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Academic literature on the topic 'Germaniures'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 4 March 2023

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Journal articles on the topic "Germaniures"

1

Venturini, G., M. Meot-Meyer, and B. Roques. "De nouveaux germaniures ternaires de métaux de transition et de lanthanoïdes, isotypes de TiMnSi2." Journal of the Less Common Metals 107, no. 2 (May 1985): L5—L7. http://dx.doi.org/10.1016/0022-5088(85)90095-5.

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2

Méot-Meyer, M., G. Venturini, B. Malaman, and B. Roques. "De nouveaux isotypes lacunaires de CeNiSi2: Les germaniures RCoxGe2, R = Y, La-Sm, Gd-Lu, 0 < x ≦ 1." Materials Research Bulletin 20, no. 12 (December 1985): 1515–21. http://dx.doi.org/10.1016/0025-5408(85)90169-2.

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3

François, M., G. Venturini, E. McRae, B. Malaman, and B. Roques. "Une nouvelle famille structurale de germaniures terniares: RIrGe2 (R ≡ Y, Pr-Sm, Gd-Er) et MPtGe2 (M ≡ Ca, Y, Ce-Sm, Gd-Tm)." Journal of the Less Common Metals 128 (February 1987): 249–57. http://dx.doi.org/10.1016/0022-5088(87)90212-8.

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4

Venturini, G., M. Méot-Meyer, B. Malaman, and B. Roques. "De nouvelles séries de germaniures, isotypes de Yb3Rh4Sn13 et BaNiSn3, dans les systèmes ternaires TRTGe où TR est un élément des terres rares et T ≡ Co, Rh, Ir, Ru, Os." Journal of the Less Common Metals 113, no. 2 (November 1985): 197–204. http://dx.doi.org/10.1016/0022-5088(85)90277-2.

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5

Francois, M., G. Venturini, J. F. Marêché, B. Malaman, and B. Roques. "De nouvelles séries de germaniures, isotypes de U4Re7Si6, ThCr2Si2 et CaBe2Ge2, dans les systèmes ternaires RTGe où R est un élément des terres rares et T ≡ Ru, Os, Rh, Ir: supraconductivité de LaIr2Ge2." Journal of the Less Common Metals 113, no. 2 (November 1985): 231–37. http://dx.doi.org/10.1016/0022-5088(85)90281-4.

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6

Weidenbruch, Manfred, Karen Schäfers, Siegfried Pohl, Wolfgang Saak, Karl Peters, and Hans Georg von Schnering. "Verbindungen des germaniums und zinns." Journal of Organometallic Chemistry 346, no. 2 (May 1988): 171–80. http://dx.doi.org/10.1016/0022-328x(88)80113-x.

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7

Weidenbruch, Manfred, Karen Schäfers, Josephin Schlaefke, Karl Peters, and Hans Georg von Schnering. "Verbindungen des Germaniums und Zinns." Journal of Organometallic Chemistry 415, no. 3 (September 1991): 343–48. http://dx.doi.org/10.1016/0022-328x(91)80134-6.

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8

Weidenbruch, Manfred, Josephin Schlaefke, Karl Peters, and Hans Georg von Schnering. "Verbindungen des germaniums und zinns." Journal of Organometallic Chemistry 414, no. 3 (August 1991): 319–25. http://dx.doi.org/10.1016/0022-328x(91)86330-s.

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9

Kunz, Tanja, Claudio Schrenk, and Andreas Schnepf. "Ge14 Br8 (PEt3 )4 : Ein Subhalogenidcluster des Germaniums." Angewandte Chemie 130, no. 15 (March 9, 2018): 4152–56. http://dx.doi.org/10.1002/ange.201712247.

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10

Schumann, Herbert, Mario Glanz, Frank Girgsdies, F. Ekkehardt Hahn, Matthias Tamm, and Alexander Grzegorzewski. "Cyclopropenyliden-Addukte des zweiwertigen Germaniums, Zinns und Bleis." Angewandte Chemie 109, no. 20 (October 17, 1997): 2328–30. http://dx.doi.org/10.1002/ange.19971092025.

