Dissertations / Theses: 'Implantation physique'

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Brousse, Benoit. "Réalisation et caractérisation de cellules photovoltaïques organiques obtenues par dépôt physique." Limoges, 2004. http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/18ec08d7-8895-42e8-841f-8700f4977e59/blobholder:0/2004LIMO0042.pdf.

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Abstract:

Ce travail concerne l'élaboration et la caractérisation de cellules photovoltaïques organiques (OPVs) bas coût, contribuant au développement des énergies renouvelables, et capables d'alimenter des appareils nomades (téléphone portable. . . ). Nous avons en particulier contribué au développement d'un banc d'expérimentation versatile destiné à l'obtention de diverses structures (bicouches, interpénétrées et multicouches) de cellules solaires à base de différents couples donneur-accepteur de petites molécules. Après la présentation d'une rétrospective des phénomènes physique et des mécanismes entrant en jeu, ainsi que celle du principe photovoltaïque dans les matériaux organiques, nous décrivons l'élaboration de notre manipulation et les étapes technologiques permettant de réaliser les cellules solaires. Les matériaux (organiques et métalliques) sont déposés en films minces (de 30 à 100nm) à la tournette (PEDOT-PSS) ou par évaporation sous vide (petites molécules et métallisation de la cathode) sur un substrat de verre recouvert d'une couche conductrice et semi-transparente d'ITO constituant l'anode. Les structures réalisées ont été caractérisées à l'air dans l'obscurité et sous illumination par des courbes I(V), des mesures capacitives et des spectres d'IPCE (spectre de photocourant). Différents couples donneur-accepteur (phtalocyanine/C60, oligomère de thiophène/C60 et phtalocyanine/dérivé de pérylène) ont été testés selon diverses configurations : hétérojonctions p-n distribuées ou non dans le volume. Les performances relevées laissent un avantage aux structures bicouches en raison de la granulosité du C60. Cette caractéristique nous a permis de concevoir une structure multicouche (CuPc/C60)3 efficace. Afin de remédier au problème lié au dépôt du C60, nous avons testé une autre molécule de type accepteur : un dérivé du pérylène (PPTC). Des études complémentaires ont été menées par l'implantation ionique des couches actives, permettant à la fois une densification et un dopage de celles-ci ; l'encapsulation des composants par VDP de polyimide (polymérisation en phase gazeuse) a été évaluée. A l'aide de cette technique, nous avons aussi développé une structure auto-protégée alternative

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Hani, Yasmina. "Optimisation physique et logique d'un établissement industriel : étude de l'EIMM de Romilly sur Seine - SNCF." Troyes, 2006. http://www.theses.fr/2006TROY0017.

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Abstract:

Cette thèse présente une démarche d’optimisation pour la réorganisation des systèmes de production. Elle est née d’une problématique posée par l’Etablissement de Maintenance du Matériel SNCF. Cette problématique vise à réorganiser physiquement et logiquement les ateliers de production afin d’améliorer les performances et d’absorber de nouvelles charges. La démarche proposée s’est orientée vers deux types de problèmes : la résolution d’un problème d’agencement et de planification. Pour le problème d’agencement, nous avons proposé une modélisation par affectation quadratique qui intègre les principales contraintes industrielles. Deux méthodes de résolution hybrides basées sur les algorithmes génétiques et les colonies de fourmis ont été développées. Les résultats obtenus améliorent les performances de l’implantation industrielle de 20%. Ces deux méthodes d’optimisation ont été généralisées et testées avec succès sur un ensemble de benchmark issu de la littérature. Pour le problème de planification, nous avons développé un modèle de simulation sous Arena qui a permis d’identifier des goulets d’étranglement et de mesurer l’impact de nouvelles solutions de planification. Nous avons ensuite, développé un module d’optimisation multiobjectif qui est couplé au modèle de simulation. L’optimisation s’est effectuée sur 3 critères importants pour l’entreprise. Les résultats obtenus améliorent les critères de 18 à 38%. L’ensemble des modèles et des méthodes développées dans ce mémoire forme un bon outil d’aide à la décision pour la réorganisation des systèmes de production
This thesis presents a reorganization study of production systems, proposed by a train Maintenance Facility SNCF. This study aims at reorganizing workshops of production, physically and logically, in order to improve the performances. Two problems were identified according to their decisional level: layout problem and planning. The layout problem was solved using a quadratic assignment modelling which copes with principal industrial constraints. Two hybrid methods of resolution based on genetic algorithms and ant colony were developed. Results ware found to improve performances of the current layout of about 20%. Both methods ware generalized then tested successfully on benchmark data from the literature. A simulation model with Arena was developed to cope with planning problems. This model enables identification of bottlenecks, and measures impact of new planning solutions. To perform our results, a multiobjective optimization module was coupled with the simulation model. Optimization was performed using 3 important criteria. Results were found to improve all criteria up to 38%. The models and the methods developed in this thesis represent a good tool of decision-making to help reorganization of production systems

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Thiaudière, Dominique. "Diffusion centrale des rayons X en incidence rasante ; faisabilité et application à l'étude morphologique de couches d'or assistées par implantation ionique." Poitiers, 1996. http://www.theses.fr/1996POIT2339.

