Academic literature on the topic 'État électronique interface'

Lorsque la Bibliographie d’études comparées des littératures canadienne, québécoise et étrangères / Bibliography of Comparative Studies in Canadian, Québec and Foreign Literatures (Bibliographie CCL) a été publiée en ligne pour la première fois, en 1995, à l’Université de Sherbrooke, les chercheurs n’étaient pas prêts à composer avec la technologie requise. Par conséquent, ses premières tentatives en ligne sont tombées à plat. Cet état de fait a toutefois changé, en 2002, lorsque la Bibliographie CCL permettait l’accès à ses données en utilisant un script PHP-MySQL et un serveur Apache Web, adoptant un modèle de recherche à code source libre (Open Source Initiative) et une nouvelle approche à la publication en ligne d’une bibliographie des Lettres. Depuis 2002, bien que la recherche soit restée la même, les procédures de travail et les méthodes de publications ont changé. Les chercheurs de la CCL développent maintenant leur bibliographie électroniquement en utilisant phpMyAdmin, une interface MySQL en ligne, éliminant ainsi des besoins technologiques considérables. La publication électronique offre aujourd’hui la possibilité d’utiliser MySQL pour la compilation des formats papier. Cet article se veut un rapport intérimaire et une exemplification Open Source de la transition de la copie papier vers l’électronique pour le projet de la CCL.

The purpose of this study was to examine the navigational patterns and text markings of electronic text readers when they interacted with electronic documents during an active reading process. The readings took place in two settings, private and document sharing, and the results provided us with user-navigational patterns taxonomy.Le but de cette étude était d’examiner les modèles de navigation et de marquage de textes électroniques des lecteurs lorsqu’ils interagissent avec les documents numériques pendant un processus de lecture active. Les séances de lecture ont eu lieu dans deux environnements, à l’aide de documents privés et partagés, et les résultats ont offert une taxinomie sur les modèles de navigation des utilisateurs.

On depose, par transport en phase vapeur sous pression reduite d'un plasma gazeux pcl#3+nh#3+h#2 active, des couches de nitrure de phosphore sur face (100) d'un substrat de inp massif ou epitaxie par omcvd. La spectroscopie des etats d'interface est faite sur des diodes au-(pn)-inp par analyse des courbes c-v et par transitoires de capacite (d. L. T. S. ). La distribution en u observee, avec deux maximas a e#c-0. 1 ev et a e#c-0. 7 ev est attribuee aux lacunes de phosphore. La localisation en energie des etats de symetrie a#1 et t#2 de la lacune v#p est calculee en liaisons fortes en utilisant un cluster de 17 atomes. L'accord avec les observations experimentales est satisfaisant

