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Academic literature on the topic 'Épitaxie en phase liquide'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 25 May 2024

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Journal articles on the topic "Épitaxie en phase liquide"

1

Perotin, M., L. Gouskov, H. Luquet та ін. "Jonctions Ga0,96Al0,04Sb adaptées à la photodétection à 1,55 μm réalisées par épitaxie en phase liquide". Revue de Physique Appliquée 22, № 8 (1987): 935–38. http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01987002208093500.

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2

Karouta, F., H. Mani, J. Bhan, Fan Jia Hua, and A. Joullie. "Croissance par épitaxie en phase liquide et caractérisation d'alliages Ga1-xIoxAsySb1-y à paramètre de maille accordé sur celui de GaSb." Revue de Physique Appliquée 22, no. 11 (1987): 1459–67. http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:0198700220110145900.

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3

Benzaquen, M., D. Walsh, and J. Auclair. "Auto-épitaxie et propriétés d'As–Ga obtenu par épitaxie en phase vapeur à partir de composés organo-métalliques." Canadian Journal of Physics 63, no. 6 (1985): 732–35. http://dx.doi.org/10.1139/p85-116.

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Abstract:
Lightly compensated epitactic n-type GaAs is obtained by metal-organic vapour-phase epitaxy (MOVPE) with free-carrier concentration in the low 1015 cm−3 range and with good uniformity of both thickness and impurity concentrations over a 2-in.-diameter area (1 in. = 2.54 cm). Detailed Hall-effect and photoluminescence measurements are reported. At temperatures below 8 K, the conductivity is governed by variable-range hopping, clearly indicating a band of localized donor states. At higher impurity concentrations, a metallic contribution to the conductivity suggests a buildup of extended states near the middle of this band. These results are consistent with the observed photoluminescence.
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4

Hoffmann, Fabrice. "Chromatographie en phase liquide." Biofutur 1995, no. 149 (1995): 3–22. http://dx.doi.org/10.1016/s0294-3506(99)80210-5.

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5

Chaix, J. M. "Modélisation du frittage en phase liquide : densification." Revue de Métallurgie 90, no. 9 (1993): 1180. http://dx.doi.org/10.1051/metal/199390091180.

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6

Benítez, José Luis, and Gloria Del Angel. "Catalytic hydrodechlorination of chlorobenzene in liquide phase." Reaction Kinetics and Catalysis Letters 66, no. 1 (1999): 13–18. http://dx.doi.org/10.1007/bf02475735.

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7

Rouchaud, J., and B. Lutète. "Oxydation En Phase Liquide Du 2,3-Diméthylbutane." Bulletin des Sociétés Chimiques Belges 77, no. 9-10 (2010): 467–71. http://dx.doi.org/10.1002/bscb.19680770901.

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8

De Ruiter, E., and J. C. Jungers. "L'hydrogénation en phase liquide sur le nickel." Bulletin des Sociétés Chimiques Belges 58, no. 4-6 (2010): 210–46. http://dx.doi.org/10.1002/bscb.19490580408.

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9

Sauret, Alban, Guillaume Saingier, and Pierre Jop. "Érosion et accrétion de matériaux granulaires humides." Reflets de la physique, no. 64 (January 2020): 17–22. http://dx.doi.org/10.1051/refdp/202064017.

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Abstract:
Le comportement des matériaux granulaires humides hétérogènes, éléments incontournables de nombreux processus industriels et géophysiques, résiste encore à une modélisation complète. L’interaction des grains avec une phase liquide doit être éclaircie afin d’optimiser les procédés de mélange, notamment la dispersion des grains d’un agrégat cohésif. Modéliser ces interactions permettrait aussi de mieux décrire des éboulements granulaires dont les propriétés mécaniques évoluent avec des variations de teneur en liquide et de répartition spatiale. Des recherches actuelles se tournent vers la compréhension des échanges dans ces matériaux, pour isoler les mécanismes par lesquels des grains se mélangent à un liquide ou à une phase granulaire humide.
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10

Rasongles, P. "Test de Coombs en phase liquide en microplaque." Revue Française de Transfusion et d'Hémobiologie 33, no. 2 (1990): 137–40. http://dx.doi.org/10.1016/s1140-4639(05)80017-6.

