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  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Book chapters
  4. Conference papers
  5. Reports

Academic literature on the topic 'Gallium antimoniure'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 10 February 2022

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Journal articles on the topic "Gallium antimoniure"

1

Drygaś, Mariusz, Piotr Jeleń, Mirosław M. Bućko, Zbigniew Olejniczak, and Jerzy F. Janik. "Ammonolytical conversion of microcrystalline gallium antimonide GaSb to nanocrystalline gallium nitride GaN: thermodynamics vs. topochemistry." RSC Advances 5, no. 100 (2015): 82576–86. http://dx.doi.org/10.1039/c5ra16868f.

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Abstract:
Reaction of microcrystalline powders of gallium antimonide GaSb with ammonia afforded in one step high yields of nanocrystalline powders of the semiconductor gallium nitride GaN. The product was made as a mixture of the cubic and hexagonal polytypes.
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2

Demishev, S. V. "HOPPING TRANSPORT IN GALLIUM ANTIMONIDE." International Journal of Modern Physics B 08, no. 07 (March 30, 1994): 865–73. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979294000403.

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Abstract:
This report summarizes a study of hopping transport in doped crystalline and amorphous gallium antimonide. The experimental results demonstrate the importance of short-range correlations rather than Coulomb ones. Anomalous behaviour of the Hall coefficient and the thermoelectric power is described.
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3

Conibeer, G. J., Arthur F. W. Willoughby, C. M. Hardingham, and V. K. M. Sharma. "Zinc Diffusion in Gallium Antimonide." Materials Science Forum 143-147 (October 1993): 1427–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.1427.

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4

Heller, M. W., and R. G. Hamerly. "Hole transport in gallium antimonide." Journal of Applied Physics 57, no. 10 (May 15, 1985): 4626–32. http://dx.doi.org/10.1063/1.335372.

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5

Milnes, A. G., and A. Y. Polyakov. "Gallium antimonide device related properties." Solid-State Electronics 36, no. 6 (June 1993): 803–18. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(93)90002-8.

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6

Gubanov, V. A., C. Y. Fong, and C. Boekema. "Magnetic Impurities in Gallium Antimonide." physica status solidi (b) 218, no. 2 (April 2000): 599–613. http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(200004)218:2<599::aid-pssb599>3.0.co;2-j.

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7

Plaza, J. L., P. Hidalgo, J. Piqueras, and E. Diéguez. "Estudio de la incorporación de iones de Er y Nd en galio antimonio crecido por el método Bridgman." Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio 39, no. 4 (August 30, 2000): 463–67. http://dx.doi.org/10.3989/cyv.2000.v39.i4.799.

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8

Schulz, Stephan, Leonardo Martinez, and Jean L. Ross. "Synthesis and characterisation of gallium antimonide nanoparticles: reaction between tris (trimethylsilyl)antimonide and gallium trichloride." Advanced Materials for Optics and Electronics 6, no. 4 (July 1996): 185–89. http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1099-0712(199607)6:4<185::aid-amo237>3.0.co;2-8.

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9

Udayashankar, N. K., and H. L. Bhat. "Growth and characterization of indium antimonide and gallium antimonide crystals." Bulletin of Materials Science 24, no. 5 (October 2001): 445–53. http://dx.doi.org/10.1007/bf02706714.

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10

Akinlami, J. O. "Optical Propertis of Gallium Antimonide GaSb." Research Journal of Physics 8, no. 1 (January 1, 2014): 17–27. http://dx.doi.org/10.3923/rjp.2014.17.27.

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Dissertations / Theses on the topic "Gallium antimoniure"

1

Roux, Sophie. "Conversion de fréquence vers les grandes longueurs d'onde dans des guides d'onde en semi-conducteurs à orientation périodique." Thesis, Montpellier, 2016. http://www.theses.fr/2016MONTT296/document.