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Abstract:

Dans ce travail consacre a la diffusion centrale des rayons x en incidence rasante (gisaxs), nous avons montre l'interet et les potentialites de cette technique pour la caracterisation morphologique d'agregats deposes sur un substrat ou inclus dans une couche superficielle. Le fait que l'angle d'incidente soit inferieur au degre, permet de definir deux configurations de la technique gisaxs. Quand l'angle d'incidence est egal a l'angle critique de l'echantillon, nous pouvons caracteriser des agregats deposes sur un substrat. Cette configuration nous a permis d'etudier des depots d'or elabores par pulverisation ionique. Les resultats ont alors ete confrontes avec ceux obtenus en microscopie electronique en transmission. La possibilite d'obtenir une information sur la hauteur des amas d'or et d'en analyser un grand nombre sont les atouts majeurs de la technique gisaxs par rapport a la microscopie electronique. Nous avons ensuite etudie les premiers stades de la croissance de depots d'or obtenus par mixing dynamique par un faisceau d'ions ar#+ d'energie 120 kev. Les resultats gisaxs montrent que les effets de l'assistance dependent du degre d'assistance ainsi que de la quantite d'or deposee. Pour des degres d'assistance inferieurs a 1%, aucun effet du a l'assistance n'est observe. Pour des faibles quantites deposees, l'assistance produit une augmentation de la densite d'amas. Dans le cas de quantites deposees plus importantes, nous observons des variations opposees. On interprete ces constatations comme resultant d'une competition entre des phenomenes induits par le bombardement qui sont une augmentation de sites de nucleation et une diffusion acceleree

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Lallement, Fabrice. "Etude, développement et caractérisation de procédés de dopage par plasma appliqués aux technologies électroniques avancées." Toulouse, INSA, 2005. http://www.theses.fr/2005ISAT0047.

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Abstract:

A l'heure de la technologie CMOS 65nm, le procédé d'implantation standard usuellement utilisé n'est plus en mesure de réaliser les jonctions requises pour les futures générations de transistors. Le dopage par plasma (PLAD) introduit depuis quelques années en microélectronique semble donc un candidat idéal pour relever ce challenge. Basé sur le principe de la décharge plasma à champ électrique continu, ce procédé permet d'implanter simultanément toute la plaque de silicium tout en s'affranchissant des problèmes liés au transport des ions à basse énergie. L'optimisation des procédés d'implantation (dopage par plasma et implantation ionique) basée sur la méthodologie des plans d'expériences (DOE) et complétée par des études fondamentales concernant la diffusion et l'activation des dopants nous a permis de mettre en évidence des mécanismes physiques spécifiques en particulier pour les jonctions de type P+/N. Pour la première fois, le dopage par plasma a été intégré avec succès sur une plateforme CMOS digitale 65nm pour la réalisation des extensions source-drain N+/P et P+/N, puis sur une plateforme CMOS imageur afin de réduire le courant d'obscurité. L'intérêt du procédé PLAD combiné à un recuit avancé de type flash a pu être démontré en vue de répondre aux spécifications des transistors CMOS 45nm et en deçà. La finalité industrielle de nos travaux nous a conduit à évaluer la fiabilité de l'équipement de dopage par plasma et nous a permis de souligner certains inconvénients inhérents à l'utilisation d'un plasma. Des modifications ont donc été proposées et intégrées sur l'équipement afin d'accroître la robustesse du procédé. Des applications avancées ont enfin été testées et ont révélé la possibilité d'une part de modifier la cinétique de croissance d'oxydes thermiques par implantation d'espèces inertes (Ar, Xe) et d'autre part de doper conformément des structures surélevées. Des premiers résultats très encourageant ont d'ailleurs été obtenus en intégrant le dopage par plasma sur des transistors non planaires de type Finfet
For the coming 65nm CMOS transistor generation, the standard ion implantation process is no more suitable to achieve the required ultra shallow junction specifications. An emergent technique called plasma doping could be the ideal alternative to face this technological challenge. Using the principle of plasma discharge, this technique enables to simultaneously implant all the surface of the wafer without any problems related to ion transport at low energy. Using the Design of Experiments method we managed to optimize implantation process (plasma doping, ion implantation) and then we performed fundamental studies to identify specific physical mechanisms especially for P+/N junctions. For the first time, plasma was successfully integrated on a 65nm digital CMOS platform for the fabrications of N+/P and P+/N ultra shallow junctions. Secondly we demonstrated that plasma doping process can lead to a significant reduction of darkness current for imaging sensors applications. Finally PLAD was combined with flash annealing to fabricate ultra shallow junctions fulfilling the 45nm CMOS node specifications. We evaluated PLAD process capability to be industrialized and we underlined some drawbacks coming from plasma using. Some changes were thus proposed and implemented to improve tool reliability. Advanced applications using plasma doping were finally tested. The first one consists of modifying oxide growth kinetics thanks to implantation of inert species such as xenon and argon before oxidation annealing and the second one is conformal doping of 3D structures. In this way first encouraging results were obtained by integration of plasma doping on non planar Finfet transistors

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Lévêque, Patrick. "Contribution à l'étude des défauts introduits par implantation ionique dans HgCdTe." Poitiers, 1998. http://www.theses.fr/1998POIT2347.

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Abstract:

Ce travail concerne l'etude des defauts introduits par implantation d'ions al#2#+ (320 kev) dans le semi-conducteur ii-vi hg#0#,#7#8cd#0#,#2#2te. Les defauts de structure ont ete analyses par diffusion diffuse des rayons x pres des taches de bragg. Les defauts electriquement actifs ont ete detectes par reflectivite infrarouge dans la gamme de longueurs d'ondes 2, 20 m. La fluence et le flux d'implantation ont fait l'objet d'une etude systematique. Le profil des defauts, apres implantation, a egalement ete caracterise. Apres implantation d'ions al#2#+ (320 kev) dans du hg#0#,#7#8cd#0#,#2#2te dont les plans de surface sont proches de la direction <111>, des defauts de structure etendus sont detectes. Ce sont majoritairement des boucles de dislocation de nature interstitielle. Pour la fluence de 10#1#4 al#2#+ (320 kev). Cm##2, ces defauts sont detectes jusqu'a des profondeurs comprises entre 440 et 640 nm, c'est-a-dire legerement au-dela du libre parcours moyen projete des ions (r#p + r#p) = 500 nm. Le flux (et donc le temps) d'implantation n'a aucune influence sur les defauts de structure crees par implantation, au moins pour des flux inferieurs a 260 na. Cm##2. Apres implantation d'ions al#2#+ (320 kev) dans hg#0#,#7#8cd#0#,#2#2te de type p, un changement de type de porteurs libres majoritaires est observe en surface. Il existe une fluence de saturation pour la concentration de couche de porteurs libres. Pour la fluence de 10#1#4 al#2#+ (320 kev). Cm##2, les porteurs libres sont detectes jusqu'a des profondeurs de 800 nm, c'est-a-dire au-dela du libre parcours moyen projete des ions. Le flux (et donc le temps) d'implantation n'a aucune influence sur les porteurs libres crees par implantation, au moins pour des flux inferieurs a 960 na. Cm##2. L'analyse des resultats nous permet de mettre en evidence des signes tangibles d'influence des defauts de structure etendus sur la production, par implantation ionique, de defauts electriquement actifs. Plusieurs hypotheses sont explorees dans le cadre de ce travail.

