Academic literature on the topic 'Implantation physique'

S’inscrivant dans le cadre de la Stratégie canadienne sur le diabète de Santé Canada, le projet Diabetaction vise à réduire les risques liés à la sédentarité chez les personnes diabétiques de type 2 ou à risque de développer la maladie. Ce programme d’initiation à l’activité physique a été développé à partir des lignes directrices d’organismes reconnus, des connaissances et résultats de la littérature scientifique, des résultats obtenus lors de groupes de discussion effectués avec la population cible et de l’expertise de l’équipe multidisciplinaire impliquée. Le premier article de la thèse vise à expliquer en quoi consiste le programme Diabetaction et comment il est en lien avec les résultats des groupes de discussion et les recommandations en activité physique pour les personnes diabétiques. Les résultats obtenus lors de l’évaluation du programme en milieu universitaire et de son implantation dans des milieux cliniques de la communauté font pour leur part l’objet des articles 2, 3 et 4. Notons tout d’abord que l’étude préliminaire réalisée en milieu universitaire a démontré que les sujets ayant pris part à au moins 50 % des séances de groupe ont amélioré plusieurs paramètres : niveau d’activités physiques, puissance aérobie, force de préhension, masse corporelle, circonférence de taille, épaisseur des plis cutanés, lipoprotéines de haute densité, fréquence cardiaque et pression artérielle systolique au repos (deuxième article). Certains de ces changements ont contribué à la diminution de la prévalence du syndrome métabolique post-intervention. Dans le troisième article, nous avons rapporté que plusieurs paramètres de la qualité de vie furent aussi significativement améliorés après le programme Diabetaction et que ces changements étaient principalement associés aux modifications de la puissance aérobie, de la force de préhension, de la masse corporelle et des plis cutanés. Finalement, dans le quatrième article, les participants ayant pris part au programme dans les milieux cliniques étaient plus actifs après l’intervention tout en ayant amélioré certains paramètres de la condition physique, du contrôle hémodynamique et de la qualité de vie. Cependant, la plupart de ces changements ont aussi été documentés dans le groupe témoin. Ces résultats soulèvent des questions quant à l’effet du programme et ce, bien que les participants à ce dernier aient rapporté une grande appréciation face à celui-ci, qu’ils aient perçu des améliorations de plusieurs facteurs qu’ils jugeaient importants et qu’ils aient maintenu plusieurs acquis jusqu’à 6 mois après l’intervention.

Abstract The prostate strongly expresses type 2 5α-reductase, which avidly converts on entry most testosterone (T) to 5α-dihydrotestosterone (DHT). However, the quantitative contribution of the prostate to blood DHT is uncertain. We evaluated prostatic contribution to blood DHT by comparing the blood DHT concentrations in androgen-deficient patients with or without a prostate while they were receiving standard dose of T replacement. Androgen-deficient males (ADM) and female to male (F2M) transsexuals were studied in 2 centers, with both groups receiving either testosterone ester injections (250 mg mixed T esters) every 1 wk (Amsterdam) or 800 mg subdermal T implantation (Sydney). Among 39 Dutch patients, F2M (n = 21) were younger and smaller in physique than ADM (n = 18). One week (±1 d) after an injection, plasma DHT concentrations were 1.6 ± 0.2 (F2M) vs. 1.4 ± 0.2 (ADM) nmol/liter (P = 0.47), but the postinjection time interval to blood sampling was shorter in F2M (5.9 ± 0.4 vs. 7.2 ± 0.3 d; P = 0.01). Covariance adjustment for time since last injection, age, and physique did not change the lack of significant difference in postinjection plasma DHT concentration. The rapid and wide excursions in plasma T concentrations after an im T ester injection make the timing of blood sampling critical. To remove confounding by this variable, the experiment was repeated at a second site in similar patients, but using a depot T that achieves steady-state delivery for prolonged periods. Among 29 Australian patients, before and 1 month after subdermal implantation of 800 mg T, plasma DHT concentrations were not significantly different between groups [F2M, 1.1 ± 0.1 (n = 14); ADM, 1.3 ± 0.1 (n = 15); P = 0.28]. Correction for covariates, including age, height, weight, body surface area, and body mass index, did not influence the lack of significant difference between treated groups. As both modes of T administration yielded similar plasma DHT concentrations regardless of the presence of a prostate, this study indicates that the normal human prostate is not a major contributor to circulating blood DHT concentrations.

