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Dissertations / Theses on the topic 'Fuite de courant'

Author: Grafiati
Published: 25 May 2024

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1

GUICHARDON, ANTOINE. "Caracterisation et modelisation du courant de fuite d'un laser ingaasp/inp a ruban enterre." Paris 11, 1995. http://www.theses.fr/1995PA112238.

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Abstract:
Cette these expose une analyse electrique des composants laser a semi-conducteur basee sur le calcul a 2d de la repartition du courant dans la structure a l'aide d'un outil de resolution numerique par elements finis. La modelisation du composant a partir de la description de la structure reelle s'appuie sur l'etude prealable des differentes regions elementaires caracterisees et modelisees independamment. Cette approche est appliquee au laser ingaasp/inp brs dans le cadre de l'optimisation de ses performances statiques. Des caracterisations i(v) sont tout d'abord effectuees sur des diodes test
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Hourani, Wael. "Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélectronique." Phd thesis, INSA de Lyon, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00952841.

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Abstract:
La miniaturisation de la structure de transistor MOS a conduit à l'amincissement de l'oxyde de grille. Ainsi, la dégradation et le claquage sous contrainte électrique est devenu l'un des problèmes de fiabilité les plus importants des couches minces d'oxydes. L'utilisation de techniques de caractérisation permettant de mesurer les courants de fuite avec une résolution spatiale nanométrique a montré que le phénomène de claquage des oxydes est un phénomène très localisé. Le diamètre des "points chauds", des endroits où le courant de fuite est très élevé pour une tension appliquée continue, peut-ê
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3

Oudwan, Maher. "Etude des propriétés des transistors en couches minces à base de silicium microcristallin pour des applications d'écran plats à matrice active." Grenoble INPG, 2007. http://www.theses.fr/2007INPG0128.

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Abstract:
Ce travail a pour but d'étudier les mécanismes du courant de drain en régime bloqué dans les transistors en couches minces (TFT) à base de silicium microcristallin (~c-Si:H), ainsi que ceux de la dérive de la tension de seuil. Pour cela nous avons fabriqué des TFT en ~c-Si:H. Nous avons déterminé les mécanismes du courant en régime bloqué pour les champs électriques modérés: il s'agit de la :onduction de type Poole Frenkel, et pour les forts champs, c'est un courant de type effet tunnel bande 3 bande. Nous avons identifié un phénomène de courant parasite en régime bloqué qui s'ajoute au :ouran
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Nsoumbi, Michèle. "Etude des mécanismes d'inflammation d'un matériau isolant en présence d'un point chaud d'origine électrique." Paris 11, 2010. http://www.theses.fr/2010PA112346.

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Abstract:
Dans un objectif de prévention de défaillances sévères susceptibles de conduire à un amorçage de feu sur circuits imprimés, l'évolution rapide d'un défaut d'origine thermique sur un circuit de type FR-4 a été étudiée. Une étude préliminaire des caractéristiques électrique et chimique du matériau a été effectuée en fonction de la température. La défaillance a été modélisée par une surintensité contrôlée localisée au niveau d'un défaut de géométrie imposée. Les expériences ont été conduites jusqu'à rupture de la piste aboutissant ou non à un départ de feu. Le courant de fuite circulant dans le s
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Burignat, Stéphane. "Mécanismes de transport, courants de fuite ultra-faibles et rétention dans les mémoires non volatiles à grille flottante." Phd thesis, INSA de Lyon, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00143276.

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Abstract:
Le marché des mémoires non volatiles à grille flottante connaît actuellement un essor considérable du fait de leur utilisation croissante dans tous les domaines d'applications de l'électronique et par conséquent dans de très nombreux secteurs industriels. Cependant ces dispositifs mémoires se heurtent aujourd'hui à une limite technologique liée à l'impossibilité de réduire l'épaisseur de la couche d'oxyde tunnel SiO$_{2}$ qui isole la grille flottante contenant l'information. En effet, en deçà d'une épaisseur critique de l'ordre de $7\,nm$, l'oxyde tunnel est le siège de courants de fuite indu
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Ruat, Marie. "Etude des mécanismes de viellissement [i. E. Vieillissement] sous contrainte électrique des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées." Grenoble INPG, 2006. http://www.theses.fr/2006INPG0157.

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Abstract:
Le vieillissement de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées a été étudié, et ce pour les trois modes de dégradation connus du transistor bipolaire, correspondant à une polarisation du transistor en inverse, en direct et en «mixed-mode». L'effet de ces contraintes sur les caractéristiques électriques du transistor bipolaire, et en particulier sur le courant base, est unique quel que soit le mode de dégradation déclenché, avec l'apparition d'un courant base de génération-recombinaison issu de défauts d'interface Si/Si02 créés par des porteurs chaud
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Conrad, Joël. "Modélisation d'un transformateur de courant à charge variable." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0171.

