Academic literature on the topic 'Grillage modelling'

L’effet du renforcement de la grille en fibre de verre sur le béton bitumineux est étudié numériquement par la méthode des éléments discrets. En ce qui concerne les matériaux quasi-fragiles, l’élasticité de la modélisation est calibrée et le comportement à la rupture est vérifié par une mécanique de la rupture élastique Le comportement et la défaillance de l’interface prédominent dans la fracture des échantillons, ce qui donne lieu à un modèle d’interface simplifié. L’étalonnage des paramètres sur le module de Young et le coefficient de Poisson est effectué entre le modèle d’interface et la méthode des éléments discrets. Grâce à l'ajustement avec les résultats expérimentaux, la résistance de l'interface et le taux de libération d'énergie sont également identifiés par la méthode des éléments discrets et un modèle d'interface simplifié. En comparaison avec la mécanique de la rupture élastique linéaire, la rupture de l'interface présente une plus grande quantité du taux de libération d'énergie. La force et le taux de libération d'énergie sont réduits en raison de l'application de la grille en fibre de verre. Le comportement en fatigue est étudié à l’aide de simulations d’essais de fatigue en flexion en 4 points. Le modèle de fatigue de Bodin 'L2R' est adapté à la méthode des éléments discrets. L'effet de chaque paramètre sur l'évolution des dommages est étudié séparément. L’effet d’interface est observé lors de la prolongation de la résistance à la fatigue de toutes les phases. Les essais monotoniques et les essais de fatigue indiquent qu’une bonne liaison entre deux couches de béton bitumineux est importante pour la résistance de rupture<br>The effect of fiberglass grid reinforcement in asphalt concrete is studied numerically by discrete element method in this work. Firstly, concerning on the quasi-brittle material, the elasticity of modelling are calibrated, and the rupture behaviour is verified with linear elastic fracture mechanics. Then the simulations of wedge splitting tests are performed under monotonic load. The interface elasticity and failure dominate in the fracture propagation of samples, which gives rise to a simplified interface model. The parameter calibration on Young’s modulus and Poisson’s ratio is conducted between interface model and discrete element method. Through the fitting with experimental results, the interface strength and energy release rate are also identified by discrete element method and simplified interface model. Comparing with linear elastic fracture mechanics, the interface rupture presents more released energy. The strength and energy release rate are reduced because of the application of the fiber glass grid. The fatigue behaviour is studied by simulations of 4-point bending fatigue tests. Bodin’s fatigue model 'L2R' is adapted with discrete element method. The effect of each parameter on the damage evolution is studied respectively. The fiber glass grid helps to extent the fatigue life mainly after the fatigue cracks cross the grid. The interface effect is observed on prolonging the fatigue life of all the phases. From both monotonic and fatigue tests, it indicates that good bonding between two asphalt concrete layers is important to the resistance of rupture

