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Dissertations / Theses on the topic 'IGBT Diode'

Author: Grafiati

Published: 3 June 2025

Last updated: 31 July 2025

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1

Wang, Yalan. "Controlled switching of high power IGBT/diode modules." Thesis, University of Cambridge, 2007. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.613291.

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2

Bryant, Angus Toby. "Simulation and optimisation of diode and IGBT interaction in a chopper cell." Thesis, University of Cambridge, 2005. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.597041.

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Abstract:

The insulated gate bipolar transistor (IGBT) is arguably the most important device currently used in power conversion at medium to high levels. This thesis presents a detailed analysis of IGBT and freewheel diode operation in the context of inductive switching, which accounts for the majority of power conversion processes. In particular, the consequences of the device behaviour on device and circuit interaction are examined. The behaviour of one device is shown to be tightly coupled to that of the other device and the circuit elements during switching. Performance, reliability, efficiency and

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3

Fock-Sui-Too, Jen-Luc. "Caractérisation et modélisation de composants IGBT et diode PIN dans leur environnement thermique sévère lié aux applications aéronautiques." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00525074.

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Abstract:

À l'heure où les préoccupations climatiques sont plus que jamais d'actualité, les problématiques du contrôle, de la gestion et de l'économie de l'énergie prennent une importance considérable dans notre société. Dans le secteur avionique, cela peut se traduire par une nécessité de réduction du poids des aéronefs afin d'économiser le kérosène consommé durant le vol, résultant au final à une réduction drastique d'émission de CO². En adéquation avec les problématiques d'économie d'énergie l'avion plus électrique crée depuis quelques années un nouvel engouement dans le monde aéronautique pour l'act

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4

Fock, Sui Too Jean-Luc. "Caractérisation et modélisation de composants IGBT et diode PiN dans leur environnement thermique sévère lié aux applications aéronautiques." Toulouse 3, 2010. http://thesesups.ups-tlse.fr/1094/.

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Abstract:

À l'heure où les préoccupations climatiques sont plus que jamais d'actualité, les problématiques du contrôle, de la gestion et de l'économie de l'énergie prennent une importance considérable dans notre société. Dans le secteur avionique, cela peut se traduire par une nécessité de réduction du poids des aéronefs afin d'économiser le kérosène consommé durant le vol, résultant au final à une réduction drastique d'émission de CO2. En adéquation avec les problématiques d'économie d'énergie l'avion plus électrique crée depuis quelques années un nouvel engouement dans le monde aéronautique pour l'act

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Simon, Tom. "Temperaturbestimmung an IGBTs und Dioden unter hohen Stoßstrombelastungen." Master's thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2015. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-166595.

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Abstract:

Diese Arbeit beschäftigt sich mit drei verschiedenen Temperaturmessmethoden VCE, VGTH sowie über die Messung der thermsichen Impedanz mit 10ms langen Lastimpulsen und vergleicht die Messergebnisse mit zwei Simulatoren. Dabei wird ein Schaltungs- sowie ein Halbleitersimulator verwendet und das bisherige Simulationsmodell angepasst.

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6

Jeannin, Pierre-Olivier. "Le transistor MOSFET en commutation : application aux associations série et parallèle de composants à grille isolée." Phd thesis, Grenoble INPG, 2001. http://www.theses.fr/2001INPG0033.

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Abstract:

L'augmentation des puissances commutées en électronique de puissance passe par l'association de composants élémentaires en série et en parallèle. Cette association se retrouve à différentes échelles : au sein des modules du commerce ou au niveau de l'association de modules dans un convertisseur statique. Les travaux dans ce domaine ne sont pas nouveaux, puisque de nombreux problèmes nuisant à l'association série ou parallèle ont été rencontrés dans le passé. Le but de cette thèse n'est pas de redécouvrir ces problèmes, ni leurs solutions, mais plutôt, par une étude systématique de la commutati

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7

Bareille, Michel. "Contribution à l'analyse des problèmes de compatibilité électromagnétique dans les circuits de l'électronique de puissance : la cellule de commutation IGBT + diode et son environnement." Toulouse, INSA, 2001. http://www.theses.fr/2001ISAT0027.