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Mbongo, Bonaventure. "Liaison métal-céramique par thermocompression : Influence de l'état initial des matériaux et de la pression partielle d'oxygène." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1994. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/TH_T1583_bmbongo.pdf.

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Abstract:

L'objectif de cette étude est de déterminer les mécanismes qui régissent la liaison en définissant une méthodologie d'approche qui consiste à diviser la formation de l'interface en trois étapes: adaptation des surfaces, adhésion des surfaces, évolution des matériaux et contraintes au voisinage de l'interface. Ainsi pour l'adaptation du joint métallique dans les rugosités de la céramique, outre les paramètres classiques qui jouent sur le fluage du joint, le rôle bénéfique du préécrouissage du métal est approfondi. Autre paramètre important analysé : le rapport largeur/épaisseur de métal qui est essentiel pour l'optimisation des conditions de liaison. Pour l'adhésion thermodynamique métal-céramique, l'influence de la pression partielle d'oxygène est approfondie, en particulier pour le couple cuivre-alumine. En outre, le rôle positif des éléments d'addition est mis en évidence au niveau de l'interface par implantation ionique du cuivre, du zirconium et du titane dans l'alumine. Pour finir, l'évolution de la ténacité de la céramique au voisinage de l'interface étudiée par indentation vickers confirme l'importance des contraintes résiduelles et de la diffusion du métal dans la céramique. L'étude a permis de faire un bilan du point de vue fondamental et appliqué sur les différents paramètres à prendre en compte.

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Santina, Tania. "Développement, implantation et évaluation d'une intervention de promotion de la pratique régulière d'activités physiques chez les écoliers libanais." Doctoral thesis, Université Laval, 2017. http://hdl.handle.net/20.500.11794/67560.

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Hamoudi, Ali. "Interdiffusion assistée par implantation ionique dans des puits quantiques CdTe/ZnTe." Grenoble 1, 1992. http://www.theses.fr/1992GRE10149.

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Abstract:

L'interdiffusion assistee par implantation ionique des puits quantiques (001) znte/cdte/znte, a ete etudiee pour la realisation de nanostructures a confinement lateral. La stabilite thermique de ce systeme a hautes temperatures, a ete caracterisee par photoluminescence. Les resultats obtenus montrent que: (i) l'interdiffusion en cours de croissance est negligeable; (ii) les interfaces entre les couches, initialement rugueuses, sont progressivement ameliorees par traitement thermique, et evoluent vers une morphologie pseudo-lisse, ce qui resulte en une diminution importante de l'elargissement spectral de l'emission excitonique. Les defauts residuels produits par implantation ionique dans le cdte massif ont ete aussi identifies. Ces defauts, de type interstitiel, sont localisees en surface et loin en profondeur (au-dela du parcours projete des ions implantes); ils sont soit sous forme de fautes d'empilements et d'amas de petites tailles a basse temperature, ou bien de boucles de dislocations a temperature ambiante. L'interdiffusion de puits quantiques znte/cdte/znte assistee par implantation ionique de cd, zn et ar a ete demontree. La modulation de bande interdite est suivie par photoluminescence, microscopie electronique en transmission et spectrometrie de masse d'ions secondaires. Nous avons montre que l'interdiffusion a lieu pendant l'implantation et augmente avec la densite de defauts introduite. Des raies excitoniques fines (<5 mev) sont obtenues apres interdiffusion assistee par implantation d'ions legers (ar, zn), ce qui rend cette methode tres prometteuse pour la realisation de confinement lateral dans ces heterostructures

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Pierret, Christophe. "Comportements mécaniques et tribologiques du Ti-6Al-4V traité par implantation d’ions carbone et oxygène multichargés : développement des moyens associés." Caen, 2011. http://www.theses.fr/2011CAEN2018.

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Abstract:

L’implantation ionique de carbone et d’oxygène dans le titane a pour conséquence d’améliorer certaines de ses propriétés superficielles et peut donc être utilisée comme traitement de surface pour les alliages de titane. Cette étude profite du récent développement d’une nouvelle technologie d’implantation basée sur l’utilisation de micro-accélérateurs de particules qui permettent l’implantation d’ions multichargés (jusqu’au C4+ et O4+). L’objectif de la thèse a été dans un premier temps de réaliser un faisceau d’ions carbone multichargés chimiquement pur à l’aide d’un micro-spectromètre de masse. Les modifications microstructurales induites par l’implantation de ces ions dans Ti-6Al-4V ont été analysées par différentes techniques. Des tests de dureté par nanoindentation et de tribologie ont également été effectués montrant qu’une fluence d’implantation seuil est nécessaire pour obtenir une amélioration significative des propriétés tribologiques. Ces améliorations sont corrélées avec la présence d’amas graphitique et de carbone amorphe. De plus, il a été montré que la présence d’oxygène limite très rapidement les performances tribologiques
Carbon and oxygen implantation into titanium is known to enhance some of its superficial properties (wear, hardness, friction coefficient), and so, can be applied as a powerful surface treatment for titanium alloys. Those investigations were done thanks to a recent technical implantation development. It consists in using tiny particle microaccelerator (consisting of a small ECR ion source) allowing multicharged ion-implantation (up to C4+ and O4+). The aim of the study was, first, to produce multicharged carbon ion beam using a micro mass-spectrometer which had to be designed and developed during this thesis. Microstructural modifications by carbon and oxygen ion implantation into Ti-6Al-4V alloys were investigated. Nanoindentation and tribological measurements were also performed and have revealed a threshold in the implantation fluence range above which tribological properties are increasingly improved. This enhancement is mainly due to the presence of graphitic carbon clusters and amorphous carbon. Moreover, it has been proved that simultaneous oxygen-carbon implantation limits quickly and drastically tribological improvement and hence oxygen should be totally suppress during the carbon implantation process