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Abstract:
Les transformateurs de courant débitent généralement dans une charge de faible impédance. Si cette condition n'est pas remplie, l'induction dans le tore et le courant magnétisant ne sont plus négligeables. Ce mémoire traite ce cas de figure avec en plus des courants éventuellement non sinusordaux et avec une composante contin!le. Un modèle analytique s'étoffe au fur et à mesure afin de tenir compte de ces spécificités. - D'abord nous analysons le comportement de la chaîne de mesure avec des courants sinusoidaux, nous développons un modèle analytique non linéaire de l'impédance magnétisante et
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Dhahbi, Megriche Nabila. "Modélisation dynamique des décharges sur les surfaces d'isolateurs pollués sous différentes formes de tension: élaboration d'un critère analytique de propagation." Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 1998. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00403371.

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Abstract:
Ce travail présente un modèle de décharge permettant de prédire le comportement d'un isolateur pollué soumis à différents types de tensions. Ce modèle est basé sur des considérations énergétiques et utilise les caractéristiques physiques de l'arc ainsi qu'un circuit électrique équivalent. Un nouveau critère analytique de propagation de la décharge faisant intervenir l'impédance équivalente d'un circuit électrique simulant un isolateur pollué sur lequel une décharge s'est produite, est présenté. <br />Pour tenir compte de l'évolution du phénomène de propagation de la décharge dans le temps, un
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Verriere, Virginie. "Analyse électrique de diélectriques SiOCH poreux pour évaluer la fiabilité des interconnexions avancées." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00593515.

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Abstract:
Avec la miniaturisation des circuits intégrés, le délai de transmission dû aux interconnexions a fortement augmenté. Pour limiter cet effet parasite, le SiO2 intégré en tant qu'isolant entre les lignes métalliques a été remplacé par des matériaux diélectriques à plus faible permittivité diélectrique dits Low-κ. La principale approche pour élaborer ces matériaux est de diminuer la densité en incorporant de la porosité dans des matériaux à base de SiOCH. L'introduction de ces matériaux peu denses a cependant diminué la fiabilité : sous tension, le diélectrique SiOCH poreux est traversé par des c
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Meghnefi, Fethi. "Étude temporelle et fréquentielle du courant de fuite des isolateurs de poste recouverts de glace en vue du développement d'un système de surveillance et de prédiction en temps réel du contournement électrique /." Thèse, Chicoutimi : Université du Québec à Chicoutimi, 2007. http://theses.uqac.ca.

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Abstract:
Thèse (D.Eng.) -- Université du Québec à Chicoutimi, 2007.<br>La p. de t. porte en outre: Thèse présentée à l'Université du Québec à Chicoutimi comme exigence partielle du doctorat en ingénierie. CaQQUQ Bibliogr.: f. 235-244. Document électronique également accessible en format PDF. CaQQUQ
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Bouasse, Malik. "Mise en place d’un modèle cellulaire permettant l’exploration fonctionnelle du canal ionique NALCN : caractérisation du courant de fuite induit par le canal humain NALCN et de différents mutants rencontrés dans un contexte pathologique." Thesis, Montpellier, 2017. http://www.theses.fr/2017MONTT026.

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Abstract:
L'activité électrique des neurones dépend de la l’expression et de l'activité des canaux ioniques, dont le canal de fuite de sodique récemment décrit, appelé NALCN. Dans les neurones, NALCN est un canal activé par un récepteur couplé aux protéines G qui conduit un courant de fuite de sodium résistant à la TTX et résistant à Cs + et contribue à la mise en place du potentiel de la membrane du repos. Chez l'homme, des mutations récessives et dominantes de NALCN ont récemment été décrites dans des troubles neurologiques complexes tels que la Dystrophie Neuroaxonale Infantile (syndrome INAD) et l'A
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Chery, Emmanuel. "Fiabilité des diélectriques low-k SiOCH poreux dans les interconnexions CMOS avancées." Phd thesis, Université de Grenoble, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01063862.

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Abstract:
Avec la miniaturisation continue des circuits intégrés et le remplacement de l'oxyde de silicium par des diélectriques low-k poreux à base de SiOCH, la fiabilité des circuits microélectroniques a été fortement compromise. Il est aujourd'hui extrêmement important de mieux appréhender les mécanismes de dégradation au sein de ces matériaux afin de réaliser une estimation précise de leur durée de vie. Dans ce contexte, ces travaux de thèse ont consisté à étudier les mécanismes de dégradation au sein du diélectrique afin de proposer un modèle de durée de vie plus pertinent. Par une étude statistiqu
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Pedroli, Francesco. "Dielectric strength and leakage current : From synthesis to processing optimization." Thesis, Lyon, 2020. http://www.theses.fr/2020LYSEI014.