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Abstract:

La mise en œuvre de nouvelles réglementations européennes en 1996 a révélé un besoin important en méthodes de conception de circuits prenant en compte les phénomènes de pollution électromagnétique. Dans le domaine de l'Electronique de Puissance, ce constat s'accompagne de la nécessité de disposer de modèles spécifiques d'interrupteurs capables de décrire les phénomènes observés lors des commutations. Les travaux présentés dans ce mémoire concernent la mise en œuvre et l'implantation dans le logiciel SABER de modèles physiques distribués de composants de puissance (I. G. B. T. , diode) en vue d

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8

Jeannin, Pierre-Olivier. "Le transistor MOSFET en commutation : Application aux associations série et parallèle de composants à grille isolée." Phd thesis, Grenoble INPG, 2001. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00549773.

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Abstract:

L'augmentation des puissances commutées en électronique de puissance passe par l'association de composants élémentaires en série et en parallèle. Cette association se retrouve à différentes échelles: au sein des modules du commerce ou au niveau de l'association de modules dans un convertisseur statique. Les travaux dans ce domaine ne sont pas nouveaux, puisque de nombreux problèmes nuisant à l'association série ou parallèle ont été rencontrés dans le passé. Le but de cette thèse n'est pas de redécouvrir ces problèmes, ni leurs solutions, mais plutôt, par une étude systématique de la' commutati

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9

El, Khadiry Abdelilah. "Architectures de cellules de commutation monolithiques intégrables sur semi-conducteurs "bi-puce" et "mono-puce" pour convertisseurs de puissance compacts." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01020587.

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Abstract:

Dans le domaine de l'intégration hybride de puissance, l'opération de câblage des dispositifs semi-conducteurs de puissance est la cause de fortes interactions électriques parasites entre les inductances de connexion, les capacités parasites par rapport au plan de masse, les dispositifs de puissance eux même et leur électronique de commande rapprochée. Ces interactions constituent une source de pollution et d'auto-perturbation EMI d'une part et un facteur de limitation des performances et de la fiabilité d'autre part. La voie de l'intégration monolithique de puissance au sein d'un même cristal

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El, Khadiry Abdelilah. "Architectures de cellules de commutation monolithiques intégrables sur semi-conducteurs bi-puce et mono-puce pour convertisseurs de puissance compacts." Phd thesis, Toulouse 3, 2014. http://thesesups.ups-tlse.fr/2298/.

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Abstract:

Dans le domaine de l'intégration hybride de puissance, l'opération de câblage des dispositifs semi-conducteurs de puissance est la cause de fortes interactions électriques parasites entre les inductances de connexion, les capacités parasites par rapport au plan de masse, les dispositifs de puissance eux même et leur électronique de commande rapprochée. Ces interactions constituent une source de pollution et d'auto-perturbation EMI d'une part et un facteur de limitation des performances et de la fiabilité d'autre part. La voie de l'intégration monolithique de puissance au sein d'un même cristal

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Kuzdas, Jan. "Pomocné měniče v systémech elektrické trakce." Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2009. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-217888.

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Abstract:

The purpose of this thesis is proposal of auxiliary power sources in electric traction. Specifically we deal with two converters. Both of them were used in traction vehicle's applications, which are developed by the Department of Power Electrical and Electronic Engineering, Brno University of Technology. First converter was used as a power supply in secondary traction mechanism of electric locomotive. Second one to power supply of dash board in automobile with fuel cells.

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Aviñó, Salvadó Oriol. "Contribution to the study of the SiC MOSFETs gate oxide." Thesis, Lyon, 2018. http://www.theses.fr/2018LYSEI110/document.

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Abstract:

Les MOSFET en SiC sont appelées à remplacer les IGBT en Silicium pour des applications de demandant une plus forte vitesse de commutation. Cependant, les MOSFET en SiC ont encore quelques problèmes de fiabilité, tels que la robustesse de la diode interne ou bien la robustesse de l'oxyde de grille. Cette dernière est liée à l’oxyde de grille des composants du type MOSFET. Des instabilités de la tension de seuil sont aussi signalées. Cette thèse aborde ces deux sujets sur des MOSFET commerciaux 1200 V. L'étude de la diode interne met en évidence que les caractéristiques I-V (de la diode intrinsè

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Hneine, Adnan. "Approche de modélisation distribuée appliquée aux composants semi-conducteurs bipolaires de puissance en VHDL-AMS : application à la diode PIN de puissance et à l'IGBT." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00735553.

