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Dissertations / Theses on the topic 'Germanium poreux'

Author: Grafiati

Published: 21 December 2024

Last updated: 31 July 2025

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1

Mathiaud, Romain. "Synthèse et structuration de disulfure de germanium en présence de liquides ioniques et de tensioactifs." Thesis, Montpellier 2, 2014. http://www.theses.fr/2014MON20088/document.

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Abstract:

L'obtention de manière contrôlée de matériaux chalcogénures nanostructurés et possédant une surface spécifique importante ou fonctionnalisée est un défi très intéressant. En alliant une surface spécifique élevée à la polarisabilité des surfaces chalcogénures ou en élaborant des matériaux fonctionnalisés, on peut espérer une percée dans de nombreux domaines comme la catalyse, la séparation gazeuse, l'électrochimie, le photovoltaïque ou l'optique... L'objectif de cette thèse était de développer des voies de synthèse du disulfure de germanium (GeS2) par chimie douce à température et pression ambi

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2

Jaafar, Abdallah. "Développement de matériaux poreux pour des applications de détection en optique intégrée dans le moyen infrarouge." Electronic Thesis or Diss., Université de Rennes (2023-....), 2024. http://www.theses.fr/2024URENS043.

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Abstract:

Les capteurs optiques intégrés basés sur des dispositifs optiques guidés en matériaux poreux peuvent détecter efficacement et sélectivement des molécules polluantes présentes dans l’eau, l’air et l’environnement. La structure poreuse permet aux molécules à détecter de s’infiltrer dans les pores, ce qui permet une détection volumique. Cette caractéristique exalte la sensibilité d’un capteur optique intégré et offre aussi la possibilité de détecter une très faible quantité de molécules. Dans ce travail, deux matériaux transparents dans le moyen infrarouge (MIR) ont été étudiés pour le développem

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3

Wang, Xu-xu. "Modification de solides micro - et méso - poreux par chimie organométallique de surface." Lyon 1, 1999. http://www.theses.fr/1999LYO10327.

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Abstract:

L'objectif de ce travail de these etait de modifier les proprietes de tamis moleculaires par reaction avec des complexes organometalliques. Des etudes preliminaires avaient ete realisees sur mordenite et sur cloverite. Nous avons etendu ces etudes a toute une serie de composes micro- et mesoporeux, telle la zsm-5, la faujasite y et mcm-41. Par reaction avec le tetrabutyl germanium il est possible de modifier toutes les entrees de pores de la zsm-5 sans toucher a la surface interne, ce qui entraine des modifications des proprietes d'adsorption des hydrocarbures. Cependant, la reaction est moins

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4

Buttard, Denis. "Étude structurale du silicium poreux de type p par diffraction haute résolution des rayons X." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10141.

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Abstract:

La premiere partie de ce travail a ete consacree a l'etude, par diffraction des rayons x, des deformations engendrees par des effets de surface. Nous avons notamment mis en evidence, grace a des mesures in situ sous ultra vide, que la dilatation qui existe pour un echantillon fraichement prepare est due aux liaisons si-h#x presentes a la surface des cristallites de silicium. Nous avons d'autre part etudie la passivation du silicium poreux par oxydation des cristallites de silicium qui se traduit par une dilatation supplementaire a la dilatation originelle du parametre de maille cristallin. Le

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5

Tutashkonko, Sergii. "Élaboration du Ge mésoporeux et étude de ses propriétés physico-chimiques en vue d'applications photovoltaïques." Thèse, Université de Sherbrooke, 2013. http://hdl.handle.net/11143/6145.

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Abstract:

Le sujet de cette thèse porte sur l'élaboration du nouveau nanomatériau par la gravure électrochimique bipolaire (BEE) -- le Ge mésoporeux et sur l'analyse de ses propriétés physico-chimiques en vue de son utilisation dans des applications photovoltaïques. La formation du Ge mésoporeux par gravure électrochimique a été précédemment rapportée dans la littérature. Cependant, le verrou technologique important des procédés de fabrication existants consistait à obtenir des couches épaisses (supérieure à 500 nm ) du Ge mésoporeux à la morphologie parfaitement contrôlée. En effet, la caractérisation

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6

Garchery, Laurent. "Fabrication et étude des propriétés physiques des nanostructures Si/SiGe : application aux nouveaux dispositifs." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1996. http://www.theses.fr/1996GRE10232.