Background: Many studies have reported lead migration and breakage as complications of epidural spinal cord stimulation. In cases where rapid changes in physique such as those caused by pregnancy are expected, it is unclear whether extra consideration regarding possible adjustments and care to avoid complications such as lead breakage are required. Objective: This article presents a case in which spinal cord stimulation was used to manage these complications in a woman during the perinatal period. Design: Case report Setting: Pain management clinic Methods: The patient was a 36-year-old female, approximate weight of 100 pounds, and 5-foot 1 inch in height, whose chief complaint was lower back and bilateral leg pain. The pain could not be alleviated by conservative therapies such as nerve blockade, oral medications with non-steroidal anti-inflammatory drugs, antidepressants, anticonvulsants or physical therapy. A spinal cord stimulator was implanted at another facility, which relieved the pain. The patient subsequently had 2 vaginal births without any problems relating to the stimulation sites, and both infants were healthy. She experienced lead breakage after the third vaginal birth that led to the subsequent reimplantation procedure. Results: The patient had 2 subsequent vaginal births following the initial implantation with no problems related to the stimulation sites, and both infants were healthy. At age 34, following her third vaginal birth, the stimulator became ineffective and was removed. The withdrawn lead wire was found to be broken in 2 places. Limitations: A case report. Conclusion: Pregnancy following implantation of a spinal cord stimulator might result in lead breakage as abdominal girth increases. The present case exemplifies how pregnancy following implantation of a spinal cord stimulator might cause lead breakage as abdominal girth increases. Extra care is required to prevent lead breakage when anchors are fixed. Key words: spinal cord stimulator, reimplantation, lead breakage, pregnancy

Introduction En 2011, l’Agence de la santé et des services sociaux de Montréal (ASSSM), en partenariat avec les Centres de santé et de services sociaux (CSSS) de la région, a coordonné la mise en oeuvre d’un programme sur le risque cardiométabolique s’inspirant du Chronic Care Model. Ce programme destiné aux patients diabétiques ou hypertendus comporte une séquence de suivis individuels, des cours de groupe et des séances d’activité physique. Notre étude évalue l’impact de la variation dans l’implantation de certains aspects du programme entre les six CSSS participant à l’étude sur les résultats de santé des patients. Méthodologie L’évaluation a été réalisée à l’aide d’un devis quasi-expérimental « avantaprès ». Des variables d’implantation ont été construites à partir de données colligées lors de l’analyse d’implantation concernant les ressources, la conformité au processus clinique prévu dans le programme régional, l’expérience du programme et la coordination interne au sein de l’équipe de soins. Des différences de différences utilisant des scores de propension ont été calculées pour les résultats d’HbA1c, l’atteinte de la cible de tension artérielle (TA) et de deux cibles d’habitudes de vie (niveau d’activité physique et répartition des glucides alimentaires) à 6 mois et à 12 mois de suivi, en fonction de l’exposition des patients à un degré plus ou moins important d’implantation de divers aspects du programme à l’étude. Résultats Les résultats portent sur les 1 185 patients pour lesquels on disposait de données de suivi à 6 mois et les 992 patients pour le suivi à 12 mois. Les analyses de différences de différences ne révèlent aucune association claire entre le degré d’implantation des divers aspects du programme à l’étude et les résultats de santé chez les patients. Conclusion Le programme produit des effets sur les indicateurs de santé sélectionnés indépendamment des variations dans l’implantation du programme entre les CSSS participant à l’étude. Les résultats suggèrent que les effets d’un tel programme sont davantage tributaires de la prestation des interventions auprès des patients que des aspects organisationnels liés à son implantation.