Les oxydes de métaux de transition (Ti, Fe, Mn, Cu, etc) présentent une multitude de fonctionnalités tout en cristallisant dans un nombre réduit de structures. C’est le cas par exemple dans la famille des pérovskites qui arborent de nombreux ordres électroniques (isolants, métaux, supraconducteurs) et magnétiques (ferro- et antiferromagnétiques). La compatibilité structurale de ces différents composés permet de les combiner au sein d'hétérostructures multifonctionnelles mais aussi, dans certains cas, de faire émerger de nouvelles propriétés aux interfaces. Un exemple typique découvert en 2004 est celui du gaz électronique bidimensionnel se formant à l'interface entre deux isolants de bande, LaAlO₃ et SrTiO₃ .S’inspirant de ce résultat majeur, ce travail de thèse a pour but de générer de nouvelles phases électroniques et magnétiques aux interfaces, non à partir d'isolants de bande mais d'isolants de Mott et d'isolants à transfert de charge. A l'interface entre ces deux types de composés, l’alignement de bande est rendu plus complexe par la présence de fortes corrélations électroniques.Ainsi, les reconstructions d’interface peuvent donner lieu à une déstabilisation de l'état fondamental, et à la génération de nouvelles phases magnétiques, conductrices ou supraconductrices absentes du diagramme de phase du matériau massif.Dans un premier temps, lors de ce travail nous avons synthétisé, par ablation laser pulsé des couches minces d'isolants de Mott, les titanates de terre-rare (RTiO₃ ). Nous avons caractérisé leurs propriétés magnétiques, optiques et électroniques.Dans un second temps, nous avons également optimisé des couches minces d’isolants à transfert de charge, les nickelates de terre-rare (RNiO₃ ). Nous avons étudié en détail l’effet du rayon ionique de la terre-rare sur la structure électronique à basse température de ces composés.Le cœur de ce travail de thèse a été l'étude des propriétés de l’interface formée par ces deux constituants via une combinaison de plusieurs techniques de spectroscopie (absorption de rayonnement synchrotron, XAS, dichroïsme linéaire et circulaire, XMCD, et spectroscopie de perte d’énergie, STEM-EELS) en lien avec des calculs ab-initio.Après avoir démontré l’apparition d’une nouvelle phase ferromagnétique dans les nickelates, nous discutons du rôle des corrélations dans les nickelates sur le transfert de charge et sur la reconstruction magnétique, observés à l’interface avec GdTiO₃ .Enfin, nous mettons en évidence la possibilité d’utiliser un paramètre de contrôle externe comme la lumière pour altérer le niveau de covalence dans les nickelates sans modifier la terre-rare. Ces résultats ouvrent la voie à de nouveaux dispositifs tirant partie du contrôle actif du niveau de covalence dans les isolants à transfert de charge
Transition metal oxides (Ti, Fe, Mn, Cu, etc.) display a multitude of features while crystallizing in a reduced number of structures. This is the case for example of perovskites which exhibit many electronic (insulators, metals, superconductors) and magnetic (ferro- and antiferromagnetic) orders. Their structural compatibility offers a unique playground for combining them in the search for new interfacial properties. A typical example discovered in 2004 is LaAlO₃ and SrTiO₃ whose interface reveals a high-mobility electron gas although the parent constituents are two conventional band insulators.Following-up on this major achievement, this thesis aims at generating new electronic interfacial phases, not from band insulators but rather from Mott and charge transfer insulators. At the interface between these types of compounds, band alignment is made more complex by the presence of strong correlations between electrons.Hence, interfacial reconstructions can destabilize the ground state, and generate new phases absent from the phase diagrams of the two building blocks.Initially, we synthetized, by pulsed laser deposition, a typical Mott insulator, rare earth titanates (RTiO₃ ) in the form of thin layers, which were optimized and characterized on different substrates.Secondly, we also grew charge transfer insulators, rare earth nickelates (RNiO₃ ). We specifically studied the effect of the ionic radius of the rare earth on the electronic structure of these compounds at low temperature.The core of this thesis is to study the interface formed by these two constituents via a combination of spectroscopic techniques (synchrotron radiation-based absorption, XAS, linear and circular dichroism XMCD and energy loss spectroscopy, STEM-EELS) in connection with ab-initio calculations.After demonstrating the emergence of a new ferromagnetic phase in nickelates, absent of the bulk phase diagram, we discuss in particular the role of correlations in nickelates on the charge transfer and magnetic reconstruction, observed at the interface with GdTiO₃ .Finally, we will propose a new external knob, light, to alter the level of covalence in nickelates without changing the rare earth. These results open the way for new devices taking advantage of the active control of the level of covalence in charge transfer insulators

On aborde 3 aspects : la passivation du phosphorure d'indium dans un plasma RF d'oxygène, la caractérisation électrique des structures MIS élaborées à l'aide des mesures (C-V), (G-V) et d'autres mesures de spectrométries de niveaux profonds (DLTS-DDLTS), et l'élaboration du schéma équivalent de la structure MIS

Dans cette thèse nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques d'interfaces intermétalliques par STM et photoémission résolue en angle. La première partie est dédiée à l'étude du splitting de spin-orbite (SSO) de l'état de Shockley dans l'interface Ag/Au(111). A 300 K la croissance de l'Ag s'effectue couche-par-couche, et un recuit à plus haute température active l'interdiffusion. Les mesures de photoémission, étayées par une modélisation de l'interface, montrent que le SSO est proportionnel aux quantités relatives d'Au et d'Ag sondées par la fonction d'onde de l'état de surface, confirmant le caractère majoritairement atomique du couplage spin-orbite dans ces états. La deuxième partie est dédiée à l'étude du Ce, épitaxié sur Sc(0001) pour tenter d'obtenir la phase a. Les mesures RHEED concluent à la phase g faiblement hybridée, qui présente toutefois en photoémission une bande dispersive intense au niveau de Fermi, issue d'un état de surface de symétrie d.