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Abstract:
Le développement de sources moyen infrarouge compactes et accordables dans les gammes de transmission de l’atmosphère présente un intérêt majeur dans les secteurs de la défense et de la sécurité. Les sources paramétriques à quasi-accord de phase en configuration guidée sont prometteuses pour gagner en compacité puisque l’on réduit la puissance de pompe nécessaire par rapport aux sources « massives ». Le premier axe de la thèse consiste à étudier des guides d’onde en arséniure de gallium périodiquement orientés (OP-GaAs) adaptés à un pompage par laser fibré et à des puissances relativement élevées. Le second vise à étudier de façon novatrice la possibilité d’intégrer dans un composant monolithique une diode laser en matériaux antimoniures avec un convertisseur de fréquence en antimoniure de gallium (GaSb). L’enjeu dans les deux cas est de réduire au maximum les pertes à la propagation dans ces guides d’onde pour exploiter pleinement leurs propriétés non-linéaires.Ce travail de thèse a permis de modéliser des structures de guides d’onde ambitieuses pour réduire les pertes, de développer les briques technologiques nécessaires à la fabrication de guides d’onde OP-semi-conducteur faibles pertes et de faire de premières caractérisations de ces composants dans le moyen-infrarouge. Les performances de guides d’onde GaAs ruban enterrés ou non ont pu être comparées, donnant une réduction des pertes d’un facteur trois avec des rubans enterrés. Plusieurs générations de guides d’onde GaSb ont vu le jour, et montrent des performances à l’état de l’art des structures en GaAs. En conséquence, diverses solutions ont été explorées pour intégrer une diode laser en matériaux antimoniures avec le guide d’onde convertisseur de fréquence
The development of compact and tunable mid-infrared laser sources in the atmospheric transmission windows presents a major interest for several security and defense applications. Quasi-phase-matched parametric sources in guided wave configuration are promising solutions to enhance compactness, because of the reduction in pump power requirements with respect to bulk devices.The first axis of this thesis consists in studying orientation-patterned gallium arsenide (OP-GaAs) waveguides, adapted to fiber laser pumping and to relatively high pump power. The second axis is devoted to the original idea of integrating an antimonide based laser diode with a gallium antimonide (GaSb) frequency converter in a monolithic component. The goal in both cases is to minimize propagation losses in those waveguides to exploit the whole potential of their non-linear properties.This work led to model ambitious low-loss waveguides structures, to develop the technological fabrication steps necessary for OP-semiconductor waveguides manufacturing, and to characterize these components in the mid-infrared. The first buried ridge GaAs waveguide structure has been compared to the ridge one, giving a reduction of a factor three in the propagation losses. Several generations of GaSb waveguides have come forward, with constant losses improvement and reach GaAs state-of-the-art performances. Lastly, multiple solutions have been explored in order to integrate an antimonide-based laser diode with the frequency converter waveguide
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2

Galibert, Jean. "Transport quantique dans des semiconducteurs de type iii-v : effet shubnikov-de haas dans l'antimoniure de gallium, effet magnetophonon dans l'antimoniure d'indium." Toulouse 3, 1987. http://www.theses.fr/1987TOU30286.

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Abstract:
Determination des potentiels de deformation de la bande de conduction de gasb. Effets de contraintes selon 111 , en bon accord avec des resultats anterieurs, et selon 100, en desaccord avec la theorie. Determination du facteur de lande de gasb a partir des oscillations shubnikov-de haas dans la bande l, resolues en spin. Interpretation. Etude des surstructures qui apparaissent sur les spectres de resonance magnetophonon de insb. La definition des pics a permis de lever des ambiguites
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3

Garandet, Jean-Paul. "Etude des phénomènes de transport et des défauts cristallins dans des alliages Ga-Sb et Ga-In-Sb élaborés par la méthode Bridgman." Grenoble INPG, 1989. http://www.theses.fr/1989INPG0058.

