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Dissertations / Theses on the topic 'GaAs(110)'

Author: Grafiati

Published: 4 June 2021

Last updated: 6 February 2022

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1

Oertel, Stefan [Verfasser]. "Spindynamik in GaAs und (110)-GaAs-Heterostrukturen / Stefan Oertel." Hannover : Technische Informationsbibliothek und Universitätsbibliothek Hannover (TIB), 2012. http://d-nb.info/1023627876/34.

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2

Tilley, Frederick Joseph. "Theory of isolated dopants in GaAs (110) surfaces." Thesis, University of Leicester, 2016. http://hdl.handle.net/2381/37763.

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Abstract:

In this thesis we perform a range of highly accurate density functional theory (DFT) calculations for a GaAs (110) slab containing almost all of the near-surface single atomic dopants from groups III, IV and V of the periodic table. We look in detail at the relaxed geometry and local density of states of the doped surface, and using the theory of Tersoff and Hamann we generate STM images of the different dopant systems. Where possible we compare to experimental results obtaining excellent qualitative and quantitative agreement, with bond lengths and shifts in STM contrast agreeing to within 0.03 Å and 0.09 Å respectively. We are able to show very clear trends in both the relaxed positions and STM image contrasts for the range of dopants. These trends are determined by the covalent radius of the dopants. Dopants with larger radii relax out of the surface and ones with smaller radii relax into the surface, and these relaxations cause the different contrasts in the STM images. These trends fit very well with existing results for nitrogen and silicon doped systems, and also allow us to fill in the gaps for those systems that have not been as thoroughly investigated. Our analysis applies equally across the three groups of dopants from the periodic table covering isovalent, donor and acceptor cases. By developing a geometrical model based on the covalent radii of the dopants and host atoms, we show how the covalent radius determines the geometry of the surface, which in turn determines the contrast seen in the STM images. Using this model we are able to explain and predict the relaxation and STM images for all the dopants in this work to a high degree of accuracy without relying on DFT simulations.

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3

凌志聰 and Chi-chung Francis Ling. "Positron beam studies of the metal-GaAs (110) interface." Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 1994. http://hub.hku.hk/bib/B31211689.

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4

Ling, Chi-chung Francis. "Positron beam studies of the metal-GaAs (110) interface /." [Hong Kong : University of Hong Kong], 1994. http://sunzi.lib.hku.hk/hkuto/record.jsp?B13781443.

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5

Junior, Odilon Divino Damasceno Couto. "Acoustically induced spin transport in (110) GaAs quantum wells." Doctoral thesis, Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I, 2008. http://dx.doi.org/10.18452/15852.

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Abstract:

Im Mittelpunkt dieser Arbeit stehen der Transport und die Manipulation optisch angeregter Elektronen-Spins in (110) Quantenfilmen (quantum wells, QWs) mittels akustischer Oberflächenwellen (surface acoustic waves, SAWs). Der starke räumliche Einschluss der Ladungsträger im akustisch erzeugten Potenzial erlaubt spinerhaltenden Ladungsträgertransport mit der akustischen Geschwindigkeit. Auf diese Weise wird langreichweitiger Spintransport über Distanzen > 60 microns demonstriert, welche Spinlebenszeiten von mehr als 20 ns entsprechen. Erreicht werden diese extrem langen Spinlebenszeiten durch drei Effekte: (i) Der D''yakonov-Perel''-Mechanismus ist für Spins in Wachstumsrichtung von (110)-QWs in III-V-Halbleitern unterdrückt. (ii) Aufgrund des Typ-II piezoelektrischen Potenzials der akustischen Oberflächenwelle ist der Bir-Aronov-Pikus Spinrelaxations-Mechanismus sehr schwach. (iii) Der starke Einschluss der Ladungsträger in mesoskopische Bereiche stabilisiert den Spin zusätzlich. In der vorliegenden Arbeit wird erstmals eine Anisotropie des Spintransports in einem externen Magnetfeld (Bext) nachgewiesen. Hierzu wurde die elektronische Spindynamik während des akustischen Transports entlang der [001]- bzw. [1-10]-Richtung untersucht. Während des Transports entlang der [001]-Richtung führt die Präzession der Elektronenspins um das fluktuierende interne Magnetfeld (Bint), das vom Fehlen eines Inversionszentrums im GaAs-Kristallgitter herrührt, zu Spinkohärenzzeiten von etwa 2 ns. Im Gegensatz hierzu ist beim Transport entlang der [1-10]-Richtung die Spinrelaxation für Spins in Wachstumsrichtung um eine Größenordnung langsamer. Grund hierfür ist die endliche mittlere Größe des internen effektiven Magnetfeldes Bint für Transport entlang dieser Richtung. Die beobachtete Anisotropie in der Spindynamik für die beiden Transportrichtungen wird vollständig im Rahmen der Spin-Bahn-Kopplung und des D''yakonov-Perel''-Mechanismus beschrieben und quantitativ erklärt.
In this work, we employ surface acoustic waves (SAWs) to transport and manipulate optically generated spin ensembles in (110) GaAs quantum wells (QWs). The strong carrier confinement into the SAW piezoelectric potential allows for the transport of spin-polarized carrier packets along well-defined channels with the propagation velocity of the acoustic wave. In this way, spin transport over distances exceeding 60 microns is achieved, corresponding to spin lifetimes longer than 20 ns. The demonstration of such extremely long spin lifetimes is enabled by three main factors: (i) Suppression of the D''yakonov-Perel'' spin relaxation mechanism for z-oriented spins in (110) III-V QWs; (ii) Suppression of the Bir-Aronov-Pikus spin relaxation mechanism caused by the type-II SAW piezoelectric potential; (iii) Suppression of spin relaxation induced by the mesoscopic carrier confinement into narrow stripes along the SAW wave front direction. A spin transport anisotropy under external magnetic fields (Bext) is demonstrated for the first time. Employing the well-defined average carrier momentum impinged by the SAW, we analyze the spin dephasing dynamics during transport along the [001] and [1-10] in-plane directions. For transport along [001], fluctuations of the internal magnetic field (Bint), which arises from the spin-orbit interaction associated with the bulk inversion asymmetry of the crystal, lead to decoherence within 2 ns as the spins precess around Bext. In contrast, for transport along the [1-10] direction, the z-component of the spin polarization is maintained for times one order of magnitude longer due to the non-zero average value of Bint. The dephasing anisotropy between the two directions is fully understood in terms of the dependence of the spin-orbit coupling on carrier momentum direction, as predicted by the D''yakonov-Perel'' mechanism for the (110) system.

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6

Wan, Qian. "Transmission electron microscopy study of heterostructures grown on GaAs (110)." Doctoral thesis, Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I, 2014. http://dx.doi.org/10.18452/16949.

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Abstract:

In der Arbeit werden die mikrostrukturellen Eigenschaften von an (110)-Flächen orientierten Heterostrukturen auf GaAs-Substraten mittels verschiedener Techniken der Transmissionselektronenmikroskopie untersucht. Kubisch flächenzentrierte (Al,Ga)As/AlAs/GaAs Mehrschichtstrukturen auf GaAs(110) weisen in orthogonalen Richtungen parallel zur Substratoberfläche verschiedene Mechanismen zur Aufnahme der Verspannungen aufgrund von Fehlanpassungen auf. Defektfreie Strukturen sind durch eine geeignete, kurz periodische AlAs/GaAs-Überstruktur erfolgreich realisiert worden. Abschließend sind künstliche Defekte per Nanoindentation in den defektfreien Proben erzeugt worden, um die Auswirkung kurzperiodischer Übergitter zu prüfen. Das System aus hexagonal dicht gepacktem MnAs auf GaAs(110) zeichnet sich durch anisotrope Gitterfehlanpassung von -7.5% und 0.7% entsprechend der [11-20] und der [0001] Richtungen aus. Eine Benetzungsschicht, die der Entstehung von Inseln vorausgeht, wird beobachtet, was das Stranski-Krastanov-Wachstum von MnAs belegt. Die Dehnung durch die Gitterfehlpassung von 0.7% wird elastisch eingebaut, während die Spannung durch die Gitterfehlanpassung in der senkrechten [11-20] Richtung durch die Entstehung einer periodischen Anordnung, vollständiger Gitterfehlanpassungsversetzungen abgebaut wird, die sich von der Grenzfläche entfernt im MnAs-Gitter befinden. Das aus der Versetzungsanordnung resultierende Dehnungsfeld ist auf eine Dicke von 3.4 nm um die Grenzfläche beschränkt. Eine atomare Struktur der Grenzfläche wird basierend auf dem Vergleich von HRTEM-Aufnahmen und Simulationen vorgeschlagen. CoAl-Legierungen in der B2-Phase sind zum Vergleich auf (001) und auf (110) orientierten GaAs-Substraten hergestellt worden. Beide Fälle weisen die Koexistenz der B2-Phase und der ungeordneten, kubisch raumzentrierten Variante auf. Die Unordnung wird teilweise durch die epitaktische Dehnung und teilweise durch Diffusion von Punktdefekten hervorgerufen.
In the work, we systematically investigate the microstructural properties of (110) oriented heterostructures on GaAs substrates by means of different transmission electron microscopy techniques. Fcc-type (Al,Ga)As/AlAs/GaAs multilayer structure on GaAs (110) presents different mismatch strain accommodation mechanisms along the perpendicular in-plane directions. Defect-free structures are successfully acquired by an appropriate type of AlAs/GaAs short period superlattice. Finally, artificial defects are intentionally produced by nano-indentation to the defect-free sample to verify the effect of short period superlattices. Hcp-type MnAs on GaAs (110) system is characterized by anisotropic lattice mismatches of -7.5% and 0.7% along the [11-20] and [0001] direction, respectively. A wetting layer is observed prior to the formation of islands, indicating a Stranski-Krastanov growth mode of MnAs. The strain corresponding to the 0.7% lattice misfit is accommodated elastically, whereas the mismatch stress along perpendicular [11-20] direction is relived by the formation of a periodic array of perfect misfit dislocations with a stand-off position in MnAs lattice. The long range strain field associated with the dislocation array is constrained at the interface within a thickness of about 3.4 nm. An interfacial atomic configuration is also proposed based on the comparison between HRTEM image and the simulations. B2-type CoAl alloys are realized on (001) and (110) oriented GaAs substrates for comparison. They are both characterized by a coexistence of B2 phase and its disordered version bcc phase. The disordering is induced partially by the epitaxial strain and partially by the diffusion of point defects.