L'étude du mode de croissance des interfaces formées par des dépôts de cérium sur un substrat Fe (100) a permis de dégager deux comportements limites: à 650°C le fer et le cérium interdiffusent fortement pour former un compose épitaxie à valence intermédiaire de stœchiométrie proche de Ce2 Fe17. La surface est enrichie en cérium et présente une structure (2 2) R 45° par rapport à la maille du substrat. Pour des dépôts réalisés à température ambiante, la croissance du cérium s'effectue sans interdiffusion dans un mode couche par couche. Au cours de cette croissance, la première monocouche se développe avec une structure électronique trivalente et transite vers une phase valence intermédiaire fortement hybridée à partir de la formation de la seconde monocouche. Cette phase reste néanmoins limitée à deux ou trois monocouches et modifie les états du fer à l'interface. Enfin, les mesures d'absorption X et de dichroïsme circulaire magnétique réalisées aux seuils M4 et M5 du cérium dans les multicouches Ce/Fe ont montré l'existence d'un moment d'origine 4f sur le cérium. De plus, l'analyse du signal de dichroïsme à partir de calculs réalisés par F. De Groot a permis de montrer la nécessité de décrire l'état fondamental dans ses systèmes à partir d'un mélange des configurations j = 5/2 et j = 7/2

Ce travail est consacre aux problemes souleves par la caracterisation de l'activite electronique de l'interface si/sio#2 definie par la distribution des etats d'interface et par la vitesse de generation interfaciale mesurees sur les capacites, ou sur des transistors mos (utilises comme des diodes controlees par grille) qui constituent les composants principaux des puces test destinees a controler les differentes etapes de realisation d'un circuit integre. Cette caracterisation a ete effectuee sur des plaquettes de circuit integres pour lesquels, les courants de fuite en general et la generation interfaciale en particulier, doivent etre imperativement minimises

Dans cette thèse nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques d'interfaces intermétalliques par STM et photoémission résolue en angle. La première partie est dédiée à l'étude du splitting de spin-orbite (SSO) de l'état de Shockley dans l'interface Ag/Au(111). A 300 K la croissance de l'Ag s'effectue couche-par-couche, et un recuit à plus haute température active l'interdiffusion. Les mesures de photoémission, étayées par une modélisation de l'interface, montrent que le SSO est proportionnel aux quantités relatives d'Au et d'Ag sondées par la fonction d'onde de l'état de surface, confirmant le caractère majoritairement atomique du couplage spin-orbite dans ces états. La deuxième partie est dédiée à l'étude du Ce, épitaxié sur Sc(0001) pour tenter d'obtenir la phase a. Les mesures RHEED concluent à la phase g faiblement hybridée, qui présente toutefois en photoémission une bande dispersive intense au niveau de Fermi, issue d'un état de surface de symétrie d
In this thesis we have studied the structural and electronic properties of intermetallic interfaces by STM and angle-resolved photoemission (ARPES). In the first part we have studied the spin-orbit splitting (SOS) of the Shockley state in the Ag/Au(111) interface. Ag growth at 300 K follows a layer-by-layer mode, whereas annealing at higher temperatures leads to interdiffusion. ARPES measurements, supported by a modelisation of the interface, show that the SOS is proportional to the relative amounts of Au and Ag probed by the surface state wave function. This behaviour confirms the mainly atomic nature of the spin-orbit coupling in Shockley states. In the second part we have tried unsuccessfully to elaborate a strongly hybridized monocristalline a-Ce phase. RHEED measurements lead to the conclusion that the epitaxial film is in the weakly hybridized g phase, but ARPES measurements show a strong dispersive band near the Fermi level, arising from a surface state of d-symmetry