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Abstract:
Les polymères électro-actifs (EAP) tels que le P (VDF-TrFE-CTFE) se sont révélés très prometteurs dans le domaine des capteurs et actionneurs flexibles. Les avantages de l'utilisation des PAE pour les appareils électriques intelligents sont dus à leur faible coût, leurs propriétés élastiques, leur faible densité et leur capacité à être fabriqués en différentes formes et épaisseurs. Au cours des années précédentes, le terpolymère P (VDF-TrFE-CTFE) a attiré de nombreux chercheurs en raison de sa propriété ferroélectrique relaxante qui présente des phénomènes d'électrostriction élevés. Malgré leu
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Le, Roch Alexandre. "Analyse de l’augmentation et de la fluctuation discrète du courant d’obscurité des imageurs CMOS dans les environnements radiatifs spatiaux et nucléaires." Thesis, Toulouse, ISAE, 2020. http://www.theses.fr/2020ESAE0018.

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Abstract:
Inspirés des technologies microélectroniques CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), les capteurs d’images CMOS sont largement utilisés dans de nombreuses applications grand public et prédominent sur le marché commercial des caméras intégrées. Au cours de la dernière décennie, de nombreuses avancées technologiques ont permis au capteur d’image CMOS d’atteindre d’excellentes performances ainsi qu’une faible consommation d’énergie. Par conséquent, ces imageurs deviennent des candidats essentiels pour un nombre croissant d’applications spatiales et nucléaires. Cependant, le comportement d
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Arnolda, Pierre. "Lacréation de défauts de déplacements atomiques dans le silicium et son impact sur les composants électroniques à applications spatiales." Toulouse, ISAE, 2011. http://www.theses.fr/2011ESAE0016.

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Abstract:
L'environnement spatial est constitué de particules énergétiques comme les protons ou les électrons qui produisent dans le matériau des déplacements atomiques responsables de la dégradation des propriétés électriques des composants embarqués. Habituellement, pour prédire les dégradations subit d’un composant en fin de mission, et dire si il vérifie les spécifications en vigueur, on utilise la « dose équivalente de dommage» qui est déduite du pouvoir d'arrêt nucléaire (NIEL : Non Ionizing Energy Loss). Dans certains cas, ces méthodes de prédictions qui dépendent de la précision sur les NIEL, mo
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Ayadi, Mohamed. "Étude et modélisation du vieillissement des supercondensateurs en mode combiné cyclage/calendaire pour applications transport." Thesis, Bordeaux, 2015. http://www.theses.fr/2015BORD0092/document.

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Abstract:
Dans le but de l’intégration des supercondensateurs dans des applicationstransport, la connaissance et l’étude de leur comportement au cours du vieillissementest nécessaire. L’objectif de cette thèse est donc la compréhension et lamodélisation des phénomènes de vieillissement observés sur lessupercondensateurs. Pour cela, des méthodologies de caractérisation électriques etdes protocoles expérimentaux originaux combinant les différentes contraintes devieillissement ont été mis en oeuvre. Des mesures du courant de fuite et des tests devieillissement combinés ont été effectués. Les résultats obte
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Ngo, Le Thuy. "Optimisation et réalisation d'une périphérie planar haute tension à poche." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0188.

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Abstract:
L'objet de ce travail a consisté dans l'optimisation et réalisation d'une périphérie Planar haute tension, permettant d'obtenir une tenue en tension dépassant 2000V. Parmi des protections périphériques existantes la protection par l'implantation latérale appelée “poche” semblait être une solution très performante pour obtenir une tenue en tension très élevé. Dans un premier temps, nous avons optimisé la structure de cette protection en utilisant des simulateurs bidimensionnels (ATHENA, ATLAS). Les résultats de simulation confirment que la dose active de cette périphérie est l'un des paramètres
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Mohamed, Ahmed Aly Shaaban. "Reconstitution des courants de fuite d'un four micro-onde domestique." Toulouse, INPT, 1993. http://www.theses.fr/1993INPT109H.

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Abstract:
Le rayonnement de l'harmonique cinq de la frequence (f=2,45 ghz) utilisee dans de nombreux dispositifs industriels micro-onde et en particulier dans le four domestique, se situe dans la plage des emissions t. V. Par satellites. Ce rayonnement peut, dans certains cas, interferer avec les recepteurs radioelectriques et degrader la qualite ou meme le fonctionnement des equipements qui se trouvent dans leur environnement proche, ou meme relativement eloigne. Il est donc important de pouvoir localiser les sources de rayonnement parasite du four. L'objectif de notre etude est d'evaluer le courant de
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Ernst, Thomas. "Etude des structures MOSFET avancées sur SOI pour les applications basse consommation." Grenoble INPG, 2000. http://www.theses.fr/2000INPG0118.

