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Dissertations / Theses on the topic 'Emetteurs de lumière en silicium'

Author: Grafiati
Published: 25 May 2024

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1

Khoury, Mario. "Silicon-based light emitters towards quantum devices at telecom frequency." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0364.

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Abstract:
L'objectif de cette thèse est d'explorer le potentiel des impuretés complexes de carbone dans le silicium (G-centers) pour des applications dans les technologies quantiques. Ce défaut ponctuel a été initialement mis en évidence dans des échantillons de Si riches en carbone soumis à une irradiation électronique à haute énergie suivie d'un recuit à haute température. Une caractéristique clé des centers-G est leur émission infrarouge, correspondant à l'importante longueur d'onde de la bande O des télécommunications optiques qui s'étend entre 1260-1360 nm. Nous avons démontré que nous sommes capab
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Lamy, Jean-Jacques. "Emetteurs optiques à nanostructures quantiques rapportés sur substrat silicium." Rennes, INSA, 2008. http://www.theses.fr/2008ISAR0009.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l’étude et le développement de lasers à cavité verticale accordable ultra rapide pour des applications à la distribution de haut débit optique. Dans ce contexte l’accent a été mis sur différentes parties du laser : les miroirs de Bragg, la zone active et l’injection électrique. L’utilisation d’un miroir hybride en fond de cavité, composé d’un Bragg diélectrique et d’une couche d’or a permis d’augmenter la puissance de sortie. L’insertion de fils quantiques dans la zone active à permis de démontrer une émission laser sous pompage optique continu à température ambia
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Marris-Morini, Delphine. "Conception et réalisation d'un modulateur de lumière intégré en microphotonique silicium." Paris 11, 2004. http://www.theses.fr/2004PA112184.

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Abstract:
Ce travail porte sur la conception et la réalisation de modulateurs de lumière rapides, intégrés dans des microguides d'ondes sur substrat silicium sur isolant (SOI). Dans le silicium, la modulation du nombre de porteurs libres est l'effet physique qui conduit à la plus grande variation de l'indice de réfraction du matériau. La structure originale des modulateurs étudiés est basée sur la désertion de porteurs dans un empilement de multipuits silicium-germanium/silicium à modulation de dopage, inséré dans une diode pin. Sous polarisation inverse, la désertion des trous initialement confinés dan
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4

Sotta, David. "Milieux émetteurs de lumière et microcavité optique en silicium monocristalline sur isolant." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2002. http://www.theses.fr/2002GRE10192.

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Lérondel, Gilles. "Propagation de la lumière dans le silicium poreux : application à la photonique." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10253.

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Abstract:
Ce travail porte sur la caractérisation optique du silicium poreux et son application à la réalication de structures à modulation d'indice (superréseaux). Une première étude de la diffusion optique a montré l'homogénéité de ce matériau à l'échelle de la lumière, justifiant une description par un indice de réfraction moyen. Si la formation électrochimique du silicium poreux permet l'obtention de couches minces d'épaisseurs parfaitement définies, en revanche des fluctuations du front de dissolution entrainent une diffusion à l'interface silicium poreux/silicium cristallin. Cet effet a nécéssité
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6

Monier, Vanessa. "Etude des défauts cristallins dans le silicium par diffusion de la lumière." Aix-Marseille 3, 2010. http://www.theses.fr/2010AIX30056.

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Abstract:
L'étude des précipités d'oxygène et des dislocations dans le silicium représente un enjeu important pour l'amélioration de la qualité des substrats SOI ou silicium. La technique LST (« Laser Scattering Tomography »), particulièrement adaptée à la densité ou la taille relativement faibles des défauts recherchés, est basée sur la diffusion de la lumière infrarouge. Ces travaux présentent les développements nécessaires de cette technique pour la mesure puis l'étude du comportement et de l'évolution des défauts. La taille des précipités d'oxygène individuels, à présent accessible, permet d'étudier
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Jafari, Omid. "Transmetteurs photoniques sur silicium pour la prochaine génération de réseaux optiques." Doctoral thesis, Université Laval, 2021. http://hdl.handle.net/20.500.11794/69491.

