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Dissertations / Theses on the topic 'Elektronisches Bauelement'

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1

Bothe, Tim. "Planung und Steuerung der Ersatzteilversorgung nach Ende der Serienfertigung /." Aachen : Shaker, 2003. http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&doc_number=010713584&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA.

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2

Walter, Jörg. "Simulationsbasierte Zuverlässigkeitsanalyse in der modernen Leistungselektronik /." Aachen : Shaker, 2004. http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&doc_number=013331493&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA.

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3

Fiege, Gero. "Quantitative Erfassung von thermischen Eigenschaften mit Hilfe der Rastersondenmikroskopie." [S.l.] : [s.n.], 2001. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=964158973.

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4

Ruttkowski, Eike. "Device development for molecular electronics /." Göttingen : Sierke, 2007. http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&doc_number=016480628&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA.

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5

Hellwig, Patrick. "Untersuchung von wechselnden klimatischen Umgebungsbedingungen und den daraus resultierenden Betauungsphänomenen auf elektronische Komponenten." Aachen Shaker, 2008. http://d-nb.info/987862588/04.

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6

Wasshuber, Christoph. "About single-electron devices and circuits /." Wien : Österr. Kunst- und Kulturverl, 1998. http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&doc_number=008183172&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA.

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7

Synowzik, Sven. "Ein Beitrag zur experimentellen Untersuchung und Modellierung von Wärmeübergang und Druckverlust bei einer Zweiphasenströmung in Mikrokanälen." Dresden TUDpress, 2008. http://d-nb.info/994416067/04.

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8

Zohm, Frederik. "Management von Diskontinuitäten : das Beispiel der Mechatronik in der Automobilzulieferindustrie /." Wiesbaden : Dt. Univ.-Verl, 2004. http://www.gbv.de/dms/zbw/392940779.pdf.

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9

Hartmann, David. "Elektrisches und magnetisches Schalten im nichtlinearen mesoskopischen Transport." kostenfrei, 2008. http://www.opus-bayern.de/uni-wuerzburg/volltexte/2008/2917/.

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10

Augustine, Dolores L. "Werner Hartmann und der Aufbau der Mikroelektronikindustrie in der DDR." Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2014. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-139954.

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Augustine, Dolores L. "Werner Hartmann und der Aufbau der Mikroelektronikindustrie in der DDR." Technische Universität Dresden, 2003. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A27853.

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Wächtler, Thomas. "Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-Bereich." Universitätsbibliothek Chemnitz, 2005. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200501943.

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Abstract:
High Electron Mobility Transistoren (HEMTs), basierend auf dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen, hergestellt und elektrisch charakterisiert. Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs Lithographieebenen. Die Herstellung der Bauelemente geschah unter Reinraumbedingungen und unter Nutzung einer vorhandenen Technologie für Transistoren mit kleiner Gate-Peripherie (Doppelgate-Transistoren), die teilweise optimiert wurde. Daneben wurden Prozesse zur Herstellung von Multifinger-HEMTs entwickelt, wobei die Metallisierung der Drainkontakte mittels Electroplating von Gold vorgenommen wurde. Zur elektrischen Charakterisierung der Bauelemente wurden sowohl Gleichstromcharakteristiken, d.h. die Ausgangskennlinienfelder und Verläufe der Steilheit, als auch das Großsignalverhalten für cw-Betrieb bei 2 GHz gemessen. Dabei zeigten die Transistoren eine auf die Gatebreite bezogene Ausgangsleistungsdichte von mehr als 8 W/mm und eine Effizienz größer als 40%, einhergehend mit vernachlässigbarer Drainstromdispersion der unpassivierten Bauelemente.
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13

Wohlrabe, Heinz. "Qualitätsoptimierung bei der Fertigung elektronischer Baugruppen mittels statistischer Analysemethoden." Templin Detert, 2008. http://d-nb.info/996693394/04.

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14

Boiger, Matthias. "Hochleistungssysteme für die Fertigung elektronischer Baugruppen auf der Basis flexibler Schaltungsträger." Bamberg Meisenbach, 2004. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?id=2673999&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm.

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15

Schäfer, Stefan [Verfasser]. "Anordnung und Ausrichtung von Zinkoxid-Nanostäbchen zu dünnen Schichten für elektronische Bauelemente / Stefan Schäfer." München : Verlag Dr. Hut, 2014. http://d-nb.info/1064559816/34.