En France, ces dernières années, le nombre de recommandations émises par les institutions de santé publique afin de prévenir et de promouvoir la santé mentale des populations n’a cessé d’accroître (e.g. Ministère de la Santé, 2012). De multiples publications provenant de champs disciplinaires très distincts (telles que l’économie, la psychologie, ou encore les neurosciences) recommandent de développer des interventions préventives fondées sur des données scientifiques probantes à destination des parents et de leurs jeunes enfants. D’après la revue de la littérature scientifique, l’objectif principal de ces programmes est de prévenir la survenue de troubles mentaux, de conduites antisociales, de la délinquance, de crimes, de l’abus de substance mais aussi de promouvoir la santé mentale et physique, les compétences parentales, et les compétences psychosociales des jeunes enfants dans une perspective de développement sanitaire, social et économique [1]. Les économistes promeuvent également l’implantation de programmes ciblés à destination des familles vulnérables afin de réduire les inégalités sociales de santé et d’accroître l’efficience économique des sociétés (en « préparant » la force de travail de demain) [3]. Alors qu’ils sont aujourd’hui largement intégrés aux systèmes de santé nord-américains, la question de leur implantation en France se heurte à des questions particulières d’ordre clinique et épistémologique [2]. Comment implanter des programmes evidence-based standardisés évalués dans le cadre de dispositifs expérimentaux stables et constants, sous-entendant une universalité des maladies mentales, du bien-être, de la parentalité, de l’éducation, indépendamment du contexte socioculturel dans lesquels ils s’inscrivent ? Une enquête sociologique de trois mois a été réalisée aux États-Unis au sein d’un important centre de recherche économique chargé d’évaluer l’efficience des « Early Childhood Evidence-Based Interventions ». Ce séjour parmi les économistes a été l’opportunité de réaliser plusieurs observations ethnographiques et de comprendre différents enjeux liés à ces interventions evidence-based.

Ce travail concerne l'élaboration et la caractérisation de cellules photovoltaïques organiques (OPVs) bas coût, contribuant au développement des énergies renouvelables, et capables d'alimenter des appareils nomades (téléphone portable. . . ). Nous avons en particulier contribué au développement d'un banc d'expérimentation versatile destiné à l'obtention de diverses structures (bicouches, interpénétrées et multicouches) de cellules solaires à base de différents couples donneur-accepteur de petites molécules. Après la présentation d'une rétrospective des phénomènes physique et des mécanismes entrant en jeu, ainsi que celle du principe photovoltaïque dans les matériaux organiques, nous décrivons l'élaboration de notre manipulation et les étapes technologiques permettant de réaliser les cellules solaires. Les matériaux (organiques et métalliques) sont déposés en films minces (de 30 à 100nm) à la tournette (PEDOT-PSS) ou par évaporation sous vide (petites molécules et métallisation de la cathode) sur un substrat de verre recouvert d'une couche conductrice et semi-transparente d'ITO constituant l'anode. Les structures réalisées ont été caractérisées à l'air dans l'obscurité et sous illumination par des courbes I(V), des mesures capacitives et des spectres d'IPCE (spectre de photocourant). Différents couples donneur-accepteur (phtalocyanine/C60, oligomère de thiophène/C60 et phtalocyanine/dérivé de pérylène) ont été testés selon diverses configurations : hétérojonctions p-n distribuées ou non dans le volume. Les performances relevées laissent un avantage aux structures bicouches en raison de la granulosité du C60. Cette caractéristique nous a permis de concevoir une structure multicouche (CuPc/C60)3 efficace. Afin de remédier au problème lié au dépôt du C60, nous avons testé une autre molécule de type accepteur : un dérivé du pérylène (PPTC). Des études complémentaires ont été menées par l'implantation ionique des couches actives, permettant à la fois une densification et un dopage de celles-ci ; l'encapsulation des composants par VDP de polyimide (polymérisation en phase gazeuse) a été évaluée. A l'aide de cette technique, nous avons aussi développé une structure auto-protégée alternative