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Dissertations / Theses on the topic "Épitaxie en phase liquide"

1

Rauf, Nurlaela. "Réalisation par épitaxie en phase liquide de couches de silicium sur substrats économiques pour applications photovoltaïques." Lyon, INSA, 1998. http://www.theses.fr/1998ISAL0073.

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Abstract:
L'objectif de ce mémoire est de démontrer que des cellules solaires basées sur des couches minces de silicium peuvent être produites sur des substrats céramiques à faible coût. L'épitaxie liquide permet de réaliser des couches de bonne qualité de façon rapide et économique. Dans les deux premières parties du travail cette méthode est décrite et adaptée à la réalisation de couches silicium d'épaisseur de quelques dizaines de microns. Les solvants (Ga0,9Al0,1 et Sn) sont sélectionnés avec une température de croissance inférieure à 900 °c. Afin de valider la méthode pour les applications photovoltaïques les premiers substrats choisis sont des plaquettes de silicium monocristallin. Les couches sont caractérisées électriquement (résistivité, longueur de diffusion des porteurs minoritaires et mobilité de conduction) et il montré que leur propriétés sont suffisantes pour des applications photovoltaïques. Après notre étude est étendu au cas des céramique : (i) SiAlON (fabriqué par ECN), et (ii) céramique d'alumine (fabriqué par GEMPPM). Dans ce travail, il apparaît qu'il est nécessaire de revêtir les substrats d'une couche mince de silicium par CVD afin de résoudre les problèmes de nucléation<br>The objective is demonstrating that some solar cells based on thin layer of silicon can be produced on a low cost ceramic substrate. The epitaxy phase liquid allows achieving the layer of good quality and economical way. In the first two parts of work this method is described and adapted to the realization of silicon layer of thickness of some ten of microns. The solvent (Ga0,9Al0,1 and Sn) is selected with a growth temperature smaller than 900 °C. In order to validate the method for the applications photovoltaics, the single-crystalline silicon substrate are chosen the first one. The layer are characterized (resistivity, minority carriers diffusion lengths, et mobility of conduction) and it shown that their properties are sufficient for some applications photovoltaic’s. Than our investigated to the case of the ceramics substrate: (i) SiAlON (made by ECN), and (ii) alumina (made by GEMPPM). In this work, it appears that it is necessary to clothe the ceramic substrate by a thin film of silicon by CVD in order to solve the problems of nucleation
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2

Ferah, Mohamed Salah. "Elaboration par épitaxie en phase liquide et caractérisation de l'alliage Cdₓ Hg₁-ₓTe 1,3 µm". Paris 7, 1985. http://www.theses.fr/1985PA077117.

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Abstract:
Revue générale des propriétés structurales, électroniques et électriques de Cdₓ Hg₁-ₓTe. Essai de calcul du diagramme de phase liquide-solide du système Cd-Hg-Te. Etude théorique de l'épitaxie en phase liquide. Description de l'élaboration des couches, du matériel et des procèdes utilises ainsi que de la phase croissance proprement dite. Caractérisation physique des couches et resultats relatifs aux diodes realisées
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3

Zerdoum, Rachid. "Etude et réalisation de photopiles Ga(1-y)Al(y)As par épitaxie en phase liquide." Lyon, INSA, 1987. http://www.theses.fr/1987ISAL0027.