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Nguyen, Tuong Pierre. "Définition et implantation d'un langage de conception de composants analogiques réutilisables." Paris 6, 2006. http://www.theses.fr/2006PA066124.

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Blondel, Antoine. "Effets de la température et de l'irradiation sur le comportement du chlore 37 dans le graphite nucléaire : Conséquences sur la mobilité du chlore 36 dans les graphites irradiés." Phd thesis, Université Claude Bernard - Lyon I, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00951986.

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Abstract:

Ce travail s'inscrit dans le cadre des études sur la gestion des déchets graphités issus du démantèlement des centrales UNGG (Uranium Naturel Graphite Gaz). Les déchets graphités contiennent, entre autres, du 36Cl, radionucléide de longue période dimensionnant pour le stockage, car très mobile dans les ouvrages cimentaires et formations argileuses. Or, à ce jour, peu de données sont disponibles sur la localisation du 36Cl et sa spéciation dans le graphite nucléaire irradié. Ces informations sont nécessaires pour le dimensionnement d'un site de stockage adapté aux déchets graphités et leur obtention constitue l'objectif de ma thèse, réalisée en partenariat avec EDF, CEA et Andra. Dans ce contexte, nous avons mis en œuvre des études expérimentales permettant de simuler et d'évaluer l'impact de la température, de l'irradiation et de la radiolyse à l'interface gaz/graphite sur le comportement en réacteur du 36Cl. La présence de 36Cl dans le graphite est simulée par l'implantation ionique de 37Cl dans des échantillons de graphite nucléaire vierge ce qui permet de nous affranchir des contraintes liées à l'utilisation de graphite irradié. En extrapolant nos résultats aux déchets graphités, nos études sur les effets comparatifs de la température et de l'irradiation montrent que la température tend à appauvrir l'inventaire en chlore 36 des graphites irradiés et que l'irradiation en régime mixte, tel qu'elle a lieu dans les réacteurs UNGG, renforce cet effet d'appauvrissement

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Benabou, Abdelkader. "Contribution à la caractérisation et à la modélisation de matériaux magnétiques en vue d'une implantation dans un code de calcul de champ." Lille 1, 2002. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2002/50376-2002-283.pdf.

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Abstract:

Pour étudier les systèmes électromagnétiques on a de plus en plus recours à la modélisation numérique. Dans notre étude, nous nous sommes intéressés à la modélisation des matériaux ferromagnétiques utilisés dans les systèmes de conversion d'énergie électrique. La loi de comportement de ces matériaux, de nature hystérétique, doit être prise en compte pour une modélisation plus fine. Ainsi, 3 matériaux (tôles FeSi, Ferrites et poudres de fer) ont été étudiés en régimes statique et dynamique. En régime statique, les modèles de Preisach et de Jiles-Atherton ont été comparés en terme de précision et de temps de calcul. Cette comparaison a été étendue à l'étude d'un système modélisé avec la méthode des éléments finis. En régime dynamique, deux modèles sont comparés : celui de Jiles-Atherton étendu à la dynamique et celui de l'équation de diffusion approximée en basse fréquence. Le premier est choisi pour une implantation dans le code éléments finis du laboratoire pour l'étude d'un transformateur.

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Michel, Amélie. "Etude du comportement des gaz de fission dans le dioxyde d’uranium : mécanismes de diffusion, nucléation et grossissement de bulles." Caen, 2011. http://www.theses.fr/2011CAEN2065.

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Abstract:

Lors de l’irradiation en réacteur du combustible sont générés des gaz de fission, principalement xénon et krypton, soumis à plusieurs phénomènes : la diffusion et la précipitation. Ces différents phénomènes peuvent avoir des conséquences néfastes sur les propriétés physico-chimiques du combustible et sur son comportement en réacteur. L’objectif de ce travail est d’améliorer la compréhension du comportement des gaz de fission en identifiants les mécanismes régissant les phénomènes de diffusion, de nucléation et de grossissement de bulles. Pour ce faire, des études à effets séparés ont été mises en place couplant des irradiations/implantations aux ions à des caractérisations fines sur Grands Instruments. L’influence de plusieurs paramètres tels que le type de gaz, sa concentration et la température a été mise en évidence. L’interprétation des mesures de relâchement réalisées par Spectrométrie de Désorption Thermique au CENBG de Bordeaux, a permis de déterminer les coefficients de diffusion du xénon et du krypton dans le dioxyde d’uranium. Un mécanisme de nucléation hétérogène sur les germes de défauts a été démontré à l’aide d’expériences menées sur la plate-forme JANNuS d’Orsay couplant un implanteur, un accélérateur et un Microscope Electronique en Transmission (MET). Enfin, des caractérisations par MET et par spectroscopie d’absorption X d’échantillons implantés en gaz et recuits ont mis en évidence le grossissement des bulles par capture d’atomes de gaz et de lacunes
During in-reactor irradiation of the nuclear fuel, fission gases, mainly xenon and krypton, are generated that are subject to several phenomena: diffusion and precipitation. These phenomena can have adverse consequences on the fuel physical and chemical properties and its in-reactor behavior. The purpose of this work is to better understand the behavior of fission gases by identifying diffusion, bubble nucleation and growth mechanisms. To do this, separate effects studies have been established coupling ion irradiation / implantations with fine characterizations on Large Scale Facilities. The influence of several parameters such as gas type, concentration and temperature has been identified separately. Interpretation of the Thermal Desorption Spectrometry (TDS) measurements has enabled us to determine xenon and krypton diffusion coefficients in uranium dioxide. A heterogeneous nucleation mechanism on defects was determined by means of experiments on the JANNuS platform in Orsay that consists of a coupling of an implantor, an accelerator and a Transmission Electron Microscope (TEM). Finally, TEM and X-ray Absorption Spectroscopy characterizations of implanted and annealed samples put in relieve a bubble growth mechanism by atoms and vacancies capture