Cette thèse présente une démarche d’optimisation pour la réorganisation des systèmes de production. Elle est née d’une problématique posée par l’Etablissement de Maintenance du Matériel SNCF. Cette problématique vise à réorganiser physiquement et logiquement les ateliers de production afin d’améliorer les performances et d’absorber de nouvelles charges. La démarche proposée s’est orientée vers deux types de problèmes : la résolution d’un problème d’agencement et de planification. Pour le problème d’agencement, nous avons proposé une modélisation par affectation quadratique qui intègre les principales contraintes industrielles. Deux méthodes de résolution hybrides basées sur les algorithmes génétiques et les colonies de fourmis ont été développées. Les résultats obtenus améliorent les performances de l’implantation industrielle de 20%. Ces deux méthodes d’optimisation ont été généralisées et testées avec succès sur un ensemble de benchmark issu de la littérature. Pour le problème de planification, nous avons développé un modèle de simulation sous Arena qui a permis d’identifier des goulets d’étranglement et de mesurer l’impact de nouvelles solutions de planification. Nous avons ensuite, développé un module d’optimisation multiobjectif qui est couplé au modèle de simulation. L’optimisation s’est effectuée sur 3 critères importants pour l’entreprise. Les résultats obtenus améliorent les critères de 18 à 38%. L’ensemble des modèles et des méthodes développées dans ce mémoire forme un bon outil d’aide à la décision pour la réorganisation des systèmes de production
This thesis presents a reorganization study of production systems, proposed by a train Maintenance Facility SNCF. This study aims at reorganizing workshops of production, physically and logically, in order to improve the performances. Two problems were identified according to their decisional level: layout problem and planning. The layout problem was solved using a quadratic assignment modelling which copes with principal industrial constraints. Two hybrid methods of resolution based on genetic algorithms and ant colony were developed. Results ware found to improve performances of the current layout of about 20%. Both methods ware generalized then tested successfully on benchmark data from the literature. A simulation model with Arena was developed to cope with planning problems. This model enables identification of bottlenecks, and measures impact of new planning solutions. To perform our results, a multiobjective optimization module was coupled with the simulation model. Optimization was performed using 3 important criteria. Results were found to improve all criteria up to 38%. The models and the methods developed in this thesis represent a good tool of decision-making to help reorganization of production systems

Dans ce travail consacre a la diffusion centrale des rayons x en incidence rasante (gisaxs), nous avons montre l'interet et les potentialites de cette technique pour la caracterisation morphologique d'agregats deposes sur un substrat ou inclus dans une couche superficielle. Le fait que l'angle d'incidente soit inferieur au degre, permet de definir deux configurations de la technique gisaxs. Quand l'angle d'incidence est egal a l'angle critique de l'echantillon, nous pouvons caracteriser des agregats deposes sur un substrat. Cette configuration nous a permis d'etudier des depots d'or elabores par pulverisation ionique. Les resultats ont alors ete confrontes avec ceux obtenus en microscopie electronique en transmission. La possibilite d'obtenir une information sur la hauteur des amas d'or et d'en analyser un grand nombre sont les atouts majeurs de la technique gisaxs par rapport a la microscopie electronique. Nous avons ensuite etudie les premiers stades de la croissance de depots d'or obtenus par mixing dynamique par un faisceau d'ions ar#+ d'energie 120 kev. Les resultats gisaxs montrent que les effets de l'assistance dependent du degre d'assistance ainsi que de la quantite d'or deposee. Pour des degres d'assistance inferieurs a 1%, aucun effet du a l'assistance n'est observe. Pour des faibles quantites deposees, l'assistance produit une augmentation de la densite d'amas. Dans le cas de quantites deposees plus importantes, nous observons des variations opposees. On interprete ces constatations comme resultant d'une competition entre des phenomenes induits par le bombardement qui sont une augmentation de sites de nucleation et une diffusion acceleree