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Abstract:
Cette etude, a but prospectif, s'attache a concevoir et comparer differentes architectures mosfet dans la perspective d'applications basse tension et basse puissance. Un premier chapitre introductif met en evidence les enjeux de ces applications ainsi que les proprietes essentielles des materiaux et des structures mos soi. Dans le deuxieme chapitre, nous proposons un modele inedit du courant de recombinaison dans les diodes pin a simple et double grille, pouvant etre introduit sous une forme compacte dans les simulateurs de dispositifs, ou utilise en caracterisation fine de la qualite des inte
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Caldeira, Nabo Adelphe. "Contribution à l'estimation et à l'amélioration de la production de l'énergie photovoltaïque." Thesis, Tours, 2013. http://www.theses.fr/2013TOUR4058/document.

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Abstract:
Ces travaux de thèse consistent à proposer des outils matériels et logiciels pour estimer et améliorer le rendement énergétique de la chaine de conversion d’énergie photovoltaïque pour les applications de l’habitat. Nous avons dans un premier temps proposé une nouvelle architecture mixte d’onduleur à 5 niveaux. Ce type de structure, fondé sur un couplage d’un onduleur en pont complet et d’une architecture NPC, permet de diminuer le THD de la tension de sortie du convertisseur tout en limitant les niveaux de courant de fuite induits par les modules photovoltaïques. Ce type d’architecture est co
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BERNARDINI, Sandrine. "Modélisation des structures Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOS) : Applications aux dispositifs mémoires." Phd thesis, Université de Provence - Aix-Marseille I, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00007764.

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Abstract:
Nos travaux concernent la modélisation des structures MOS affectées par des défauts qui détériorent leurs propriétés électriques et par conséquent celles des dispositifs mémoires. Nous avons attaché une grande importance à la compréhension des phénomènes liés à la miniaturisation de la capacité et du transistor MOS qui sont les composants électroniques élémentaires des mémoires. Nos modèles basés sur de nombreuses études réalisées sur ces sujets, représentent de nouveaux outils d'analyses pour créer les modèles de base décrivant le fonctionnement plus complexe des dispositifs mémoires. Après u
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Bouhdada, Ammar. "Analyse des transitoires de capacité et des courants de fuite dans les structures MOS." Aix-Marseille 3, 1987. http://www.theses.fr/1987AIX30048.

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Abstract:
Etude et analyse des transitoires de capacite de structures mos et des differentes composantes du courant de fuite afin de localiser les defauts initialement presents dans le substrat de silicium ou introduits au cours des differentes etapes d'elaboration d'un circuit integre
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Bouhdada, Ammar. "Analyse des transitoires de capacité et des courants de fuite dans les structures MOS." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376032537.

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Vidal-Dho, Matthias. "Mécanismes de vieillissement liés à la pénétration d’humidité dans les matériaux diélectriques à faible permittivité des interconnexions." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. http://www.theses.fr/2020GRALT066.

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Abstract:
La réduction des dimensions des dispositifs micro-électroniques élémentaires, notamment des transistors et des cellules mémoires, a permis au cours des dernières décennies d’augmenter la densité d’éléments intégrés et donc d’obtenir plus de fonctions au sein d’une même puce. Cette réduction des dimensions a notamment nécessité l’introduction de matériaux diélectriques à faible permittivité, particulièrement sensibles à l’humidité.Cette thèse détaille les propriétés électriques de tels matériaux ainsi que les conséquences de leur contamination par l’humidité sur leurs caractéristiques. Le procé
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Locati, Jordan. "Etude par modélisation et caractérisation d'architectures innovantes de transistors pour les circuits logiques dans un environnement mémoires non volatiles embarquées." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2021. http://www.theses.fr/2021AIXM0399.

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Abstract:
L’étude menée dans le cadre de cette thèse consiste à développer de nouvelles architectures de transistors utilisés dans un environnement de mémoire non volatile embarquée (e-NVM). L’objectif était d’améliorer les paramètres électriques critiques d’un composant tel que le courant de fuite (IOFF) et la tension de claquage (BV) sans augmentation de la surface totale ou l’ajout de nouvelles étapes dans le procédé de fabrication dans lequel est fabriqué le composant. Dans un premier temps, un travail a été réalisé pour mettre en lumière les zones de faiblesse du composant. Étant dans un environnem
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Ghammaz, Abdelilah. "Application de l'imagerie micro-onde à la détection des courants de fuite des applicateurs ISM." Toulouse, INPT, 1993. http://www.theses.fr/1993INPT090H.