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Abstract:

La technologie de la microelectronique silicium beneficie aujourd'hui d'investissements massifs et continus. Tout porte a croire que les excellentes proprietes du systeme si/sio#2 assureront la perennite du si pendant encore de nombreuses annees. Le developpement de nouveaux materiaux pouvant ameliorer les performances des dispositifs a base de si est donc encourage. En particulier, l'heterosysteme si/sige apparait comme le meilleur candidat pour le developpement d'une technologie a heterojonction a base de si. De tels materiaux doivent cependant etre compatibles avec les temperatures de recui

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7

FUGATTINI, Silvio. "Binder-free porous germanium anode for Li-ion batteries." Doctoral thesis, Università degli studi di Ferrara, 2019. http://hdl.handle.net/11392/2488081.

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Abstract:

To develop high energy density lithium ion batteries, the use of new electrode materials is required. Germanium is among the possible alternatives to the most commonly used anode, graphite (372 mAh/g), thanks to its four-times higher theoretical gravimetric capacity (1600 mAh/g). Here is presented a two-step method to produce a binder-free porous germanium anode, depositing the semiconductor on metallic substrates by means of Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) and subsequently performing an electrochemical etching with hydrofluoric acid to create a porous structure. The Ge-base

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8

Huang, Xuezhen. "Fabrication and optical properties of (I) erbium-doped nanowires containing germanium and/or zinc oxide and (II) porous germanium nanowires." [Fort Worth, Tex.] : Texas Christian University, 2010. http://etd.tcu.edu/etdfiles/available/etd-04282010-134727/unrestricted/Huang.pdf.

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9

Kitschke, Philipp, Marc Walter, Tobias Rüffer, et al. "Porous Ge@C materials via twin polymerization of germanium(II) salicyl alcoholates for Li-ion batteries." Universitätsbibliothek Chemnitz, 2016. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-197302.

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Abstract:

The germylenes, germanium(II) 2-(oxidomethyl)phenolate (1), germanium(II) 4-methyl-2-(oxidomethyl)phenolate (2) and germanium(II) 4-bromo-2-(oxidomethyl)phenolate (3) were synthesized and their thermally induced twin polymerization to give organic–inorganic hybrid materials was studied. The compounds 1–3 form oligomers including dimers, trimers and tetramers as a result of intermolecular coordination of the benzylic oxygen atom to germanium. The structural motifs were studied by single crystal X-ray diffraction analysis and DFT-D calculations. Thermally induced twin polymerization of these ger

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10

CALABRESE, Gabriele. "Relaxed germanium epilayers on porous silicon buffers for low dislocation content Ge on Si virtual substrates." Doctoral thesis, Università degli studi di Ferrara, 2015. http://hdl.handle.net/11392/2389093.

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Abstract:

While silicon represents the dominant material in the semiconductor industry, the continuous improvement in the performance of Si based devices is reaching its upper bound due to the approaching of insuperable physical limitations intrinsic to Si, which requires the introduction of new semiconductor materials and the development of new assembly techniques to guarantee the future performance improvement and reduction in fabrication costs. The integration of high-quality germanium epilayers on Si substrates has received great attention from the semiconductor community due to the chance to extend

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UÌˆnal, Bayram. "Optical, electrical and structural properties of nanostructured silicon and silicon-germanium alloys." Thesis, De Montfort University, 1998. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.391480.

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Kitschke, Philipp. "Experimental and theoretical studies on germanium-containing precursors for twin polymerization." Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2016. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-205443.

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Abstract:

Im Fokus dieser Arbeit standen zwei Ziele. Zum einem war es Forschungsgegenstand, dass Konzept der Zwillingspolymerisation auf germaniumhaltige, molekulare Vorstufen wie zum Beispiel Germylene, spirozyklische Germaniumverbindungen und molekulare Germanate zu erweitern und somit organisch-anorganische Komposite beziehungsweise Hybridmaterialien darzustellen. Dazu wurden neuartige Germaniumalkoxide auf der Basis von Benzylalkoholaten, Salicylalkoholaten sowie Benzylthiolaten synthetisiert, charakterisiert und auf ihre Fähigkeit Komposite beziehungsweise Hybridmaterialien über den Prozess der Zwi

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Gacem, Karim. "Contribution à l’étude du transport et du stockage de charges dans des structures contenant des nanocristaux de germanium." Reims, 2008. http://theses.univ-reims.fr/exl-doc/GED00000978.pdf.

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Abstract:

Le travail rapporté dans ce mémoire concerne la caractérisation électrique de nanocristaux de germanium (nc-Ge) élaborés par démouillage sur une couche de dioxyde de silicium. L’étude est réalisée sous deux formes : En premier lieu, des mesures courant – tension (I-V) et capacité (haute fréquence ; 1 MHz) – tension (C-V) ont été effectuées pour caractériser des nanocristaux recouverts par du silicium amorphe. Les résultats ont montré l’apparition du blocage de Coulomb à température ambiante dans des nc-Ge ayant le plus petit diamètre (~3. 5 nm). Les mesures I-V et C-V ont révélé le phénomène d

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Beattie, Meghan. "Semiconductor Materials and Devices for High Efficiency Broadband and Monochromatic Photovoltaic Energy Conversion." Thesis, Université d'Ottawa / University of Ottawa, 2021. http://hdl.handle.net/10393/42475.