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7

HASNAOUI, MOULAY LAHEEN. "Etude par exafs de surface de l'interface si/gaas(110) au seuil k de silicium." Paris 11, 1994. http://www.theses.fr/1994PA112435.

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Abstract:

Ce travail, motive initialement par les problemes lies a la fabrication d'heterojonctions si-gaas, a eu pour but une definition precise du site d'adsorption du silicium sur la face (110) d'un substrat d'arseniure de gallium, puis une caracterisation du mode de croissance. Les experiences d'exafs au seuil k du silicium ont ete effectuees sur la ligne focalisee sa32, en utilisant la polarisation du rayonnement synchroton. Des epaisseurs croissantes ont ete deposees, a partir d'une demi-monocouche, et les resultats principaux sont les suivants. Le site d'adsorption initial est situe entre deux atomes de gallium le long de l'axe 001 et a egale distance des trois atomes du substrat les plus proches. Les atomes de silicium sont a environ 1 a au-dessus de la surface de gaas. L'augmentation du depot (vers 0. 8 mc) va entrainer un deplacement du si vers le centre des intervalles entre deux atomes du substrat, on obtient alors une structure en zig-zag ou seules sont visibles les liaisons adsorbat-substrat, ce dernier imposant donc sa structure. Au-dela de une monocouche l'interaction entre atomes de silicium est suffisamment forte pour faire apparaitre des liaisons entre ces atomes et donc des distances si-si a 2. 35 a carac teristiques du silicium pur. Une monocouche est complete et les atomes supplementaires forment avec ceux du premier plan, pour des epaisseurs de l'ordre de 1. 5 mc, des petits agregats d'environ six atomes qui coexistent avec des chaines courtes en zig-zag. Lorsqu'on augmente le depot, la croissance ne s'effectue pas couche par couche mais plutot selon le mode stranski-krastanov avec formation d'ilots tridimensionnels au-dessus de la premiere couche. Finalement, a partir de trois a quatre monocouches, on obtient du silicium amorphe dont le degre de cristallinite va dependre de la temperature de depot

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8

Schwarz, Günther. "Untersuchungen zu Defekten auf und nahe der (110)-Oberfläche von GaAs und weiteren III-V-Halbleitern." [S.l.] : [s.n.], 2002. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=965686906.

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9

Mühlenberend, Svenja [Verfasser]. "Metals and organic adsorbates on GaAs(110) : a scanning tunneling microscopy, spectroscopy and luminescence study / Svenja Mühlenberend." Kiel : Universitätsbibliothek Kiel, 2016. http://d-nb.info/1096220903/34.