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Dissertations / Theses on the topic "Germaniures"

1

Wang, Xian-Zhong. "Relations entre propriétés structurales et supraconductrices de nouveaux siliciures et germaniures ternaires : MTSi, MTGe, MₓSi₂₋ₓ et MTSi₃ (M = Ti, Zr, Hf, terres rares, Th et T = Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt)." Bordeaux 1, 1986. http://www.theses.fr/1987BOR10513.

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2

Wang, Xian-Zhong. "Relations entre propriétés structurales et supraconductrices de nouveaux siliciures et germaniures ternaires." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376107355.

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3

François, Michel. "Propriétés structurales, magnétisme et supraconductivité de germaniures et stannures ternaires de métaux de transition et lanthanoides ou alcalino-terreux." Nancy 1, 1986. http://www.theses.fr/1986NAN10132.

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Abstract:
Description de nouveaux germaniures isotypes de U::(4)RE::(7)SI::(6), THCR::(2)SI::(2) ou CABE::(2)GE::(2). Ces phases sont classées en fonction des tailles relatives de leurs constituants métalliques. Comportement magnétique de germaniures RRU::(2)GE::(2) et RRH::(2)GE::(2). Étude de nouveaux germaniures et stannures isotypes de cenisi::(2). Présentation d'une nouvelle famille de germaniures ternaires, apparentée à celle des isotypes de SC::(5)CO::(4)SI::(10). Structure cristalline de ynisn
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4

Spina, Laurent. "Métallo (Al, Zn) siliciures et germaniures de lithium : Synthèse, structure et comportement électrochimique." Montpellier 2, 2004. http://www.theses.fr/2004MON20074.

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5

Norlidah, bt Mohamed Noor. "Propriétés structurales et magnétiques de siliciures et germaniures ternaires RT2X2 et RTX2 : R = Y, La, Lanthanoïdes ; T = Mn et métaux des groupes 8 à 10." Nancy 1, 1998. http://www.theses.fr/1998NAN10186.

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Abstract:
L'étude des propriétés cristallochimiques et magnétiques de siliciures et germaniures ternaires RT2X2 et RTX2, et pseudoternaires RTT' 0,5x1,5 et R(TT')2x2 (R = Lanthanoïdes ; T, T' = métaux de transition ; X = Si, Ge) isotypes de TbFeSi2 et ThCr2Si2, respectivement, a été réalisée. Ces composés associent deux métaux de tailles et électronégativités différentes. La substitution partielle du germanium par le cuivre nous a permis de stabiliser le composé LaMnCu0,5Ge1,5, premier germaniure de structure type TbFeSi2. Les essais de synthèses ont ensuite conduit à l'extension de cette famille de composés avec de nombreuses phases nouvelles RTT'0,5x1,5(R = La-Sm ; T = Mn, Co, Rh ; T' = Ni, Cu, Pd, Pt ; X = Si, Ge). Ces synthèses ont également permis de caractériser de nouvelles phases de formule générale R3T2T'2X4 (R = La-Nd ; T = Mn, Ru ; T' = Ni, Pd, Pt ; X = Si, Ge) et R4MnSi7 (R = Ho, Er), respectivement isotypes de U3Ni4Si4 et Sm4CoGe7, et l'analyse sur monocristal d'un nouveau type structural : le type YbMn0,17Si1,83. Toutes ces phases se présentent comme des variantes d'intercroissance de blocs types BaAl4 et AlB2. Cette analyse nous a alors permis de mieux comprendre les mécanismes de stabilisation de ces phases. Par ailleurs, les déterminations structurales sur monocristaux des composes RMnSi2 (R = La, Nd) et RMnCu0,5Ge1,5 (La, Pr) montrent le rôle du cuivre dans la stabilisation des nouveaux composes quaternaires isotypes de TbFeSi2. Enfin, l'étude par spectrométrie Mössbauer (57Fe) des composes HoFe0,5Si2 et LaFe0,65Ge2 a clairement montré l'imprécision de la dénotation TbFeSi2, notation qui doit être remplacée a présent par la notation LaMnSi2. Ces travaux ont été suivis d'une étude approfondie du magnétisme des composés des solutions solides LaMn2-xCuxGe2 et LaMn2-xFexGe2 (0 ≤ x ≤ 1), des composes RMn1,5Cu0,5Ge2 (R = Y, Ce-Nd, Sm, Gd-Ho) et RMn1,5Ge0,5Ge2 (R = Ce, Pr, Sm, Gd, Tb) isotypes de ThCr2Si2 et des composés RMnCu0,5Ge1,5 et de la solution solide NdMnCu0,5Ge1,5-xSix (x = 0,0 ; 0,3 ; 0,6 ; 0,9 ; 1,2 ; 1,5) isotypes de LaMnSi2. Les structures magnétiques ont toutes été déterminées par diffraction des neutrons. L’évolution du comportement magnétique du sous-réseau de manganèse est discutée en conclusion.
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6