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Abstract:

L'approche de modélisation distribuée des composants bipolaires de puissance mise en oeuvre de manière compacte par la résolution de l'équation de diffusion ambipolaire sous forme de décomposition en série de Fourier constitue un excellent compromis précision des résultats/temps de simulation. La mise en oeuvre du moteur de calcul sous forme de ligne RC à paramètres variables en langage de description VHDL-AMS (IEEE 1076-1999) est présentée. La description du mécanisme de transport de charges dans les zones larges et peu dopées des composants de puissance, complétée par des modèles plus classi

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Sow, Amadou Tidiane. "Evaluation de la fiabilité d'un générateur à rayons X pour application médicale." Thesis, Bordeaux, 2014. http://www.theses.fr/2014BORD0120/document.

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Abstract:

Les systèmes d’imagerie médicale, principalement les systèmes à rayons X, sont devenus incontournables dans le diagnostic et le traitement des maladies complexes. Le générateur à rayons X fait partie des sous-systèmes critiques d’un système à rayons X. La technologie des générateurs à rayons X se complexifie et les contraintes vues par les composants augmentent. L’évaluation de la fiabilité du générateur à rayons X est par conséquent nécessaire afin d’optimiser la durée de vie de ce dernier. Dans ces travaux de thèse, une méthodologie d’évaluation de la fiabilité d’un générateur à rayons X est

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Rahimo, Munaf Thamin. "Switching characteristics of fast power diodes in IGBT circuits." Thesis, Staffordshire University, 1996. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.309791.

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16

Benmansour, Adel. "Contribution à l'étude des mécanismes de défaillances de l'IGBT sous régimes de fortes contraintes électriques et thermiques." Thesis, Bordeaux 1, 2008. http://www.theses.fr/2008BOR13752/document.

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Abstract:

Depuis ces dernières années, parmi tous les composants de puissance, l’IGBT (Transistor Bipolaire à Grille Isolée) occupe une place prépondérante, On le retrouve dans une multitude d’applications et il est devenu un composant de référence de l’électronique de puissance. Dans cette thèse, nous nous intéresserons au fonctionnement de l’IGBT en conditions thermiques et électriques extrêmes. À l'aide de la simulation physique bidimensionnelle d'un modèle d'IGBT de type Punch Through à structure de grille en tranchée, on s'intéressera plus particulièrement aux limites des aires de sécurité, et plus

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Khan, Mansoor Ali. "Atomic-Scale Insights into Light Emitting Diode." Thesis, The University of Sydney, 2018. http://hdl.handle.net/2123/18594.

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Abstract:

In solid-state lightning, GaN-based vertical LED technology has attracted tremendous attention because its luminous efficacy has surpassed the traditional lightning technologies, even the 2014 Nobel Prize in Physics was awarded for the invention of efficient blue LEDs, which enabled eco-friendly and energy-saving white lighting sources. Despite today’s GaN-based blue VLEDs can produce IQE of 90% and EQE of 70-80%, still there exist a major challenge of efficiency droop. Nonetheless, state-of-the-art material characterization and failure analysis tools are inevitable to address that issue. In

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Lorfèvre, Eric. "Défaillances induites par les rayonnements ionisants dans les composants de puissance IGBT et VIP : Solutions de durcissement." Montpellier 2, 1998. http://www.theses.fr/1998MON20271.

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Abstract:

L'utilisation des composants de puissance igbt et vip dans les applications spatiales ou militaires pose le probleme de leur sensibilite aux radiations. Ces technologies, outre la derive de certaines caracteristiques electriques du fait de la dose cumulee dans l'oxyde de grille, presentent des defaillances destructives, catastrophiques pour les applications. La mise en place de technologies durcies, capables de rester operationnelles dans l'environnement considere, doit permettre d'alleger considerablement les procedures appliquees par les equipementiers. C'est dans ce cadre que nous avons eff

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Eio, Samson. "Current Injection Techniques to Optimise the Switching Transients of Power Diodes. Thyristors and Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)." Thesis, Staffordshire University, 2008. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.522131.