Full text
Abstract:
Le rayonnement de l'harmonique cinq de la frequence (f=2. 45 ghz) utilisee dans de nombreux dispositifs industriels micro-onde et en particulier dans le four domestique, se situe dans la plage des emissions t. V. Par satellites. Ce rayonnement peu, dans certains cas, interferer avec les recepteurs radioelectriques et degrader la qualite ou meme le fonctionnement des equipements qui se trouvent dans leur environnement proche, ou meme relativement eloigne. Il est donc important de pouvoir localiser les sources de rayonnement parasite du four. L'objectif de notre etude est d'evaluer le courant de
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Bouzidi, Jamel. "Caractérisation des courants de fuite dans les diodes contrôlées par grille sur S. O. I." Aix-Marseille 3, 1989. http://www.theses.fr/1989AIX30079.

Full text
Abstract:
Le travail presente dans ce memoire a consiste en la caracterisation de la qualite electronique de couches soi et de leurs deux interfaces en mesurant les grandeurs fondamentales associees (durees de vie de generation des porteurs minoritaires et vitesses de generation interfaciales) sur des diodes controlees par grille. Cette caracterisation a ete effectuee sur des plaquettes de puces test, elaborees au laboratoire de microelectronique de louvain-la-neuve (ucl) et au leti, par l'etude de la variation du courant inverse de la jonction de diodes controlees par grille sur film mince soi obtenu p
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Dong, Quan. "HEMTs cryogéniques à faible puissance dissipée et à bas bruit." Thesis, Paris 11, 2013. http://www.theses.fr/2013PA112035.

Full text
Abstract:
Les transistors ayant un faible niveau de bruit à basse fréquence, une faible puissance de dissipation et fonctionnant à basse température (≤ 4.2 K) sont actuellement inexistants alors qu’ils sont très demandés pour la réalisation de préamplificateurs à installer au plus près des détecteurs ou des dispositifs à la température de quelques dizaines de mK, dans le domaine de l’astrophysique, de la physique mésoscopique et de l’électronique spatiale. Une recherche menée depuis de nombreuses années au LPN vise à réaliser une nouvelle génération de HEMTs (High Electron Mobility Transistors) cryogéni
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Leomant, Sylvain. "Etude, développement et caractérisation des techniques de réduction des courants de fuite des mémoires CMOS embarquées." Paris, Télécom ParisTech, 2009. http://www.theses.fr/2009ENST0066.

Full text
Abstract:
L'augmentation exponentielle des courants de fuite est un problème majeur de la réduction des dimensions des technologies CMOS. La consommation statique limite en effet, I'autonomie des applications portables, et augmente le coDt de refroidissement des applications hautes performance. Parallèlement, la surface d'un circuit intégré occupée par les mémoires est en constante augmentation pour satisfaire des besoins en vitesse toujours plus grands. Ce travail porte sur la réduction des courants de fuite dans les mémoires CMOS embarquées, notamment de type SRAM. Apres I'état de I'art sur les mécani
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Latrach, Soumaya. "Optimisation et analyse des propriétés de transport électroniques dans les structures à base des matériaux AlInN/GaN." Thesis, Université Côte d'Azur (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018AZUR4243.

Full text
Abstract:
Les matériaux III-N ont apporté un gain considérable au niveau des performances des composants pour les applications en électronique de puissance. Les potentialités majeures du GaN pour ces applications résident dans son grand champ de claquage qui résulte de sa large bande interdite, son champ de polarisation élevé et sa vitesse de saturation importante. Les hétérostructures AlGaN/GaN ont été jusqu’à maintenant le système de choix pour l’électronique de puissance. Les limites sont connues et des alternatives sont étudiées pour les surmonter. Ainsi, les hétérostructures InAlN/GaN en accord de
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Burignat, Stéphane Plossu Carole. "Mécanismes de transport, courants de fuite ultra-faibles et rétention dans les mémoires non volatiles à grille flottante." Villeurbanne : Doc'INSA, 2005. http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=burignat.

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Ouaida, Rémy. "Vieillissement et mécanismes de dégradation sur des composants de puissance en carbure de silicium (SIC) pour des applications haute température." Thesis, Lyon 1, 2014. http://www.theses.fr/2014LYO10228/document.

