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Dissertations / Theses on the topic 'III-V nanostructure'

Author: Grafiati
Published: 9 March 2023
Last updated: 31 July 2025

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Gallo, Pascal. "Nanostructure III-V pour l'électronique de spin." Phd thesis, INSA de Toulouse, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00134772.

Full text
Abstract:
Parmi toutes les méthodes de confinement des porteurs dans les trois directions de l'espace, la croissance auto organisée de boîtes quantiques semble être la meilleure. La méthode de fabrication de ces nanostructures est l'épitaxie par jets moléculaires ; elle permet l'obtention de cristaux d'une grande qualité, de manière cohérente avec leur environnement. Cette technique d'auto organisation dite de Stranski Krastanov génère cependant des nanostructures de tailles diverses ; le spectre de leur luminescence s'en retrouve élargi, altérant les performances des composants à base de boîtes quantiq
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Molière, Timothée. "Intégration de matériaux III-V sur silicium nanostructuré pour application photovoltaïque." Thesis, Paris 6, 2016. http://www.theses.fr/2016PA066638.

Full text
Abstract:
Depuis plus de 30ans, les chercheurs essaient de combiner le silicium et le GaAs. Le potentiel de l'intégration du GaAs sur Si est en effet considérable pour le remplacement des substrats coûteux de GaAs ou de Ge dans la fabrication de cellules PV, de photodétecteurs, de LED, de lasers…. Il en est de même pour le développement de nouveaux dispositifs opto- et électroniques par l'intégration monolithique de GaAs sur circuit silicium. Des défis majeurs persistant jusqu'à aujourd'hui doivent toutefois être surmontés.Dans le but de surmonter ces difficultés, nous proposons un concept intéressant q
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Molière, Timothée. "Intégration de matériaux III-V sur silicium nanostructuré pour application photovoltaïque." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2016. http://www.theses.fr/2016PA066638.

Full text
Abstract:
Depuis plus de 30ans, les chercheurs essaient de combiner le silicium et le GaAs. Le potentiel de l'intégration du GaAs sur Si est en effet considérable pour le remplacement des substrats coûteux de GaAs ou de Ge dans la fabrication de cellules PV, de photodétecteurs, de LED, de lasers…. Il en est de même pour le développement de nouveaux dispositifs opto- et électroniques par l'intégration monolithique de GaAs sur circuit silicium. Des défis majeurs persistant jusqu'à aujourd'hui doivent toutefois être surmontés.Dans le but de surmonter ces difficultés, nous proposons un concept intéressant q
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Zhang, Tiantian. "Injection de spin dans des systèmes à base de semiconducteurs III-V en vue de nouveaux composants spintroniques." Thesis, Toulouse, INSA, 2014. http://www.theses.fr/2014ISAT0005/document.

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Abstract:
La spintronique dans les semiconducteurs vise à utiliser le spin de l’électron comme degré de liberté supplémentaire (en plus de la charge électrique) afin de véhiculer l’information, ce qui permettrait la mise au point de composants intégrant de nouvelles fonctionnalités. Ce travail de thèse porte sur deux étapes importantes qui doivent être maîtrisées : l’injection électrique de porteurs polarisés en spin dans les semiconducteurs III-V, et la manipulation du spin de l’électron (par champ magnétique) dans ces matériaux optimisés. Dans un premier temps, la grande efficacité des injecteurs de s
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Verzelen, Olivier. "Interaction électron-phonon LO dans les boîtes quantiques d'InAs/GaAs." Paris 6, 2002. http://www.theses.fr/2002PA066365.

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6

SCACCABAROZZI, ANDREA. "GaAs/AlGaAs quantum dot intermediate band solar cells." Doctoral thesis, Università degli Studi di Milano-Bicocca, 2013. http://hdl.handle.net/10281/40117.

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Abstract:
This thesis presents my Ph.D. work about quantum dot GaAs/AlGaAs solar cells grown by droplet epitaxy, exploring the potential of this materials system for the realization of intermediate band photovoltaic devices. In the first chapter a general introduction to the field of solar energy is given, outlining the reasons why this research has been performed. The physics of the photovoltaic cell is briefly explained in its most important points, to give the reader clear understanding of what is presented in the following chapters. Intermediate band devices are presented in the second chapter. The
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Grange, Thomas. "Relaxation et décohérence des polarons dans les boîtes quantiques de semi-conducteurs." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00333256.