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4

Sanchez, Dorian. "Étude et conception d’un nouveau système de confinement pour le VCSEL GaSb émettant dans le moyen-infrarouge." Thesis, Montpellier 2, 2012. http://www.theses.fr/2012MON20204/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l'étude et la réalisation de Lasers à Emission par la Surface à Cavité Verticale pompés électriquement (EP-VCSELs) à base d'antimoniures émettant dans le moyen-infrarouge au-delà de 2 µm. Ces VCSELs proposent des caractéristiques intéressantes pour la détection de gaz tel qu'une émission monomode et une large accordabilité sans saut de mode. L'objectif de ce travail était de développer de tels composants. La première partie de ce mémoire présente les propriétés des couches qui seront empilés pour former la structure VCSEL. La seconde partie traite des différentes conditions pour obtenir une source laser monomode. La troisième partie présente les procédés de fabrication qui ont étés mis en place. Notamment de la sous-gravure sélective de la Jonction Tunnel (JT), qui est une technique de confinement originale dans le système GaSb. Celle-ci permet de réduire le diamètre de la JT jusqu'à 6 µm, ce qui est la condition pour obtenir une émission monomode.La dernière partie de ce manuscrit présente les caractérisations menées sur les structures monolithiques à JT sous-gravées. La sous-gravure sélective nous a ainsi permis d'obtenir le premier EP-VCSEL monolithique monomode. Ce composant fonctionne au-delà de la température ambiante et en régime continu. Avec des courants de seuils aussi bas que 1,9 mA et un fonctionnement jusqu'à 70°C. Le développement des structures monolithique à zone active (ZA) en cascade a également permis d'augmenter les puissances optiques en sortie de ces composants. Celles-ci sont passées de 300 µW @ 20°C à 950 µW pour la première structure citée classique et la structure à ZA en cascades respectivement
This thesis deals with study and conception of GaSb-based electrically pumped Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (EP-VCSELs) emitting in the mid-infrared range above 2 µm. This VCSELs exhibits suitable characteristics for gas analysis like single-mode emission and a large current tunability without mode-hopping. The objective of this work was to develop such devices. The first part of this work is about properties of the epitaxial stack layers used to form the VCSEL structure. The second parts deal with characteristics and the confinement system to design a single mode cavity. The third part presents manufacturing process which has been set up, like Tunnel Junction (TJ) under-etching, which is an innovate approach on the GaSb system. It allows reducing TJ diameter down to 6 µm, which is a necessary point to demonstrate single-mode operation.The final part of this manuscript presents the characterisations purchased on the under-etched TJ monolithic-VCSELs. Selective under-etching of the TJ allowed the first demonstration of the first single-mode monolithic EP-VCSEL. This device emits around 2.3 µm in continuous regime above room temperature. This device exhibits threshold currents as low as 1.9 mA and operate up to 70°C. The development of bipolar cascaded VCSELs has also allowed increasing the optical power on large diameter multimode, with a maximum output power of 300 µW and 950 µW@20°C for the classic and the bipolar cascaded VCSEL respectively
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5

Quélard, Didier. "Etude par deformation plastique et frottement interieur de la mobilite des dislocations dans gaas et insb non dopes." Toulouse, INSA, 1987. http://www.theses.fr/1987ISAT0003.

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Abstract:
La premiere partie de ce travail presente l'etude de la deformation plastique par compression uniaxiale de gaas non dope. Des essais de relaxation de la contrainte a differentes temperatures comprises entre 0,35 et 0,54 t::(f) ont permis une premiere mesure de l'energie d'activation de la deformation plastique a differentes contraintes, et une evaluation du mecanisme controlant la deformation. La seconde partie expose les resultats de l'etude par frottement interieur a basse frequence (1 hz) des dislocations dans gaas (0,05 t::(f)t0,66 t::(f)) et insb (0,1 t::(f)0,95 t::(f)) non dopes pour differentes conditions de deformation. Les domaines de frequence et de temperature explores ont permis de mettre en evidence de nouveaux pics de frottement interieur sur insb, qui pourraient etre relies aux mecanismes intrinseques du mouvement des dislocations (vis et 60**(o))
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6

Mairiaux, Estelle. "Développement d’une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue applications térahertz." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10096/document.

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Abstract:
Les semiconducteurs III-V antimoniés suscitent un intérêt grandissant pour les applications électroniques rapides et faible consommation. Ces matériaux de paramètre de maille supérieur à 6,1 Å se caractérisent par des mobilités élevées et offrent une souplesse inégalée pour l’ingénierie des bandes. En particulier, le composé ternaire GaInSb se pose comme un candidat de choix pour la base des transistors bipolaires à hétérojonction du fait de sa haute mobilité de trous. L’objectif de cette thèse est d’évaluer la faisabilité et les potentialités d’une nouvelle filière de TBH à base d’antimoine en s’appuyant sur des hétérostructures originales AlIn(As)Sb/GaInSb. La réalisation de composants dans ce système moins bien connu que les systèmes plus classiques InP/InGaAs ou InP/GaAsSb a nécessité le développement de briques technologiques propres. L’étude de solutions de gravure pour la réalisation des mesa a notamment été entreprise et a permis d’identifier de nouvelles solutions chimiques adaptées à la gravure sélective de ces matériaux. Une attention particulière a également été portée sur la minimisation des résistivités spécifiques de contact qui a permis de dégager les paramètres critiques à l’obtention de contacts ohmiques de bonne qualité sur les couches en GaInSb de types n et p. La technologie développée a rendu possible la fabrication de dispositifs présentant des fréquences de coupure fT de 52 GHz et fMAX de 48 GHz. La caractérisation électrique précise tant en régime statique que dynamique des composants fabriqués ainsi que l’extraction du modèle petit signal nous ont permis de déterminer les principales limitations de ces dispositifs
The so-called ABCS (antimonide-based compound semiconductor) materials have a great potential for low power, high speed electronics as they have high electron and hole mobilities and provide a unique opportunity for bandgap engineering. The ternary material GaInSb has specifically recently emerged as a good candidate for the base layer of high performance heterojunction bipolar transistors (HBT). The purpose of this work is to demonstrate the feasibility and potentialities of a new antimonide-based HBT structure using AlIn(As)Sb/GaInSb heterojunctions. The fabrication of devices in this material system represents a new technological approach as compared to the conventional InP/GaInAs or InP/GaAsSb HBTs and has necessitated the development of various processing steps. In this study, we have investigated new selective chemical solutions to expose the base and the subcollector surface, as well as for achieving device isolation. High quality and reliable ohmic contacts has also been explored by investigating the factors that influence the specific contact resistivity, thermal stability, and shallowness of the ohmic contacts to n- and p-GaInSb. The fabricated devices demonstrated good microwave behaviour with a current gain cutoff frequency fT of 52 GHz and a maximum oscillation frequency fMAX of 48 GHz. Electrical analysis based on dc and RF measurements and a small signal equivalent circuit model enabled the determination of the limiting factors that need to be addressed for further improvement
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7