Nemouchi, Fabrice. "Réactivité de films nanométriques de nickel sur substrats silicium-germanium." Aix-Marseille 3, 2005. http://www.theses.fr/2005AIX30052.

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Abstract:
Nous présentons une étude sur la réactivité de films minces de nickel avec différents substrats : silicium, germanium et silicium-germanium. La séquence de formation, la cinétique de croissance et la stabilité des siliciures, germaniures et germano-siliciures ont été étudiées par des mesures " in situ " et en temps réel de diffraction des rayons X, calorimétrie différentielle à balayage (DSC) et résistance quatre pointes. Nous avons notamment développé une méthode originale pour mesurer le dégagement de chaleur lors des réactions de films minces sur substrat par DSC. Nous avons observé des comportements différents entre les siliciures et les germaniures. En effet, les siliciures ont globalement une croissance séquentielle avec cependant des phases transitoires (Ni31Si12 et Ni3Si2) qui se forment et disparaissent rapidement. Contrairement aux siliciures, les germaniures Ni5Ge3 et NiGe croissent simultanément. Pour ces deux systèmes, nous avons réalisé des mesures originales des taux de réaction à l'interface pour les phases riches en nickel (Ni2Si et Ni2Ge3) en simulant les cinétiques avec une loi linéaire-parabolique (contrôlé par diffusion et réaction). La formation des germano-siliciures est séquentielle comme pour les siliciures. Nous avons observé que la phase en riche en silicium (NiSi2) n'apparaît pas en présence de germanium. De plus, lors de la formation de Ni(Si1-xGex) un rejet de germanium est observé. Ceci peut s'expliquer par l'équilibre thermodynamique entre Ni(Si1-xGex) et Si1-xGex, réalisé pour des concentrations différentes en germanium. Cette étude apporte des éléments de compréhension des phénomènes fondamentaux nécessaires à la métallisation des composants de la nanoélectronique
We present a study on the reactivity between thin films of nickel with several substrates : silicon, germanium and silicon-germanium. The formation sequence, the formation kinetic and the stability of silicides, germanides, and germano-silicides have been studied by "in situ" measurements and real time using XRD, DSC and four points probes resistance. We developed, in particularly, an original method to measure the heat flow during thin films on substrate reactions by DSC measurements. We observed different behavior of silicides versus gremanides. Indeed, silicides have overall a sequential growth with nevertheless some transient phases (Ni31Si12 and Ni3Si2) that appear and disappear rapidly. In contrary of silicides, germinides display a simultaneous growth of Ni5Ge3 and NiGe. In both systems, we realised original measurement of interfacial reaction rates of Ni rich phases (Ni2Si and Ni5Ge3) by simulating the kinetics by a linear-parabolic law (diffusion and interfacial reaction control). The formation of germano-silicides is sequential as silicides one. We observed that the Si rich phase (NiSi2) does not appear in presence of germanium. Moreover, during the Ni(Si1-xGex) formation, Ge is rejected from this phase. It could be explained by the thermodynamic equilibrium between Ni(Si1-xGex) and Si1-xGex with different concentration of germanium in both phases. This study provides new elements for the understanding of the fundamental phenomena needed for metallization of nanoelectronic devices
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7

Boutarek, Nai͏̈ma. "Contribution à l'étude des silico-germaniures des métaux de transition 3d et des terres rares (Ce, Pr)." Grenoble INPG, 1992. http://www.theses.fr/1992INPG0150.