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Abstract:
Cette thèse présente une étude théorique des interactions électron-phonon dans les boîtes quantiques InAs/GaAs, où le régime de couplage fort entre les porteurs confinés dans les boîtes et les phonons optiques a pour conséquence la formation d'états intriqués appelés polarons.<br />Nous prenons tout d'abord en compte le couplage fort entre excitons et phonons optiques afin de calculer l'absorption interbande sous champ magnétique.<br />Nous calculons ensuite le temps de vie des états polarons, dont l'instabilité est due à leur composante phonon. Nous démontrons la nécessité de prendre en compt
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Jaffal, Ali. "Single photon sources emitting in the telecom band based on III-V nanowires monolithically grown on silicon." Thesis, Lyon, 2020. http://www.theses.fr/2020LYSEI019.

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Abstract:
Une source de photons uniques (SPU) dans la bande télécom, épitaxiées sur un substrat de silicium (Si), est le Saint Graal pour réaliser des dispositifs CMOS compatibles pour les technologies de l'information optiques. Pour atteindre cet objectif, nous proposons la croissance monolithique de Boîte Quantiques-Nanofils (BQ-NFs) InAs/InP sur des substrats de silicium par épitaxie par jet moléculaire (EJM) en utilisant la méthode vapeur-liquide-solide (VLS). Au début, nous avons concentré nos efforts sur l'optimisation des conditions de croissance afin d'obtenir une densité de NF ultra-faible sans
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Gallo, Pascal. "Nanostructures III-V pour l'électronique de spin." Toulouse, INSA, 2006. http://eprint.insa-toulouse.fr/archive/00000156/.

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Abstract:
Parmi toutes les méthodes de confinement des porteurs dans les trois directions de l’espace, la croissance auto organisée de boîtes quantiques semble être la meilleure. La méthode de fabrication de ces nanostructures est l’épitaxie par jets moléculaires ; elle permet l’obtention de cristaux d’une grande qualité, de manière cohérente avec leur environnement. Cette technique d’auto organisation dite de Stranski Krastanov génère cependant des nanostructures de tailles diverses ; le spectre de leur luminescence s’en retrouve élargi, altérant les performances des composants à base de boîtes quantiq
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Benallali, Hammouda. "Étude de nanostructures de semiconducteurs II-VI par sonde atomique tomographique." Thesis, Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM4324.

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Abstract:
Les nanostructures de semiconducteurs II-VI ont de nombreuses applications en microélectronique, optoélectronique et photonique. Notamment, les boites quantiques II-V peuvent servir de source de photons uniques. Dans cette étude, nous nous sommes intéressés à la caractérisation chimique et structurale des nanostructures de semiconducteurs II-VI (boites quantiques (BQs) auto-organisées, nanofils II-VI et III-V …) par sonde atomique tomographique (SAT). Dans un premier temps, nous avons optimisé les conditions d’analyse des semiconducteurs III-V et II-VI par SAT. Ensuite, nous avons étudié les c
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Grant, Victoria Anne. "Growth and characterisation of III-V semiconductor nanostructures." Thesis, University of Nottingham, 2008. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.490983.

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Abstract:
This thesis describes the growth and characterisation of III-V semiconductor materials and nanostructures. The material was grown by molecular beam epitaxy (MBE) and characterised using a range of techniques including atomic force microscopy (AFM), cross-sectional scanning tunnelling microscopy (XSTM) and x-ray diffraction (XRD).
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Naureen, Shagufta. "Top-down Fabrication Technologies for High Quality III-V Nanostructures." Doctoral thesis, KTH, Halvledarmaterial, HMA, 2013. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-117766.

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Abstract:
III-V nanostructures have attracted substantial research effort due to their interesting physical properties and their applications in new generation of ultrafast and high efficiency nanoscale electronic and photonic components. The advances in nanofabrication methods including growth/synthesis have opened up new possibilities of realizing one dimensional (1D) nanostructures as building blocks of future nanoscale devices. For processing of semiconductor nanostructure devices, simplicity, cost effectiveness, and device efficiency are key factors. A number of methods are being pursued to fabrica
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Lee, Kwan Hee. "Fabrication, spectroscopy and modelling of III-V nanostructures for photonics." Thesis, University of Oxford, 2006. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.442820.