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20

Moussodji, Moussodji Jeff. "Caractérisation et modélisation électro-thermique distribuée d'une puce IGBT : Application aux effets du vieillissement de la métallisation d'émetteur." Thesis, Cachan, Ecole normale supérieure, 2014. http://www.theses.fr/2014DENS0013/document.

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Abstract:

Les convertisseurs de puissance structurés autour de puces de puissance (IGBT, MOSFET, diodes, ...) sont de plus en plus sollicités dans les systèmes de transport, du ferroviaire à l'aéronautique, en passant par l'automobile. Dans toutes ces applications, la fiabilité des composants constitue encore un point critique. C'est notamment le cas dans la chaîne de traction de véhicules électriques (VE) et hybrides (VH, où les puces sont souvent exposées à de fortes contraintes électriques, thermiques et mécaniques pouvant conduire à la défaillance. Dans ce contexte, l'amélioration des connaissances

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Boutry, Arthur. "Theoretical and experimental evaluation of the Integrated gate-commutated thyristor (IGCT) as a switch for Modular Multi Level Converters (MMC)." Thesis, Lyon, 2021. http://www.theses.fr/2021LYSEI095.

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Abstract:

Une étude sur la réduction/suppression de l'inductance de limitation di/dt pour IGCTs et du clamp RCD en utilisant des diodes rapides en silicium (Si) et des diodes en carbure de silicium (SiC) dans les convertisseurs multiniveaux modulaires (MMC). Cette thèse contient :- Analyse des sous-modules de MMC HVDC existants.- Évaluation de l'intérêt des IGCTs dans les sous-modules MMC HVDC et comparaison des pertes avec les IGBT, en utilisant des facteurs de mérite spécifiques aux MMC créés dans cette thèse.- Test de double pulse avec diode à récupération rapide dans un module plastique pour tenter

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Zabihi, Sasan. "Flexible high voltage pulsed power supply for plasma applications." Thesis, Queensland University of Technology, 2011. https://eprints.qut.edu.au/48137/1/Sasan_Zabihi_Sheykhrajeh_Thesis.pdf.

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Abstract:

Demands for delivering high instantaneous power in a compressed form (pulse shape) have widely increased during recent decades. The flexible shapes with variable pulse specifications offered by pulsed power have made it a practical and effective supply method for an extensive range of applications. In particular, the release of basic subatomic particles (i.e. electron, proton and neutron) in an atom (ionization process) and the synthesizing of molecules to form ions or other molecules are among those reactions that necessitate large amount of instantaneous power. In addition to the decompositi

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Capy, Florence. "Etude et conception d'un interrupteur de puissance monolithique à auto-commutation : le thyristor dual disjoncteur." Toulouse 3, 2009. http://thesesups.ups-tlse.fr/708/.

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Abstract:

Les dispositifs à récupération d'énergie nécessitent des convertisseurs réversibles en courant dont le circuit de commande est complexe et encombrant. Les interrupteurs auto-commutés sont une solution pour simplifier les topologies de ces convertisseurs car leurs commutations ne nécessitent ni alimentation auxiliaire, ni circuit de commande et capteur externes. Le travail mené consiste à développer, par le biais de l'intégration fonctionnelle, un interrupteur monolithique réversible en courant à auto-commutation : un thyristor dual auto-blocable. Pour réaliser cette fonction, deux architecture

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Huang, Hao-Chen, and 黃浩宸. "Simulation and Design of 4H SiC Schottky Diode and Si IGBT." Thesis, 2011. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/14569180733331015732.

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Abstract:

碩士<br>國立臺灣大學<br>電子工程學研究所<br>99<br>Transistor scaling down has been performed in driving CMOS performance improvement for past two decades. By approaching the physical limits, “more than Moore” is a new path to the next decades and application requirement and customer needs will determine which technology is best suited. Furthermore, as the global warming and environmental protection issue getting much attention from the government around the world, the power device is becoming more important for the future green energy application. In this thesis, the first part is study of 4H-SiC schottky dio

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Jian-Shen, Li, and 李建昇. "Design and Implementation of an Auxiliary IGBT Converter for Conventional Diode Rectifier Front-ends." Thesis, 2003. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/95425129457393342970.