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10

M'Hamedi, Omar. "Contribution à l'étude de l'interaction de l'hydrogène atomique avec les faces (110) et (100) de GaAS et InP." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376079921.

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11

M'AHAMEDI, OMAR. "Contribution a l'etude de l'interaction de l'hydrogene atomique avec les faces (110) et (100) de gaas et inp." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066526.

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Abstract:

Etude de l'effet de l'adsorption de l'hydrogene, de l'unicite de la liaison forte que cet atome peut etablir avec les atomes de surface du substrat. Les spectres montrent qu'a forte dose d'hydrogene, il y a diminution du rendement de photoemission

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Badiane, Khalifa. "Etude par STM des états d’hybridation pd induits par un atome de Cr inséré dans la surface de GaAs(110)." Thesis, Sorbonne Paris Cité, 2017. http://www.theses.fr/2017USPCC189/document.

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Abstract:

Dans cette thèse nous explorons, par microscopie par effet tunnel (STM), les effets de surface et du nombre de coordination sur les propriétés électroniques d’un atome de métal de transition occupant un site cationique dans la surface de GaAs(110). Par une méthode de dépôt in situ, nous avons déposé des adatomes de Cr sur des faces clivées de GaAs(110) avec des taux de couvertures très inférieurs à une monocouche. Et en appliquant des rampes de tensions proches de quelques adatomes magnétiques cibles à l’aide de la pointe du STM, nous les avons manipulés et substitués par des atomes de Ga dans les deux premières couches de la surface de GaAs(110). Obtenant ainsi des atomes magnétiques ayants des environnements atomiques différents, c’est-à-dire des adatomes de Cr, des atomes de Cr formant trois liaisons avec trois atomes d’As voisins (Cr en première couche) et des atomes de Cr formant quatre liaisons avec quatre atomes d’As voisins (Cr en deuxième couche). Pour étudier les propriétés électroniques de ces atomes de transition en fonction de leur position dans la surface de GaAs(110), nous avons réalisé sur eux des imageries STM à différents signes de tension ainsi que des mesures de spectroscopie par effet tunnel (STS). Ils ont montré des formes topographiques ayant des symétries miroirs différentes et ont révélé des nombres de pics de STS différents dans le gap de la surface de GaAs(110) selon leur site atomique. Des calculs de densité d’états électroniques et des simulations d’images STM ont été effectués, en collaboration, sur des atomes de Cr occupant des sites cationiques dans le GaAs massif et dans les cinq premières couches de la surface de GaAs(110) en utilisant la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Des accords entre les calculs théoriques et nos résultats expérimentaux nous ont permis de montrer (i) que les pics de STS mesurés sur les atomes de Cr correspondent à des pics de densité d’états électroniques provenant d’une hybridation entre les états à caractères d’orbitales d du Cr et les états à caractères d’orbitales p de leurs voisins d’atomes d’As et de Ga ; (ii) que nos mesures de STS sur les atomes de Cr dans les deux premières couches de surface sont affectés par la brisure de symétrie à la surface de GaAs(110); (iii) qu’il se produit une levée de dégénérescence de certains états induits dans le gap de GaAs(110) lorsqu’un atome de Cr passe de la première vers la deuxième couche de surface ; (iv) et que les images STM topographiques réalisées à différents signes de tension sur des atomes de Cr insérés dans les deux premières couches de la surface correspondent à des fonctions d’ondes d’états d’hybridations pd spécifiques
In this thesis, we investigate by scanning tunneling microscopy (STM) the effects of surface and coordination on the electronic properties of a transition metal atom occupying a cationic site in the GaAs(110) surface.By an in situ deposition method, we deposited Cr adatoms on cleaved GaAs(110) surfaces with coverage rates lower than a monolayer. And by applying voltage pulses close to a few target magnetic adatoms using the STM tip, we have manipulated them and substituted them with Ga atoms in the two first layers of the GaAs(110) surface. Thus obtaining magnetic atoms having different atomic environments, i.e. Cr adatoms, Cr atoms forming three bonds with three neighboring As atoms (Cr in the first layer) and Cr atoms forming four bonds with four neighboring As atoms (Cr in the second layer).To study the electronic properties of these transition atoms as a function of their position in the GaAs surface (110), we have realized on them STM imagery with different voltage bias as well as scanning tunneling spectroscopy (STS). They showed topographic forms with different mirror symmetries and revealed different numbers of STS peaks in the gap of the GaAs surface (110) according to their atomic site.By collaboration, density of states (DOS) calculations and simulations of STM images were carried out on Cr atoms occupying cationic sites in the GaAs bulk and in the five first layers of the GaAs surface (110) using the density functional theory (DFT). Agreements between the theoretical calculations and our experimental results have allowed us to show (i) that the measured STS peaks on the Cr atoms correspond to peaks of DOS resulting from an hybridization between the d states of Cr and the p states of their neighbors atoms of As and Ga ; (ii) that our STS measurements on the Cr atoms in the two first layers are affected by the symmetry breaking at the GaAs(110) surface; (iii) that a splitting of some induced states in the GaAs gap (110) occurs when a Cr atom passes from the first to the second surface layer; (iv) and that the measured topographic STM images on Cr atoms inserted in the first two layers of the surface correspond to wave functions of specific pd hybridization states