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Abstract:
Dans les années 2000, les composants de puissance en carbure de silicium (SiC) font leur apparition sur le marché industriel offrant d'excellentes performances. Elles se traduisent par de meilleurs rendements et des fréquences de découpage plus élevées, entrainant une réduction significative du volume et de la masse des convertisseurs de puissance. Le SiC présente de plus un potentiel important de fonctionnement en haute température (&gt;200°C) et permet donc d'envisager de placer l'électronique dans des environnements très contraints jusqu'alors inaccessibles. Pourtant les parts de marche du
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Borowiak, Alexis. "Contribution à la compréhension du contraste lors de la caractérisation à l'échelle nanométrique des couches minces ferroélectriques par Piezoresponse Force Microscopy." Thesis, Lyon, INSA, 2013. http://www.theses.fr/2013ISAL0167.

Full text
Abstract:
Une des méthodes utilisées pour étudier la ferroélectricité à l'échelle nanométrique dans les couches minces est la technique appelée « Piezoresponse Force Microscopy » (PFM). La PFM est un mode dérivé de l’AFM (Atomic Force Microscopy) en mode contact. Cette technique est basée sur l’effet piézoélectrique inverse : lorsqu’on applique un champ électrique sur un matériau piézoélectrique celui-ci se déforme. La pointe est posée sur la surface et mesure donc une déformation locale due à la tension appliquée. Les résultats obtenus par PFM sur des couches minces deviennent difficiles à interpréter
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Ailloud-Boissonnet, Laurence. "Étude et mise au point de transistors bipolaires NPN à structure double-polysilicium intégrables dans une technologie BiCMOS 0,35 µm." Grenoble INPG, 1998. http://www.theses.fr/1998INPG0083.

Full text
Abstract:
L'objet de notre travail etait de developper et d'etudier une architecture de transistors bipolaires double-polysilicium integrables dans une technologie bicmos 0,35 m. La fabrication des transistors bipolaires double-polysilicium sur plaquette de 200 mm a ete realisee pour la premiere fois en france lors de notre etude, au sein de l'equipe mixte st/cnet/leti. Un important travail de mise au point technologique, couple a une optimisation des performances electriques a ete effectue. L'objectif est de fabriquer des transistor bipolaires performants (le cahier des charges precise une frequence de
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Yachou, Driss. "Etude des effets parasites électriques et thermiques intervenant dans le fonctionnement des transistors sur isolant (SOI)." Grenoble 1, 1994. http://www.theses.fr/1994GRE10035.

Full text
Abstract:
L'objectif de cette these est d'etudier les phenomenes parasites intervenant dans le fonctionnement electrique des transistors soi. La specificite de ces derniers par rapport aux transistors sur substrat massif est la presence de l'oxyde enterre. Ce dernier apporte de nombreux avantages au fonctionnement des dispositifs, neanmoins, il constitue un obstacle a l'evacuation des courants de fuite et de la chaleur dissipee localement. Il en resulte un auto-echauffement des dispositifs. Dans le premier chapitre, nous avons presente les differentes filieres soi et leurs principales applications. Le d
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Wade, Massar. "Evaluation de condensateurs enterrés à base de composites céramique/polymère pour des applications à hautes fréquences." Thesis, Bordeaux, 2015. http://www.theses.fr/2015BORD0156/document.

Full text
Abstract:
La miniaturisation croissante des systèmes électroniques implique de réduire la taille des composants électroniques, en particulier des composants passifs (condensateurs, résistances et inductances), notamment les condensateurs, volumineux et de surcroît nombreux. Pour répondre à cette attente, une des options est d’intégrer « enterrer » les couches capacitives dans le circuit imprimé à base de matériaux composites céramique/polymère. Dans un premier temps, plusieurs types de matériaux composites à base de nanoparticules de céramique (BaTiO3 et BaSrTiO3) et de polyester pour des condensateurs
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Turier, Arnaud. "Etude, conception et caractérisation de mémoires Cmos, faible consommation, faible tension en technologies submicroniques." Paris 6, 2000. http://www.theses.fr/2000PA066543.

Full text
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Melato, Christine. "Les "phobosocialités" : approche psychopathologique des adolescents en attaque et fuite du lien intersubjectif." Lyon 2, 2006. http://theses.univ-lyon2.fr/documents/lyon2/2006/melato_c.

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Abstract:
Cette recherche propose un modèle de compréhension psychopathologique à partir de la clinique d’adolescents dits « inhibés » et « délinquants » accueillis en service pédo-psychiatrique et en foyers éducatifs ; et plus particulièrement pris en charge dans un dispositif psychodramatique. Les "phobosocialités juvéniles" constituent un syndrome, qui se manifeste par des symptômes (actes en attaque et fuite du lien intersubjectif). Ceux-ci surviennent, dans une dynamique défensive de survie psychique contre une emprise dans le moi et une menace de désintégration psychique, liés à l’objet persécuteu
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Serghir, Hachemi. "Contribution au développement des techniques de caractérisation électrique des matériaux et des dispositifs silicium sur isolant." Grenoble INPG, 1995. http://www.theses.fr/1995INPG0151.