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16

Bigl, Thomas. "Entwicklung, angepasste Herstellungsverfahren und erweiterte Qualitätssicherung von einsatzgerechten elektronischen Baugruppen." Bamberg Meisenbach, 2007. http://d-nb.info/990174050/04.

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17

Käßner, Stefan [Verfasser], and Klaus G. [Akademischer Betreuer] Nickel. "Thermisch effiziente Keramik-Komposite für die Verkapselung elektronischer Bauelemente / Stefan Käßner ; Betreuer: Klaus G. Nickel." Tübingen : Universitätsbibliothek Tübingen, 2019. http://d-nb.info/1194370446/34.

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Bigl, Thomas. "Entwicklung, angepasste Herstellungsverfahren und erweiterte Qualitätssicherung von einsatzgerechten elektronischen Baugruppen /." Bamberg : Meisenbach, 2008. http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&doc_number=016693138&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA.

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Härter, Stefan [Verfasser], Jörg [Akademischer Betreuer] Franke, Jörg [Gutachter] Franke, and Martin [Gutachter] Schneider-Ramelow. "Qualifizierung des Montageprozesses hochminiaturisierter elektronischer Bauelemente / Stefan Härter ; Gutachter: Jörg Franke, Martin Schneider-Ramelow ; Betreuer: Jörg Franke." Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2020. http://d-nb.info/1217065466/34.

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20

Schumacher, Benedikt [Verfasser]. "Polymer-Keramik-Komposite mit optimierten dielektischen Eigenschaften : Neue Materialien für integrierte Kondensatoren und elektronische Bauelemente / Benedikt Schumacher." Saarbrücken : Suedwestdeutscher Verlag fuer Hochschulschriften, 2011. http://www.vdm-verlag.de.

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Hauck, Martin [Verfasser], Heiko B. [Akademischer Betreuer] Weber, Heiko B. [Gutachter] Weber, and Thomas [Gutachter] Fauster. "Siliziumkarbidgrenzflächen: Konzepte zur Charakterisierung elektronischer Bauelemente / Martin Hauck ; Gutachter: Heiko B. Weber, Thomas Fauster ; Betreuer: Heiko B. Weber." Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2021. http://d-nb.info/1238898939/34.

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Litzov, Ivan Atanasov [Verfasser], and Christoph J. [Akademischer Betreuer] Brabec. "Design, Synthesen und Charakterisierung von n-Typ-Metalloxidhalbleitern als Interfacematerialien für (opto)-elektronische Bauelemente / Ivan Atanasov Litzov. Gutachter: Christoph J. Brabec." Erlangen : FAU University Press, 2015. http://d-nb.info/1076166407/34.

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Breitenbach, Frank [Verfasser], Manfred [Akademischer Betreuer] Geiger, Manfred [Gutachter] Geiger, H. [Gutachter] Brand, Manfred [Herausgeber] Geiger, and Klaus [Herausgeber] Feldmann. "Bildverarbeitungssystem zur Erfassung der Anschlußgeometrie elektronischer SMT-Bauelemente / Frank Breitenbach ; Gutachter: Manfred Geiger, H. Brand ; Betreuer: Manfred Geiger ; Herausgeber: Manfred Geiger, Klaus Feldmann." Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 1999. http://d-nb.info/1204637814/34.

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Limmer, Steffen [Verfasser], Dietmar [Akademischer Betreuer] Fey, and Johannes [Akademischer Betreuer] Jahn. "Vergleich gebräuchlicher Parallelrechensysteme für die Beschleunigung evolutionärer Algorithmen demonstriert für den Entwurf miniaturisierter optischer und elektronischer Bauelemente / Steffen Limmer. Gutachter: Dietmar Fey ; Johannes Jahn." Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2015. http://d-nb.info/1079385339/34.

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Fröhlich, Thomas [Verfasser], Manfred [Akademischer Betreuer] Geiger, Manfred [Gutachter] Geiger, TU Dresden Wilfried [Gutachter] Sauer, Manfred [Herausgeber] Geiger, and Klaus [Herausgeber] Feldmann. "Simultanes Löten von Anschlußkontakten elektronischer Bauelemente mit Diodenlaserstrahlung / Thomas Fröhlich ; Gutachter: Manfred Geiger; Wilfried Sauer, TU Dresden ; Betreuer: Manfred Geiger ; Herausgeber: Manfred Geiger, Klaus Feldmann." Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2002. http://d-nb.info/1200637674/34.