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Wan, Qian [Verfasser], Henning [Akademischer Betreuer] Riechert, Thomas [Akademischer Betreuer] Schroeder, and W. Ted [Akademischer Betreuer] Masselink. "Transmission electron microscopy study of heterostructures grown on GaAs (110) / Qian Wan. Gutachter: Henning Riechert ; Thomas Schroeder ; W. Ted Masselink." Berlin : Humboldt Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I, 2014. http://d-nb.info/1051371783/34.

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Teng, K. S. "The electronic passivation properties of silicon nano-islands at cleavage-induced defects of GaAs (110) : a scanning tunnelling microscopy and spectroscopy study." Thesis, Swansea University, 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.639173.

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Abstract:

Using the techniques of scanning tunnelling microscopy and spectroscopy (STM/STS), the structural and electrical properties of silicon on clean cleaved GaAs(110) surfaces were investigated on a nano-meter scale. This work was focused on the effect of cleaving-induced defects on GaAs(110) surface, the resultant silicon formation and the electrical properties of the overlayer/substrate system formed at 280°C. Localised I-V measurements, performed using STS, on atomic step defects of GaAs(110) surfaces showed a Fermi-level shifted ~0.5 and 0.8 eV towards mid-gap position for both n- and p-type substrates respectively. However, measurements taken from silicon-coated atomic steps showed that the Fermi-level reverted back towards its 'ideal' flat band position by ~0.4 eV for both substrates. Similar shifts were also observed on silicon-free as well as coated defect clusters. This behaviour was distinctively different to silicon adsorbed at defect-free surfaces. Hence, these results clearly indicated passivating properties of silicon on the defective surfaces of GaAs(110) when deposited under these conditions. Such observations were also in good agreements with results obtained on macroscopic scale using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). STM images obtained at submonolayer silicon coverages showed preferential adsorption of silicon nanoislands at the defective sites. This suggested that the elevated temperature growth of silicon together with the excess dangling bonds associated with the defects, provided enhanced thermodynamic conditions to induce ordered silicon growth at the surface defects and effectively mopped up the dangling bonds associated with the defects, provided enhanced thermodynamic conditions to induce ordered silicon growth at the surface defects and effectively mopped up the dangling bonds. Implications of this work for use in laser facet are discussed in this thesis. Finally, this project ended with the study of 'real' laser devices using cross-sectional STM/STS techniques. The layered laser structure, which made up of different semiconducting materials, was evident from the cross-sectional STM images. Very often, atomic steps were seen at the active region of the cleaved facets which suggested the importance of facet passivation.

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Iffländer, Tim [Verfasser], Rainer G. [Akademischer Betreuer] Ulbrich, and Hans Christian [Akademischer Betreuer] Hofsäss. "Electronic and Magnetic Properties of the Fe/GaAs(110) Interface / Tim Iffländer. Betreuer: Rainer G. Ulbrich. Gutachter: Rainer G. Ulbrich ; Hans Christian Hofsäss." Göttingen : Niedersächsische Staats- und Universitätsbibliothek Göttingen, 2016. http://d-nb.info/1085592294/34.

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Grandidier, Bruno. "Contribution à l'étude de faces clivées (110) de semiconducteurs III-V par spectroscopie STM en UHV : application au dopage planaire de silicium dans GaAs." Lille 1, 1997. http://www.theses.fr/1997LIL10112.

