriques de ces nano-diodes ont pu être mesurées sous micro-pointes au FIB, au nano-probe et analyseur de réseau. Le phénomène de NDR est étudié en fonction du sens de la polarisation, du traitement électrique, de la température et du taux d’aluminium dans les couches barrières AlGaN. - Les transistors à haute mobilité mobilité AlGaN/GaN: la première étape de cette seconde partie a consisté à réaliser une structure HEMT conventionnelle AlGaN/GaN à l’état de l’art. La seconde étape a porté sur l’amélioration de la résistivité de la couche buffer GaN soit en y incorporant de l’aluminium ou du bore. Plusieurs épaisseurs et positions de la couche BGaN dans la structure HEMT conventionnelle AlGaN/GaN ont été testées en vue de déterminer la structure optimale. Les études comparatives entre les structures HEMT AlGaN/GaN avec et sans couche BGaN, ont permis de montrer que l’utilisation de cette dernière comme couche contre-barrière permettait d’améliorer drastiquement le confinement des porteurs dans le canal 2DEG et de réduire nettement le dopage résiduel de la zone active<br>The work described in this thesis contributes to the improvement on some circuit based on wide band gap semiconductors. The first concerns the oscillators and the second RF amplifiers at microwave frequencies. Components selected to build these two devices are resonant tunneling diodes and high electron mobility transistors. This thesis is divided into two distinct parts:-The resonant tunneling diodes AlGaN/GaN: a software that provides a rigorous description of vertical transport in nitride heterostructures does not exist or are not available in Europe. In this thesis, we developed a model based on the self-consistent resolution of the Schrödinger and Poisson equation using the non-equilibrium Green functions. The strategy employed to obtain some heterostructures free from dislocations is based on the realization of nano-diodes in the following two approaches. The first approach "bottom-up" implements the technique of selective epitaxy on nano-patterned GaN template. The second approach called "top down" is based on the reduction of device size and consequently the number of dislocations. The electrical characteristics of these nano-diodes have been measured by FIB, Nanoprobe and vector network analyzer. The negative differential resistance is studied depending in both direction of bias, electrical treatment, temperature and aluminum incorporation in the AlGaN barriers layers.- The high electron mobility transistors AlGaN/GaN: the second part was aimed to perform a conventional AlGaN/GaN HEMT structure exhibiting in the state of the art performance. To do that, we focused on improving the resistivity of the GaN buffer layer by incorporating either of aluminum or boron. Several positions and thicknesses of BGaN layer in the conventional AlGaN /GaN HEMT structure were tested to determine the optimal structure. Comparative studies between AlGaN/GaN HEMT structures with and without BGaN layer have shown that the use of BGaN layer as a back-barrier drastically improves the carrier confinement in the 2DEG channel and significantly reduces the residual doping of the active area
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Ovramenko, Tamara. "STM studies of single organic molecules on silicon carbide." Thesis, Paris 11, 2012. http://www.theses.fr/2012PA112315.