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Tey, Chun Maw. "Advanced transmission electron microscopy studies of III-V semiconductor nanostructures." Thesis, University of Sheffield, 2006. http://etheses.whiterose.ac.uk/14901/.

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Abstract:
III -V semiconducting materials allow many novel optoelectronic devices, such as light emitting diodes and lasers, to be developed. Furthermore, recent development in crystal growth techniques allows the growth of low-dimensional semiconductor heterostructures. To achieve the best performance, the crystallinity and the growth mechanism of the devices have to be analysed. In this work, a JEOL JEM-2010F field emission gun transmission electron microscope (TEM) is employed to analyse the nanoscale semiconductor structures. Various techniques, such as conventional TEM, scanning TEM, high resolutio
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Gryczynski, Karol Grzegorz. "Electrostatic Effects in III-V Semiconductor Based Metal-optical Nanostructures." Thesis, University of North Texas, 2012. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc115090/.

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Abstract:
The modification of the band edge or emission energy of semiconductor quantum well light emitters due to image charge induced phenomenon is an emerging field of study. This effect observed in quantum well light emitters is critical for all metal-optics based light emitters including plasmonics, or nanometallic electrode based light emitters. This dissertation presents, for the first time, a systematic study of the image charge effect on semiconductor–metal systems. the necessity of introducing the image charge interactions is demonstrated by experiments and mathematical methods for semiconduct
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BIETTI, SERGIO. "Nanostructured III-V epilayers on silicon substrate for optoelectronic applications." Doctoral thesis, Università degli Studi di Milano-Bicocca, 2011. http://hdl.handle.net/10281/18979.

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Abstract:
The integration of III-V devices on Si substrates would allow the fabrication of specialized devices for optoelectronics and photonics directly on the highly refined silicon infrastructure, based on CMOS technology. In this work of thesis, Droplet Epitaxy technique is used for the low thermal budget fabrication of GaAs quantum nanostructures on silicon substrates through a Ge layer and for the fabrication of GaAs local artificial substrates directly on Si substrate. Quantum nanostructures grown on Si substrate through a Ge layer showed an intense photoluminescence emission, detectable up to ro
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Jia, Roger (Roger Qingfeng). "Properties of thin film III-V/IV semiconductor alloys and nanostructures." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2017. http://hdl.handle.net/1721.1/113928.

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Abstract:
Thesis: Ph. D., Massachusetts Institute of Technology, Department of Materials Science and Engineering, 2017.<br>This electronic version was submitted by the student author. The certified thesis is available in the Institute Archives and Special Collections.<br>Cataloged from student-submitted PDF version of thesis.<br>Includes bibliographical references (pages 116-121).<br>A large amount of research and development has been devoted to engineering materials for the next generation of semiconductor devices with high performance, energy efficiency, and economic viability. To this end, significa
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Jones, Eric James Ph D. Massachusetts Institute of Technology. "Nanoscale quantification of stress and strain in III-V semiconducting nanostructures." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2015. http://hdl.handle.net/1721.1/98578.

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Abstract:
Thesis: Ph. D., Massachusetts Institute of Technology, Department of Materials Science and Engineering, 2015.<br>This electronic version was submitted by the student author. The certified thesis is available in the Institute Archives and Special Collections.<br>Cataloged from student-submitted PDF version of thesis.<br>Includes bibliographical references (pages 142-149).<br>III-V semiconducting nanostructures present a promising platform for the realization of advanced optoelectronic devices due to their superior intrinsic materials properties including direct band gap energies that span the
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Nguyen, Thanh Tra. "Sillicon photonics based on monolithic integration of III-V nanostructures on silicon." Phd thesis, INSA de Rennes, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01065999.

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Abstract:
This thesis focuses on the heterogeneous growth optimization of III-V nanostructures on Si (001) substrate displaying a miscut toward [110]. The main purpose concerns the integration of efficient light sources on Si substrate for high-speed optical interconnects inter-and intra-chip, as a cornerstone for the development of optoelectronic integrated circuits (OEIC).First, this study focuses on the optimisation of nitrogen incorporation in GaPN on GaP(001) substrate, while reachingthe lattice-matching condition with Si. This study is also interesting for the growth of any GaPN-based dilute nitri
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Thota, Venkata Ramana Kumar. "Tunable Optical Phenomena and Carrier Recombination Dynamics in III-V Semiconductor Nanostructures." Ohio University / OhioLINK, 2016. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ohiou1451807323.