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Abstract:

Pour fabriquer des structures semi-conductrices de plus en plus petites, il est nécessaire d'utiliser des techniques d'analyse qui permettent d'observer ces structures a l'échelle atomique. Inventée au début des années 80, la microscopie a effet tunnel semble la technique la plus appropriée pour répondre a cette exigence. Bien qu'elle appartienne aux techniques d'analyse de surface, elle peut toutefois renseigner sur les propriétés volumiques de certains semi-conducteurs III-V, lorsque ceux-ci sont clives pour exposer une face (110) perpendiculaire a la direction de croissance (001). Etudier des matériaux a la résolution atomique ne s'effectue pas sans avoir pris certaines dispositions a priori. Premièrement, nous revoyons les modèles théoriques qui expliquent la grande résolution du microscope. Nous comparons alors certaines de leurs prédictions a nos résultats expérimentaux obtenus sur une surface clivée GaAs (110). Ces quelques expériences montrent le rôle clé de la pointe pour étudier correctement des surfaces a l'échelle atomique. Nous nous attachons alors a mettre en oeuvre une technique de fabrication reproductible des pointes. Une fois préparées, ces pointes ont un rayon de courbure inférieur a 10 nm et donnent des images stables a la résolution atomique pendant plusieurs heures. Pour connaître les propriétés électroniques des matériaux par microscopie a effet tunnel, nous développons aussi les possibilités spectroscopiques du microscope. Nous présentons des résultats obtenus sur du GaAs dope n, ou la spectroscopie révèle la densité électronique liee aux dopants. Tous ces aspects techniques acquis, nous étudions finalement en microscopie et spectroscopie a effet tunnel, des plans de dopage silicium dans GaAs. Nous caractérisons a l'échelle atomique les dopants et mettons en évidence le rôle amphoterique du silicium.

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Kim, Danny. "Dry passivation studies of GaAs(110) surfaces by Gallium Oxide thin films deposited by electron cyclotron resonance plasma reactive molecular beam epitaxy for optoelectronic device applications." Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 2001. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk3/ftp05/MQ63140.pdf.

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Benjamin, Anne Laura. "Scanning Tunneling Microscopy Studies of Defects in Semiconductors: Inter-Defect and Host Interactions of Zn, Er, Mn, V, and Co Single-Atom Defects in GaAs(110)." The Ohio State University, 2018. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu15254254578788.

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Döhrmann, Stefanie [Verfasser]. "Spintronik in GaAs und (110)-GaAs-Quantenfilmen / von Stefanie Döhrmann." 2007. http://d-nb.info/985964812/34.

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Joyce, John Joseph. "The electron structure of metal/GaAs(110) interfaces." 1987. http://catalog.hathitrust.org/api/volumes/oclc/16390027.html.

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Clearfield, Howard M. "Low-energy electron diffraction studies of defect structures and ordering kinetics at p(lxl) surfaces GaAs(110) and GaAs(110) p(lxl)-Sb /." 1985. http://catalog.hathitrust.org/api/volumes/oclc/12098997.html.

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Abstract:

Thesis (Ph. D.)--University of Wisconsin--Madison, 1985.
Vita. eContent provider-neutral record in process. Description based on print version record. Includes bibliographical references (leaves 442-451).

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Iffländer, Tim. "Electronic and Magnetic Properties of the Fe/GaAs(110) Interface." Doctoral thesis, 2015. http://hdl.handle.net/11858/00-1735-0000-0028-86DE-A.

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Hassel, Christoph [Verfasser]. "Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110) / von Christoph Hassel." 2009. http://d-nb.info/996707026/34.

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Couto, Odilon D. D. [Verfasser]. "Acoustically induced spin transport in (110) GaAs quantum wells / von Odilon D. D. Couto." 2008. http://d-nb.info/993311768/34.

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HONG, GUAN-MING, and 洪冠明. "The gaussian relaxation method to study the electronic structure of the GaAs(110) surface." Thesis, 1989. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/57254703214736003530.

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Ray-Chaudhuri, Avijit Kumar. "Development of a scanning photoemission microscope based on multilayer optics and its initial application to GaAs(110) surface studies." 1993. http://catalog.hathitrust.org/api/volumes/oclc/31492370.html.

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Abstract:

Thesis (Ph. D.)--University of Wisconsin--Madison, 1993.
Typescript. eContent provider-neutral record in process. Description based on print version record. Includes bibliographical references (leaves 192-207).

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Schwarz, Günther [Verfasser]. "Untersuchungen zu Defekten auf und nahe der (110)-Oberfläche von GaAs und weiteren III-V-Halbleitern / vorgelegt von Günther Schwarz." 2002. http://d-nb.info/965686906/34.

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