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Brin, Christophe. "Approche métallurgique des processus d'usure par glissement dans un acier inoxydable austénitique." Poitiers, 1999. http://www.theses.fr/1999POIT2363.

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Abstract:

Ce travail a necessite la mise au point d'un dispositif experimental de type pion-disque permettant de realiser, dans des conditions bien controlees, des essais tribologiques entre deux antagonistes en acier inoxydable austenitique sollicites en mode glissement sous faible charge, en milieu liquide avec possibilite d'elimination des debris. On a etudie l'influence de trois parametres principaux : distance de frottement, charge appliquee et nature du milieu sur la vitesse d'usure, la morphologie des surfaces degradees et les evolutions microstructurales induites dans les zones en contact sur le pion et sur le disque ainsi que dans les debris. Trois phases successives ont ete identifiees dans le processus de degradation : formation des premiers sillons, multiplication des sillons et acceleration de la perte de matiere, ralentissement et stabilisation de l'usure. Dans tous les cas les facies de degradation sont constitues d'un ensemble regulier de sillons et de bourrelets paralleles ; leur aspect est caracteristique d'un enlevement de matiere sur un materiau plastique par des particules dures. Les differentes techniques d'analyse structurale ont mis en evidence, des le debut des essais et quels que soient le milieu et la charge, une transformation martensitique importante dans les couches superficielles des zones degradees ainsi que dans les debris. La grande durete de ceux-ci et la forte diminution de la vitesse d'usure observee lorsqu'ils sont elimines en cours d'essai explique leur role essentiel dans les processus abrasifs responsables de la degradation. L'implantation-diffusion d'azote, sous forme d'une solution solide concentree dans l'austenite, modifie le processus de degradation et reduit considerablement l'usure des deux antagonistes ; toutefois lorsque seul l'un d'eux est nitrure celui ci se degrade certes lentement, mais l'autre peut subir une usure tres severe.

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Trouillas, Patrick. "Le carbone 60 : de l'origine de ses propriétés élctroniques et optiques à son comportement sous faisceaux d'ions." Limoges, 1996. http://www.theses.fr/1996LIMO0035.

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Abstract:

Le dopage chimique du c#6#0 solide avec des atomes alcalins, comme le potassium, par exemple, cree une phase k#3c#6#0 metallique et supraconductrice en-dessous de 19 k. L'implantation ionique est une technique de dopage que nous avons essayee sur ce nouveau materiau. Tout d'abord, c'est la structure electronique du c#6#0 solide qui est depouillee ; ensuite ce sont les transferts d'energie de l'ion implante vers le materiau cible qui sont abordes ; pour terminer, les phenomenes de percolation et certains mecanismes de transport electrique sont passes en revue. La caracterisation electrique et spectroscopique des couches minces de c#6#0 implantees a permis de mettre en evidence une competition entre des effets de degradation de la structure moleculaire, et un effet de dopage par transfert de charges des atomes de potassium (implantes avec une energie de 30 kev). Il semble que le premier processus soit predominant pour des fortes fluences d'ions potassium (superieures a 10#1#5 ions/cm#2) ; le deuxieme processus, quant a lui, est dominant lorsque la fluence est suffisamment faible (inferieure a 10#1#5 ions/cm#2). Des implantations ioniques de potassium ont finalement ete effectuees a 30 kev, avec des fluences tres faibles (inferieures a 10#1#2 ions/cm#2), sur des structures de transistors a effets de champ a base de c#6#0 ; ces implantations visant a augmenter la mobilite d'effet de champ, ce sont les evolutions de ce dernier parametre que nous avons etudiees en fonction de la fluence d'ions implantes

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Miro, Panades Ivan. "Conception et implantation d'un micro-réseau sur puce avec garantie de service." Paris 6, 2008. http://www.theses.fr/2008PA066195.

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Abstract:

Ce travail de thèse porte sur la conception et implantation physique d’un micro-réseau sur puce avec garantie de service. Ces études reposent sur le micro-réseau sur puce DSPIN développé au Lip6. Dans un premier temps, nous étudions l’incorporation des communications avec garantie de service dans ce micro-réseau. Ce type de communications est très utilisé dans les systèmes ayant de fortes contraintes temporelles comme, par exemple, les traitements de flux vidéo ou audio. La solution proposée est capable d’offrir des garanties de latence et de bande passante à faible coût matériel. Dans un deuxième temps, nous analysons une FIFO qui permet d’interconnecter des systèmes synchrones qui n’ont pas le même domaine d’horloge. Ce type de FIFO est optimisé pour des profondeurs faibles ainsi que pour faciliter son implantation dans des architectures compatibles avec l’approche Globalement Asynchrone, Localement Synchrone. Sa conception repose sur des cellules standard sans utiliser des cellules spécifiques ni asynchrones. Enfin, nous présentons une implantation matérielle du micro-réseau DSPIN dans la plate-forme FAUST développée par le CEA-Léti. Toute la chaîne de conception, depuis la synthèse de l’architecture jusqu’au dessin des masques, est décrite en détail pour illustrer la façon dont la technologie DSPIN s’intègre dans un flot de conception industriel. Ainsi, le circuit final est testé avec des données réelles.