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Abstract:
L'etude des systemes m-ge-si avec m metal de transition 3d a montre que l'etendue de la solution solide mge#2##xsi#x etait fonction du nombre d'electrons d du metal considere. Dans les systemes ternaires r(ge#1#. #6)#x(si#1#. #9)#1##x (r=ce ou pr), l'extension des solutions solides a ete mise en evidence ainsi que l'existence d'une substitution ordonnee en relation avec l'apparition de surstructure dans le compose cege#0#. #6#6si#0#. #9#2. L'accroissement de l'hybridation des electrons 4f avec ceux de la bande de conduction sous l'effet de la substitution du germanium par du silicium, typique de la presence de l'effet kondo, a ete mise en evidence dans les composes a base de cerium. Un lien etroit a pu etre etabli entre les proprietes physiques et les phenomenes structuraux. Le metamagnetisme dans les composes prsi#1#. #8 et cege#1#. #7#5 a ete attribue a la coexistence de deux phases a basse temperature. De meme, l'evolution thermique de la resistivite, associee aux resultats de la dilatometrie par diffraction des rx a basse temperature dans le compose cege#0#. #6#6si#0#. #9#2, s'accordent sur un rearrangement des lacunes dans le sous-reseau du germanium a basse temperature
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8

Lefevre, Christophe. "Etude des propriétés structurales, magnétiques et électriques des solutions solides RMn6X6-xX'x (R=Gd-Lu, Sc, Y ; X=Ge, Sn ; X'=Ga, In) isotopes de HfFe6Ge6." Nancy 1, 2004. http://www.theses.fr/2004NAN10064.

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Abstract:
Ce travail porte sur l'étude des propriétés structurales, magnétiques et électriques de composés pseudo-ternaires RMn6X6-xX'x (R = Gd-Lu, Y, Sc ; X = Ge, Sn ; X' = Ga, In) isotypes de HfFe6Ge6. Les études sur monocristaux des coordonnées atomiques nous ont permis de préciser la cristallochimie de ces phases. Nous avons ainsi montré que la substitution s'effectue préférentiellement dans le site cristallographique qui permet le maintien les distances R-Mn les plus courtes. L'ensemble de ce travail a mis en évidence le rôle prépondérant de la concentration en électrons de valence sur l'évolution des propriétés magnétiques de ces composés. Nous avons ainsi précisé le modèle d'interactions qui semblent gouvernées par des interactions ferromagnétiques entre plans proches voisins et par une interaction antiferromagnétique à longue portée. Enfin, l'initiation d'études de conductivité électrique a mis en évidence des propriétés de transport anisotropes
This thesis reports on the structural, magnetic and electrical properties of pseudo-ternary RMn6X6-xX'x (R = Gd-Lu, Y, Sc ; X = Ge, Sn ; X' = Ga, In) isotypic with HfFe6Ge6. The determination of the atomic coordinates allows us to specify the crystalchemistry of these materials. We have thus shown that substitution occurs in the site which maintains the shortest R-Mn length. This work displays the dominating role of the valence electron concentration on the evolution of the magnetic properties of these compounds. We have specified the interactions model in the RMn6X6 compounds which seem to be governed by ferromagnetic interactions between first plane and by an antiferromagnetic interaction for the next one plane. Finally, the conductivity studies display anisotropic transport properties
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9

Klosek, Vincent. "Contribution à l'étude des propriétés structurales et électroniques de composés équiatomiques RTX (T = Ti, V, Cr, Mn, Fe ; X = Si, Ge) et des quaternaires RTiGeCx et RCr2Si2C, où R est un alcalino-terreux, l'yttrium,le lanthane ou un lanthanoïde." Nancy 1, 2002. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/SCD_T_2002_0241_KLOSEK.pdf.