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8

Grün, Mathias. "Les nanocristaux de silicium comme source de lumière : analyse optique et réalisation de microcavités." Thesis, Nancy 1, 2010. http://www.theses.fr/2010NAN10108/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse concerne la réalisation et l'analyse des propriétés optiques de nanocristaux de silicium. Ces objets de taille nanométrique possèdent des propriétés optiques remarquables, en particulier de photoluminescence. Les propriétés de confinement quantique qui les caractérisent permettent d'obtenir un signal de luminescence intense dans le domaine du visible. Des composants optoélectroniques et photoniques ont été envisagés à base de nanocristaux de silicium. Les raisons physiques du fort signal de luminescence en revanche sont encore mal comprises. Les nanocristaux de silicium son
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9

Toufik, Hicham. "Silicum pour applications optoélectroniques." Perpignan, 2009. http://www.theses.fr/2009PERP0935.

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Abstract:
Ce travail introduit des moyens pratiques pour améliorer les propriétés optiques des circuits à base de silicium pour les applications optoélectroniques. Nous avons présenté un processus d’implantation d’une zone de défauts dans la base, proche de la jonction émetteur-base, d’un transistor bipolaire. Les résultats montrent que l’intensité de la lumière émise par le silicium est amplifiée par la présence d’une sous structure constituée de nano-défauts ; nous confirmons la modification locale des niveaux d’énergie dans le silicium cristallin. Ce travail apparaît comme un travail de base permetta
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Toufik, Nezha. "Dégradation, par polarisation en avalanche, des paramètres d'une homojonction en silicium, durant l'émission de lumière." Perpignan, 2002. http://www.theses.fr/2002PERP0452.

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Abstract:
L'étude proposée consiste à préciser les processus de dégradation de transistors bipolaires soumis à une contrainte électrique par polarisation inverse, en régime d'avalanche, de la jonction émetteur-base. La finalité est de déterminer les conditions de stabilité de l'émission lumineuse de la jonction afin d'envisager des applications optoélectroniques du composant au silicium. La méthode de caractérisation utilisée consiste à déterminer, au cours du temps et en fonction de la contrainte, l'évolution des paramètres de la jonction (courant inverse de recombinaison, facteur d'idéalité et résista
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Antoine-Vincent, Nadège. "Recherche du couplage fort lumière-matière dans des microcavités nitrurées." Clermont-Ferrand 2, 2003. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00523220.

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Abstract:
Ce mémoire est consacré à l'étude du couplage lumière-matière dans des hétérostuctures à base de GaN (semiconducteur à bande interdite directe). L'objectif de ce travail est la mise en évidence expérimental du couplage fort exciton-photon dans des microcavités nitrurées. Des difficultés liées à l'élaboration des nitrures nous ont contraint à effectuer deux études préliminaires : tout d'abord, la détermination des indices de réfraction d'AlN, GaN et AlGaN par ellipsométrie spectroscopique et par réflectivité, puis la caractérisation de miroirs de Bragg AlN/ GaN et AlN/ AlGaN. A partir des résul
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Zelsmann, Marc. "Cristaux photoniques en silicium sur isolant pour le guidage, le filtrage, l'émission et l'extraction de lumière." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2003. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00003731.

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Abstract:
Les cristaux photoniques sont des structures diélectriques périodiques. Ils permettent de contrôler la lumière en interdisant, par exemple, la propagation des photons dans certaines directions et pour certaines fréquences contenues dans ce que l'on appelle le gap photonique. De part leur compatibilité avec la filière silicium et leur relative simplicité de fabrication, les cristaux photoniques bidimensionnels réalisés sur substrats silicium-sur-isolant (SOI) sont particulièrement attractifs pour la fabrication de circuits intégrés photoniques et ils pourraient constituer la base des futures in
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Noé, Pierre-Olivier. "Elaboration et caractérisation de matériaux nanostructurés à base de silicium comme source de lumière pour la photonique." Thesis, Grenoble, 2013. http://www.theses.fr/2013GRENY006.