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Roquais, Jean-Michel. "Implantation ionique d'accepteurs dans le phosphure d'indium : caracterisation physico-chimiques et electriques." Rennes, INSA, 1986. http://www.theses.fr/1986ISAR0004.

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Abstract:

Etude du dopage p**(+) dans inp par implantation d'accepteurs peu profonds: be, mg, zn, hg. Caracterisation du desordre cree par diffusion raman; etude au degre de recristallisation apres recuit d'implantation. Etude par emission photoelectronique rx d'une contamination de surface. Determination de profils d'impuretes. Les profils de concentration de porteurs ont ete analyses par effet hall et mesures electrochimiques. Etude du coefficient de diffusion du zinc par la methode de boltzmann-matano

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Pierret, Christophe. "Comportements mécaniques et tribologiques du Ti-6Al-4V traité par implantation d'ions carbone et oxygène multichargés. Développement des moyens associés." Phd thesis, Université de Caen, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00665845.

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Abstract:

L'implantation ionique de carbone et d'oxygène dans le titane a pour conséquence d'améliorer certaines de ses propriétés superficielles et peut donc être utilisée comme traitement de surface pour les alliages de titane. Cette étude profite du récent développement d'une nouvelle technologie d'implantation basée sur l'utilisation de micro-accélérateurs de particules qui permettent l'implantation d'ions multichargés (jusqu'au C4+ et O4+). L'objectif de la thèse a été dans un premier temps de réaliser un faisceau d'ions carbone multichargés chimiquement pur à l'aide d'un micro-spectromètre de masse. Les modifications microstructurales induites par l'implantation de ces ions dans Ti-6Al-4V ont été analysées par différentes techniques. Des tests de dureté par nanoindentation et de tribologie ont également été effectués montrant qu'une fluence d'implantation seuil est nécessaire pour obtenir une amélioration significative des propriétés tribologiques. Ces améliorations sont corrélées avec la présence d'amas graphitique et de carbone amorphe. De plus, il a été montré que la présence d'oxygène limite très rapidement les performances tribologiques.

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Xu, Ming. "Réalisation de jonctions ultra courtes par multi-implantation dans du Si." Phd thesis, Université d'Orléans, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00494619.

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Abstract:

Les circuits deviennent de plus en plus intégrés pour augmenter les performances des dispositifs microélectroniques. La formation de jonctions ultra courtes (USJs) est un challenge majeur pour la réalisation de la prochaine génération de transistors à effet de champ (MOSFET) ayant une longueur de grill inférieure à 25 nm. L'implantation ionique est la technique la plus utilisée pour fabriquer des jonctions dans du Si, mais elle génère des défauts étendus, des interstitiels (Is) et des lacunes (Vs), qui introduisent des effets néfastes dans les composants, comme l'effet d'un transitoire de diffusion accélérée (TED) du bore et la formation d'agrégats de bore et d'Is (BICs). Une ingénierie de défauts par triple implantation (He, Si et B) a été utilisée pour maîtriser ces effets. Le rôle de chaque implantation d'He et de Si sur la diffusion du B est présenté dans ce mémoire. Les échantillons ont été caractérisés par SIMS, TEM, effet Hall, PAS, NRA etc. Pour fabriquer des USJs, le meilleur procédé est dans un premier temps l'introduire des cavités par implantation d'He pour créer une barrière de diffusion aux Is. Puis une implantation Si est réalisée à une énergie telle que la couche de cavités soit située entre les couches de Vs et d'Is qui sont introduites par cette même implantation. Enfin les atomes de B sont introduits à une faible énergie par implantation ionique ou par immersion plasma (PIII) pour créer les USJs. Au cours du recuit rapide d'activation (RTA), les Vs introduites par implantation Si peuvent se recombiner avec les Is introduites par implantation du B pour augmenter l'activation du dopant et limiter la diffusion du B. Une jonction ayant une épaisseur Xj de (12 ± 1) nm et une Rs de (150 ± 10) O/? a été réalisée.

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Blondel, Antoine. "Effets de la température et de l’irradiation sur le comportement du chlore 37 dans le graphite nucléaire : conséquences sur la mobilité du chlore 36 dans les graphites irradiés." Thesis, Lyon 1, 2013. http://www.theses.fr/2013LYO10323/document.

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Abstract:

Ce travail s'inscrit dans le cadre des études sur la gestion des déchets graphités issus du démantèlement des centrales UNGG (Uranium Naturel Graphite Gaz). Les déchets graphités contiennent, entre autres, du 36Cl, radionucléide de longue période dimensionnant pour le stockage, car très mobile dans les ouvrages cimentaires et formations argileuses. Or, à ce jour, peu de données sont disponibles sur la localisation du 36Cl et sa spéciation dans le graphite nucléaire irradié. Ces informations sont nécessaires pour le dimensionnement d'un site de stockage adapté aux déchets graphités et leur obtention constitue l'objectif de ma thèse, réalisée en partenariat avec EDF, CEA et Andra. Dans ce contexte, nous avons mis en oeuvre des études expérimentales permettant de simuler et d'évaluer l'impact de la température, de l'irradiation et de la radiolyse à l'interface gaz/graphite sur le comportement en réacteur du 36Cl. La présence de 36Cl dans le graphite est simulée par l'implantation ionique de 37Cl dans des échantillons de graphite nucléaire vierge ce qui permet de nous affranchir des contraintes liées à l'utilisation de graphite irradié. En extrapolant nos résultats aux déchets graphités, nos études sur les effets comparatifs de la température et de l'irradiation montrent que la température tend à appauvrir l'inventaire en chlore 36 des graphites irradiés et que l'irradiation en régime mixte, tel qu'elle a lieu dans les réacteurs UNGG, renforce cet effet d'appauvrissement
This thesis deals with the studies of the management of irradiated graphite wastes issued from the dismantling of the UNGG French reactors. This work focuses on the behavior of 36Cl. This radionuclide is mainly issued through the neutron activation of 35Cl by the reaction 35Cl(n, γ)36Cl, pristine chlorine being an impurity of nuclear graphite, present at the level of some at.ppm. 36Cl is a long lived radionuclide (about 300,000 years) and is highly soluble in water and mobile in concrete and clay. The solubilization of 36Cl is controlled by the water accessibility into irradiated graphite pores as well as by factors related to 36Cl itself such as its chemical speciation and its location within the irradiated graphite. Both speciation and chlorine location should strongly influence its behaviour and need to be taken into account for the choice of liable management options. However, data on radioactive chlorine features are difficult to assess in irradiated graphite and are mainly related to detection sensitivity problems. In this context, we simulated and evaluated the impact of the temperature, the irradiation and the radiolytic oxidation on the chlorine 36 behaviour. In order to simulate the presence of 36Cl, we implanted 37Cl into virgin nuclear graphite. Ion implantation has been widely used to study the lattice location, the diffusion and the release of fission and activation products in nuclear materials. Our results on the comparative effects of the temperature and the irradiation show that chlorine occurs in irradiated graphite on temperature and electronic and nuclear irradiation improve this effect

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Calvo, Pascal. "Evolution cinétique des défauts {113} en cours de recuit thermique de silicium implanté : influence sur la diffusion des dopants." Toulouse 3, 2004. http://www.theses.fr/2004TOU30281.

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Abstract:

Dans les structures MOS, la réalisation de jonctions ultraminces p+/n par implantation ionique de bore reste la voie privilégiée pour l'élaboration d'extensions source/drain d'une profondeur inférieure à 20 nm. Cependant, au cours du recuit d'activation, cette méthode s'accompagne de la formation de défauts étendus de type interstitiel (clusters, défauts {113} et boucles de dislocation) qui sont à l'origine de problèmes majeurs tels que la diffusion accélérée et transitoire (TED) des dopants et la dégradation des propriétés électriques des jonctions. Afin d'élaborer des stratégies permettant de limiter ces effets, il est nécessaire de comprendre les mécanismes physiques qui gouvernent l'évolution thermique des défauts étendus, notamment dans le cas des défauts {113} pour lesquels les points de vue divergent. L'objectif de ce travail a été d'obtenir une base de données fiable qui, reposant sur une analyse statistique rigoureuse des défauts par Microscopie Electronique en Transmission (MET), est indispensable pour répondre à ces attentes. Cette étude doit également permettre la calibration des nouveaux simulateurs de la TED des dopants. Pour caractériser les défauts {113}, nous avons développé une nouvelle technique d'imagerie par MET permettant une amélioration des analyses statistiques. Nos études expérimentales montrent ainsi clairement qu'au cours du recuit ces défauts évoluent toujours suivant un mécanisme de croissance de type Ostwald ripening non conservatif. Suivant les cas étudiés, ces défauts finissent ainsi soit par se dissoudre rapidement soit par se transformer progressivement en boucles de dislocation. Tous nos résultats ont pu être parfaitement interprétés à partir des concepts physiques développés au cours de ces dernières années par notre équipe. Le modèle physique, auquel nous avons apporté quelques améliorations, est actuellement testé à partir de nos résultats et a été implémenté dans un simulateur commercial
The fabrication of p+/n ultra-shallow junctions by ion implantation of boron remains the most promising way to realise MOS source/drain extensions at depths typically less than 20 nm. Nevertheless, during activation annealing, this process is accompanied by the formation of different types of extended defects (interstitial clusters, {113} defects and dislocation loops) which are responsible for major problems such as transient enhanced diffusion (TED) of dopants or degradation of electrical junction properties. In order to define strategies to limit these effects, it is necessary to understand the physical mechanisms governing the thermal evolution of extended defects, especially in the case of {113} defects which is still a matter of controversy. The aim of this work has therefore been to build-up a reliable data base from the accurate and statistical analysis of defects by Transmission Electron Microscopy (TEM). This work has also been mandatory for the optimisation of the new predictive models for TED of dopants. To characterize the {113} 048904570, we have developed a new set of imaging conditions by TEM allowing an improvement of statistical analysis. Our experimental results clearly show that these defects always undergo a non conservative Ostwald ripening process during annealing. Depending on the initial conditions, we found that {113} defects can either dissolve rapidly or progressively transform into dislocation loops. All our results have been discussed and can be well explained in the framework of physical concepts which have been developed by our team during the last decade. The physical model for defect evolution that we have improved is now tested using our results and has been implemented into a commercial process simulator

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Bazizi, El Mehdi. "Modélisation physique et simulation de défauts étendus et diffusion des dopants dans le Si, SOI, SiGe pour les MOS avancés." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00509153.

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Abstract:

Dans les transistors MOS avancés, la réalisation de jonctions ultraminces (<15 nm) abruptes et fortement dopées par implantation ionique de dopant reste la voie privilégiée pour l'élaboration des extensions source/drain (S/D). Cependant, au cours du recuit d'activation, cette méthode s'accompagne de la formation de défauts étendus de type interstitiel et d'agglomérats défauts-dopants qui sont à l'origine de problèmes majeurs tels que la diffusion accélérée et transitoire (TED) des dopants et la dégradation des propriétés électriques des jonctions. L'objectif de cette thèse a été de modéliser de façon globale ces différents phénomènes physiques afin de prédire la distribution des dopants dans les extensions S/D. Pour ce faire, nous avons d'abord simulé la croissance compétitive de type maturation d'Ostwald que se livrent ces défauts au cours du recuit et nous l'avons couplée à la diffusion des dopants, notamment dans les cas d'intérêt technologique, lorsque l'étape d'implantations à forte dose cause la formation d'agglomérats défauts-dopants engendrant une immobilisation et une inactivation partielle du dopant dans le silicium. Nous avons ensuite étendu les modèles développés dans le silicium aux cas de nouveaux matériaux tels que le SOI (Silicon-On-Insulator) ou le SiGe (alliage silicium/germanium). Enfin, les modèles élaborés et calibrés pour la fabrication des jonctions ultra-fines ont été validés en simulant électriquement les technologies industrielles en développement à STMicroelectronics-Crolles : C65 SOI et SiGe 45, avec une attention particulière aux effets de petites géométries tels que le SCE (Short Channel Effects) et le DIBL (Drain-Induced Barrier Lowering).