Cette thèse s'inscrit dans un contexte de développement durable où les enjeux énergétiques consistent à concevoir des convertisseurs de puissance plus disséminés, donc avec une Spécification ambitieuse en termes de densités massique et volumique. Les composants à semiconducteur dit à grand Gap permettent l’augmentation de la fréquence de commutation et permettent un fonctionnement à plus haute température locale. Les commutations à front raides et à haute fréquence des transistors rendent le système plus sensible aux éléments parasites. Ceci perturbe en retour la commutation des transistors et génère des pertes joules supplémentaires. Dans ce contexte les travaux ont été effectués dans le cadre d’une cotutelle entre les laboratoires Ampère (INSA Lyon) et LN2 (Université de Sherbrooke), le but étant d’apporter des contributions à l’optimisation de la commutation des HEMTs GaN. Le premier axe des travaux consiste à mettre en place des stratégies de contrôle de vitesses de commutation en tension et en courant, par la grille, dans le but d’améliorer la signature CEM. Les circuits de contrôle proposés sont développés dans un premier temps en boucle ouverte puis dans un second temps en boucle fermée afin de compenser des non-linéarités (température, courant de charge et tension de fonctionnement). Les prototypes de contrôle de grille ont été testés à partir de composants discrets du marché. Des limites apparaissent, que l’intégration monolithique GaN doit corriger à terme, en particulier en atténuant fortement le problème des inductances parasites. Les analyses en simulation ont reposé sur l’adoption d’un modèle comportemental de HEMT GaN identifiable. Le deuxième axe des travaux consiste à vérifier de manière systémique différentes stratégies de contrôle de grille notamment pour la gestion du compromis entre pertes joule pendant les temps morts au sein d’un à bras d’onduleur et la performance fréquentielle des commutations. Aux termes de ces travaux, les systèmes de contrôles développés en boucle ouverte ont permis de ralentir les vitesses de commutation d’au moins 30 %, occasionnant une augmentation des pertes de commutation, dans un ordre de grandeur inférieur à 50 %. Due à la rapidité de commutation des HEMT GaN et aux limites des composants discrets du marché, le taux de réduction des vitesses de commutation obtenu avec la boucle fermée (taux de réduction inférieur à 20 %) est moins intéressant qu’avec la boucle ouverte. L’utilisation d’un circuit monolithique peut être une alternative pour augmenter le taux de réduction des vitesses de commutation en boucle fermée. Des résultats de simulation sous SPICE en vue du circuit monolithique sont à la base de cette hypothèse. Concernant le deuxième axe, l’application de commande multiniveaux de grille des transistors du bras d’onduleur a permis de réduire les pertes de conduction inverse et les pertes dues aux phénomènes de Cross Talk d’au moins 30 %<br>This thesis is part of the sustainable development context where the energy challenges rely on designing numerous and lumped power converters with good power density and high efficiency. New power semiconductor devices, namely wide band semiconductors (GaN, SiC) are used in designing the converters. The high frequency control of these converters makes the system more sensitive to parasitic elements. The latter elements disrupt the switching behavior of the transistors and generate additional losses. In this context this work was carried out in a cotutelle partnership between Ampère Laboratory in Villeurbanne and LN2 laboratory at the University of Sherbrooke; the aim being to make a contribution in optimizing the switching conditions of GaN HEMTs. The first work axis consists in managing the voltage and current switching speed through gate control strategies in order to improve the conducted EMI. Firstly, most of the proposed control circuits are developed in open-loop and then secondly in closed-loop in order to compensate the effects of non-linearities (with respect to temperature, load current and operating voltage). Concerning the development of control systems, it can be done first by the use of available discrete components, then by the alternative of the monolithic GaN integration which is considered in order to bring more speed and efficiency. Monolithic integration would also solve the problem of parasitic inductances. To facilitate the design of integrated circuits and control systems, the development of a behavioral model of HEMT GaN will serve as a modeling tool. The second axis of the work consists in experimentally validating well-adapted control system for the gate of the power transistor in order to master the transient behaviors of the power transistors. Namely it is necessary to allow a satisfying management of losses during dead time in a half bridge converter. At the end of this work, the control systems developed in open loop made it possible to slow the switching speeds by at least 30 % but causing an increase in switching losses up to 50% in some cases. Due to the fast switching speed of HEMT GaNs and the limitations of discrete components on the market, the reduction rate of switching speeds obtained with the closed loop (reduction rate less than 20%) is less attractive than that of the open loop. Using a monolithic circuit can be an alternative to increase the rate of reduction of closed loop switching speeds. SPICE simulation toward monolithic circuit are the basis of this hypothesis. Concerning the second axis, the application of multilevel gate voltage control of the transistors of half bridge made it possible to reduce the losses of reverse conduction and the losses due to the phenomena of Cross Talk by at least by 30 %

Dans le contexte des transports plus électriques, les parties mécaniques tendent à être remplacées par leurs équivalents électriques plus petits. Ainsi, le composant lui-même doit supporter un environnement plus sévère et de lourdes contraintes (haute tension, haute température). Les composants silicium deviennent alors inappropriés. Depuis la commercialisation des premières diodes Schottky en 2001, le carbure de silicium est le matériau reconnu mondialement pour la fabrication de dispositifs haute tension avec une forte intégration. Sa large bande d'énergie interdite et son fort champ électrique critique permettent la conception de transistors à effet de champ avec jonction (JFET) pour les hautes tensions ainsi que les diodes associées. Les structures étudiées dépendent de nombreux paramètres, et doivent ainsi être optimisées. L'influence d'un paramètre ne pouvant être isolée, des méthodes mathématiques ont été appelées pour trouver la valeur optimale. Ceci a conduit à la mise en place d'un critère d'optimisation. Ainsi, les deux grands types de structures de JFET verticaux ont pu être analysés finement. D'une part, la recherche d'une structure atteignant les tensions les plus élevées possible a conduit à l'élaboration d'un procédé de fabrication complexe. D'autre part, un souci de simplification et de stabilisation des procédés de fabrication a permis le développement d'un composant plus simple, mais avec une limite en tension un peu plus modeste.