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Abstract:
L’interaction de molécules organiques avec les surfaces semiconductrices permet de contrôler les propriétés physiques de ces dernières et ce, soit à travers une modification locale en utilisant des molécules individuelles, soit par la passivation de la surface par une mono-couche complète. Aussi, le contrôle de l’interaction moléculaire nous permet de modifier les propriétés intrinsèques des molécules à travers un découplage électronique partiel ou complet entre les orbitales moléculaires et la surface. Pour atteindre ces objectifs, cette thèse présente l’étude expérimentale de l’adsorption de molécules sur la surface semiconductrice à large gap de 6H-SiC(0001)-3x3. Les expériences ont été réalisées à l’aide d’un microscope à effet tunnel opérant dans les conditions d’Ultra-Haut Vide et de température ambiante (UHV RT-STM). Les résultats ont été comparés à des études théoriques employant des calculs selon la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Trois molécules on été étudié durant ce travail de thèse : C60, Caltrope et Trima. Les études STM et DFT montre que les molécules individuelles de C60 sont chimisorbé à la surface de carbure de silicium SiC(0001)-3x3 à travers la formation d’une seule liaison Si-C avec un seul adatome de silicium, contrairement aux autres surfaces semiconductrices où la molécule se chimisorbe en formant plusieurs liaisons. Trois sites d’adsorption par rapport à l’adatome de Si de la maille de surface ont été observés. Pour expliquer les observations STM, les forces de Van der Waals entre la molécule de C60 et les atomes de la surface voisins ont du être pris en compte dans les calculs DFT. Il a été observé aussi que les molécules de C60 forment de petits clusters même à de faibles taux de couverture ce qui indique la présence d’un état précurseur de la molécule et des interactions intermoléculaires non négligeable. La molécule de Caltrope, nouvellement synthétisée, a été étudié aussi bien sur la surface de Silicium que celle de SiC. Le dépôt de cette molécule complexe ne peut être réalisé selon la méthode d’évaporation classique sans induire sa dissociation et a donc nécessité l'emploi de techniques d’évaporation spécifiques. Nos résultats expérimentaux montrent un comportement remarquable: le dépôt de molécule individuelle est induit sur la surface de manière efficace par la pointe du STM démontrant ainsi l’idée d’imprimerie moléculaire. Suite à son adsorption sur la surface de silicium à travers une seule liaison, la molécule de Caltrope se comporte comme un moteur moléculaire activé thermiquement. La troisième molécule a être étudié est la molécule de Trima. Elle a été sélectionnée à cause de sa taille comparable à la distance des ad-atomes de silicium de la surface de SiC. La structure chimique de la molécule qui se termine par un groupement cétone rend possible la fonctionnalisation de la surface. Ceci est révélé par les calculs DFT de la densité de charge. La distribution de charge montre qu’il n’y a pas de partage entre les atomes d’oxygènes de la molécule et les ad-atomes de la surface et donc nous avons un évidence claire pour la formation d’une liaison dative<br>The interaction of organic molecules with a semiconductor surface enables the physical properties of the surface to be controlled, from a local modification using individual isolated molecules to passivation using a complete monolayer. Controlling the molecular interaction also allows us to modify the intrinsic properties of the molecules by partial or complete electronic decoupling between the molecular orbitals and the surface. To this end, this thesis presents experimental studies of the adsorption of molecules on the wide band gap 6H-SiC(0001)-3×3 substrate. The experiments were performed using Ultra-High Vacuum Room Temperature Scanning Tunneling Microscopy (UHV RT STM) and the results were compared with comprehensive theoretical Density Functional Theory (DFT) calculations. Three different molecules were studied in this thesis: C60, Caltrop and Trima. The STM and DFT studies show that individual C60 fullerene molecules are chemisorbed on the silicon carbide SiC(0001)-3×3 surface through the formation of a single Si-C bond to one silicon adatom, in contrast to multiple bond formation on other semiconducting surfaces. We observed three stable adsorption sites with respect to the Si adatoms of the surface unit cell. To explain the STM observations, Van der Waals forces between the C60 molecule and the neighboring surface atoms had to be included in the DFT calculations. The C60 molecules are also observed to form small clusters even at low coverage indicating the presence of a mobile molecular precursor state and non negligible intermolecular interactions. The second newly designed Caltrop molecule was studied on both the Si and SiC surfaces. Intact adsorption of this complex organic molecule cannot be realized using classical adsorption methods and requires the use of specific evaporation techniques. Our experimental results show remarkable behavior: The STM tip efficiently deposits single molecules one at a time, demonstrating the concept of single molecule printing. After adsorption on the Si surface through one bond, the Caltrop operates as a thermally activated molecular rotor. The third molecule to be studied is the Trima molecule. This molecule was chosen because it is commensurable in size with the surface Si adatom distance. The chemical termination of the molecule with a ketone group enables the successful functionalization of the SiC surface. The Trima molecule provides a rare and clear-cut example of the formation of two dative bonds between the oxygen atoms of the carbonyl groups and the Si adatoms of the SiC surface. This is revealed by the DFT calculations of the charge density. The charge distribution shows that there is no sharing of electrons between the oxygen atoms of the molecule and the surface which is clear evidence for the formation of a dative bond
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Fain, Bruno. "Analyse des propriétés structurales et électroniques des boîtes quantiques InAs(P)/InP(001): vers la réalisation d'une source de photons uniques efficace aux longueurs d'onde des télécommunications." Phd thesis, Ecole Polytechnique X, 2012. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00776836.

