Log in

Relevant bibliographies by topics / Eterogiunzioni

Contents

Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Eterogiunzioni'

Author: Grafiati

Published: 9 March 2023

Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Eterogiunzioni.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Dissertations / Theses on the topic "Eterogiunzioni"

1

CIPRIANO, MARCOS LUIS ANTONIO. "Theoretical study of semiconductor heterojunctions for photo-and electro-catalysis." Doctoral thesis, Università degli Studi di Milano-Bicocca, 2022. http://hdl.handle.net/10281/374415.

Full text

Abstract:

La presente tesi è centrata sul trattamento computazionale di ossidi di metalli di transizione e semiconduttori classici. L'interesse per questi materiali è dovuto alle loro proprietà elettroniche, ottiche e magnetiche e alla loro vasta gamma di applicazioni nella catalisi, nei dispositivi elettronici e nella foto ed elettrocatalisi. Una delle proprietà fondamentali di questi materiali è il gap di banda, che determina le proprietà ottiche, elettriche e chimiche. Da un punto di vista teorico, la metodologia più utilizzata per descrivere il gap di banda di questi materiali è la teoria funzionale

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Poletti, Andrea. "Simulazione numerica di celle solari in silicio ad eterogiunzione ad un sole e in concentrazione." Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2014. http://amslaurea.unibo.it/6857/.

Full text

Abstract:

Il lavoro di tesi ha come obiettivo lo studio e lo sviluppo tramite simulazioni numeriche di due celle in silicio ad eterogiunzione, una con parametri forniti dal CNR (Comitato Nazionale delle Ricerche) ed un’altra di tipo HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin-layer). Lo studio e lo sviluppo delle due celle sono stati effettuati mediante un flusso TCAD il quale permette una maggiore flessibilità e completezza nella descrizione dei modelli fisici ed elettrici.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Veronesi, Michele. "Studio di proprieta ottiche di SiON con simulazioni software." Bachelor's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2014. http://amslaurea.unibo.it/7778/.

Full text

Abstract:

Il concetto di cella a eterogiunzione in silicio ha portato allo sviluppo di dispositivi in grado di convertire oltre il 25% dello spettro solare. Il raggiungimento di alte efficienze di conversione è dovuto alla ricerca nel campo dei vari strati a base di silicio cristallino, amorfo e nanocristallino impiegati per formare le giunzioni. In particolare, lo studio e l’ottimizzazione dello strato di emettitore in silicio amorfo o nanocristallino insieme all’inserimento di uno strato amorfo intrinseco passivante, ha permesso la realizzazione di celle con alte tensioni di circuito aperto. Questi ma

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

Vecchi, Pierpaolo. "Caratterizzazione elettrica e spettroscopia superficiale di film sottili a base di silicio." Bachelor's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2018. http://amslaurea.unibo.it/16338/.

Full text

Abstract:

Questa tesi presenta la misura di proprietà elettriche e ottiche di film sottili a base di Si, in particolare ossinitruri di silicio (a-SiOxNy) e ossidi di silicio (a-SiOx) sub-stechiometrici. Questi materiali trovano applicazione nelle celle solari ad eterogiunzione in Si con due funzioni: strato passivante e contatto elettrico. Il silicio amorfo idrogenato, sia intrinseco che drogato, utilizzato finora per buffer layer ed emettitore, presenta assorbimento parassita della luce, ma l'introduzione di carbonio, azoto e/o ossigeno amplia il bandgap del materiale e ostacola la fotogenerazione di

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

Fazio, Maria Antonietta. "Nano-scale morphological and electrical characterization of nc-SiOxNy thin layers for photovoltaic applications." Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2015. http://amslaurea.unibo.it/9323/.

Full text

Abstract:

Il presente lavoro di tesi propone uno studio approfondito di proprietà morfologiche e di trasporto di carica di film sottili di SiOxNy amorfi (a-SiOxNy) e nanocristallini (nc-SiOxNy), che trovano importanti applicazioni in celle fotovoltaiche ad eterogiunzione in silicio, ad alta efficienza. Lo studio è condotto mediante caratterizzazione elettrica e morfologica attraverso tecniche di microscopia a forza atomica (AFM). Sono stati studiati campioni di a-SiOxNy cresciuti con tecnica PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), in cui è stata variata unicamente la distanza tra gli elettro

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

6

Paltrinieri, Tommaso. "Generazione di fotocorrente all'interfaccia semiconduttore organico-elettrolita per future applicazioni optobioelettroniche." Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2019. http://amslaurea.unibo.it/18131/.

Full text

Abstract:

Negli ultimi anni si è fortemente approfondita la ricerca per la realizzazione di protesi retiniche per ripristinare artificialmente la vista in pazienti ipo-vedenti o che soffrono di cecità causata da disfunzioni degenerative della retina. In tali dispositivi il componente principale risulta essere lo strato optobioelettronico che, quando è soggetto a illuminazione, produce impulsi di corrente ionica sufficienti ad attivare i neuroni limitrofi e produrre un segnale nella corteccia visiva. Risulta dunque necessario investigare in modo approfondito i processi optobioelettronici all’interfaccia

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

7

Jacquet, Thomas. "Reliability of SiGe, C HBTs operating at 500 GHz : characterization and modeling." Thesis, Bordeaux, 2016. http://www.theses.fr/2016BORD0354/document.

Full text

Abstract:

Le sujet de cette thèse est l’analyse de la fiabilité des transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C et descircuits intégrés associés. Dans ce but, un modèle compact prenant en compte l’évolution des caractéristiquesdes transistors SiGe:C a été développé. Ce modèle intègre les lois de vieillissement des mécanismes dedéfaillance des transistors identifiés lors des tests de vieillissement. Grâce aux simulations physiques TCADcomplétées par une analyse du bruit basses fréquences, deux mécanismes de dégradations ont été localisés. Eneffet, selon les conditions de polarisation, des porteurs cha

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!