Ma, Shun-kit Martin. "The two gallium vacancy-related defects in undoped gallium antimonide." Click to view the E-thesis via HKUTO, 2004. http://sunzi.lib.hku.hk/hkuto/record/B31319658.

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8

Ma, Shun-kit Martin, and 馬信傑. "The two gallium vacancy-related defects in undoped gallium antimonide." Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 2004. http://hub.hku.hk/bib/B31319658.

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9

Swaminathan, Krishna. "Room-temperature aluminum gallium arsenic antimonide/indium gallium arsenic antimonide heterojunction phototransistors for the 2 micron region." Access to citation, abstract and download form provided by ProQuest Information and Learning Company; downloadable PDF file, 83 p, 2009. http://proquest.umi.com/pqdweb?did=1654487611&sid=7&Fmt=2&clientId=8331&RQT=309&VName=PQD.

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10

Conibeer, Gavin John. "Zinc diffusion in tellurium doped gallium antimonide." Thesis, University of Southampton, 1995. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.262103.

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Book chapters on the topic "Gallium antimoniure"

1

Adachi, Sadao. "Gallium Antimonide (GaSb)." In Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors, 227–37. Boston, MA: Springer US, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-5247-5_23.

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2

Feenstra, R. M., and S. W. Hla. "2.3.9 GaSb, Gallium Antimonide." In Physics of Solid Surfaces, 55. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-47736-6_26.

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3

Adachi, Sadao. "a-Gallium Antimonide (a-GaSb)." In Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors, 698–702. Boston, MA: Springer US, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-5247-5_68.

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4

Mihalache, A. "Mössbauer Effect in 57Fe-Doped Gallium Antimonide." In IFMBE Proceedings, 47–51. Cham: Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-31866-6_10.

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5

Mihalache, A. "Features of Radiative Recombination of Iron-Doped Gallium Antimonide." In IFMBE Proceedings, 29–32. Cham: Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-31866-6_6.

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6

Edwards, David F., and Richard H. White. "Gallium Antimonide (GaSb)." In Handbook of Optical Constants of Solids, 597–606. Elsevier, 1997. http://dx.doi.org/10.1016/b978-012544415-6.50069-8.

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7

EDWARDS, DAVID F., and RICHARD H. WHITE. "Gallium Antimonide (GaSb)." In Handbook of Optical Constants of Solids, 597–606. Elsevier, 1998. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-08-055630-7.50038-9.

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8

Vul', A. Ya. "GALLIUM ANTIMONIDE (GaSb)." In Handbook Series on Semiconductor Parameters, 125–46. WORLD SCIENTIFIC, 1996. http://dx.doi.org/10.1142/9789812832078_0006.

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9

Vul', A. Ya. "GALLIUM ARSENIDE ANTIMONIDE (GaAs1−xSbx)." In Handbook Series on Semiconductor Parameters, 111–31. WORLD SCIENTIFIC, 1996. http://dx.doi.org/10.1142/9789812832085_0005.

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10

Mikhailova, Maya P. "GALLIUM INDIUM ARSENIDE ANTIMONIDE (GaxIn1−xASySb1−y)." In Handbook Series on Semiconductor Parameters, 180–205. WORLD SCIENTIFIC, 1996. http://dx.doi.org/10.1142/9789812832085_0008.