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Abstract:

This thesis addresses barriers to the widespread adoption of high-efficiency photovoltaic devices through the use of innovative semiconductor materials and device design. The feasibility of various strategies is explored through experimental characterization and modeling of semiconductor materials and devices. High-efficiency photovoltaic devices are made from epitaxially grown III-V semiconductor materials. Epitaxial devices are highly sensitive to lattice mismatch between the epi-layers and the substrate, requiring sophisticated substrate engineering or growth strategies to access materials

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Rossi, Giuseppe Germano. "Etude de la réponse au rayonnement X entre 10KeV-100KeV des détecteurs à micro-pistes de germanium avec résolution spatiale et en énergie." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10089.

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Abstract:

Dans le cadre d'un developpement d'un detecteur avec resolution spatiale et en energie pour comptage de photons dans des experiences de diffusion compton, nous avons etudie, au sein de l'esrf-grenoble, les performances de deux capteurs de germanium a micro-pistes. Ces deux detecteurs, issus de deux differentes technologies de fabrication, ont une resolution en energie associee a une resolution spatiale correspondante a leur pas de pistes de 200m. Nous avons valide l'utilisation d'une nouvelle plaquette multicouches connectante a tres haute densite les pistes du capteur meme, refroidi a l'azote

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Besson, Claudine. "Effet photoréfractif dans l'oxyde de bismuth germanium (bi12Ge020) : détermination des paramètres du matériau, intensification de l'effet photoréfractif par un champ alternatif et amplification d'ondes optiques." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 1989. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00718040.

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Abstract:

Etude des paramètres caractéristiques de l'effet photorefractif dans l'oxyde de bismuth germanium (bi12Ge020) par des expériences de diffraction d'ondes optiques. Ces résultats sont mis a profit pour la réalisation d'un amplificateur d'ondes optiques base sur le couplage dans le matériau. Les principaux paramètres photorefractifs mesures sont: la longueur de diffusion des porteurs de charge; la densité de centres ionises dans le noir; la photoconductivité. L'influence du dopage sur ces paramètres est discutées. Des améliorations des performances du bi12Geo20 sont obtenues en appliquant un cham

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Bouillon, Pierre. "Étude et application de nouvelles architectures du canal aux dispositifs MOS avancés." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0165.

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Abstract:

Jusqu'a aujourd'hui, la transition d'une generation technologique a la suivante a ete assuree grace a l'application de simples regles de reduction d'echelle. Les travaux presentes ici concernent l'etude et l'application d'architectures de dispositifs mos plus proches de la rupture technologique, et susceptibles de donner un coup de fouet aux performances des transistors sub-0. 18 m. Il est demontre que les architectures canal a profil de dopage fortement retrograde (ions lourds, ions lourds completes par une epitaxie de silicium intrinseque) sont beaucoup plus efficaces que l'architecture trad

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Labdi, Yamina. "Caracterisation des structures n+in+ minces, a base de sillicium amorphe hydrogene par la methode des courants limites par charge d'espace : prise en compte des effets d'interface." Paris 7, 1988. http://www.theses.fr/1988PA077091.

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Abstract:

Cette these est principalement consacree a l'etude experimentale et theorique des structures minces du type metal/n**(+)in**(+)/metal a base de silicium amorphe hydrogene. Dans un premier temps, nous nous affranchissons des problemes des resistances parasites dues a la presence des jonctions metal/n**(+), en etudiant ces jonctions de facon detaillee lorsque le metal utilise est de l'oxyde d'etain, du chrome ou de l'aluminium. Nous serons amenes a corriger de facon empirique et si necessaire, les caracteristiques j(v) mesurees afin que celles ci decrivent le comportement de la couche centrale i

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Kitschke, Philipp, Marc Walter, Tobias Rüffer, Heinrich Lang, Maksym V. Kovalenko, and Michael Mehring. "From molecular germanates to microporous Ge@C via twin polymerization." Universitätsbibliothek Chemnitz, 2016. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-200917.