A l'heure de la technologie CMOS 65nm, le procédé d'implantation standard usuellement utilisé n'est plus en mesure de réaliser les jonctions requises pour les futures générations de transistors. Le dopage par plasma (PLAD) introduit depuis quelques années en microélectronique semble donc un candidat idéal pour relever ce challenge. Basé sur le principe de la décharge plasma à champ électrique continu, ce procédé permet d'implanter simultanément toute la plaque de silicium tout en s'affranchissant des problèmes liés au transport des ions à basse énergie. L'optimisation des procédés d'implantation (dopage par plasma et implantation ionique) basée sur la méthodologie des plans d'expériences (DOE) et complétée par des études fondamentales concernant la diffusion et l'activation des dopants nous a permis de mettre en évidence des mécanismes physiques spécifiques en particulier pour les jonctions de type P+/N. Pour la première fois, le dopage par plasma a été intégré avec succès sur une plateforme CMOS digitale 65nm pour la réalisation des extensions source-drain N+/P et P+/N, puis sur une plateforme CMOS imageur afin de réduire le courant d'obscurité. L'intérêt du procédé PLAD combiné à un recuit avancé de type flash a pu être démontré en vue de répondre aux spécifications des transistors CMOS 45nm et en deçà. La finalité industrielle de nos travaux nous a conduit à évaluer la fiabilité de l'équipement de dopage par plasma et nous a permis de souligner certains inconvénients inhérents à l'utilisation d'un plasma. Des modifications ont donc été proposées et intégrées sur l'équipement afin d'accroître la robustesse du procédé. Des applications avancées ont enfin été testées et ont révélé la possibilité d'une part de modifier la cinétique de croissance d'oxydes thermiques par implantation d'espèces inertes (Ar, Xe) et d'autre part de doper conformément des structures surélevées. Des premiers résultats très encourageant ont d'ailleurs été obtenus en intégrant le dopage par plasma sur des transistors non planaires de type Finfet
For the coming 65nm CMOS transistor generation, the standard ion implantation process is no more suitable to achieve the required ultra shallow junction specifications. An emergent technique called plasma doping could be the ideal alternative to face this technological challenge. Using the principle of plasma discharge, this technique enables to simultaneously implant all the surface of the wafer without any problems related to ion transport at low energy. Using the Design of Experiments method we managed to optimize implantation process (plasma doping, ion implantation) and then we performed fundamental studies to identify specific physical mechanisms especially for P+/N junctions. For the first time, plasma was successfully integrated on a 65nm digital CMOS platform for the fabrications of N+/P and P+/N ultra shallow junctions. Secondly we demonstrated that plasma doping process can lead to a significant reduction of darkness current for imaging sensors applications. Finally PLAD was combined with flash annealing to fabricate ultra shallow junctions fulfilling the 45nm CMOS node specifications. We evaluated PLAD process capability to be industrialized and we underlined some drawbacks coming from plasma using. Some changes were thus proposed and implemented to improve tool reliability. Advanced applications using plasma doping were finally tested. The first one consists of modifying oxide growth kinetics thanks to implantation of inert species such as xenon and argon before oxidation annealing and the second one is conformal doping of 3D structures. In this way first encouraging results were obtained by integration of plasma doping on non planar Finfet transistors

Ce travail concerne l'etude des defauts introduits par implantation d'ions al#2#+ (320 kev) dans le semi-conducteur ii-vi hg#0#,#7#8cd#0#,#2#2te. Les defauts de structure ont ete analyses par diffusion diffuse des rayons x pres des taches de bragg. Les defauts electriquement actifs ont ete detectes par reflectivite infrarouge dans la gamme de longueurs d'ondes 2, 20 m. La fluence et le flux d'implantation ont fait l'objet d'une etude systematique. Le profil des defauts, apres implantation, a egalement ete caracterise. Apres implantation d'ions al#2#+ (320 kev) dans du hg#0#,#7#8cd#0#,#2#2te dont les plans de surface sont proches de la direction <111>, des defauts de structure etendus sont detectes. Ce sont majoritairement des boucles de dislocation de nature interstitielle. Pour la fluence de 10#1#4 al#2#+ (320 kev). Cm##2, ces defauts sont detectes jusqu'a des profondeurs comprises entre 440 et 640 nm, c'est-a-dire legerement au-dela du libre parcours moyen projete des ions (r#p + r#p) = 500 nm. Le flux (et donc le temps) d'implantation n'a aucune influence sur les defauts de structure crees par implantation, au moins pour des flux inferieurs a 260 na. Cm##2. Apres implantation d'ions al#2#+ (320 kev) dans hg#0#,#7#8cd#0#,#2#2te de type p, un changement de type de porteurs libres majoritaires est observe en surface. Il existe une fluence de saturation pour la concentration de couche de porteurs libres. Pour la fluence de 10#1#4 al#2#+ (320 kev). Cm##2, les porteurs libres sont detectes jusqu'a des profondeurs de 800 nm, c'est-a-dire au-dela du libre parcours moyen projete des ions. Le flux (et donc le temps) d'implantation n'a aucune influence sur les porteurs libres crees par implantation, au moins pour des flux inferieurs a 960 na. Cm##2. L'analyse des resultats nous permet de mettre en evidence des signes tangibles d'influence des defauts de structure etendus sur la production, par implantation ionique, de defauts electriquement actifs. Plusieurs hypotheses sont explorees dans le cadre de ce travail.