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Abstract:
Le silicium est reconnu comme étant un mauvais émetteur de lumière à cause de son gap indirect. Diverses stratégies ont été développées pour améliorer son rendement d'émission, le Si constituant le matériau de choix pour la photonique. Ce manuscrit présente l'élaboration et la caractérisation de matériaux originaux à base de silicium afin de proposer des solutions alternatives pour améliorer les propriétés d'émission de lumière du Si. Ce travail est divisé en 4 parties avec tout d'abord une revue de l'état de l'art de l'émission de lumière dans le Si et les bases sur les mécanismes de recombin
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Budianto, Anwar. "Etudes des nouvelles solutions de connectique entre guides de lumière réalisés sur substrat silicium et fibre optique." Grenoble INPG, 1993. http://www.theses.fr/1993INPG0022.

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Abstract:
Le but de cette etude est d'estimer et d'optimiser les performances de couplage entre une fibre et microguide optique en filiere technologique ois1. Pour atteindre cet objectif, trois actions ont ete entreprises: 1) une etude numerique du comportement theorique des microguides associes a des transitions adiabatiques; 2) une etude experimentale sur ces memes microguides utilisant la structure ois3; 3) une approche experimentale complementaire mettant en jeu une lentille en bout de fibre. L'etude numerique a permis de modeliser le microguide transition adiabatique. Elle resout les equations aux
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Moulin, Etienne. "Accroissement de l'absorption lumineuse au sein de cellules solaires à couches minces de silicium par addition de nanoparticules et de nanostructures métalliques." Thesis, Metz, 2009. http://www.theses.fr/2009METZ051S/document.

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Abstract:
Afin de parvenir à des rendements élevés, les cellules solaires à couches minces de silicium doivent présenter une forte absorption de la lumière. Dans ce travail, nous proposons d'utiliser des nanoparticules et nanostructures métalliques comme nouvelle approche pour piéger la lumière au sein de cellules solaires à couches minces de silicium. Les propriétés optiques spécifiques des nanoparticules métalliques sont une conséquence de l'apparition d'un phénomène de résonance dans leur spectre d'absorption et de diffusion, connu sous le nom de résonance de «plasmon localisé de surface» (LSP : loca
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Sayad, Yassine. "Détermination de la longueur de diffusion des porteurs de charge minoritaires dans le silicium cristallin par interaction lumière matière." Lyon, INSA, 2009. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2009ISAL0053/these.pdf.

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Abstract:
Environ 90% de l’électricité photovoltaïque est produite à partir de cellules en silicium mono et multicristallin. La connaissance de la longueur de diffusion (ou la durée de vie) des porteurs minoritaires dans le silicium utilisé dans la fabrication des cellules solaire est nécessaire afin d’adapter et d’optimiser les procédés de fabrication. L’objectif de ce travail concernait la mesure de la longueur de diffusion et de la durée de vie des porteurs minoritaires dans les matériaux Si épitaxiés et/ou minces et de qualité solaire. En combinant des modèles analytiques et des simulations numériqu
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Bédard, Keven. "Modulateurs intégrés sur silicium pour la transmission de signaux à modulation d'amplitude multi-niveau." Master's thesis, Université Laval, 2016. http://hdl.handle.net/20.500.11794/27019.

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Abstract:
Au cours des dernières années, la photonique intégrée sur silicium a progressé rapidement. Les modulateurs issus de cette technologie présentent des caractéristiques potentiellement intéressantes pour les systèmes de communication à courte portée. En effet, il est prévu que ces modulateurs pourront être opérés à des vitesses de transmission élevées, tout en limitant le coût de fabrication et la consommation de puissance. Parallèlement, la modulation d’amplitude multi-niveau (PAM) est prometteuse pour ce type de systèmes. Ainsi, ce travail porte sur le développement de modulateurs de silicium p
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Sherafati, Bahareh. "Polarization management : an efficient polarization rotator splitter on silicon-on-insulator platform." Master's thesis, Université Laval, 2018. http://hdl.handle.net/20.500.11794/30518.