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Robert, Cédric. "Study of III-V nanostructures on GaP for lasing emission on Si." Thesis, Rennes, INSA, 2013. http://www.theses.fr/2013ISAR1913/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l’étude de nanostructures semi- conductrices III-V pour le développement d’émetteurs laser sur silicium dans une approche pseudomorphique. Une croissance en accord de maille d’alliages à base de GaP ou plus précisément de nitrures dilués GaPN doit garantir une faible densité de défauts cristallins. Le modèle des liaisons fortes à base étendue est tout d’abord présenté afin de simuler les propriétés électroniques et optiques de structures semi-conductrices sur substrats de GaP ou Si. Les propriétés des alliages massifs GaPN et GaAsPN sont étudiées par des expérienc
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Aguinaldo, Ryan. "Modeling solutions and simulations for advanced III-V photovoltaics based on nanostructures /." Online version of thesis, 2008. http://hdl.handle.net/1850/7912.

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Cress, Cory D. "Effects of ionizing radiation on nanomaterials and III-V semiconductor devices /." Online version of thesis, 2008. http://hdl.handle.net/1850/6278.

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Bucamp, Alexandre. "Croissance sélective et caractérisation de nanostructures de matériaux III-V élaborées par épitaxie par jets moléculaires." Thesis, Lille 1, 2019. http://www.theses.fr/2019LIL1I067/document.

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Abstract:
Que ce soit pour la fabrication de transistors ultimes fonctionnant à haute fréquence et faible consommation d’énergie ou pour celle de composants quantiques exploitant le transport balistique d’électrons, l’élaboration de nanostructures de semiconducteurs III-V à faible masse effective électronique est aujourd’hui un enjeu majeur. Différentes approches existent pour atteindre des dimensions caractéristiques largement sub-100nm. Les nanostructures peuvent être définies par une approche descendante en combinant gravure sèche anisotrope et amincissement chimique digital d’une couche semiconductr
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Zandbergen, Sander R., Ricky Gibson, Babak Amirsolaimani, et al. "Polarization dependent femtosecond laser modification of MBE-grown III-V nanostructures on silicon." OPTICAL SOC AMER, 2017. http://hdl.handle.net/10150/624969.

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Abstract:
We report a novel, polarization dependent, femtosecond laser- induced modification of surface nanostructures of indium, gallium, and arsenic grown on silicon via molecular beam epitaxy, yielding shape control from linear and circular polarization of laser excitation. Linear polarization causes an elongation effect, beyond the dimensions of the unexposed nanostructures, ranging from 88 nm to over 1 mu m, and circular polarization causes the nanostructures to flatten out or form loops of material, to diameters of approximately 195 nm. During excitation, it is also observed that the generated sec
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Fahed, Maria. "Selective area growth of in-plane III-V nanostructures using molecular beam epitaxy." Thesis, Lille 1, 2016. http://www.theses.fr/2016LIL10114/document.

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Abstract:
Pour répondre aux défis matériaux relatifs à l’intégration des semiconducteurs III-V sur silicium, l’utilisation de nanostructures telles les boîtes quantiques et les nanofils s’avère une voie très prometteuse. Associée à la miniaturisation continue des dispositifs, elle devrait permettre l’émergence de nouveaux circuits opto et microélectroniques performants. Cela nécessite auparavant une maîtrise complète de la croissance et de la technologie des architectures tridimensionnelles à l’échelle nanométrique. Dans ce contexte, ce travail présente l’étude de la croissance localisée de semiconducte
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Junior, Jeverson Teodoro Arantes. "Materiais nanoestruturados do tipo IV e III-V dopados com Mn." Universidade de São Paulo, 2007. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-24032008-102906/.