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Abstract:
Ce travail se place dans la perspective de la conversion multispectrale sous rayonnement solaire concentré et son objectif principal concernait la réalisation par épitaxie en phase liquide ‘EPL) de photopiles en Ga(1-y)Al(y)As (pour y=-0. 2 et 0. 28) en vue de leur association avec des photopiles Si dans un système dichroïque. Nous avons aussi rélisé des photopiles Ga(0. 65)Al(0. 35)As por les cpouplage GaAs+Ga(0. 65)Al(0. 35)As. Les pricipauux aspects de ce tragail sont : - Modélisation du système Ga(1-y)Al(y)As/Si et optimisation de la photopile Ga(0. 8)Al(0. 2)As en faisant vairer ses différents paramètres, - élaboration par épitaxie en phase liquide des couches Ga(1-x)Al(x)As/Be et Ga(1-y)Al(y)As/Sn pour y=0. 2 et 0. 35 ; x varaible ou constant) et leur caractérisation, - élaboration de réalisation de sutructures photovoltaiques p. Ga(1-x)Al(x)as/p, Ga(1-y)Al(y)As/n, Ga(1-y)Al(y)Aset leur caractérisation électrique (lesure de la réponsespectrale, I(V) sous osnscurité et sous éclarage), - les meilleures performances de nos pohotpiles sous éclarage de 96. 3mw/cm² (AMI) avec couches anti-reflets sont : pour y=0. 2 Jcc= 15. 3mA/cm² Vco=l. 23V FF=0. 84 1ɳ=16. 5% ; pour y=0. 28 Jcc=16. 5mA/cm² Vco=l. 24 V FF=0. 81 ɳ=17. 2% ; pour y=O. 35 Jcc=l3mA/cm² Vco=l. 34 V FF=0. 84 ɳ=14. 7%
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4

Roux, Sylvie. "Isolation diélectrique des circuits intégrés de puissance par recristallisation en phase liquide." Toulouse, INSA, 2001. http://www.theses.fr/2001ISAT0039.

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Abstract:
Ces travaux s'insèrent dans le cadre de l'intégration des composants de puissance. En effet, le souci majeur de l'électronique de puissance est la cohabitation sur un même substrat de composants utilisant de forts courants et/ou de fortes tensions avec des composants petits signaux. Cette étude répond à un besoin de réduction du nombre de boîtiers électroniques, de la quantité de câbles de connexion et du coût de fabrication. Pour réaliser cette intégration nous avons étudié un substrat de silicium sur isolant qui, grâce à cette couche d'oxyde de silicium enterrée, permet d'obtenir une zone de silicium isolée du substrat initial. La principale caractéristique de la méthode de réalisation de ce substrat, retenue dans ces travaux, est l'emploi d'une couche d'oxyde enterré localisée. Cela signifie que la surface de la plaquette de silicium est couverte d'une alternance de substrat sur isolant et de substrat massif. La technique de réalisation du substrat de silicium sur isolant consiste à recristalliser en phase liquide une couche de silicium polycristalline sur oxyde à partir de zones de germe monocristallines. Après un bref état de l'art des différentes techniques de silicium sur isolant, nous abordons la description plus approfondie du procédé de réalisation de notre substrat de silicium sur oxyde. Enfin, une large place est accordée au développement technologique en salle blanche du LAAS/CNRS du procédé de préparation du substrat de silicium sur isolant et à la réalisation de composants. De nombreux résultats de caractérisations physiques et électriques de ce substrat sont présentés et analysés<br>This work takes part of the integration of power devices. Indeed, the main concern within the power electronics is the co-existence in the same substrate of devices using high currents and/or high voltages and of small signal devices. This study meets the need of dimensions shrinking, number of chips reduction, connectivity shrinking and cost reduction. To perform this integration we have chosen to study a silicon on insulator (SOI) substrate, which, due to this buried oxyde layer, allows to obtain a silicon area insulated from the bulk silicon. The method chosen to realize the SOI substrate has the advantage to perform a localized SOI layer. This means that the wafer surface is covered by alternately SOI layer and bulk silicon. To realize this localized SOI substrate, we are using a technique called LEGO for Lateral Epitaxial Growth over Oxide, which consists in the recrystallization in liquid phase of a polycrystalline silicon layer over oxyde beginning from monocystalline seed area. After the state of the art about the different SOI techniques, we present the description of the process for realizing SOI layers. Then, the technological part of the process is explained, whose development took place in the LAAS/CNRS clean room, in addition we present the realization of devices in SOI substrate. Some results of physical and electrical characterizations of the SOI substrate realized by LEGO are exposed and analysed
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Soumana, Hamadou. "Réalisation par épitaxie en phase liquide de photopiles performantes AlGaAs-GaAs à base de substrat polycristallin." Lyon, INSA, 1992. http://www.theses.fr/1992ISAL0091.