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Abstract:

Four molecular germanates based on salicyl alcoholates, bis(dimethylammonium) tris[2-(oxidomethyl)phenolate(2-)]germanate (1), bis(dimethylammonium) tris[4-methyl-2-(oxidomethyl)phenolate(2-)]germanate (2), bis(dimethylammonium) tris[4-bromo-2-(oxidomethyl)phenolate(2-)]germanate (3) and dimethylammonium bis[2-tert-butyl-4-methyl-6-(oxidomethyl)phenolate(2-)][2-tert-butyl-4-methyl-6-(hydroxymethyl)phenolate(1-)]germanate (4), were synthesized and characterized including single crystal X-ray diffraction analysis. In the solid state, compounds 1 and 2 exhibit one-dimensional hydrogen bonded netw

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Benjelloun, Nadia. "Caracterisation des niveaux profonds dans le materiau photorefractif bi : :(12) geo::(20) par analyse de transitoires de courant photo-induit." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1988. http://www.theses.fr/1988STR13183.

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Abstract:

La methode est utilisee pour l'etude de la densite d'etats dans la bande interdite du silicium amorphe hydrogene et sur cdin::(2)s::(4). La caracterisation des niveaux ayant des energies d'ionisation thermique entre 0,1 ev et 0,9 ev, le modele de transfert de charge decrivant l'effet photorefractif et l'evaluation du niveau de recombinaison, sont faits dans le materiau photorefractif. Les effets du dopage (fer) et du codopage (fer, vanadium) sur les niveaux sont consideres. Le centre responsable de la capture d'electrons est aussi etudie par absorption optique et photoconductivite photoinduite

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"FABRICATION AND OPTICAL PROPERTIES OF (I) ERBIUM-DOPED NANOWIRES CONTAINING GERMANIUM AND/OR ZINC OXIDE AND (II) POROUS GERMANIUM NANOWIRES." Texas Christian University, 2010. http://etd.tcu.edu/etdfiles/available/etd-04282010-134727/.

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Lei, Y., L. W. Teo, K. S. Yeong, et al. "Fabrication of Highly Ordered Nanoparticle Arrays Using Thin Porous Alumina Masks." 2003. http://hdl.handle.net/1721.1/3662.

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Abstract:

Highly ordered nanoparticle arrays have been successfully fabricated by our group recently using ultra-thin porous alumina membranes as masks in the evaporation process. The sizes of the nanoparticles can be adjusted from 5-10 nm to 200 nm while the spacing between adjacent particles can also be adjusted from several nanometers to about twice the size of a nanoparticle. The configuration of the nanoparticles can be adjusted by changing the height of the alumina masks and the evaporation direction. Due to the high pore regularity and good controllability of the particle size and spacing, this m

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Tran, Tuan. "Synthesis of Germanium-Tin Alloys by Ion Implantation and Pulsed Laser Melting: Towards a Group IV Direct Band Gap Semiconductor." Phd thesis, 2017. http://hdl.handle.net/1885/131126.

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Abstract:

The germanium-tin (Ge1-xSnx) material system is expected to be a direct bandgap group IV semiconductor at a Sn content of 6.5−11 𝑎𝑡.%. Hence there has been much interest in preparing such alloys since they are compatible with silicon and they raise the possibility of integrating photonics functionality into silicon circuitry. However, the maximum solid solubility of Sn in Ge is around 0.5 𝑎𝑡.% and non-equilibrium deposition techniques such as molecular beam epitaxy or chemical vapour deposition have been used to achieve the desired high Sn concentrations. In this PhD work, the combination of

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Shinde, Satish Laxman. "Thermal Oxidation Strategies for the Synthesis of Binary Oxides and their Applications." Thesis, 2014. https://etd.iisc.ac.in/handle/2005/2899.

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Abstract:

Binary oxides constitute an outstanding class of functional materials with potential applications in many fields such as catalysis, gas sensing, field emission, solar cells, photodetection, etc. Due to the difference in their physical/chemical properties, different oxides have been explored for different applications. For examples, SnO2, Cr2O3 and ZnO are being explored for gas sensing due to their high adsorption capacity for volatile gases, ZnO, Cu2O etc. are being explored in solar cells because of high adsorption coefficient in UV/visible region and so on. Various techniques are available

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Shinde, Satish Laxman. "Thermal Oxidation Strategies for the Synthesis of Binary Oxides and their Applications." Thesis, 2014. http://etd.iisc.ernet.in/handle/2005/2899.

Full text

Abstract:

Binary oxides constitute an outstanding class of functional materials with potential applications in many fields such as catalysis, gas sensing, field emission, solar cells, photodetection, etc. Due to the difference in their physical/chemical properties, different oxides have been explored for different applications. For examples, SnO2, Cr2O3 and ZnO are being explored for gas sensing due to their high adsorption capacity for volatile gases, ZnO, Cu2O etc. are being explored in solar cells because of high adsorption coefficient in UV/visible region and so on. Various techniques are available

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