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Abstract:
Ce mémoire vise à étudier la gestion de la polarisation et est axé sur la conception, la simulation et la fabrication d'un rotateur séparateur de polarisation (PSR) sur des plates-formes en silicium en utilisant une structure combinant un cône adiabatique à deux niveaux et un coupleur adiabatique. Après une introduction sur les systèmes de communication optique, spécifiquement sur les systèmes photoniques intégrés, nous introduisons le silicium sur isolateur (SOI) comme plateforme la plus attrayante pour notre circuit photonique intégré. Bien que la propriété intrinsèque de contraste élevé de
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Akra, Ahiram el. "Croissance de boîtes quantiques In(Ga)As sur substrats de silicium et de SOI pour la réalisation d'émetteurs de lumière." Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00952829.

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Abstract:
Cette thèse porte sur l'étude de la croissance auto-organisée de boîtes quantiques d'In(Ga)As sur substrat de silicium visant à l'intégration monolithique d'un émetteur de lumière sur silicium à base d'un matériau semiconducteur III-V. Le développement d'un tel système se heurte à deux verrous majeurs : le premier provient d'un très fort désaccord de maille qui rend difficile l'élaboration de boîtes quantiques d'In(Ga)As sur Si présentant de bonnes qualités structurales et optiques, et le second provient de la nature électronique de l'interface entre In(Ga)As et le Si dont il est prédit qu'ell
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Zhu, Mingxuan. "Nanofils de silicium pour les cellules solaires hybrides." Phd thesis, Aix-Marseille Université, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00945787.

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Abstract:
Le contexte énergétique actuel est un enjeu sociétal. L'utilisation de l'énergie solaire au travers de cellules solaires photovoltaïques à bas-coût et à haut rendement, est une des voies envisagées pour répondre aux besoins énergétiques. Ce travail de thèse a permis de démontrer la faisabilité de cellules solaires hybrides, basées sur une jonction de type " cœur/coquille " entre des nanofils de silicium obtenus par gravure chimique et du PEDOT polymérisé par voie électrochimique. Les principaux avantages d'une telle structure sont à la fois la simplicité et le faible coût des méthodes utilisée
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Liu, Xiang. "Transistor silicium en couche mince à base de nano-particules de PbS : un efficace phototransistor pour la détection de lumière infrarouge." Thesis, Rennes 1, 2016. http://www.theses.fr/2016REN1S075/document.

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Abstract:
Le phototransistor est un nouveau type de photo-détecteur avec une structure MOSFET spéciale qui peut non seulement convertir la lumière absorbée en variation de courant, mais également auto-amplifier ce photo-courant. En particulier, avec des progrès continus dans la synthèse des points Quantum Dots (QDs), les caractères optiques et électriques uniques renforcent le coefficient d'absorption et la génération des trous d'électrons par des processus intégrés faciles. Dans cette thèse, on a synthétisé les PdS infrarouges PbS avec une large absorption infrarouge (IR) (600-1400 nm) et un rendement
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Gomard, Guillaume. "Cristaux photoniques pour le contrôle de l'absorption dans les cellules solaires photovoltaïques silicium ultraminces." Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00766750.

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Abstract:
La technologie photovoltaïque se caractérise par sa capacité à réduire constamment le coût de l'électricité délivrée, notamment grâce aux innovations technologiques. Un pas important a été franchi dans ce sens grâce à la mise en place d'une filière utilisant des couches minces, réduisant significativement la quantité de matériau actif nécessaire. Aujourd'hui, ces efforts se poursuivent et des couches semi-conductrices ultraminces voient le jour. Du fait de leur faible épaisseur, ces couches souffrent d'une faible absorption de la lumière, ce qui limite le rendement de conversion des cellules.
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Angermaier, Jérémie. "Modulateur à réseau de Bragg intégré sur silicium pour les télécommunications dans les centres de données et leurs applications." Master's thesis, Université Laval, 2016. http://hdl.handle.net/20.500.11794/27086.

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Abstract:
Récemment, beaucoup d’efforts ont été investis afin de développer des modulateurs sur silicium pour les télécommunications optiques et leurs domaines d’applications. Ces modulateurs sont utiles pour les centres de données à courte portée et à haut débit. Ainsi, ce travail porte sur la caractérisation de deux types de modulateurs à réseau de Bragg intégré sur silicium comportant une jonction PN entrelacée dont le but est de réaliser une modulation de la longueur d’onde de Bragg par le biais de l’application d’un tension de polarisation inverse réalisant une déplétion des porteurs au sein du gui
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Meng, Xianqin. "Conception et réalisation de cristaux photoniques et de réseaux de diffraction pour les cellules photovoltaïques silicium en couches ultra-minces." Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00752950.