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Abstract:
Le travail présenté a pour objectif de montrer qu 'i l est possible d' obtenir des performances acceptables tout en réduisant le coût du dispositif en utilisant des substrats polycristallins brut de sciage. I. Es principales phases de ce travail sont : - Après un décapage chimique pendant 20mn à 25°C par une solution H2S04-H202-H20 : 5-1-1, une couche tampon n- GaAs dopée Sn est déposée par épitaxie en phase liquide sur le substrat du type n non dopé (ni&lt; 10exp16 cm-3). Puis une fenêtre mince graduelle est réalisée par contact isotherme entre un bain ternaire Ga-Al-As saturé en As, dopé au Be et la couche n-GaAs :Sn. La jonction p-n est créée dans la couche n-GaAS : Sn par diffusion du Be au cours de la croissance de la couche supérieure Gal-xAlxAs -Les opérations technologiques permettant la réalisation du composant photovoltaïque : métallisation, recuit thermique, gravure de la mésa, dépôt des couches anti reflets. - La caractérisation électrique des photopiles : mesure de la réponse spectrale I(V ) sous obscurité et sous éclairement. Les meilleurs résultats obtenus sous éclairement AM 1,5 (100mW/cm2) avec couches anti-reflets sont : *Cellule sans joint de grains J cc =26 mA/ cm2 V co =927 mV V FF=O, 78 Rt=18 , 8% *Cellule avec joint de grains J cc=25,7 mA/cm2 Vço=903mV FF=0,77 Rt=17,9% - L'effet des joints de grains et l'activité électrique des grains ont été étyudiés par LBIC et par cartographie de courant de court circuit et tension de circuit ouvert<br>In this work we show how the polycrystalline GaAs is a candidate for solar cells whose efficiency are comparable to single crystal solar cells and can be produced at law cost. The main phases of this work can be summarized as follow: - The as cut polycrystalline GaAs substrate non intentionally doped (&lt;10exp16cm-3) was etched by a (5-1-1) H2S04-H202-H20 solution during 20min at 25°C. A n-GaAs Sn doped buffer layer was realized by Liquid Phase Epitaxy (LPE) on the n-substrate. A thin graded Be doped Gal-xAlxAs window layer was deposited by isothermal LPE. During the contacting process, Be diffuses into the buffer layer to form the junction of the device. - The contacts were obtained by vacuum thermal evaporation followed by an annealing at 450°C during 3min. The device was achieved by deposition of an anti-reflexional (AR) coating. - The electrical characterization were performed showing typically internal quantum efficiency and a good efficiency under AM1,5 conditions with AR coating. *Cell without grain boundary: Jcc=26 mA/cm2 Voc=927mV FF=0,78 Ef=18,8% *Cell with grain boundary : Jcc=25,7 mA/cm2 Voc=903mV FF=0,77 Ef=17,9 % - The recombination properties at the grain boundaries were analysed by Light Beam Induced Current ( LBIC) mapping
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Jacquier, Christophe. "Nouvelles approches de la croissance épitaxiale de SiC : transport Chimique en Phase Vapeur (CVT) et techniques à partir d'une phase liquide Al-Si." Lyon 1, 2003. http://www.theses.fr/2003LYO10232.