Les matériaux polymères sont largement utilisés en tant qu'isolants dans les domaines du génie électrique, de l'électronique de puissance et de la microélectronique. Ces diélectriques sont principalement en contact avec d'autres composants: avec des semi-conducteurs et des métaux dans les câbles haute tension, avec des substrats et d'autres diélectriques dans les systèmes multicouches. Ces interfaces sont omniprésentes, et contribuent à l'injection et l'accumulation de charges d'espace dans les diélectriques solides. D'autre part, au cours de leur vie, ils sont soumis à de nombreuses contraintes, de température, de champ. . . Ces contraintes peuvent conduire à la dégradation prématurée et à la rupture diélectrique du matériau par une distorsion du champ électrique, et conduire au dysfonctionnement du système. Des études antérieures, expérimentales et de simulations, ont montré l'importance des interfaces sur la génération de charges à l'intérieur du diélectrique, mais les approches théoriques comme la loi d'injection Schottky ne fournissent pas une description adéquate pour des courants expérimentaux. Aucune loi d'injection de charge ne permet actuellement de traduire ce qui est observé expérimentalement au niveau de la simulation. Cependant les recherches récentes montrent que les états de surface qui se forment à l'interface métal/isolant jouent un rôle important sur le comportement des diélectriques. L'injection de charges est principalement affectée par la nature du contact et des états de surface. Les états de surface sont principalement dus à des défauts chimiques, à savoir, des impuretés, des additifs et des antioxydants, ou physique comme la rugosité de surface, etc. Écouter Lire phonétiquement Dictionnaire - Afficher le dictionnaire abréviation Virginie. L'enjeu de ce travail est de comprendre les phénomènes en jeu à une interface métal/isolant, afin de les modéliser correctement. Ce travail est basé sur une approche duale modélisation et expérience. L'isolant retenu est ici est le polyéthylène basse densité (LDPE). Dans un premier temps, nous avons caractérisé expérimentalement des interfaces métal/isolant, grâce notamment aux mesures disponibles (mesures de charge d'espace, de courant de conduction, de luminescence, de profilomètrie. . . ). Dans un seconde temps, nous avons développé un modèle numérique capable de prendre en compte les états de surface. L'approche est originale, puisque l'étude porte sur l'injection et le transport de charges en tenant compte d'une distribution exponentielle des états d'énergie à l'interface
Due to their thermal, electrical or mechanical properties, solid organic dielectrics are more and more used in electronic, electrical and microelectronic domains. However, these dielectrics are mainly used in systems where they are in contact with other components: with semi-conducting screens in High Voltage cables, with substrates and other dielectrics in multi-layer systems, with micro or nano-particles of organic or inorganic materials. Interfaces exist in such systems and contribute to the space charge accumulation in solid dielectrics. This charge build-up can lead to dielectric breakdown, meaning the failure of the system. The major problem remains the physical description of these interfaces, as it is known that injection of charges from the interfaces is determinant in the charge generation and transport. Indeed, theoretical approaches like the Schottky injection law do not provide an adequate description of experimental currents in wide band gap insulations. Recently, surface states at the metal/organic interface were suggested as the source of additional energetic disorder, localized near the interface. Localized states at the interface are known to have a large impact on charge injection and extraction so a better understanding of the interface mechanisms is then necessary in order to develop an alternative model for charge injection. The aim of this work is to better understand the impact of the nature of the metal and of the surface topology on the charge generation at a metal/ dielectric interface. This work is based on a dual approach modeling and experience. The insulation used is here is the low density polyethylene (LDPE). First, we characterized experimentally metal / insulator interfaces thanks to the available measures (measures of space charge, current conduction, luminescence, profilometry. . . ). In a second step, we developed a numerical model capable of taking into account the surface states. The approach is original, because the study focuses on charge injection and transport with an exponential distribution of energy states at the interface

Nous avons mis au point un dispositif permettant d'élaborer des couches de SiO₂ à partir d'une phase gazeuse (C. V. D. ). Le procédé consiste à hydrolyser un composé halogéné (SiCl₄) par de la vapeur d'eau, au voisinage d'un substrat de silicium suivant la réaction : SiC1₄+ 2H₂0 -> Si0₂ + 4HC1. Les dépôts ont été réalisés essentiellement à température ambiante. L'influence des paramètres expérimentaux sur la cinétique de dépôt a été; étudiée. L'analyse physico-chimique des couches ainsi obtenues (ellipsométrie, Raman, Auger, décharge luminescente) nous a renseigné sur la nature des liaisons, la stœchiométrie et le profil des impuretés dans la couche. Après optimisation des paramètres, des structures MOS ont été réalisées pour étudier les défauts électriquement actifs dans l'oxyde et à l'interface Si-Si0₂. Par les méthodes classiques (C(V), G(V), I(V), C(ω,T), G(ω,T), nous avons évalué la densité d'états d'interface qui varie autour de 10¹¹ eV⁻¹ cm⁻² et les charges dans l'oxyde à 10¹² ch. /cm. L'influence de certains paramètres expérimentaux sur les propriétés électriques des structures MOS a été dégagée.