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Abstract:
No presente trabalho, investigamos propriedades eletr^onicas, estruturais e de transporte de nanoestruturas do tipo IV e tipo III-V usando c´alculos de primeiros princ´?pios. (I) Como ponto de partida, verificamos sistematicamente a estabilidade do Mn substitucional nas camadas de Ge em uma heteroestrutura de Si/Ge. Estudamos a intera¸c~ao magn´etica Mn-Mn relativa a varia¸c~ao do par^ametro de rede do substrato, indicando uma mudan¸ca na diferen¸ca de energia entre as configura¸c~oes de alto e baixo spin. Para um substrato com par^ametro de rede igual ao do Si, esta diferen¸ca de energia favo
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Gauthier, Jean-Philippe. "Réalisation et optimisation de nanostructures à base de semiconducteurs III-V pour les applications de VCSEL accordables." Rennes, INSA, 2011. http://www.theses.fr/2011ISAR0019.

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Abstract:
Le travail de thèse porte sur l’étude et l’optimisation de lasers verticaux émettant par la surface (VCSEL) accordables pour les applications télécom à 1,55µm. Les VCSEL étudiés intègrent notamment des puits quantiques contraints, ou des nanostructures filaires (ou Fils Quantiques – FQ) possédant des propriétés optiques remarquables. Une attention particulière est accordée aux propriétés thermiques et optiques des cavités développées et des solutions sont proposées pour l’amélioration des performances laser. Notamment, le développement de pseudo-substrat métallique par dépôt électrolytique de
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Al, Zoubi Tariq [Verfasser]. "Molecular Beam Epitaxial Growth of III-V Semiconductor Nanostructures on Silicon Substrates / Tariq Al Zoubi." Kassel : Universitätsbibliothek Kassel, 2013. http://d-nb.info/1043814876/34.

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Franchina, Vergel Nathali Alexandra. "Dirac antidot superlattices for electrons in III-V semiconductors." Thesis, Lille 1, 2020. http://www.theses.fr/2020LIL1I002.

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Abstract:
Le graphène est l'un des matériaux les plus fascinants jamais découverts. L’observation de cette monocouche d’atomes de carbone en 2004, a suscité beaucoup d'enthousiasme dans la communauté de la physique. Il représente en fait la première réalisation d'un matériau bidimensionnel naturel. De plus, l'organisation unique des atomes de carbone lui confère des propriétés électroniques exotiques au graphène. Ainsi, la découverte du graphène a ouvert la porte à des effets quantiques difficiles à observer dans d'autres systèmes conventionnels. Néanmoins, étant un matériau naturel, la feuille de carbo
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Himwas, Chalermchai. "Nanostructures à base de semi-conducteurs nitrures pour l'émission ultraviolette." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAY011.

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Abstract:
Ce travail porte sur la conception, l’épitaxie, et la caractérisation structural et optique de deux types de nanostructures, à savoir des boîtes quantiques AlGaN/AIN et des nanodisques AlGaN/AIN sur nanofils GaN. Ces nanostructures ont été synthetisées par épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma (PA-MBE) et ont été conçues pour être le matériau actif d’une lampe ultraviolette à pompage électronique (EPUV) pour la purification de l'eau. En modifiant la composition Al et la géométrie des boîtes quantiques AlGaN/AlN, leur longueur d'onde d'émission peut être réglée dans la gamme 320-23
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Halioua, Yacine. "Etude de structures hybrides : lasers à cristaux photoniques en semi-conducteurs III-V sur silicium." Paris 7, 2011. http://www.theses.fr/2011PA077169.

Full text
Abstract:
La demande grandissante relative au transfert de données à très haut débit rencontre aujourd'hui les limites des systèmes ou circuits micro-électroniques. Il est actuellement admis qu'un transfert de données par flux lumineux permettra de significativement lever ces limites en terme de vitesse du point de vue de la communication inter- et intra-composants électroniques. Plus particulièrement, du fait de leurs propriétés intrinsèques, la combinaison de structures actives en semi-conducteur III-V et de structures passives en Silicium, dans un schéma compatible avec les procédés CMOS, ouvre d'int
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CEDOLA, ARIEL PABLO. "Physics based modeling and numerical simulation of III-V quantum dot solar cells." Doctoral thesis, Politecnico di Torino, 2016. http://hdl.handle.net/11583/2642829.

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Abstract:
Quantum dot solar cells have gained attention in the last years as one of the most promising implementations of the intermediate band solar cell concept, for which according to theoretical calculations based on the detailed balance principle, an efficiency above 63% under maximum sunlight concentration is predicted. Layers of quantum dots embedded within the intrinsic region of a p-i-n solar cell introduce energy states, which play the role of intermediate levels and extend the light harvesting by allowing the absorption of sub-bandgap photons. The extraction of the carriers photogenerated in
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Dumeige, Yannick. "Génération de second harmonique dans les milieux périodiques uni ou bidimensionnels à semiconducteurs III-V." Paris 11, 2002. http://www.theses.fr/2002PA112214.