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Abstract:

碩士<br>國立清華大學<br>電機工程學系<br>91<br>Due to the progress of power semiconductor technologies and power electronics technologies, applications of power converters have increased significantly in recently years, such as adjustable speed drive and switching power supplies. Most of these applications require diode rectifiers or thyristor rectifies to convert electric power from AC to DC. The nonlinear nature of the front-end rectifiers draws serious harmonic current from the utility grid, which results in harmonic distortion of current and voltage in the power system. Several regulations hav

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Beutel, Andreas Alan. "A novel test method for minimising energy costs in IGBT power cycling studies." Thesis, 2008. http://hdl.handle.net/10539/4614.

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Abstract:

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are popular power electronic switching devices with several advantages. However, they have been known to fail in the field when subjected to significant variations in power dissipation – known as power cycling. In the work presented here, a novel alternating-current (AC) power cycling test method for IGBTs together with their free-wheeling diodes is proposed and verified. A review of previous work revealed that the parameter that most affects IGBT lifetime under power cycling conditions is the variation in its junction-case temperature differe

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Phlippen, Frank. "Einsatz schneller Halbleiterschalter in Wechselrichtern für die Photovoltaik /." 2004. http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&doc_number=014750287&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA.

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Beier-Möbius, Menia. "Untersuchungen zur Zuverlässigkeit von Dielektrika in Leistungsbauelementen." 2020. https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A75728.

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Abstract:

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Aufbau und der Durchführung eines Teststand für Gateoxidstresstests mit einer gestuften Anhebung der Spannung und einer anschließenden Datenauswertung, um den Anwendern eine Möglichkeit zur Ermittlung der extrinsischen und intrinsischen Fehler von Bauelementen zu ermöglichen. Hierbei wurden Unterschiede zwischen den verschiedenen Herstellern von Si-IGBTs und SiC-MOSFETs gefunden und auch zwischen verschiedenen Bauelementtypen des gleichen Herstellers von SiC-MOSFETs. Zusätzlich dazu wurden die geltenden Empfehlungen für Heißsperrdauertests und Sp

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Chen, Hung-Shih, and 陳宏士. "Quasi-Vertical IGBTs and JBS Diodes for Power Integral Circuit Applications." Thesis, 2009. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/24821933333822686929.

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Abstract:

碩士<br>國立清華大學<br>電子工程研究所<br>97<br>This thesis studies two novel structures that have low forward voltages—quasi-vertical IGBT and JBS diode. In addition, by incorporating the quasi-vertical design, the proposed devices are able to be integrated with other devices, very suitable in the application of power ICs. The devices were first designed using the simulator MEDICI and then taped-out using HV_0.5μm_5/100V_1P3M process. The simulation and measurement results indicate that the V-IGBTs with P-Sinker design have better forward capability than that of L-IGBT and VDMOS. At room temperature as well

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Bhalerao, Prasad [Verfasser]. "Characterization of gate controlled diodes for IGCT applications / vorgelegt von Prasad Bhalerao." 2009. http://d-nb.info/99358456X/34.

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Fu, Yi-Keng, and 傅毅耕. "Optoelectronic Characteristics Study of Nitride-based ight-Emitting Diodes and Solar Cell Devices." Thesis, 2010. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/29493302859880830796.

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Abstract:

博士<br>國立中央大學<br>光電科學研究所<br>98<br>In this dissertation, the growth and characterization of multiple MgxNy/GaN buffer layers and InGaN/GaN blue light-emitting diodes have been studied. The improvement of both LED light output power and efficiency droop are investigated. In addition, we also discuss the optoelectronic characteristics of nitride-based solar cells with MQW absorption layer. The primary results obtained in this dissertation are summarized as follow: (a) It was found that the GaN grown on MgxNy buffer layer showed lower dislocation density (~2.2 × 108 cm-2), higher carrier mobility (

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