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Abstract:
Ce memoire est consacre a la caracterisation et a la modelisation des materiaux et des dispositifs silicium sur isolant (soi). Dans le premier chapitre, nous presentons les differentes technologies des substrats soi et leur interet pour la microelectronique. Nous rappelons ensuite les phenomenes specifiques des transistors mos fabriques sur ces substrats. Le deuxieme chapitre est consacre a la modelisation et a la caracterisation d'un pseudo-transistor mos realise sur un substrat simox. Le grand nombre de parametres electriques et technologiques determine est suffisant pour l'optimisation du m
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Jahan, Carine. "Étude des mécanismes de défaillance des diélectriques de grille minces pour les technologies CMOS avancées." Grenoble INPG, 1998. http://www.theses.fr/1998INPG0137.

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Abstract:
Ce memoire presente les resultats consacres a l'etude des mecanismes de degradation et de claquage de l'oxyde de grille pour une gamme d'epaisseur variant de 7 a 3. 5 nm, correspondant aux technologies cmos 0. 35 a 0. 18 m. Cette etude a d'abord necessite un important travail d'optimisation des techniques de caracterisation de l'oxyde de grille mince et en particulier de tenir compte du comportement quantique des porteurs pres de l'interface pour avoir une extraction fiable des parametres de la structure mos. Dans la gamme d'epaisseur d'oxyde etudiee, la degradation du dielectrique se manifest
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Janet, Fleur. "Modélisation de dispositifs électromagnétiques hautement saturables par la méthode des moments magnétiques : application aux capteurs de courant des disjoncteurs basse tension." Phd thesis, Grenoble INPG, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00384272.

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Abstract:
Cette thèse concerne l'étude des capteurs de courant des disjoncteurs à déclencheur électronique basse tension. La compacité et l'asymétrie de ces capteurs sont à l'origine d'un comportement magnétique complexe dont la modélisation est malaisée. Le travail réalisé a consisté à déterminer un modèle comportemental paramétrable du capteur, compatible avec une optimisation, permettant de prendre en compte son environnement magnétique (autres phases) et sa charge électrique (électronique). Suite à la mise en évidence de l'inadéquation des méthodes "traditionnelles" (schéma électrique ou magnétique
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Liu, Qiang. "Optimization of Epitaxial Ferroelectric Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3 Thin-Film Capacitor Properties." Thesis, Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2014. http://www.theses.fr/2014ECDL0049/document.

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Abstract:
Avec l’usage intensif de dispositifs microélectroniques modernes, il existe un besoin croissant de mémoires non volatiles. La FeRAM (mémoire ferroélectrique à accès aléatoire) est une des mémoires de nouvelle génération les plus prometteuses en raison de sa faible consommation et de sa vitesse élevé de lecture/écriture. Parmi les différents matériaux ferroélectriques, le PZT (Pb (Zr1-x,Tix)O3) présente une polarisation rémanente élevée et un faible champ coercitif qui en font un candidat de choix pour les FeRAM.Dans cette thèse, la croissance épitaxiale de couches de PZT (52/48) d’épaisseurs v
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Postariu, Dragos Mihai. "Contribution à l'étude des courants de palier dans les moteurs de traction." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00459803.

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Abstract:
La fiabilité est l'un des principaux objectifs de tout fabricant de moteurs électriques. Au cours des 20 dernières années, l'apparition de l'électronique de puissance dans la partie alimentation es moteurs électriques de traction a donné la possibilité de contrôle de couple à toute vitesse de rotation. En utilisant ce type d'alimentation pour les moteurs asynchrones, ceux-ci sont devenus une alternative à coût réduit et très fiable aux moteurs synchrones utilisés auparavant dans la traction. L'inconvénient de l'électronique de puissance, c'est que des fronts dV/dt sont appliqués aux moteurs. C
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Postariu, Dragos Mihai. "Contribution à l'étude des courants de palier dans les moteurs de traction." Phd thesis, Grenoble 1, 2009. http://www.theses.fr/2009GRE10202.

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Abstract:
La fiabilité est l'un des principaux objectifs de tout fabricant de moteurs électriques. Au cours des 20 dernières années, l'apparition de l'électronique de puissance dans la partie alimentation des moteurs électriques de traction a donné la possibilité de contrôle de couple à toute vitesse de rotation. En utilisant ce type d'alimentation pour les moteurs asynchrones, ceux-ci sont devenus une alternative à coût réduit et très fiable aux moteurs synchrones utilisés auparavant dans la traction. L'inconvénient de l'électronique de puissance, c'est que des fronts dV/dt sont appliqués aux moteurs.
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Scorretti, Riccardo. "Caractérisation numérique et expérimentale du champ magnétique B. F. Généré par des systèmes électrotechniques en vue de la modélisation des courants induits dans le corps humain." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2003. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/rscorret.pdf.

