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  1. Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'État amorphe hydrogéné'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 1 February 2022

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Dissertations / Theses on the topic "État amorphe hydrogéné"

1

Mawawa, Gabriel. "Étude du transport des charges dans le silicium amorphe hydrogéné à l'aide d'une technique de photoconductivité modulée à deux faisceaux." Paris 11, 1988. http://www.theses.fr/1988PA112303.

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Abstract:
Ce travail présente une étude des propriétés électriques et optiques du silicium amorphe hydrogené réalisée à l'aide d'une technique de photoconductivité modulée à deux faisceaux (P. M. D. F. ). La P. M. D. F. Utilise deux faisceaux de lumière. Un faisceau pompe stationnaire d'énergie supérieure au gap optique et un faisceau modulé monochromatique d'énergie variable. Le faisceau de pompe crée des électrons et des trous libres qui peuplent les états des bandes tandis-que le faisceau modulé induit une faible perturbation de l'état stationnaire créé par la pompe. L'expérience a révélé la présence de deux groupes d'électrons piégés dans le gap du silicium amorphe non dopé. Ces électrons piégés proviennent de la liaison brisée du silicium chargée négativement et de la queue de bande de conduction. Le quenching thermique est lié aux états pièges de la queue de bande de conduction et la position de son maximum dépend de l'état Staebler-Wronski de l'échantillon. A haute température, le transport électronique est assuré par la liaison brisée en revanche à basse température il est contrôlé par les électrons piégés dans la queue de bande de conduction. Enfin la mobilité alternative partielle associée à la queue de bande de conduction a une énergie d'activation qui est compatible aux mesures de temps de vol de Spear.
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2

Jousse, Didier. "Contribution à l'étude des états localisés et du dopage du silicium amorphe hydrogéné." Grenoble 1, 1986. http://www.theses.fr/1986GRE10123.

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Abstract:
Etude par photodeflection thermique, resonance paramagnetique electronique, absorption optique et mesures de la photoconductivite et de capacite de diode schottky. Identification de defauts diamagnetiques, associes a la presence de microcavites et des liaisons disponibles comme defauts principaux dans a-si:h non dope, les liaisons disponibles devenant dominantes dans le cas de dopage par b ou as; mise en evidence d'un elargissement de la queue de bande de valence pour des rapports dopant/silicium superieurs a 0,1%at; signature des niveaux de la liaison disponible
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3

Rerbal, Kamila. "Etats électroniques localisés dans a-Sil-xCx:H massif et poreux : Spectroscopie IR et photoluminescence." Palaiseau, Ecole polytechnique, 2004. http://www.theses.fr/2004EPXX0044.

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4

Sib, Jamal Dine. "Etude de la longueur de diffusion des trous et des états corrélés dans le silicium amorphe hydrogéné à partir de techniques de photoréponse spectrale sur des diodes Schottky et PIN." Rouen, 1993. http://www.theses.fr/1993ROUES021.

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5

Butté, Raphaël. "Étude des propriétés structurales, optoélectroniques et de la métastabilité d'un nouveau matériau : le silicium polymorphe hydrogéné." Lyon 1, 2000. http://www.theses.fr/2000LYO10138.

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Abstract:
Ce travail consistait à caractériser un nouveau matériau appelé silicium polymorphe hydrogéné (pm-Si:H) aux excellentes propriétés optoélectroniques et de transport comparé au silicium amorphe hydrogéné conventionnel (a-Si:H). Ce matériau est obtenu par PECVD à partir d'un mélange silane/hydrogène dans un régime proche de la formation des poudres. Nous avons comparé les propriétés de ce matériau à celles de films de a-Si:H standard optimisés. Ainsi, la photoconductivité normalisée du pm-Si:H est plus de deux ordres de grandeur (plus d'un ordre de grandeur) plus élevée que dans a-Si:H pour les films déposés à 250°C (150°C). Après dégradation sous lumière, la photoconductivité normalisée des films de pm-Si:H est aussi bonne que celle du a-Si:H dans son état non dégradé. La densité d'état au niveau de Ferni et la section efficace de capture des défauts sont respectivement 10 fois et 5 fois plus faible que dans le a-Si:H. Ainsi, l'amélioration de la photoconductivité normalisée résulte d'une augmentation de la durée de vie des porteurs. Des mesures du pouvoir thermoélectrique ont révélé que les électrons sont les porteurs majoritaires. L'analyse de mesures de conductivité et de pouvoir thermoélectrique suggère la présence de fluctuations de potentiels à longue portée importantes. L'analyse structurale de ces couches par MET et par spectroscopie Raman a révélé la présence de cristallites de silicium de l'ordre de 4nm isolées dans une matrice de silicium amorphe. Les mesures de spectroscopie optique indiquent que les couches de pm-Si:H présentent un ordre amélioré. La spectroscopie infrarouge a révélé une incorporation particulière de l'hydrogène (plaquette d'hydrogène et/ou hydrogène saturant la surface des cristallites). La diminution de la section efficace de capture des défauts s'expliquerait soit par un effet de confinement quantique (pour des liaisons pendantes situées en surface des cristallites) soit par la relaxation des contraintes dans la matrice amorphe.
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6

Mencaraglia, Denis. "Influence de l'hydrogène sur les propriétés de transport électronique, la densité et la cinétique des états profonds dans le silicium amorphe élaboré par pulvérisation cathodique." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066520.