L'objectif de cette étude est de déterminer les mécanismes qui régissent la liaison en définissant une méthodologie d'approche qui consiste à diviser la formation de l'interface en trois étapes: adaptation des surfaces, adhésion des surfaces, évolution des matériaux et contraintes au voisinage de l'interface. Ainsi pour l'adaptation du joint métallique dans les rugosités de la céramique, outre les paramètres classiques qui jouent sur le fluage du joint, le rôle bénéfique du préécrouissage du métal est approfondi. Autre paramètre important analysé : le rapport largeur/épaisseur de métal qui est essentiel pour l'optimisation des conditions de liaison. Pour l'adhésion thermodynamique métal-céramique, l'influence de la pression partielle d'oxygène est approfondie, en particulier pour le couple cuivre-alumine. En outre, le rôle positif des éléments d'addition est mis en évidence au niveau de l'interface par implantation ionique du cuivre, du zirconium et du titane dans l'alumine. Pour finir, l'évolution de la ténacité de la céramique au voisinage de l'interface étudiée par indentation vickers confirme l'importance des contraintes résiduelles et de la diffusion du métal dans la céramique. L'étude a permis de faire un bilan du point de vue fondamental et appliqué sur les différents paramètres à prendre en compte.

L'interdiffusion assistee par implantation ionique des puits quantiques (001) znte/cdte/znte, a ete etudiee pour la realisation de nanostructures a confinement lateral. La stabilite thermique de ce systeme a hautes temperatures, a ete caracterisee par photoluminescence. Les resultats obtenus montrent que: (i) l'interdiffusion en cours de croissance est negligeable; (ii) les interfaces entre les couches, initialement rugueuses, sont progressivement ameliorees par traitement thermique, et evoluent vers une morphologie pseudo-lisse, ce qui resulte en une diminution importante de l'elargissement spectral de l'emission excitonique. Les defauts residuels produits par implantation ionique dans le cdte massif ont ete aussi identifies. Ces defauts, de type interstitiel, sont localisees en surface et loin en profondeur (au-dela du parcours projete des ions implantes); ils sont soit sous forme de fautes d'empilements et d'amas de petites tailles a basse temperature, ou bien de boucles de dislocations a temperature ambiante. L'interdiffusion de puits quantiques znte/cdte/znte assistee par implantation ionique de cd, zn et ar a ete demontree. La modulation de bande interdite est suivie par photoluminescence, microscopie electronique en transmission et spectrometrie de masse d'ions secondaires. Nous avons montre que l'interdiffusion a lieu pendant l'implantation et augmente avec la densite de defauts introduite. Des raies excitoniques fines (<5 mev) sont obtenues apres interdiffusion assistee par implantation d'ions legers (ar, zn), ce qui rend cette methode tres prometteuse pour la realisation de confinement lateral dans ces heterostructures

L’implantation ionique de carbone et d’oxygène dans le titane a pour conséquence d’améliorer certaines de ses propriétés superficielles et peut donc être utilisée comme traitement de surface pour les alliages de titane. Cette étude profite du récent développement d’une nouvelle technologie d’implantation basée sur l’utilisation de micro-accélérateurs de particules qui permettent l’implantation d’ions multichargés (jusqu’au C4+ et O4+). L’objectif de la thèse a été dans un premier temps de réaliser un faisceau d’ions carbone multichargés chimiquement pur à l’aide d’un micro-spectromètre de masse. Les modifications microstructurales induites par l’implantation de ces ions dans Ti-6Al-4V ont été analysées par différentes techniques. Des tests de dureté par nanoindentation et de tribologie ont également été effectués montrant qu’une fluence d’implantation seuil est nécessaire pour obtenir une amélioration significative des propriétés tribologiques. Ces améliorations sont corrélées avec la présence d’amas graphitique et de carbone amorphe. De plus, il a été montré que la présence d’oxygène limite très rapidement les performances tribologiques
Carbon and oxygen implantation into titanium is known to enhance some of its superficial properties (wear, hardness, friction coefficient), and so, can be applied as a powerful surface treatment for titanium alloys. Those investigations were done thanks to a recent technical implantation development. It consists in using tiny particle microaccelerator (consisting of a small ECR ion source) allowing multicharged ion-implantation (up to C4+ and O4+). The aim of the study was, first, to produce multicharged carbon ion beam using a micro mass-spectrometer which had to be designed and developed during this thesis. Microstructural modifications by carbon and oxygen ion implantation into Ti-6Al-4V alloys were investigated. Nanoindentation and tribological measurements were also performed and have revealed a threshold in the implantation fluence range above which tribological properties are increasingly improved. This enhancement is mainly due to the presence of graphitic carbon clusters and amorphous carbon. Moreover, it has been proved that simultaneous oxygen-carbon implantation limits quickly and drastically tribological improvement and hence oxygen should be totally suppress during the carbon implantation process