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Abstract:
Ce travail porte sur l'étude des propriétés structurales et électroniques de composés équiatomiques RTX (T = Ti-Fe ; X = Si, Ge) et des quaternaires RTiGeCx et RCr2Si2C où R est un alcalino-terreux, Y, La ou un lanthanoi͏̈de. Les nouveaux composés RTiGe (R = La-Nd, Sm, Gd-Tm, Lu, Y) et RTiSi (R = Gd-Tm, Lu, Y) ont été caractérisés. Leur stabilité dans la structure-type CeFeSi avec les plus petits lanthanoi͏̈des était surprenante, ce type structural n'étant jusqu'alors signalé qu'avec les plus gros éléments R. Nos calculs de structures électroniques (méthode KKR) ont montré que la stabilité des composés RTiX repose essentiellement sur l'existence de liaisons T-T à fort caractère covalent, contrairement aux composés RMnX et RFeSi isotypes. De la même manière, l'absence de composés RVX et RCrX peut s'expliquer par une interaction défavorable entre la bande 4d ou 5d de R et la bande 3d de V ou Cr. L'étude magnétique des deux familles RTiX a révélé des températures élevées de mise en ordre antiferromagnétique du sous-réseau de R, qui ont été corrélées à de courtes distances R-R. Les composés GdTiGe et TbTiGe cristallisent dans le type CeFeSi, mais aussi dans le type CeScSi. Ils ont alors un comportement ferromagnétique. Nous avons réussi à stabiliser le type CeScSi par l'insertion de carbone, et les composés RTiGeCx (R = Gd-Tm, Y ; x ̃0,1) ont ainsi été caractérisés. Ils sont globalement ferromagnétiques, mais le carbone modifie localement les interactions R-R, et leurs comportements magnétiques sont complexes. Parallèlement, les composés RCr2Si2C (R = La-Er, Y) ferromagnétiques (TC < 30 K) ont pu être identifiés. Ils définissent un nouveau type structural. Enfin, l'étude structurale et magnétique des composés RMnX isotypes de TiNiSi a été complétée, et a confirmé que l'amplitude de æMn est directement corrélée aux contacts Mn-Mn et Mn-X, quelle que soit la structure (CeFeSi ou TiNiSi). Ce phénomène a été interprété à l'aide de calculs théoriques.
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François, Michel. "Propriétés structurales, magnétisme et supraconductivité de germaniures et stannures ternaires de métaux de transition et lanthanoïdes ou alcalino-terreux." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37597694k.

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Conference papers on the topic "Germaniures"

1

Gillet, Jean-Numa, Yann Chalopin, and Sebastian Volz. "Thermal Modeling of Atomic-Scale Three-Dimensional Phononic Crystals for Thermoelectric Applications." In ASME 2008 3rd Energy Nanotechnology International Conference collocated with the Heat Transfer, Fluids Engineering, and Energy Sustainability Conferences. ASMEDC, 2008. http://dx.doi.org/10.1115/enic2008-53052.