La spintronique classique utilise généralement des matériaux magnétiques pour produire un courant de spin à partir d’un courant de charge. Un autre moyen, plus récemment étudié, consiste à utiliser le couplage spin-orbite (SOC). Il permet de produire un courant de spin pur selon une direction transverse au courant de charge en tenant compte des principes de la mécanique quantique relativiste. Dans les matériaux à fort couplage spin-orbite, les courants de spin ainsi produits sont suffisamment importants pour imaginer les utiliser pour la commutation magnétique dans les dispositifs spintroniques. Le couplage spin-orbite, correspondant à une correction relativiste dans les équations du mouvement de l’électron, particule de spin 1/2, peut être grand dans des matériaux contenant des atomes lourds. Cela signifie qu’une conversion du courant de charge en courant de spin peut être obtenue en utilisant les propriétés de systèmes à fort SOC tel que le platine (Pt), le tungstène (W) ou le tantale (Ta), par exemple. Depuis peu, des systèmes électroniques bidimensionnels (2DEG), obtenus au niveau d’interfaces ou de surfaces particulières, ont démontré des propriétés permettant des effets d’inter-conversion particulièrement efficaces. En particulier des états Rashba ou des systèmes d’isolants topologiques, suscitent actuellement un fort engouement dans la communauté de la spintronique pour cette faculté d’inter-conversion spin-charge.Dans ce cadre particulier, depuis une dizaine d’années, les isolants topologiques ont été étudiés pour leurs propriétés électroniques non conventionnelles qui prennent racine dans la définition théorique de l’effet Hall quantique entier donnée par Thouless, ainsi que dans les travaux de Haldane dans le graphène et de Kane dans des systèmes semi-conducteurs à faible bande interdite pourvus d’un SOC fort. Ces systèmes 2D présentent des propriétés électriques intrigantes : ils sont isolants en volume et conducteurs en surface. Ces états de conductions sont pourvus d’une dispersion linéaire en énergie en fonction du vecteur d’onde k, comme dans le cas du graphène, avec une hélicité en spin déterminée.De nombreuses questions restent néanmoins ouvertes quant à la compréhension des mécanismes à l’origine de ces états de conduction en surface, mais également quant à la manière la plus simple de détecter ces états topologiques. En vue de leur intégration dans des dispositifs spintroniques et de la réalisation d’interface TI/Matériaux ferromagnétiques un certain nombre de questions se posent : comment préserver la nature des états topologiques à l’interface ? Quels matériaux utiliser et quelle est la nature atomique de l’interface (diffusion atomique) ? Quels sont les échanges électroniques à l’interface ? Etc.L’une des applications utilisant les propriétés des isolants topologiques, est d’utiliser les propriétés de conversion du courant de charge en courant de spin (et vice versa) afin de modifier ou commuter l’aimantation d’un élément ou mémoire ferromagnétique déposé directement (ou séparé par une couche tampon) sur le matériau topologique lui-même. Un tel système de bicouches ou multi-couches devrait être capable de s’intégrer dans une mémoire vive magnétique (MRAM) ou d’accroître le potentiel des disques électroniques (SSD) en raison du caractère permanent et non volatile de l’état d’aimantation du matériau. C’est dans ce cadre que s’inscrit cette thèse
Conventional spintronics generally uses magnetic materials to produce a spin current from a current of charge. Another means, more recently studied, is the use of spin-orbit coupling (SOC). It makes possible to produce a pure current of spin in a direction transverse to the charge current, taking into account the principles of relativistic quantum mechanics. In materials with strong spin-orbit coupling, the spin currents are large enough to imagine using them for magnetic switching in spintronic devices. The spin-orbit coupling, corresponding to a relativistic correction in the equations of motion of the electron, a spin 1/2 particle, can be large in materials containing heavy atoms. This means that a conversion from charge current to spin current can be obtained using the properties of SOC systems such as platinum (Pt), tungsten(W) or tantalum (Ta) for example. Recently 2 dimensionnal electronic gas (2DEG), obtained at particular interfaces or surfaces, have demonstrated properties allowing particularly effective inter-conversion effects. In particular Rashba states or topological insulator systems, are currently arousing a strong interest in the spintronics community for this faculty of spin-charge conversion.In this particular context, over the last ten years or so, topological insulators have been studied for their electronic properties which are rooted in the theoretical definition of the integer quantum Hall effect given by Thouless, as well as in the work of Haldane in graphene and Kane in low bandgap semiconductor systems with a strong SOC. These systems have intriguing electrical properties: they are insulating in volume and conductive on the surfaces. These conductivity states have a linear energy dispersion as a function of the k-wave vector, as in the case of the graphene, with a determined spin helicity.Nevertheless, many questions remain open as the understanding of the mechanisms at the origin of these states of surface conduction, but also as to the simplest way to detect these topological states. In order to integrate in spintronic devices and to realize TI/Ferromagnetic materials interface, a number of questions arise: how to preserve the nature of the topological states at the interface? What materials should be used and what is the atomic nature of the interface (inter-mixing) ? What are the electronic exchanges at the interface? Etc.One of the applications using the properties of topological insulators, is to use the conversion properties of the charge current to spin current in order to modify or switch the magnetization of a ferromagnetic element or memory deposited directly (or separated by a buffer layer) on the topological material itself. Such a two-layer system or multilayer should be capable of integration into a magnetic random access memory (MRAM) or of increasing the potential of disks (SSD) due to the permanent and non-volatile nature of the magnetisation state of the material. This is framework of this thesis