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Abstract:
Nous avons étudié la croissance et les caractéristiques de boîtes quantiques InAs(P)/InP(001) fabriquées par épitaxie en phase vapeur aux organo-métalliques, avec pour objectif la réalisation d'une source de photons uniques à 1.55 µm. D'une part, l'étude des boîtes quantiques clivées par microscopie et spectroscopie à effet tunnel, sous ultra-vide à T=4K, montrent que ces nanostructures présentent jusqu'à 12 niveaux électroniques discrets. En raison de la grande hauteur des boîtes quantiques, certains niveaux présentent un nœud dans la direction de croissance. Des simulations par éléments finis montrent la pertinence d'un potentiel parabolique pour décrire le confinement latéral des boîtes quantiques. Les effets de courbures de bandes sont détaillés, mettant en évidence la contribution des niveaux de trous au courant tunnel. D'autre part, les propriétés structurales des boîtes quantiques auto-assemblées, étudiées en microscopie électronique en transmission, sont corrélées aux conditions de croissance. L'impact des précurseurs d'éléments V sur la densité de boîtes quantiques et les échanges entre les boîtes quantiques et la couche de mouillage, sont analysés. La croissance sélective de boîtes localisées dans des nano-ouvertures de diamètre inférieur à 100 nm a également été mise en œuvre afin d'obtenir un couplage spatial déterministe entre une boîte quantique et une microcavité optique. Nous montrons que la formation de boîtes quantiques par croissance sélective n'est pas régie par le mode de croissance Stranski-Krastanov, ce qui permet d'envisager de nouvelles possibilités quant au contrôle de la hauteur, de la taille latérale et de la composition des boîtes quantiques.
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Fain, Bruno Jean Marie. "Analyse des propriétés structurales et électroniques des boîtes quantiques InAs(P)/InP(001) : vers la réalisation d'une source de photons uniques efficace aux longueurs d'onde des télécommunications." Palaiseau, Ecole polytechnique, 2012. https://pastel.hal.science/docs/00/77/68/36/PDF/THESE_FAIN.pdf.

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Abstract:
Nous avons étudié la croissance et les caractéristiques de boîtes quantiques InAs(P)/InP(001) fabriquées par épitaxie en phase vapeur aux organo-métalliques, avec pour objectif la réalisation d'une source de photons uniques à 1. 55 µm. D'une part, l'étude des boîtes quantiques clivées par microscopie et spectroscopie à effet tunnel, sous ultra-vide à T=4K, montrent que ces nanostructures présentent jusqu'à 12 niveaux électroniques discrets. En raison de la grande hauteur des boîtes quantiques, certains niveaux présentent un nœud dans la direction de croissance. Des simulations par éléments finis montrent la pertinence d'un potentiel parabolique pour décrire le confinement latéral des boîtes quantiques. Les effets de courbures de bandes sont détaillés, mettant en évidence la contribution des niveaux de trous au courant tunnel. D'autre part, les propriétés structurales des boîtes quantiques auto-assemblées, étudiées en microscopie électronique en transmission, sont corrélées aux conditions de croissance. L'impact des précurseurs d'éléments V sur la densité de boîtes quantiques et les échanges entre les boîtes quantiques et la couche de mouillage, sont analysés. La croissance sélective de boîtes localisées dans des nano-ouvertures de diamètre inférieur à 100 nm a également été mise en œuvre afin d'obtenir un couplage spatial déterministe entre une boîte quantique et une microcavité optique. Nous montrons que la formation de boîtes quantiques par croissance sélective n'est pas régie par le mode de croissance Stranski-Krastanov, ce qui permet d'envisager de nouvelles possibilités quant au contrôle de la hauteur, de la taille latérale et de la composition des boîtes quantiques<br>We have studied the growth and the properties of InAsP/InP(001) quantum dots made by metal-organic vapor phase epitaxy for the realization of 1. 55 µm single photon sources. Two complementary approaches, by scanning tunneling microscopy and transmission electron microscopy, have been investigated. On one hand, the study of cleaved quantum dots by scanning tunneling microscopy and spectroscopy, under ultra-high vacuum and at 4K, shows that these nanostructures exhibit up to 12 discretes localized states. Due to the tall height of the cleaved quantum dot, some excited states present a node in the growth direction. Simulation based on finite element method demonstrate that a parabolic potential is relevant to describe the lateral confinement of quantum dots. Tip-induced band bending effects are also studied in cleaved quantum dots, evidencing the contribution of hole states to the tunneling current. On the other hand, the structural properties of self-assembled quantum dots, studied by transmission electron microscopy, are correlated to the growth parameters. The influence of V-elements precursors on the quantum dot density, as well as the exchanges between the quantum dots and the wetting layer, are analyzed. The selective area growth of site-controlled quantum dots in nano-openings whose diameter is smaller than 100 nm is also investigated, in order to obtain a good and reproducible spatial coupling between a quantum dot and an optical microcavity. We show that the quantum dot formation does not rely on the Stranski-Krastanov growth mode, which may allow to control independently the height, the lateral size and the composition of the quantum dots
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Weil, Thierry. "Etude theorique du transport perpendiculaire aux couches dans les semiconducteurs 3-5 modules suivant une dimension." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066099.