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Conference papers on the topic "Gallium antimoniure"

1

Ahmetoglu (Afrailov), Muhitdin, Igor A. Andreev, Ekaterina V. Kunitsyna, Maya P. Mikhailova, Yury P. Yakovlev, and Kadir Erturk. "Gallium Antimonide-Based Photodiodes and Thermophotovoltaic Devices." In SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE BALKAN PHYSICAL UNION. AIP, 2007. http://dx.doi.org/10.1063/1.2733229.

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2

Martin, Diego, Alejandro Datas, Victoria Corregidor, and Carlos Algora. "Thermophotovoltaic Systems based on Gallium Antimonide Infrared Cells." In 2007 Spanish Conference on Electron Devices. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/sced.2007.384048.

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3

An, Ning, Guojun Liu, Zhipeng Wei, Rui Deng, Xuan Fang, Xian Gao, Yonggang Zou, Mei Li, and Xiaohui Ma. "Study on neutral sulphur passivation of gallium antimonide surface." In 2012 International Conference on Optoelectronics and Microelectronics (ICOM). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/icoom.2012.6316207.

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4

Flint, James P., Gordon Dallas, and Annette Bollaert. "Production manufacturing of 5" diameter gallium antimonide substrates (Conference Presentation)." In Infrared Technology and Applications XLIII, edited by Gabor F. Fulop, Charles M. Hanson, Paul R. Norton, Bjørn F. Andresen, and John L. Miller. SPIE, 2017. http://dx.doi.org/10.1117/12.2266271.

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5

Gruenbaum, P. E., M. S. Kuryla, and V. S. Sundaram. "Technical and economic issues for gallium antimonide based thermophotovoltaic systems." In The first NREL conference on thermophotovoltaic generation of electricity. AIP, 1995. http://dx.doi.org/10.1063/1.47045.

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6

Bhattacharya, Indranil, and Simon Y. Foo. "Effects of Gallium-Phosphide and Indium-Gallium-Antimonide semiconductor materials on photon absorption of multijunction solar cells." In SOUTHEASTCON 2010. IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/secon.2010.5453863.

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7

Fraas, L., Huang Han Xiang, J. Samaras, R. Ballantyne, D. Williams, S. Hui, and L. Ferguson. "Hydrocarbon fired thermophotovoltaic generator prototypes using low bandgap gallium antimonide cells." In Conference Record of the Twenty Fifth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1996. IEEE, 1996. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.1996.563963.

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8

Fraas, Lewis, James Avery, Russ Ballantyne, Paul Custard, Luke Ferguson, Huang Han Xiang, Jason Keyes, Bill Mulligan, John Samaras, and Doug Williams. "2-Amp TPV cogenerator using forced-air cooled gallium antimonide cells." In THERMOPHOTOVOLTAIC GENERATION OF ELECTRICITY. ASCE, 1997. http://dx.doi.org/10.1063/1.53275.

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9

Bhattacharya, Indranil, and Simon Y. Foo. "Indium phosphide, indium-gallium-arsenide and indium-gallium-antimonide based high efficiency multijunction photovoltaics for solar energy harvesting." In 2009 1st Asia Symposium on Quality Electronic Design (ASQED 2009). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/asqed.2009.5206262.

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10

Suliza, Wan Emlin, Wan Abd Rashid, Md Zaini Jamaludin, Nazaruddin Abdul Rahman, Mansur Mohammed Ali Gamel, Hui Jing Lee, and Pin Jern Ker. "Gallium Antimonide Thermophotovoltaic: Simulation and Electrical Characterization Under Different Spectral Filtration Wavelengths." In 2020 IEEE 8th International Conference on Photonics (ICP). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/icp46580.2020.9206487.

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Reports on the topic "Gallium antimoniure"

1

Nicols, Samuel Piers. Self- and zinc diffusion in gallium antimonide. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), January 2002. http://dx.doi.org/10.2172/795370.

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2

Tsaur, S. C. Czochralski growth of gallium indium antimonide alloy crystals. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), February 1998. http://dx.doi.org/10.2172/329561.

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3

G. Rajagopalan, N.S. Reddy, E. Ehsani, I.B. Bhat, P.S. Dutta, R.J. Gutmann, G. Nichols, G.W. Charache, and O. Sulima. A Simple Single Step diffusion and Emitter Etching Process for High Efficiency Gallium Antimonide Thermophotovoltaic Devices. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), August 2003. http://dx.doi.org/10.2172/820719.

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