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Abstract:
Conception et réalisation de cristaux photoniques et de réseaux de diffraction pour les cellules photovoltaïques silicium en couches ultra-minces Ce travail de thèse est consacré au piégeage de la lumière par des cristaux photoniques (CP) et des réseaux de diffraction. L'objectif consiste à intégrer de telles structures dans des cellules solaires à couches ultra-minces de silicium, afin d'augmenter leur rendement de conversion. Nous avons conçu et optimisé des cellules solaires en silicium cristallin (c-Si) assistées par les CP, grâce à la méthode FDTD (Finite Difference Time Domain). En grava
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Thuaire, Aurélie. "L'apport de l'imagerie raman et de la photoluminescence à la caractérisation de carbure de silicium (SiC) : application à l'étude de composants électroniques." Grenoble INPG, 2006. http://www.theses.fr/2006INPG0160.

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Abstract:
Le carbure de silicium est aujourd'hui commercialement disponible sous forme de larges substrats (lOcm de diamètre), ou de composants électroniques de plus en plus puissants. Néanmoins, les performances des dispositifs électroniques sont limitées par la présence de défauts. Ce travail de thèse consiste ainsi d'une part à étudier les défauts présents dans les substrats et épitaxies dans le but de mettre en évidence les facteurs et paramètres à l'origine de la modification des propriétés structurales et électroniques de ces échantillons. D'autre part, les connaissances acquises sont réinvesties
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Bony, Alexis. "Study of nano-roughness for silica-on-silicon technology by scanning electron microscopy and light scattering." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2004. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2004/BONY_Alexis_2004.pdf.

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Abstract:
La technologie silice-sur-silicium est fréquemment employée pour la réalisation de composants passifs dans le domaine de l'optique intégrée. Lors de leur fabrication, des rugosités peuvent apparaître sur les surfaces des guides d'onde qu'ils contiennent, dégradant par la suite leurs performances. La première partie de ce travail doctoral s'attache par conséquent à définir les paramètres caractérisant les rugosités, à recenser les différents moyens expérimentaux existants pour évaluer ces rugosités, et à préciser la problématique particulière induite par les guides d'onde de silice-sur-silicium
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Chriqui, Yves. "Intégration monolithique sur silicium d'émetteurs de lumière à base de GaAs par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques sur pseudo-substrat de Ge/Si." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008758.

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Abstract:
L'intégration monolithique de GaAs sur Si permettrait la réalisation de sources de lumière sur Si pour des applications notamment dans les interconnexions optiques ou les cellules solaires à haut rendement et faible coût. Toutefois, les différences intrinsèques entre les deux matériaux conduisent à l'apparition de défauts dans la couche de GaAs (dislocations, fissures, parois d'inversion). Nous démontrons que l'utilisation de pseudo-substrats, constitués d'une couche tampon de Ge sur un substrat de Si, combinée à l'insertion d'un super-réseau par épitaxie par couche atomique (ALE) en début de
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Guellil, Imene. "Nano-fonctionnalisation par FIB haute résolution de silicium." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0361.

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Abstract:
Le but de ce travail est de développer un processus d’élaboration de boîtes quantiques (QD) de silicium-germanium (SiGe) avec des compositions allant du Si au Ge pur, et permettant d’obtenir des QD semi-conductrices et de tailles suffisamment petites pour l’obtention de confinement quantique. Pour cela, nous avons utilisé une combinaison de différentes techniques : l’épitaxie par jets moléculaires, la lithographie ionique par faisceau d’ions focalisés (FIBL) et le démouillage solide hétérogène. Dans ce contexte, la finalité de cette recherche est d’une part de développer un FIB qui puisse être
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Zhalehpour, Sasan, and Sasan Zhalehpour. "High speed optical communications in silicon photonics modulators." Doctoral thesis, Université Laval, 2020. http://hdl.handle.net/20.500.11794/38102.

