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  1. Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Epitaxie van der Waals'

Author: Grafiati
Published: 2 November 2024

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Dissertations / Theses on the topic "Epitaxie van der Waals"

1

Journot, Timotée. "Epitaxie van der Waals de GaN sur graphène pour des applications en photonique." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAI078/document.

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Abstract:
De par ses propriétés physiques remarquables, le GaN est un matériau très attrayant pour la fabrication de composants photoniques. Sa synthèse est en revanche très complexe et reste un obstacle à son utilisation. L’hétéroépitaxie est, pour l’heure, la technique de synthèse la plus employée mais l’absence de substrats cristallins aux propriétés proches de celles du GaN conduit à l’élaboration de couches minces épitaxiées très défectueuses. Bien que les dispositifs à base de GaN soient d’ores et déjà fonctionnels, une augmentation de la qualité cristalline du matériau permettra une amélioration
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Rudolph, Reiner. "Quasi-van der Waals-Epitaxie von GaSe auf Si und GaAs Struktur und elektronische Eigenschaften /." [S.l. : s.n.], 1999. http://www.diss.fu-berlin.de/1999/65/index.html.

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Marsden, Alexander J. "Van der Waals epitaxy in graphene heterostructures." Thesis, University of Warwick, 2015. http://wrap.warwick.ac.uk/77193/.

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Abstract:
Graphene — a two-dimensional sheet of carbon atoms — has surged into recent interest with its host of remarkable properties and its ultimate thinness. However, graphene combined with other materials is starting to attract more attention. These heterostructures can be important for production routes, incorporating graphene into existing technologies, or for modifying its intrinsic properties. This thesis aims to examine the role of van der Waals epitaxy within these heterostructures. First, the graphene-copper interaction during chemical vapour deposition of graphene is investigated. Graphene i
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4

Wisotzki, Elmar. "Quasi-van-der-Waals-Epitaxie von II-VI-Halbleitern auf Schichtgitterchalkogeniden und GaSe-terminierten Si(111)-Oberflächen." [S.l. : s.n.], 2002. http://elib.tu-darmstadt.de/diss/000330.

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5

Vergnaud, Céline. "Optimisation de la croissance de MoSe2 - WSe2 par épitaxie de Van der Waals pour la valleytronique." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. http://www.theses.fr/2020GRALY038.

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Abstract:
Cette thèse a pour objet l’optimisation de la croissance par épitaxie par jets moléculaires dans le régime de van der Waals de couches semi-conductrices bidimensionnelles (2D) de diséléniures de métaux de transition (MoSe2, WSe2) pour les études magnéto-optiques et électriques. Cette optimisation passe par l’amélioration de la qualité cristallographique des couches sur de grandes surfaces en ajustant les paramètres de croissances (température et flux). En particulier, la maîtrise de l’état de surface du substrat est déterminante sur les mécanismes de croissance de ces couches. L’élaboration de
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Duraz, Jules. "LEDs flexibles exploitant l'épitaxie van der Waals avec les semi-conducteurs nitrures : application aux implants cochléaires optiques." Electronic Thesis or Diss., université Paris-Saclay, 2024. http://www.theses.fr/2024UPAST101.

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Abstract:
Le développement de l'optogénétique ouvre un nouveau champ d'application aux sources lumineuses à base de semiconducteurs.Les LEDs à base de nitrure de gallium peuvent, par exemple, être employées dans la réalisation de prototypes d'implants pour restaurer l'audition.Des contraintes particulières apparaissent pour ces applications, avec notamment des critères spécifiques liés à l'émission devant être respectés pour des rayons de courbure de l'ordre du millimètre.L'objectif de cette thèse est de réaliser des LEDs flexibles pouvant atteindre ces rayons de courbure ainsi que de caractériser l'évo
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7

Sant, Roberto. "Exploration par rayonnement synchrotron X de la croissance et de la structure de dichalcogénures 2D." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAY075.

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Abstract:
Les dichalcogenures de métaux de transition bidimensionnels (2D) suscitent un grand intérêt pour des applications variées, principalement en optoelectronique. Toutefois, la faible compréhension des mécanismes liés à leur épitaxie, de leur microstructure et de la nature de leur interaction avec le substrat représentent encore des problèmes ouverts. Nous avons exploré un certain nombre de croissances épitaxiales des dichalcogenures 2D préparés par épitaxie à jets moléculaires sur des substrats différents. Nous en avons examiné la structure atomique et essayé d’en modifier certa
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8

Wagner, Christian. "Potential Energy Minimization as the Driving Force for Order and Disorder in Organic Layers." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2010. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-38242.

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Abstract:
The topic of this work is the structural characterization and theoretical modeling of organic single and heterolayers. The growth of sub-monolayers and monolayers (ML) of the two polycyclic aromatic hydrocarbons quaterrylene (QT) and hexa-peri-hexabenzocoronene (HBC) on Ag(111) and Au(111) was investigated. A transition from a disordered, isotropic phase to an ordered phase with increasing coverage was found. The lattice of the ordered phase turned out to be coverage dependent. The intermolecular potential was modeled including Coulomb and van der Waals interaction by a force-field approach. T
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9

Ben, Jabra Zouhour. "Study of new heterostructures : silicene on graphene." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2021. http://www.theses.fr/2021AIXM0583.

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Abstract:
Le but de ce travail est la croissance du silicène sur Gr. J'ai décrit le substrat en fonction des conditions d’élaboration par CVD. Lorsque la proportion de H2 est faible il est possible d’obtenir du Gr homogène sur couche tampon (BL) sur SiC. Le STM et LEED montrent la superposition de la maille du Gr et de la reconstruction de la BL représentatif du Gr épitaxié. Lorsque la proportion de H2 est élevée la couche de Gr obtenue est totalement hydrogénée. Ceci est un résultat nouveau car aucun procédé d’intercalation d’hydrogène n’avait permis jusqu’à présent d’hydrogéner totalement les échantil
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Bradford, Jonathan. "Growth and characterisation of two-dimensional materials and their heterostructures on sic." Thesis, Queensland University of Technology, 2019. https://eprints.qut.edu.au/134400/1/Jonathan_Bradford_Thesis.pdf.

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Abstract:
Atomically thin two-dimensional materials and their hybrids represent an elegant approach to designing and synthesizing functional nanomaterials and are expected to find applications across a broad range of new technologies. This project explored scalable synthesis of various two-dimensional layered materials and their hybrid counterparts on silicon carbide, an industrially relevant device substrate. It demonstrates the integration of graphene, hexagonal boron nitride and transition metal dichalcogenide layers which were characterised by high resolution scanning probe microscopy and electron s
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