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Abstract:
Effet de la pression du mélange gazeux de pulvérisation et plus particulièrement de la pression partielle d'hydrogène. Une étude préalable a montré que les traces de carbone et d'oxygène dans les échantillons ne masquaient pas l'effet principal. L'hydrogène a été dosé par réaction nucléaire. La spectrométrie IR a permis de déterminer que l'hydrogène était incorporé sous forme de liaisons Si-H isolées. Une influence importante de l'hydrogène sur la section efficace de capture des défauts profonds a été mise en évidence. Interprétation. Mise en évidence d'une transition entre deux modes de capture prévus par la théorie.
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7

Vignoli, Stéphane. "Contribution à l'étude des phénomènes de métastabilité dans le silicium amorphe hydrogéné intrinsèque : modélisation phénoménologique et application à un nouveau matériau obtenu par décomposition de mélanges silane-hélium assistée par plasma." Lyon 1, 1995. http://www.theses.fr/1995LYO10151.

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Abstract:
On etudie les phenomenes de metastabilite dans le silicium amorphe hydrogene (a-si:h) et notamment l'effet staebler-wronski qui consiste en la creation de defauts de coordination metastables sous lumiere. Un phenomene nouveau, a savoir la guerison de ces defauts par la lumiere, nous a amene a rediscuter les modeles phenomenologiques existants. Il est alors apparu necessaire de developper un nouveau modele. Ce dernier postule que la creation de defauts est due a la recombinaison de paires electrons-trous et que la guerison des defauts est causee par la capture de trous par ces memes defauts. Dans un second temps ce modele est applique aux resultats obtenus sur des films de a-si:h deposes dans de nouvelles conditions ; ce qui a servi de test pour valider notre modele. L'extension de l'etude a une large gamme de films a montre quele a-si:h optimal, i. E. Le plus stable sous illumination, etait obtenu a partir de melanges silane-helium a 350c
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8

Vergnat, Michel. "Hydrogénation d'alliages semi-conducteurs amorphes : Structure et propriétés électroniques des alliages amorphes hydrogènes SI::(1-X)SN::(X):H." Nancy 1, 1988. http://www.theses.fr/1988NAN10322.

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Abstract:
Les atomes d'hydrogène sont introduits dans les couches durant leur élaboration par évaporation. L'influence des paramètres de préparation est mise en évidence sur les propriétés physiques de couches de SI pur. Les alliages SI::(1-X)SN::(X) et SI::(1-X)SN::(X) : H peuvent être préparés à l'état amorphe dans une large gamme de compositions. Des études de diffraction électronique, de spectrométrie moessbauer et des mesures de densité massique montrent que ces alliages possèdent une structure tétraédrique. Cette méthode a également permis d'élaborer des multicouches SI/SI : H, de l'étain semiconducteur et de l'hydrure de titane
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9

Siefert, Jean-Marie. "Utilisation in-situ d'une sonde de Kelvin pour l'étude du dopage et des profils de potentiel dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si : H)." Paris 11, 1986. http://www.theses.fr/1986PA112162.

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Abstract:
Cette thèse montre comment des mesures in situ de potentiel de surface à l'aide d'une sonde de Kelvin, couplées au dépôt par plasma de silane de couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) permettent de déterminer la position du niveau de Fermi en fonction du dopage et les profils de potentiel présents aux abords des jonctions à base de a-Si:H. Les densités d'états localisés de volume et de surface sont déduites pour une large gamme de dopages au phosphore et au bore. La densité d'états profonds de volume est de l'ordre de 5x1016cm-3 dans les échantillons non dopés. Elle augmente avec le dopage. Une faible valeur de la densité d'états de surface est obtenue, de l'ordre de 5x1011 cm-2 eV-1, quel que soit le niveau de dopage. Cette valeur augmente, suite à divers traitements de surface (oxydation, plasma d'argon). L'étude des photovoltages spectroscopiques est également abordée, en particulier in situ. Il est montré que les zones de charge d'espace et la profondeur de pénétration des photons sont des éléments essentiels pour leur compréhension
This thesis shows how in situ surface potential measurements by means of a Kelvin probe, combined with the plasma deposition of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films, allow a determination of the Fermi level position as a function of doping and of the potential profiles at a-Si:H based junctions. The densities of bulk and surface localized states are deduced for large phosphorus and boron doping ranges. The density of deep bulk states is about 5x1016cm-3 in undoped samples, and it increases with doping. A low value cf the density of surface states is found, about 5x1011 cm-2 eV-1 independant of doping. This value increases, due to surface treatments (oxidation, argon plasma). Spectroscopic photovoltages are also studied, particularly in situ. It is shown that space charge layers and photons penetration depths are essential elements for their understanding
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10

Kleider, Jean-Paul. "Etude des centres profonds du silicium amorphe hydrogène a-Si:H par des mesures d'admittances de diodes Schottky : caractérisation d'interfaces SI::(X)-N::(1-X):H/A-SI:H sur des structures MIS." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066015.

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Abstract:
DDétermination des caractéristiques du silicium amorphe hydrogène par mesure et analyse des admittances de diodes Schottky fournies sur ce matériau: densité d'états en-dessous et au niveau de fermi avec section de capture efficace des électrons et énergie d'activation du matériel.
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