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Abstract:
Extensive research on semiconducting superlattices with a very low thermal conductivity was performed to fabricate thermoelectric materials. However, as nanowires, superlattices affect heat transfer in only one main direction, and often show dislocations owing to lattice mismatches when they are made up of a periodic repetition of two materials with different lattice constants. This reduces their electrical conductivity. Therefore it is challenging to obtain a thermoelectric figure of merit ZT superior to unity with the superlattices. Self-assembly with lithographic patterning and/or liquid precursors is a major epitaxial technology to fabricate ultradense arrays of germaniums quantum dots (QDs) in silicon for many promising electronic and photonic applications as quantum computing where accurate QD positioning and low degree of dislocations are required. We theoretically demonstrate that high-density three-dimensional (3-D) arrays of self-assembled Ge nanoparticles, with a size of some nanometers, in Si can also show a very low thermal conductivity in the three spatial directions. This property can now be considered to design new thermoelectric devices, which are compatible with new complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) processes. To obtain a computationally manageable model of these nanomaterials, we simulate their thermal behavior with atomic-scale 3-D phononic crystals. A phononic-crystal period or supercell consists of diamond-like Si cells. At each supercell center, we substitute Si atoms by Ge atoms in a given number of cells to form a box-like nanoparticle. According to our model, in an example 3-D phononic crystal, the thermal conductivity can be reduced to a value lower than only 0.2 W/mK or by a factor of at least 750 compared to bulk Si at 300 K. This value is five times smaller than the Einstein Limit of single-crystalline bulk Si. We considered the flat dispersion curves computed by lattice dynamics to obtain this huge decrease. However, we did not consider multiple-scattering effects as multiple reflections and diffusions of the phonons between the Ge nanoparticles. We expect a larger decrease of the real thermal conductivity owing to the reduction of the phonon mean free paths from these collective effects. We hope to obtain a large ZT in these self-assembled Ge nanoparticle arrays in Si. Indeed, they are crystalline with an electrical conductivity that can be also increased by doping using CMOS processes, which is not possible with other recently proposed materials.
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2

Gillet, Jean-Numa, Yann Chalopin, and Sebastian Volz. "Atomic-Scale Three-Dimensional Phononic Crystals With a Lower Thermal Conductivity Than the Einstein Limit of Bulk Silicon." In ASME 2008 Heat Transfer Summer Conference collocated with the Fluids Engineering, Energy Sustainability, and 3rd Energy Nanotechnology Conferences. ASMEDC, 2008. http://dx.doi.org/10.1115/ht2008-56403.

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Abstract:
Extensive research about superlattices with a very low thermal conductivity was performed to design thermoelectric materials. Indeed, the thermoelectric figure of merit ZT varies with the inverse of the thermal conductivity but is directly proportional to the power factor. Unfortunately, as nanowires, superlattices reduce heat transfer in only one main direction. Moreover, they often show dislocations owing to lattice mismatches. Therefore, fabrication of nanomaterials with a ZT larger than the alloy limit usually fails with the superlattices. Self-assembly is a major epitaxial technology to fabricate ultradense arrays of germaniums quantum dots (QD) in a silicon matrix for many promising electronic and photonic applications as quantum computing. We theoretically demonstrate that high-density three-dimensional (3-D) periodic arrays of small self-assembled Ge nanoparticles (i.e. the QDs), with a size of some nanometers, in Si can show a very low thermal conductivity in the three spatial directions. This property can be considered to design thermoelectric devices, which are compatible with the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technologies. To obtain a computationally manageable model of these nanomaterials, we simulate their thermal behavior with atomic-scale 3-D phononic crystals. A phononic-crystal period (supercell) consists of diamond-like Si cells. At each supercell center, we substitute Si atoms by Ge atoms in a given number of cells to form a box-like Ge nanoparticle. The phononic-crystal dispersion curves, which are computed by classical lattice dynamics, are flat compared to those of bulk Si. In an example phononic crystal, the thermal conductivity can be reduced below the value of only 0.95 W/mK or by a factor of at least 165 compared to bulk silicon at 300 K. Close to the melting point of silicon, we obtain a larger decrease of the thermal conductivity below the value of 0.5 W/mK, which is twice smaller than the classical Einstein Limit of single crystalline Si. In this paper, we use an incoherent-scattering approach for the nanoparticles. Therefore, we expect an even larger decrease of the phononic-crystal thermal conductivity when multiple-scattering effects, as multiple reflections and diffusions of the phonons between the Ge nanoparticles, will be considered in a more realistic model. As a consequence of our simulations, a large ZT could be achieved in 3-D ultradense self-assembled Ge nanoparticle arrays in Si. Indeed, these nanomaterials with a very small thermal conductivity are crystalline semiconductors with a power factor that can be optimized by doping using CMOS-compatible technologies, which is not possible with other recently-proposed nanomaterials.
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