Full text
Abstract:
Les communications optiques basées sur la photonique sur silicium (SiP) sont au centre des récents efforts de recherche pour le développement des futures technologies de réseaux optiques à haut débit. Dans cette thèse, nous étudions le traitement numérique du signal (DSP) pour pallier aux limites physiques des modulateurs Mach-Zehnder sur silicium (MZM) opérés à haut débit et exploitant des formats de modulation avancés utilisant la détection cohérente. Dans le premier chapitre, nous présentons une nouvelle méthode de précompensation adaptative appelée contrôle d’apprentissage itératif par gai
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Polleux, Jean-Luc. "Contribution à l'étude et à la modélisation de phototransistors bipolaires à hétérojonction SiGe/Si pour les applications opto-microondes." Paris, CNAM, 2001. http://www.theses.fr/2001CNAM0392.

Full text
Abstract:
Les potentialités des structures phototransistors bipolaires à hétérojonction SiGe contraint sur Silicium pour les applications opto-microondes sont explorées par la simulation physique. Un modèle hydrodynamique dérive-diffusion couplé à un modèle d'absorption optique est exploité. Le jeu complet de modèles de paramètres du SiGe/Si est mis en place. Les variations de la largeur de bande interdite sont notamment synthétisées, des expressions de densités effectives d'états rigoureuses sont développées et le coefficient d'absorption optique est extrait de données de mesures à 90K. Un modèle à un
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Rouifed, Mohamed Saïd. "Modulateurs à base de puits quantiques Ge/SiGe pour la photonique sur silicium." Thesis, Paris 11, 2014. http://www.theses.fr/2014PA112178/document.

Full text
Abstract:
La photonique silicium est un domaine de recherche en pleine expansion depuis quelques années. Elle est envisagée comme une solution prometteuse pour le remplacement des interconnexions électriques par des liens optiques. A terme, l’intégration de l’optique et de l’électronique sur les mêmes puces doit permettre une augmentation des performances des circuits intégrés, et ainsi proposer des composants à hautes performances et à bas coût. Dans ce contexte, les travaux menés durant ma thèse ont porté plus spécifiquement sur l’étude de la modulation optique autour de la bande interdite directe et
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Abraham, Alexis. "Développement de modulateurs optiques sur silicium à faible consommation énergétique pour les prochaines générations d'interconnexions optiques." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016SACLS338/document.

Full text
Abstract:
Suite au développement remarquable d'Internet, il est attendu que le trafic numérique augmente de manière exponentielle, ainsi que la nécessité d'utiliser des liens de communication très hauts débits. Pour adresser ces problématiques, il est donc essentiel de proposer des systèmes performants avec une consommation énergétique réduite. La photonique sur silicium est une solution prometteuse qui répond à ce besoin en intégrant des fonctionnalités optiques dans un circuit intégré utilisant les procédés de fabrication de pointe de la microélectronique. Dans ce contexte le sujet de thèse porte sur
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Ding, He. "Advanced photonic crystal assisted thin film solar cells : from order to pseudo-disorder." Thesis, Lyon, 2016. http://www.theses.fr/2016LYSEC003/document.

Full text
Abstract:
Dans les cellules solaires en couches minces de silicium, il est important de maximiser l'efficacité d'absorption, notamment afin d'atteindre une densité de courant de court-circuit (Jsc) suffisante. Pour atteindre cet objectif, nous avons développé des stratégies de piégeage de la lumière à base de cristaux photoniques (CP) simplement périodiques et des structures plus complexes, pseudo-désordonnées. Ce travail vise à intégrer de telles structures dans des cellules solaires en couches minces de silicium cristallin (c-Si). Tout d'abord, un CP à maille carrée de trous cylindriques ou de nano-py
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Kadura, Lina. "Études de nouvelles architectures de composants intégrés sensibles à la lumière en filière FDSOI pour les applications de type imageur." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAT031.