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Abstract:
L'intérêt du carbure de silicium (SiC) pour la réalisation de dispositifs fortes puissances, hautes fréquences ou fonctionnant à haute température est indéniable. Afin de palier aux difficultés d'une technologie pas encore mature (qualité du matériaux, techniques de cristallogénèse), nous avons décidé de développer de nouvelles approches de croissance épitaxiale. Ainsi, nous avons étudié la croissance de SiC par Épitaxie en Phase Liquide (LPE) et mécanisme Vapeur-Liquide-Solide (VLS) dans des bains Al-Si. La réduction de la température de croissance par rapport à la CVD est importante. De plus, les couches sont fortement dopées p, paramètre intéressant pour la réalisation de dispositifs. En parallèle, le Transport Chimique en phase Vapeur (CVT) par l'oxygène a été exploré avec des résultats peu probants
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7

Abdo, Fatima. "Croissance de couches minces de silicium par épitaxie en phase liquide à basse température pour applications photovoltaïques." Lyon, INSA, 2007. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2007ISAL0015/these.pdf.

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Abstract:
Dans le cadre de cette thèse, nous présentons une voie économique, propre et innovante de réalisation de substrat de silicium en couche mince pour applications photovoltaïques. Elle est basée sur la croissance de couche par épitaxie en phase liquide à basse température sur substrats de silicium fragilisé par implantation ionique pour le détachement et le report sur substrats bas coûts. L’objectif de ce travail est de trouver les conditions expérimentales pour baisser la température d’épitaxie (&lt;800°C au lieu de 1050°C) tout en conservant une vitesse de croissance relativement élevée. Nous avons mis au point une méthode innovante qui consiste à utiliser deux bains différents : le premier contenant Al-Sn-Si permet de désoxyder la surface du substrat de silicium sans utiliser l’hydrogène et le second contenant Sn-Si permet la croissance d’une couche épaisse de silicium. Des couches uniformes de 15µm d’épaisseurs ont été obtenues après 3 heures de croissance. Des études thermodynamiques exploitant les diagrammes de phase de mélanges ternaires ou quaternaires ont été réalisées pour atteindre des vitesse de croissance élevées. Des alliages à base d’étain et de cuivre ont été sélectionnés, l’étain pour abaisser la température et le cuivre pour augmenter la solubilité du silicium. Des couches de 30µm ont été obtenues après 2 heures de croissance. Nous avons également montré que cette étape d’épitaxie pourrait être compatible avec la technologie de fragilisation par implantation ionique<br>In this thesis, we present an economic way for realization of silicon photovoltaic cells, based on the growth of the layers by low temperature liquid phase epitaxy on weakened silicon substrate (ion implanted layer) for detachment and transfer on economic substrate like ceramic. The objective of this work is to optimize this technology to low temperature of melts (800°C instead 1050°C) and by using a growth method with two different melts: one with Al-Si-Sn to remove native oxide and second one with pure Sn to grow the active layer. Uniform layers with 15µm of thickness were obtained after 3 hours of growth. Strategy to achieve two objectives cleaning without (H2) and thickness (30µm) consists to study thermodynamic properties of composition melts (ternary or quaternary systems). Alloys containing tin and copper were selected. Tin to decrease the temperature and copper to increase Si solubility. Layers with 30µm of thickness were obtained after 2 hours of growth. We also showed that this epitaxy could be compatible with weakened technology (ion implanted layer)
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Jaud, Alexandre. "Croissance homo-épitaxiale VLS et étude du dopage au magnésium de GaN pour la protection périphérique de composants de puissance." Thesis, Lyon, 2017. http://www.theses.fr/2017LYSE1181/document.