Full text
Abstract:
L'accord de phase est une condition nécessaire à l'obtention d'interactions non-linéaires du second ordre efficaces. Les matériaux semiconducteurs III-V présentent des propriétés optiques qui ne permettent pas la réalisation de cette condition par les moyens usuels. Il faut dans ce cas avoir recours à des moyens artificiels comme l'utilisation de milieux périodiques pour réaliser une ingénierie de la dispersion chromatique ou de vitesse de groupe. Nous avons réalisé et étudié expérimentalement des structures laminaires périodiques et plus particulièrement des structures multicouches AIGaAs/AlO
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Bazin, Alexandre. "III-V semiconductor nanocavities on silicon-on insulator waveguide : laser emission, switching and optical memory." Paris 7, 2013. http://www.theses.fr/2013PA077050.

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Abstract:
La photonique sur silicium constitue une plateforme idéale pour transmettre et distribuer des signaux optiques au sein d'une puce et sur de longues distances sans pertes excessives. L'intégration de semiconducteurs NIA sur des circuits photonique en silicium est un projet excitant mais ambitieux, que nous avons mené en combinant le meilleur de l'optoélectronique des semiconducteurs III-V et des technologies photonique en siliicium-sur-isolant (SOI en anglais). Afin de pouvoir remplacer les interconnexions métalliques existantes par des interconnexion optiques, nous nous sommes efforcés d'utili
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Tremblay, Ronan. "Propriétés structurales, optiques et électriques de nanostructures et alliages à base de GaP pour la photonique intégrée sur silicium." Thesis, Rennes, INSA, 2018. http://www.theses.fr/2018ISAR0026/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur les propriétés structurales, optiques et électriques de nanostructures et alliages à base de GaP pour la photonique intégrée sur silicium. Parmi les méthodes d’intégration des semi-conducteurs III-V sur Si, l’intérêt de l’approche GaP/Si est tout d’abord discuté. Une étude de la croissance et du dopage de l’AlGaP est présentée afin d’assurer le confinement optique et l’injection électrique dans les structures lasers GaP. Les difficultés d’activation des dopants n sont mises en évidence. Ensuite, les propriétés de photoluminescence des boites quantiques InGaAs/GaP
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Grenier, Stéphane. "Spectroscopie de diffraction résonante : études de nanostructures de semiconducteurs III-V et de l'ordre de charge dans [alpha]'-NaV2O5." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2001. http://www.theses.fr/2001GRE10199.

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Abstract:
Nous avons développé la méthodologie expérimentale de la spectroscopie de diffraction résonnante et appliqué la méthode à la caractérisation structurale de nanostructures INAS et d'un superréseau FE0. 7MN0. 3/IR(001) ainsi qu'à la détermination de l'ordre de charge du composé NAV2O5. Dans la continuité du développement de la spectroscopie de diffraction résonnante ou DAFS (Diffraction Anomalous Fine Structure) sur la ligne D2AM de l'ESRF, nous présentons le DAFS-rapide, une méthode de mesure qui réduit considérablement le temps de mesure des spectres et qui a été utilisée conjointement à une p
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Widmann, Frédéric. "Epitaxie par jets moléculaires de GaN, AlN, InN et leurs alliages : physique de la croissance et réalisation de nanostructures." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10234.

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Abstract:
Ce travail a porte sur la croissance epitaxiale des nitrures d'elements iii gan, aln, et inn, en utilisant l'epitaxie par jets moleculaires assistee par plasma d'azote. Nous avons optimise les premiers stades de la croissance de gan ou aln sur substrat al#2o#3 (0001). Le processus utilise consiste a nitrurer la surface du substrat a l'aide du plasma d'azote, afin de la transformer en aln, puis a faire croitre une couche tampon d'aln ou de gan a basse temperature, avant de reprendre la croissance de gan ou aln a haute temperature (680 a 750c). Nous avons en particulier etudie les proprietes d'u
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Briere, Gauthier. "Réalisation de méta-optiques à base de matériaux semi-conducteurs III-V pour des applications dans le visible." Thesis, Université Côte d'Azur (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019AZUR4075.