Full text
Abstract:
Un nouveau type de capteur de lumière appelé FDPix, composé d'un transistor (1T) par pixel, est étudié. Il consiste à co-intégrer un transistor FDSOI (silicium sur isolant entièrement déserté) avec une photodiode pour permettre la détection de la lumière par polarisation arrière optique. Les charges photogénérées dans la diode induisent un décalage de tension de seuil (VT) sous illumination, appelé LIVS. Le LIVS est dû au couplage capacitif entre les grilles avant et arrière du transistor FDSOI et représente la métrique de performance clé à extraire et à optimiser. Dans ce travail, le comporte
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Ibrahim, Elmi Omar. "Nouvelles structures de cellules solaires à base de silicium : texturation, passivation et association de réseaux de nanostructures métalliques avec une couche Down-Conversion." Thesis, Lille 1, 2017. http://www.theses.fr/2017LIL10037/document.

Full text
Abstract:
La viabilité de la filière silicium pour la conversion photovoltaïque n’est plus à démontrée, notamment au regard du nombre croissant d’industries de cellules solaires qui s’implantent dans les pays développés. Le développement de nouvelles structures ou dispositifs optiques afin d’améliorer le piégeage de la lumière au sein des cellules solaires est un véritable défi. Les travaux de cette thèse portent sur une nouvelle génération de capteurs solaires performants en s’appuyant sur l’association d’une nanostructuration de la surface, d’un réseau de nano-objets métalliques et de terres rares au
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Baffou, Guillaume. "Luminescence induite par microscopie à effet tunnel et étude des propriétés électroniques, chimiques et optiques de la surface de carbure de silicium 6H-SiC(0001)3x3." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00190955.

Full text
Abstract:
Le microscope à effet tunnel (STM) permet une analyse spatiale et spectroscopique de surfaces à l'échelle atomique. Mise en évidence peu après l'invention du STM, la lumière émise par la jonction tunnel contient des informations pertinentes sur les propriétés électroniques et optiques de surfaces ou de nano-objets.<br /><br />La thématique dans laquelle s'inscrit cette thèse est la luminescence induite par STM sur substrat semiconducteur à large bande interdite. Les travaux ont porté sur la reconstruction de surface SiC(0001)3x3 du carbure de silicium (SiC) et s'articulent autour de trois part
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Besnard, Romain. "Développement d’une méthodologie de synthèse de silices hybrides à haute capacité extractante." Thesis, Montpellier, 2015. http://www.theses.fr/2015MONTS108.

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Abstract:
Cette thèse s'inscrit dans un contexte de recherche d'amélioration des propriétés d'extraction d'ions sur phase solide. Au travers de ces travaux est développée une méthodologie innovante visant à adapter la structuration, la morphologie ainsi que les fonctions d'extraction aux ions et aux milieux cibles. Pour cela, nous avons opté pour une méthode « tout-en-un » passant par l'utilisation d'organosilanes amphiphiles. Composées d'une tête condensable et d'une tête « extractante » aux extrémités d'une chaîne hydrophobe, ces molécules polyvalentes font office à la fois d'agent matriciel silicique
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Lerondel, Gilles. "Propagation de la lumière dans le silicium poreux: application à la photonique." Phd thesis, 1997. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006258.

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Abstract:
Ce travail porte sur la caractérisation optique du silicium poreux et son application à la réalisation de structures à modulation d'indice (superréseaux). Une première étude de la diffusion optique a montré l'homogénéité de ce matériau à l'échelle de la lumière, justifiant une description par un indice de réfraction moyen. Si la formation électrochimique du silicium poreux permet l'obtention de couches minces d'épaisseurs parfaitement définies, en revanche des fluctuations du front de dissolution entraînent une diffusion à l'interface silicium poreux/ silicium cristallin. Cet effet a nécessité
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Zelsmann, Marc. "Cristaux photoniques en silicium sur isolant pour le guidage, le filtrage, l'émission et l'éxtraction de lumière." Phd thesis, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00003731.

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Abstract:
Les cristaux photoniques sont des structures diélectriques périodiques. Ils permettent de contrôler la lumière en interdisant, par exemple, la propagation des photons dans certaines directions et pour certaines fréquences contenues dans ce que l'on appelle le gap photonique. De part leur compatibilité avec la filière silicium et leur relative simplicité de fabrication, les cristaux photoniques bidimensionnels réalisés sur substrats silicium-sur-isolant (SOI) sont particulièrement attractifs pour la fabrication de circuits intégrés photoniques et ils pourraient constituer la base des futures in
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