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Abstract:
Dans le contexte de la protection périphérique des composants de puissance en GaN, nous avons exploré une voie originale pour réaliser l'homo-épitaxie localisée de GaN de type p, reposant sur une approche Vapeur-Liquide-Solide (VLS). Le cycle de croissance comprend 3 étapes successives. Dans un premier temps, du Ga est déposé par MOCVD, formant un réseau de gouttelettes de diamètres submicrométriques. Puis, du Mg est incorporé aux gouttelettes à partir de la phase gazeuse, en utilisant le précurseur (MeCP)2Mg. Enfin, les gouttelettes de Ga-Mg sont nitrurées à 500-700°C sous un flux de NH3 dilué dans un gaz porteur. À l'issue d'un cycle complet de croissance, on obtient systématiquement un réseau de plots et/ou d'anneaux de GaN, bien séparés. L'augmentation de la teneur en Mg dans les gouttes favorise un mécanisme de croissance purement VLS, à l'interface Liq/Sol (formation de plots), plutôt qu'une croissance le long de la ligne triple (formation d'anneaux). Ces structures de GaN présentent un caractère homo-épitaxial, mais une plus forte défectuosité que leur germe. En utilisant une approche multi-cycles, nous avons pu élaborer des films de GaN:Mg présentant des concentrations en Mg très élevées, contrôlables entre 3.1019 cm-3 et 8.1021 cm-3. Cependant, de fortes concentrations en impuretés C, H et O ont également été détectées dans ces films. Diverses voies ont été explorées, sans succès, pour tenter de réduire la contamination en O, d'un niveau rédhibitoire pour l'obtention d'un dopage de type p. En pratique, les films de GaN:Mg obtenus apparaissent très conducteurs de type n, pour des dopages au Mg modérés, et semi-isolants aux plus forts dopages. Différents matériaux de masques ont été testés en vue de localiser la croissance<br>For peripheral protection of GaN power electronics devices, we have explored a new approach for performing localized homo-epitaxy of p-doped GaN, by implementing Vapor-Liquid-Solid (VLS) transport. The growth cycle includes three successive steps. At first, Ga is deposited onto the seed surface by MOCVD from TEG, resulting in an array of Ga droplets with submicrometric diameters. Then, Mg is incorporated into the droplets from the gas phase, using (MeCP)2Mg precursor. In the last step, Ga-Mg droplets are nitridated at 500-700°C in flowing ammonia diluted in a carrier gas.After one complete growth cycle, a network of well separated submicrometric GaN dots or ring-shaped features is systematically obtained. Increasing the Mg incorporation into the droplets drastically influences the growth mode, promoting a pure VLS growth mechanism, at the Liquid/Solid interface, versus growth at the triple line. Such GaN structures show a homo-epitaxial relationship with the seed, but a higher crystalline imperfection. Using a multi-cycles approach, GaN films could be obtained, with very high Mg concentrations tunable from 3.1019 to 8.1021 cm-3. Nevertheless, O, C and H impurities are also incorporated at high levels. Various approaches have been vainly investigated to try reducing O contamination level, prohibitive for obtaining p-type material. Actually, as-grown GaN:Mg films are n-type and highly conductive, for moderate Mg concentrations, and become semi-insulating at highest doping levels. Various masking materials have been tested for growth localization purpose
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Fave, Alain. "Etude et réalisation par épitaxie en phase liquide de convertisseurs photovoltaïques de puissance en GaAs pour la télé-alimentation." Lyon, INSA, 1996. http://www.theses.fr/1996ISAL0082.