Full text
Abstract:
Depuis de récentes années de nouveaux composants optiques ont fait leur apparition. Ces composants connus sous les noms de « Méta-optiques » ou encore « Métasurfaces », rendent possible le contrôle et la mise en forme du front d’onde de la lumière permettant alors de mettre en forme n’importe quel faisceau incident et ainsi créer des fonctionnalités optiques classiques telles que focaliser ou dévier la lumière, ou alors des fonctionnalités aux propriétés surprenantes telle que la réalisation de métahologramme dépendant en polarisation. En effet, grâce à l’arrangement périodique de résonateurs
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Nguyen, Quang Tuong. "Effets de spin dans les nanostructures semi-conductrices : modélisation et expériences de magnéto-transport." Phd thesis, Ecole Polytechnique X, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00113255.

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Abstract:
Le couplage spin-orbite combiné avec des effets de brisure de la symétrie d'inversion conduit au dédoublement de niveaux d'énergie de la structure de bande réelle et complexe des matériaux massifs et des hétérostructures bidimensionnelles tels que puits quantiques et hétéro-jonctions. La première partie de ce travail calcule numériquement les trois contributions au splitting de spin : BIA, SIA et IIA en se basant sur le modèle k.p de Kane étendu à 14 bandes et sur les nouveaux paramètres obtenus par la méthode des liaisons fortes. Plusieurs résultats numériques sont confrontés aux résultats ex
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Coelho, José. "Organisation à longue distance par un réseau de dislocations faiblement enterré de nanostructures de semiconducteurs III-V auto-assemblées sur substrat de GaAs." Paris 11, 2004. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00007633.

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Abstract:
Les nanostructures auto-assemblées sont particulièrement intéressantes pour des applications en opto-électronique et en photonique, notamment sur substrat de GaAs. Néanmoins, leur répartition spatiale à longue distance est aléatoire, leur densité est difficile à conrôler, leur distribution en taille peut être large et leurs formes peuvent êtres différentes. En palliant ces limitations, on devrait pouvoir améliorer les performances de dispositifs existants ou d'en fabriquer de nouveaux. Ce travail étudie la possibilité d'organiser à longue distance des nanostructures auto-assemblées sur substra
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Coelho, José. "Organisation à longue distance par un réseau de dislocations faiblement enterré de nanostructures de semiconducteurs III-V auto-assemblées sur substrat d'arséniure de gallium." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00007633.

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Abstract:
Les nanostructures auto-assemblées sont particulièrement intéressantes pour des applications en opto-électronique et en photonique, notamment sur substrat de GaAs. Néanmoins, leur répartition spatiale à longue distance est aléatoire, leur densité est difficile à contrôler, leur distribution en taille peut être large et leurs formes peuvent êtres différentes. En palliant ces limitations, on devrait pouvoir améliorer les performances de dispositifs existants ou d'en fabriquer de nouveaux. Ce travail étudie la possibilité d'organiser à longue distance des nanostructures auto-assemblées sur substr
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Desplats, Olivier. "Préparation de surfaces structurées et reprise d'épitaxie par jets moléculaires. Réalisation de micro et nanostructures sur GaAs." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00309826.

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Abstract:
La structuration de surface et la reprise d'épitaxie sont des technologies clé pour le développement des (nano)dispositifs optoélectroniques avancés. Nos travaux de thèse ont visé la préparation de surfaces GaAs micro et nanostructurées pour l'épitaxie et l'étude de la croissance dirigée de boîtes quantiques InAs sur ces surfaces. La lithographie électronique a été retenue pour structurer la résine en surface et une attaque chimique pour le transfert du motif dans le semiconducteur. La décontamination de la surface par plasma micro-onde O2 : SF6 a été démontrée. Sa rugosité a été supprimée par
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Silvestre, Sarah Constant Eugène. "Stabilité des interactions silicium-hydrogène sous irradiation optique ou électronique dans les semiconducteurs à base de GaAs application à la fiabilité et à la nanofabrication de composants III-V /." [S.l.] : [s.n.], 2002. http://www.univ-lille1.fr/bustl-grisemine/pdf/extheses/50376-2002-15-16.pdf.