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Abstract:
Ce travail est consacré au développement de modèles et outils numériques permettant la simulation dans la gamme des fréquences 50Hz-100KHz des phénomènes induits dans le corps humain. Deux problématiques sont abordées : déterminer la répartition du champ rayonné par un système de puissance (champ de fuite) ; calculer les courants induits qui en résultent dans le corps humain. Champ rayonné par un système connu : les méthodes de calcul "classiques" ne sont pas adaptées à cette problématique, car trop couteuses. Nous présentons donc un modèle 3D ne prenant en compte que les aspects essentiels du
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Pointet, John. "Elaboration et caractérisation de structures métal-isolant-métal à base de TiO2 déposé par Atomic Layer Deposition." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT089/document.

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Abstract:
Les besoins de la microélectronique pour les condensateurs de type DRAM sont résumés dans la feuille de route ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Pour descendre en dessous du noeud technologique 22 nm, des performances électriques telles qu'une épaisseur d'oxyde équivalent (EOT) &lt; 0.5 nm et un niveau de courant de fuite &lt; 1.10-7 A/cm² à 0.8 V sont nécessaires. Ces performances sont difficiles à atteindre si l'on considère des oxydes standards largement utilisés tels que le SiO2, le Si3N4 ou l'Al2O3. Le dioxyde de Titane constitue un matériau diélectrique de choix
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Jomaah, Jalal. "Propriétés électriques et modèles physiques des composants mos/soi (simox) à température ambiante et cryogénique." Grenoble INPG, 1995. http://www.theses.fr/1995INPG0152.

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Abstract:
L'objectif de cette these est d'etudier les composants mos des technologies silicium sur isolant (soi) dans une large gamme de temperature pour caracteriser et modeliser les mecanismes physiques specifiques de ces transistors en vue d'applications conventionnelles et a basse temperature (cryomicroelectronique). Une synthese des techniques pour la realisation de l'isolation dielectrique est d'abord presentee, puis l'interet de telles structures est rappele. Le deuxieme chapitre est relatif au comportement des principaux parametres electriques des tmos en fonction de la temperature t, de l'ambia
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Scorretti, Riccardo. "Caractérisation numérique et expérimentale du champ magnétique B.F. généré par des systèmes électrotechniques en vue de la modélisation des courants induits dans le corps humain." Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00140131.

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Abstract:
Ce travail de thèse est consacré au développement de modèles et outils numériques permettant la simulation dans la gamme des fréquences 50 Hz¡100 kHz des phénomènes induits par des champs magnétiques dans le corps humain. Pour cela, il existe deux problématiques principales : - Déterminer la répartition du champ rayonné (ou champ de fuite) par un appareil électrique . - Calculer les courants induits qui en résultent dans le corps humain. Après avoir étudié l'influence de divers paramètres sur la répartition des champs de fuite générés par les systèmes électrotechniques, nous avons recensé les
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Martin, Simon. "Caractérisation électrique multi-échelle d'oxydes minces ferroélectriques." Thesis, Lyon, 2016. http://www.theses.fr/2016LYSEI145/document.

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Abstract:
Les matériaux ferroélectriques sont des matériaux qui possèdent une polarisation spontanée en l'absence de champ électrique, leur conférant plusieurs propriétés intéressantes du point de vue des applications possibles. La réduction de l'épaisseur des couches ferroélectriques vers des films minces et ultra-minces s'est avérée nécessaire notamment en vue de leur intégration dans les dispositifs de la micro et nano-électronique. Cependant, cette diminution a fait apparaître certains phénomènes indésirables au sein des couches minces tels que les courants de fuite. La caractérisation électrique de
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Hammami, Saber. "Propriétés physiques et électriques de polymères électroactifs." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAT033/document.

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Abstract:
Les élastomères diélectriques sont de plus en plus utilisés pour la réalisation des transducteurs dans de nombreux domaines industriels : interface haptique, robotique, biomimétisme, conversion d’énergie. Pour le fonctionnement de toutes ces applications, le polymère électroactif est soumis à une haute tension (de 1 à 10kV). Toutefois, le courant de fuite diminue l’efficacité et la durée de vie des dispositifs utilisant ces matériaux.Par ailleurs, une précontrainte mécanique (étirement) est généralement appliquée au polymère pour accroître l’efficacité énergétique dans la conversion mécanique-
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