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Abstract:
Les cellules photovoltaïques en GaAs se développent selon 3 axes : le spatial, la concentration solaire et la télé-alimentation, sujet de notre étude. Ce travail avait pour but de démontrer la faisabilité d'un récepteur photovoltaïque pouvant convertir plusieurs watts à partir de l'énergie lumineuse d'une diode laser émettant à 814 nm. Nous définissons tout d'abord la structure utilisée: une cellule Ga1-xA1xAs / GaAs - élaborée par épitaxie en phase liquide. Nous décrivons les différents paramètres technologiques à optimiser: notre attention s'est particulièrement attachée au dépôt d'une simple couche anti-reflets optimisée pour la longueur d'onde étudiée. Enfin, les résultats des caractérisations des cellules sont présentés: l'amélioration du rendement quantique externe à 814 nm obtenue grâce à notre optimisation la couche anti-reflets, les bonnes caractéristiques sous obscurité. Nos cellules ont présentées un rendement de conversion maximal de 23 % sous illumination solaire concentrée et proches de 50 % sous illumination monochromatique à 814 nm<br>Transmission of electrical power under optical form is of increasing interest. This work describes efforts to develop of simple structure of GaAs solar cells for coupling ta 814 nm laser beam. The fabrication technology developed for high efficiency solar cells can be used directly for the monochromatic applications. The cell is a p-Ga1-xA1xAs/p-GaAs/n-GaAs structure grown by liquid phase epitaxy. We describe the various parameters that we had to optimize, above all the anti-reflection layer. We report conversion efficiencies near to 50% under the 814 nm monochromatic illumination
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Kim-Hak, Olivier. "Étude de la nucléation du SiC cubique sur substrats de SiC hexagonaux à partir d’une phase liquide Si-Ge." Thesis, Lyon 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LYO10140.

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Abstract:
L'objectif de ce travail était de comprendre les mécanismes menant à la formation de SiC-3C sur substrats de SiC hexagonaux lors de la croissance par mécanisme Vapeur-Liquide-Solide (VLS) à partir d'une phase liquide Si-Ge. Notre étude s'est concentrée sur les premiers instants de l'interaction liquide/SiC, c'est-a-dire sans ajout de phase gazeuse réactive (propane). Nous avons montré qu'il se formait très rapidement des îlots de SiC-3C à la surface des germes. L'étude en fonction de divers paramètres (température et durée de plateau, vitesse de chauffage, nature du germe) a permis de mettre en évidence l'influence prononcée du creuset en graphite dans lequel est confinée la réaction. Les observations expérimentales associées à des calculs thermodynamiques ont permis de montrer que l'étape prépondérante, pour la formation du 3C, est sans doute la réaction transitoire entre un liquide très riche en germanium et le germe de SiC. Des considérations d'ordre cinétiques sont cependant à prendre en compte pour expliquer le caractère hors équilibre de la réaction<br>The aim of this work was to understand the mechanisms that lead to the 3C-SiC formation on hexagonal SiC substrates during the Vapor-Liquid-Solid (VLS) growth from a Si-Ge liquid phase. Our study focused on the early stages of the liquid/SiC interaction, i.e. without reactive gaseous phase (propane) addition. We have shown that 3C-SiC islands were very rapidly formed upon seeds surface. The study of several parameters (such as temperature and duration of the plateau, heating rate, nature of the seed) evidenced the huge influence of the graphite crucible that contains the reaction. Experimental observations combined with thermodynamic calculations show that the most important step for the 3C formation, is the transient reaction between a germanium very rich liquid and the SiC seed. Kinetic effects have to be taken into account to explain the out-of-equilibrium nature of the reaction
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Books on the topic "Épitaxie en phase liquide"

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C, Amatore, and Société française de chimie. Division de chimie physique., eds. Réactivité chimique en phase liquide: Rapport de prospective. SFC, Division de chimie physique, 1986.

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2

Canada. Ministère de l'environnement. Direction générale des eaux intérieures. Conception et Essai D'un Extracteur Liquide-Liquide Pour Phase Aqueuse (APLE) Servant A Déterminer Les Contaminants Organochlores. s.n, 1985.

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3

Elena, Katz, ed. High performance liquid chromatography: Principles and methods in biotechnology. Wiley, 1996.

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4

M, Smith Roger, and Royal Society of Chemistry (Great Britain), eds. Supercritical fluid chromatography. Royal Society of Chemistry, 1988.

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5

Aqueous two-phase partitioning: Physical chemistry and bioanalytical applications. M. Dekker, 1995.

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6

1953-, Garcia-Alvarez-Coque Celia, ed. Micellar liquid chromatography. Marcel Dekker, 2000.