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Abstract:
Proposition d'un modele pour le transport inelastique et application au transport assiste par phonons entre deux puits quantiques, a la capture des porteurs par le puits quantique d'un laser sch, au transport dans les pseudoalliages quaternaires et dans les superreseaux. Analyse des differents modeles de l'effet tunnel et discussion de la duree de l'effet tunnel; application aux diodes a double barriere et mise en evidence de l'equivalence des descriptions basees sur l'effet tunnel resonnant et sur l'effet tunnel sequentiel, au moins en regime continu; effets des diffusions, developpement d'un modele sequentiel a partir du formalisme d'oppenheimer. Algorithme de calcul du transport perpendiculaire dans les heterostructures (approche de la cao des structures de bande)
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More sources

Books on the topic "Effet tunnel bande à bande"

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Solymar, L., D. Walsh, and R. R. A. Syms. Principles of semiconductor devices. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198829942.003.0009.

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Abstract:
p–n junctions are examined initially and the potential distribution in the junction region is derived based on Poisson’s equation. Next the operation of the transistor is discussed, both in terms of the physics and of equivalent circuits. Potential distributions in metal–semiconductor junctions are derived and the concept of surface states is introduced. The physics of tunnel junctions is discussed in terms of their band structure. The properties of varactor diodes are described and the possibility of parametric amplification is touched upon. Further devices discussed are field effect transistors, charge-coupled devices, controlled rectifiers, and the Gunn effect. The fabrication of microelectronic circuits is discussed, followed by the more recent but related field of micro-electro-mechanical systems. The discipline of nanoelectronics is introduced including the role of carbon nanotubes. Finally, the effect of the development of semiconductor technology upon society is discussed.
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Book chapters on the topic "Effet tunnel bande à bande"

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Bhowmick, Brinda, and Rupam Goswami. "Band Gap Modulated Tunnel FET." In Design, Simulation and Construction of Field Effect Transistors. InTech, 2018. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.76098.

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Kumar, Sunil, and Balwinder Raj. "Simulations and Modeling of TFET for Low Power Design." In Advances in Systems Analysis, Software Engineering, and High Performance Computing. IGI Global, 2016. http://dx.doi.org/10.4018/978-1-4666-8823-0.ch021.

