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Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Emetteurs de lumière en silicium'

Author: Grafiati

Published: 25 May 2024

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Dissertations / Theses on the topic "Emetteurs de lumière en silicium"

1

Khoury, Mario. "Silicon-based light emitters towards quantum devices at telecom frequency." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0364.

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Abstract:

L'objectif de cette thèse est d'explorer le potentiel des impuretés complexes de carbone dans le silicium (G-centers) pour des applications dans les technologies quantiques. Ce défaut ponctuel a été initialement mis en évidence dans des échantillons de Si riches en carbone soumis à une irradiation électronique à haute énergie suivie d'un recuit à haute température. Une caractéristique clé des centers-G est leur émission infrarouge, correspondant à l'importante longueur d'onde de la bande O des télécommunications optiques qui s'étend entre 1260-1360 nm. Nous avons démontré que nous sommes capab

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2

Lamy, Jean-Jacques. "Emetteurs optiques à nanostructures quantiques rapportés sur substrat silicium." Rennes, INSA, 2008. http://www.theses.fr/2008ISAR0009.

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Abstract:

Ce travail de thèse porte sur l’étude et le développement de lasers à cavité verticale accordable ultra rapide pour des applications à la distribution de haut débit optique. Dans ce contexte l’accent a été mis sur différentes parties du laser : les miroirs de Bragg, la zone active et l’injection électrique. L’utilisation d’un miroir hybride en fond de cavité, composé d’un Bragg diélectrique et d’une couche d’or a permis d’augmenter la puissance de sortie. L’insertion de fils quantiques dans la zone active à permis de démontrer une émission laser sous pompage optique continu à température ambia

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3

Marris-Morini, Delphine. "Conception et réalisation d'un modulateur de lumière intégré en microphotonique silicium." Paris 11, 2004. http://www.theses.fr/2004PA112184.

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Abstract:

Ce travail porte sur la conception et la réalisation de modulateurs de lumière rapides, intégrés dans des microguides d'ondes sur substrat silicium sur isolant (SOI). Dans le silicium, la modulation du nombre de porteurs libres est l'effet physique qui conduit à la plus grande variation de l'indice de réfraction du matériau. La structure originale des modulateurs étudiés est basée sur la désertion de porteurs dans un empilement de multipuits silicium-germanium/silicium à modulation de dopage, inséré dans une diode pin. Sous polarisation inverse, la désertion des trous initialement confinés dan

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4

Sotta, David. "Milieux émetteurs de lumière et microcavité optique en silicium monocristalline sur isolant." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2002. http://www.theses.fr/2002GRE10192.

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5

Lérondel, Gilles. "Propagation de la lumière dans le silicium poreux : application à la photonique." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10253.

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Abstract:

Ce travail porte sur la caractérisation optique du silicium poreux et son application à la réalication de structures à modulation d'indice (superréseaux). Une première étude de la diffusion optique a montré l'homogénéité de ce matériau à l'échelle de la lumière, justifiant une description par un indice de réfraction moyen. Si la formation électrochimique du silicium poreux permet l'obtention de couches minces d'épaisseurs parfaitement définies, en revanche des fluctuations du front de dissolution entrainent une diffusion à l'interface silicium poreux/silicium cristallin. Cet effet a nécéssité

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6

Monier, Vanessa. "Etude des défauts cristallins dans le silicium par diffusion de la lumière." Aix-Marseille 3, 2010. http://www.theses.fr/2010AIX30056.

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Abstract:

L'étude des précipités d'oxygène et des dislocations dans le silicium représente un enjeu important pour l'amélioration de la qualité des substrats SOI ou silicium. La technique LST (« Laser Scattering Tomography »), particulièrement adaptée à la densité ou la taille relativement faibles des défauts recherchés, est basée sur la diffusion de la lumière infrarouge. Ces travaux présentent les développements nécessaires de cette technique pour la mesure puis l'étude du comportement et de l'évolution des défauts. La taille des précipités d'oxygène individuels, à présent accessible, permet d'étudier

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7

Jafari, Omid. "Transmetteurs photoniques sur silicium pour la prochaine génération de réseaux optiques." Doctoral thesis, Université Laval, 2021. http://hdl.handle.net/20.500.11794/69491.

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8

Grün, Mathias. "Les nanocristaux de silicium comme source de lumière : analyse optique et réalisation de microcavités." Thesis, Nancy 1, 2010. http://www.theses.fr/2010NAN10108/document.

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Abstract:

Ce travail de thèse concerne la réalisation et l'analyse des propriétés optiques de nanocristaux de silicium. Ces objets de taille nanométrique possèdent des propriétés optiques remarquables, en particulier de photoluminescence. Les propriétés de confinement quantique qui les caractérisent permettent d'obtenir un signal de luminescence intense dans le domaine du visible. Des composants optoélectroniques et photoniques ont été envisagés à base de nanocristaux de silicium. Les raisons physiques du fort signal de luminescence en revanche sont encore mal comprises. Les nanocristaux de silicium son

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9

Toufik, Hicham. "Silicum pour applications optoélectroniques." Perpignan, 2009. http://www.theses.fr/2009PERP0935.

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Abstract:

Ce travail introduit des moyens pratiques pour améliorer les propriétés optiques des circuits à base de silicium pour les applications optoélectroniques. Nous avons présenté un processus d’implantation d’une zone de défauts dans la base, proche de la jonction émetteur-base, d’un transistor bipolaire. Les résultats montrent que l’intensité de la lumière émise par le silicium est amplifiée par la présence d’une sous structure constituée de nano-défauts ; nous confirmons la modification locale des niveaux d’énergie dans le silicium cristallin. Ce travail apparaît comme un travail de base permetta

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10

Toufik, Nezha. "Dégradation, par polarisation en avalanche, des paramètres d'une homojonction en silicium, durant l'émission de lumière." Perpignan, 2002. http://www.theses.fr/2002PERP0452.

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Abstract:

L'étude proposée consiste à préciser les processus de dégradation de transistors bipolaires soumis à une contrainte électrique par polarisation inverse, en régime d'avalanche, de la jonction émetteur-base. La finalité est de déterminer les conditions de stabilité de l'émission lumineuse de la jonction afin d'envisager des applications optoélectroniques du composant au silicium. La méthode de caractérisation utilisée consiste à déterminer, au cours du temps et en fonction de la contrainte, l'évolution des paramètres de la jonction (courant inverse de recombinaison, facteur d'idéalité et résista

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