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7

1941-, Lichtenthaler Ruediger N., and Azevedo, Edmundo Gomes de, 1949-, eds. Molecular thermodynamics of fluid-phase equilibria. 2nd ed. Prentice-Hall, 1986.

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8

1941-, Lichtenthaler Ruediger N., and Azevedo, Edmundo Gomes de, 1949-, eds. Molecular thermodynamics of fluid-phase equilibria. 3rd ed. Prentice Hall PTR, 1999.

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9

Liquid chromatography for the analyst. Marcel Dekker, 1994.

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10

L, Yergey Alfred, ed. Liquid chromatography/mass spectrometry: Techniques and applications. Plenum Press, 1990.

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Conference papers on the topic "Épitaxie en phase liquide"

1

Garandet, Jean-Paul. "Croissance cristalline en phase liquide : éléments théoriques." In Élaboration et caractérisation des cristaux massifs et en couches minces pour l'optique. EDP Sciences, 2003. http://dx.doi.org/10.1051/bib-sfo:2002809.

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2

Leguay, P. M., B. Chimier, P. Combis, et al. "Dynamique ultra-rapide de la transition de phase solide-liquide-vapeur par spectroscopie XANES résolue en temps." In UVX 2012 - 11e Colloque sur les Sources Cohérentes et Incohérentes UV, VUV et X ; Applications et Développements Récents, edited by E. Constant, P. Martin, and H. Bachau. EDP Sciences, 2013. http://dx.doi.org/10.1051/uvx/201301005.

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3

Gellee, T., and B. Philippe. "Utilisation combinée des biomatériaux xénogéniques et d’os autologue en chirurgie reconstructrice préimplantaire : Réflexions à propos de quatre indications méconnues." In 66ème Congrès de la SFCO. EDP Sciences, 2020. http://dx.doi.org/10.1051/sfco/20206602008.

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Abstract:
Introduction : Les comblements sous-sinusiens et les ROG représentent les indications principales des biomatériaux de substitution xénogénique en Chirurgie Reconstructrice Pré-Implantaire. D’autres indications moins répandues nous paraissent devoir être présentées, en particulier la prévention de la résorption centripète et l’harmonisation des contours squelettiques des greffes d’apposition d’os autologue, les coffrages et les comblements étendus ainsi que la gestion des résorptions tardives de certaines greffes d’appositions. L’objectif de cette communication consiste à présenter ces situations cliniques rarement décrites mais dont la prise en charge raisonnée mérite d’être connue afin de mieux répondre aux besoins des patients. Matériel et méthode : Cinq dossiers représentatifs de ces indications sont exposés. Les problématiques rencontrées, les moyens mis en œuvre comme les résultats cliniques et radiographiques sont abordés. Discussion : Les cas étudiés illustrent les raisons pour lesquelles l’utilisation conjointe des biomatériaux xénogènes et de l’os autogène trouve son indication. L’Os xénogénique ostéo-conducteur participe au maintien des volumes et à lobtention d’une densité é levée au sein des reconstructions. L’Os autogène ostéo-conducteur, ostéo- inducteur et ostéogénique permet dans sa forme massive la réalisation de reconstructions bi ou tridimensionnelles étendues. Les membranes xénogéniques permettent de maintenir l’équilibre dans la compétition de l’intégration entre les tissus durs et les tissus mous. L’adjonction de concentrés plaquettaires prélevés en phase liquide et mélangés à la thrombine activée assure si nécessaire l’aggrégation des granules calcifiés d’os xénogénique. Conclusion : L’utilisation combinée des biomatériaux de substitution xénogéniques avec l’os autogène constitue une aide significative dans la prise en charge de certaines reconstructions pré-implantaires complexes. La stabilité des reconstructions dans leur forme et dans le temps comme l’augmentation de la densité offerte aux implants constituent les principaux avantages attendus. Liens dintérêt : Aucun
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