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Abstract:
In Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology, scaling has been a main key for continuous progress in silicon-based semiconductor industry over the past four decades. However, as the technology advancement on nanometer scale regime for the purpose of building ultra-high density integrated electronic computers and extending performance, CMOS devices are facing fundamental problems such as increased leakage currents, large process parameter variations, short channel effects, increase in manufacturing cost, etc. The new technology must be energy efficient, dense, and enable more device function per unit area and time. There are many novel nanoscale semiconductor devices, this book chapter introduces and summarizes progress in the development of the Tunnel Field-Effect Transistors (TFETs) for low power design. Tunnel FETs are interesting devices for ultra-low power applications due to their steep sub-threshold swing (SS) and very low OFF-current. Tunnel FETs avoid the limit 60mv/decade by using quantum-mechanical Band-to-Band Tunneling (BTBT).
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Conference papers on the topic "Effet tunnel bande à bande"

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Sen, Soumya, Ashish Raman, and Mamta Khosla. "A Literature Survey on Tunnel Field Effect Transistors." In International Conference on Women Researchers in Electronics and Computing. AIJR Publisher, 2021. http://dx.doi.org/10.21467/proceedings.114.65.

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Abstract:
TFET or Tunnel Field Effect Transistor in recent times has been the center of attraction of vast number of researcher’s despite of having minute subthreshold slope and excessive Ion/Ioff ratio. It is known that TFETs are much more immune to short-channel effects and fluctuations of random dopants in comparison to their MOSFET counterparts. TFETs are actually gated p-i-n diodes having tunneling current flowing between source and channel bands. In this paper deep rooted literature review has been done scanning each and every aspects of TFET including the variations of performance with different parameters. The paper finally gives a picture on the recent progress of TFET in different aspects such as from subthreshold swing to a significantly lower leakage current and high on current .For the simulation curves Nanohub.org was used as a tool. Lastly different types of TFET in respect of doping to symmetry and also gates are compared.
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Aziminejad, Arash, Andrew W. Lee, and Gabriel Epelbaum. "Modeling of Diffraction Coupling in Radio Propagation Inside Tunnel Environments." In 2016 Joint Rail Conference. American Society of Mechanical Engineers, 2016. http://dx.doi.org/10.1115/jrc2016-5750.

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Abstract:
The overall performance of a Communication-Based Train Control (CBTC) system largely depends on the performance of its Data Communication Subsystem (DCS). The DCS network in almost all CBTC commercial system products marketed in the last decade utilizes radio communications in the open ISM bands (2.4 GHz or 5.8 GHz) to establish the bi-directional data link between the central/wayside and onboard segments. To ensure a stable and sound radio communication, a key question is the number of the wayside Access Points (APs) and locations of their antennas. Radio propagation modeling aims to provide an optimal and reasonably reliable solution to the cited question. The diffraction impact of sharp corners and edges in tunnels on the radio propagation process, however, has not been accounted for in majority of models. The purpose of the present research is to incorporate the effect of diffraction coupling due to sharp edges in tunnel sections which include geometrical discontinuities such as cross-junctions and L-bends through ray-mode conversion. The proposed modeling approach offers sufficient versatility to assimilate a variety of discontinuous geometries involving sharp edges in a tunnel environment. Numerical and empirical results suggest that the model provides an accurate tool for analyzing diffraction effects of tunnel discontinuities with sharp edges on the process of radio propagation.
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Shih, Chun-Hsing, Ting-Shiuan Kang, Yu-Hsuan Chen, Hung-Jin Teng, and Nguyen Dang Chien. "Dopant-segregated metal source tunnel field-effect transistors with schottky barrier and band-to-band tunneling." In 2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.23919/snw.2017.8242293.

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Zhang, Haojun, Wei Cao, Jiahao Kang, and Kaustav Banerjee. "Effect of band-tails on the subthreshold performance of 2D tunnel-FETs." In 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/iedm.2016.7838512.

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Fan, L., L. T. Yang, Y. Yang, P. F. Guo, G. Samudra, and Y. C. Yeo. "A Non-local Algorithm for Simulation of Band-to-Band Tunneling in a Heterostructure Tunnel Field-Effect Transistor (TFET)." In 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2009. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2009.p-9-11.

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Tomar, Aishwarya, and AK Shankhwar. "Design and Performance Investigation of Symmetrical Dual Gate Doping-less TFET for Biomolecule Recognition." In International Conference on Women Researchers in Electronics and Computing. AIJR Publisher, 2021. http://dx.doi.org/10.21467/proceedings.114.72.