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Luchs, Ralf [Verfasser], Klaus [Akademischer Betreuer] Feldmann, Klaus [Gutachter] Feldmann, TU Dresden W. [Gutachter] Sauer, Klaus [Herausgeber] Feldmann, and Manfred [Herausgeber] Geiger. "Einsatzmöglichkeiten leitender Klebstoffe zur zuverlässigen Kontaktierung elektronischer Bauelemente in der SMT / Ralf Luchs ; Gutachter: Klaus Feldmann; W. Sauer, TU Dresden ; Betreuer: Klaus Feldmann ; Herausgeber: Klaus Feldmann, Manfred Geiger." Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 1998. http://d-nb.info/1209741199/34.

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27

Hierl, Stefan [Verfasser], Manfred [Akademischer Betreuer] Geiger, Manfred [Gutachter] Geiger, Klaus [Gutachter] Feldmann, Manfred [Herausgeber] Geiger, and Klaus [Herausgeber] Feldmann. "System- und Prozeßtechnik für das simultane Löten mit Diodenlaserstrahlung von elektronischen Bauelementen / Stefan Hierl ; Gutachter: Manfred Geiger, Klaus Feldmann ; Betreuer: Manfred Geiger ; Herausgeber: Manfred Geiger, Klaus Feldmann." Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2004. http://d-nb.info/1200211138/34.

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Hermann, Sascha. "Growth of carbon nanotubes on different support/catalyst systems for advanced interconnects in integrated circuits." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2011. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-78189.