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Silvestre, Sarah. "Stabilité des interactions silicium-hydrogène sous irradiation optique ou électronique dans les semiconducteurs à base de GaAs : application à la fiabilité et à la nanofabrication de composants III-V." Lille 1, 2002. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2002/50376-2002-15-16.pdf.

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Hertl, Vít. "Studium fotovoltaických nanostruktur mikroskopickými metodami." Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství, 2018. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-444405.

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Abstract:
V této diplomové práci je nejprve ve zkratce uvedena teorie fyziky solárních článků, kde jsou zmíněny klíčové procesy ovlivňující účinnost konverze slunečního záření na elektrickou energii. Dále je předložena rešerše o fotovoltaických nanostrukturách (nanodráty, nanokrystaly), jejichž implementací je možné účinnost solárních článků zvýšit. V přehledu experimentálních technik ke zkoumání fotovoltaických nanostruktur je důraz kladen zejména na korelativní měření pomocí SEM a AFM, vodivostního AFM, měření EBIC a mikroskopické měření elektroluminiscence. V experimentální části jsou předloženy výsl
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Khelifi, Wijden. "Selective Growth and Characterization of InAs and InSb Nanostructures." Electronic Thesis or Diss., Université de Lille (2022-....), 2024. http://www.theses.fr/2024ULILN001.

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Abstract:
Les composés d'arséniure et d'antimoniure d'indium figurent parmi les candidats les plus prometteurs pour la conception de dispositifs quantiques, grâce à leurs propriétés électroniques supérieures telles que la haute mobilité des électrons et leur fort couplage spin-orbite. Cependant, leur déploiement est souvent entravé par le désaccord de maille qu'ils possèdent avec les substrats III-V conventionnels et qui les rend défectueux. Cette thèse propose une solution pour fabriquer des nanostructures d'InAs et d'InSb de bonne qualité, grâce à une croissance sélective par épitaxie par jets molécul
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Cariou, Romain. "Epitaxial growth of Si(Ge) materials on Si and GaAs by low temperature PECVD: towards tandem devices." Palaiseau, Ecole polytechnique, 2014. https://theses.hal.science/tel-01113794/document.

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Abstract:
Cette thèse s'intéresse à la croissance épitaxiale de Si et SiGe à basse température (200°C) par dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma (PECVD), et à l'utilisation de ces matériaux cristallins dans les cellules solaires en couches minces. L'objectif était de mieux comprendre cette croissance inattendue et d'étudier le potentiel de ces matériaux pour les cellules simples et multijonctions. Nous avons d'abord démontré qu'il est possible d'effectuer, avec un réacteur PECVD standard, un nettoyage efficace de la surface du c-Si et de poursuivre par une croissance épitaxiale de couches d
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Solere, Alexis. "Instabilité de croissance dans les couches épitaxiées contraintes." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1999. http://www.theses.fr/1999ECDL0053.

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Abstract:
Instabilité de croissance dans les couches épitaxiées contraintes. Etude par microscopie à effet tunnel du système In1-xGaxAs / InP (001). La croissance hétéroépitaxiale de films semiconducteurs contraints manifeste une instabilité morphologique: la croissance évolue d'un mode couche par couche vers un mode par îlots tridimensionnels. La compréhension physique de ce phénomène est impotante tant pour la réalisation d'interfaces planes qui est recherchée pour les applications microélectroniques que pour l'élaboration de nanostructures dont le caractère quantique pourrait conduire à de nouvelles
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Desplats, Olivier. "Préparation de surfaces structurées et reprise d'épitaxie par jets moléculaires : réalisation de micro et nano structures sur GaAs." Toulouse 3, 2008. http://thesesups.ups-tlse.fr/299/.

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Abstract:
La structuration de surface et la reprise d'épitaxie sont des technologies clé pour le développement des (nano)dispositifs optoélectroniques avancés. Nos travaux de thèse ont visé la préparation de surfaces GaAs micro et nanostructurées pour l'épitaxie et l'étude de la croissance dirigée de boîtes quantiques InAs sur ces surfaces. La lithographie électronique a été retenue pour structurer la résine en surface et une attaque chimique pour le transfert du motif dans le semiconducteur. La décontamination de la surface par plasma micro-onde O2 : SF6 a été démontrée. Sa rugosité a été supprimée par
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