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Abstract:
This manuscript presents a dielectric modulated doping-less dual metal Gate Tunnel Field Effect Transistor (DL-DMG-TFET) sensor. In which a nano-cavity is presented above the tunnelling point to recognize the bio-molecule like amino acids (AAs), protein, and so on the proposed P+ and N+ sections are invented relying on the electrode's work-function on silicon body. The impacts of metal work regulation, cavity length and thickness variety are investigated for improving band-to-band tunnelling probability at the source-channel intersection. The proposed structure shows perceptible affectability results for neutral and charged biomolecules. The sensitivity of the higher dielectric constant bio-molecules are higher as compared to bio-molecule having lower dielectric constant; the drain current sensitivity of the Gelatin (k=12) is assessed as which is 13% and 35% higher than the affectability of Keratin (k=10) and Bacteriophage T7 (k=5) separately at the nano-cavity length of 30 nm.
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Salt, Eric, Marko Arezina, James Lepore, and Samir Ziada. "Experimental Investigation of Landing Light Orientation on Landing Gear Noise." In ASME 2015 Pressure Vessels and Piping Conference. American Society of Mechanical Engineers, 2015. http://dx.doi.org/10.1115/pvp2015-45137.

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Abstract:
A simplified model of a landing gear is tested in a wind tunnel to investigate the effect of the landing light orientation on the resulting noise generation. Examination of the near-field pressure fluctuations, combined with phase-locked stereoscopic particle imaging velocimetry (SPIV) of the unsteady wake identified two distinct sources of pressure fluctuations. The higher frequency source has a wide frequency band and is situated in the outer regions of the wake near the lights. However, the lower frequency source is found to be stronger, has a narrower frequency band, and is developed further downstream in the wake, closer to the wake centerline. The lower frequency source is observed to be rather robust as it is hardly affected by the orientation of the landing lights, whereas the higher frequency source becomes weaker as the distance between the lights is reduced. The effect of a splitter plate positioned downstream of the strut is also investigated as a means of disrupting the lower frequency pressure fluctuations. Although the lower frequency source is considerably reduced by the splitter plate, substantial enhancement of the higher frequency source is observed.
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Verreck, D., M. L. Van De Put, A. S. Verhulst, et al. "15-band spectral envelope function formalism applied to broken gap tunnel field-effect transistors." In 2015 International Workshop on Computational Electronics (IWCE). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/iwce.2015.7301988.

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Brambilla, Elia, Gisella Tomasini, and Stefano Giappino. "Aerodynamic Coefficients of a High-Speed Train in Presence of Windbreaks With Different Gap Configurations." In 2020 Joint Rail Conference. American Society of Mechanical Engineers, 2020. http://dx.doi.org/10.1115/jrc2020-8115.

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Abstract:
Abstract In the present paper the force aerodynamic coefficients measured, according the European Standard Specifications, by means of wind tunnel tests carried out on a 1:15 scaled model of ETR1000 train in presence of different windbreaks configurations, are presented. In particular, 3m high band barriers (40% of porosity) have been tested with different gaps (from 0,5m to 30m, full scale) in the windbreaks and considering different positions of the train with respect to the gaps. The results shown in this paper allow to evaluate the effect of different windbreak parameters (gap amplitude, train position) on the train overturning risk and they represent a complete database for validation of CFD analyses.
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Haraguchi, Ruriko, and Takehiko Asai. "Numerical Verification of the Tuned Inertial Mass Effect of a Wave Energy Converter." In ASME 2017 Conference on Smart Materials, Adaptive Structures and Intelligent Systems. American Society of Mechanical Engineers, 2017. http://dx.doi.org/10.1115/smasis2017-3772.

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Abstract:
This paper introduces the mechanism of a buoy-type wave energy converter (WEC) with a tuned inertial mass (TIM) mechanism. The TIM mechanism consists of a rotational mass and motor connected in series with a tuning spring. While it is common to control the current of the power take-off system, the stiffness of the spring is tuned in addition so that the inertial mass part resonates with the dominant frequency of the wave motion. The method to design the parameters to maximize the power generation capability is introduced and numerical studies for both narrowband and broadband sea states are carried out. It is shown that the proposed device demonstrates better energy harvesting performance compared to the WEC without the TIM mechanism to band-limited stationary random vibration.
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