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Abstract:
Since there is a continuous shrinking of feature sizes in ultra-large scale integrated (ULSI) circuits, requirements on materials and technology are going to rise dramatically in the near future. In particular, at the interconnect system this calls for new concepts and materials. Therefore, carbon nanotubes (CNTs) are considered as a promising material to replace partly or entirely metal interconnects in such devices. The present thesis aims to make a contribution to the CNT growth control with the thermal chemical vapor deposition (CVD) method and the integration of CNTs as vertical interconnects (vias) in ULSI circuits. Different support/catalyst systems are examined in processes for catalyst pretreatment and CNT growth. The investigations focus on the catalyst formation and the interactions at the interfaces. Those effects are related to the CNT growth. To get an insight into interactions at interfaces, film structure, composition, and CNT growth characteristics, samples are extensively characterized by techniques like AFM, SEM, TEM, XRD, XPS, and Raman spectroscopy. Screening studies on nanoparticle formation and CNT growth with the well known system SiO2/Ni are presented. This system is characterized by a weak support/catalyst interaction, which leads to undirected growth of multi-walled CNTs (MWCNTs). By contrast, at the Ta/Ni system a strong interaction causes a wetting of catalyst nanoparticles and vertically aligned MWCNT growth. At the system W/Ni a strong interaction at the interface is found as well, but there it induces Stranski-Krastanov catalyst film reformation upon pretreatment and complete CNT growth inhibition. Studies on the SiO2/Cr/Ni system reveal that Cr and Ni act as a bi-catalyst system, which leads to a novel nanostructure defined as interlayer CNT (ICNT) structure. The ICNT films are characterized by well crystallized vertically aligned MWCNTs, which grow out a Cr/Ni layer lifted off as a continuous and very smooth layer from the substrate with the growth. Besides, this nanostructure offers new possibilities for the integration of CNTs in different electronic applications. Based on the presented possibilities of manipulating CNT growth, an integration technology was derived to fabricate CNT vias. The technology uses a surface mediated site-selective CVD for the growth of MWCNTs in via structures. Developments are demonstrated with the fabrication of via test vehicles and the site-selective growth of MWCNTs in vias on 4 inch wafers. Furthermore, the known resistance problem of CNT vias, caused by too low CNT density, is addressed by a new approach. A CNT/metal heterostructure is considered, where the metal is implemented through atomic layer deposition (ALD). The first results of the coating of CNTs with readily reducible copper oxide nanoparticles are presented and discussed
Aufgrund der kontinuierlichen Verkleinerung von Strukturen in extrem hoch integrierten (engl. Ultra-Large Scale Integration − ULSI) Schaltkreisen werden die Anforderungen an die Materialien und die Technologie in naher Zukunft dramatisch ansteigen. Besonders im Leitbahnsystem sind neue Materialien und Konzepte gefragt. Kohlenstoffnanoröhren (engl. Carbon Nanotubes − CNT) stellen hierbei ein vielversprechendes Material dar, um teilweise oder sogar vollständig metallische Leitbahnen zu ersetzen. Die vorliegende Arbeit liefert einen Beitrag zur CNT-Wachstumskontrolle mit der thermischen Gasphasenabscheidung (engl. Chemical Vapor Deposition − CVD) sowie der Integration von CNTs als vertikale Leitungsverbindungen (Via) in ULSI-Schaltkreisen. Verschiedene Untergrund/Katalysator-Systeme werden in Prozessen zur Katalysatorvorbehandlung sowie zum CNT-Wachstum betrachtet. Die Untersuchungen richten sich insbesondere auf die Katalysatorformierung und die Wechselwirkungen an den Grenzflächen. Diese werden mit dem CNT-Wachstum in Verbindung gebracht. Für Untersuchungen von Grenzflächeninteraktionen, Schichtstruktur, Zusammensetzung sowie CNT-Wachstumscharakteristik werden Analysen mit AFM, REM, TEM, XRD, XPS und Raman-Spektroskopie genutzt. Zunächst werden Voruntersuchungen an dem gut bekannten System SiO2/Ni zur Nanopartikelformierung und CNTWachstum vorgestellt. Dieses System ist gekennzeichnet durch eine schwache Wechselwirkung zwischen Untergrund und Katalysator sowie ungerichtetem Wachstum von mehrwandigen CNTs (MWCNTs). Im Gegensatz dazu hat bei dem System Ta/Ni eine starke Interaktion an der Grenzfläche eine Katalysatornanopartikelbenetzung und vertikales MWCNT-Wachstum zur Folge. Für das W/Ni-System gelten ebenfalls starke Interaktionen an der Grenzfläche. Bei diesem System wird allerdings eine Stranski-Krastanov-Schichtformierung des Katalysators und eine vollständige Unterbindung von CNT-Wachstum erreicht. Bei dem System SiO2/Cr/Ni agieren Cr und Ni als Bi- Katalysatorsystem. Dies führt zu einer neuartigen Nanostruktur, die als Zwischenschicht-CNT (engl. Interlayer Carbon Nanotubes − ICNTs) Struktur definiert wird. Die Schichten sind durch eine gute Qualität von gerichteten MWCNTs charakterisiert, die aus einer geschlossenen, sehr glatten und von den CNTs getragenen Cr/Ni-Schicht herauswachsen. Darüber hinaus bietet die Struktur neue Möglichkeiten für die Integration von CNTs in verschiedene elektronische Anwendungen. Auf der Grundlage der vorgestellten Manipulationsmöglichkeiten von CNT-Wachstum wurde eine Integrationstechnologie für CNTs in Vias abgeleitet. Der Ansatz ist eine oberflächeninduzierte selektive CVD von vertikal gerichteten MWCNTs in Via-Strukturen. Diese Technologie wird mit der Herstellung von einem Via-Testvehikel und dem selektiven CNT-Wachstum in Vias auf 4 Zoll Wafern demonstriert. Um das Widerstandsproblem von CNT-Vias, verursacht durch eine zu niedrige CNT-Dichte, zu reduzieren, wird eine Technologieerweiterung vorgeschlagen. Der Ansatz geht von einer CNT/Metall-Heterostruktur aus, bei der das Metall mit Hilfe der Atomlagenabscheidung (engl. Atomic Layer Deposition − ALD) implementiert wird. Es werden erste Ergebnisse zur CNT-Beschichtung mit reduzierbaren Kupferoxidnanopartikeln vorgestellt und diskutiert
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Schumacher, Benedikt [Verfasser]. "Polymer-Keramik-Komposite mit optimierten dielektrischen Eigenschaften für elektronische Bauelemente / vorgelegt von Benedikt Schumacher." 2010. http://d-nb.info/1006537740/34.

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Schmitt, Holger [Verfasser]. "Untersuchung der UV-Nanoimprint-Lithografie als Strukturierungsverfahren für elektronische Bauelemente / vorgelegt von Holger Schmitt." 2008. http://d-nb.info/991835808/34.

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