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Coutanson, Stéphane. "Étude du dopage laser en phases solide et liquide : application à la formation de jonctions ultra-minces dans le silicium." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2008. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2008/COUTANSON_Stephane_2008.pdf.

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Abstract:

Dans ce travail de thèse a été étudié une méthode de dopage laser simple utilisant des films d’oxyde dopé comme sources de dopant (jusqu'à 2. 1021 cm-3), déposés sur la surface du silicium par centrifugation. Des pulses laser excimer, courts (20 ns) et longs (200 ns), ont servi à déposer une grande quantité d'énergie en peu de temps dans la région proche de la surface. Dans des conditions appropriées, l'irradiation entraîne la fonte de surface et l’incorporation du dopant par diffusion en phase liquide. Dans d’autres conditions, nécessitant une quantité moindre d'énergie déposée à la surface, la diffusion des dopants est opérée en phase solide. Dans un premier chapitre de ce mémoire de thèse, sont développés les fondamentaux théoriques permettant la compréhension du sujet (cristallographie et propriétés optiques et thermiques du silicium, mécanismes de dopage et de diffusion dans le silicium, physique des lasers, interaction laser – matière). Le deuxième chapitre traite du dopage laser, le choix du procédé y est motivé, faisant suite à une revue bibliographique des principales méthodes de dopage et de diffusion. La voie du troisième chapitre est alors ouverte et est l’occasion de présenter les simulations numériques 1D et 2D, le modèle thermique utilisé et les résultats des simulations numériques de l’interaction laser-matière. Dans le quatrième et dernier chapitre, est proposée, en plus de la présentation des dispositifs expérimentaux (implanteur ionique, sources laser et homogénéiseur…), une analyse des résultats (SIMS, RBS, spectroscopie micro-Raman, 4 pointes, I(V), C(V)…). Finalement, des perspectives d’amélioration du procédé sont discutées avant de conclure
In this work was investigated a simple laser doping method employing doped oxide glass films as dopant source (up to 2. 1021 cm-3). These doped oxide are deposited onto silicon by spin coating technique. Both short (20 ns) and long (200 ns) pulse duration excimer laser beams were used to deposit a large amount of energy in a short time into the near-surface region. Under suitable conditions, the irradiation leads to surface melting and dopant incorporation by liquid phase diffusion from the surface. Under other conditions, requiring a smaller quantity of energy deposited on the surface, the dopant is incorporated by solid phase diffusion. In the first chapter of this thesis, the basic theories are developed to the understanding of the topic (crystallography and optical and thermal properties in silicon, doping and diffusion mechanisms of silicon, laser physics, and laser–material interaction). The second chapter presents the laser doping method, and the choice for this process is motivated following a literature review of the main doping and diffusion methods. The way of the third chapter is opened and is the opportunity to present 1D and 2D numerical simulations, the thermal model, and the results of numerical simulations of laser-matter interaction. In the fourth and final chapter, is proposed, in addition to the presentation of the experimental devices (ion-implanter, laser sources and homogenizer. . . ), an analysis of the experimental results (SIMS, RBS, micro-Raman spectroscopy, 4 points, I (V) , C (V). . . ). Finally, prospects for improving the process are discussed before concluding

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Barbot, Jean-François. "Contributions a l'etude des composes ternaires semiconducteurs cdhgte : proprietes plastiques, dopage par implantation et irradiation." Poitiers, 1988. http://www.theses.fr/1988POIT2319.

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Abstract:

Contribution a l'etude du comportement plastique et des mecanismes de dopage par implantation des composes semiconducteurs du titre. On met en evidence l'effet des dislocations sur la durete. On montre que la mobilite des dislocations est regie par un mecanisme de peirerls. Mise en evidence d'un effet photoplastique. Les resultats experimentaux, obtenus avec differentes techniques sur des echantillons implantes "basses" energies, permettent d'attribuer le changement de dopage aux defauts intrinseques crees durant l'implantation

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Charlebois, Maxime. "Système d'asservissement de SPIOMM : implantation et caractérisation du nouveau système d'asservissement et application à la nébuleuse du Crabe." Thesis, Université Laval, 2008. http://www.theses.ulaval.ca/2008/25819/25819.pdf.

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Vieu, Christophe. "Phenomenes de degration et d'amorphisation induits par implantation ionique dans du silicium monocristallin." Toulouse 3, 1987. http://www.theses.fr/1987TOU30279.

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Abstract:

Presentation d'une methode de calcul de la distribution des defauts nes par implantation ionique dans une cible cristalline et inventaire des modeles decrivant la transition cristal amorphe par implantation ionique. Il est montre comment ces travaux theoriques peuvent etre adaptes a la localisation de couches amorphes continues grace a ce calcul de la distribution de defauts. Etude par microscopie electronique en transmission de l'amorphisation a temperature ambiante de si et etude par microscopie electronique par reflexion de la degradation de surfaces atomiquement planes de si par implantation de gaz rares

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Gery, Guillaume. "Procédés d'implantation moléculaire laser : implantation et réactivité de fluorophores dans des poly(méthacrylates) d'alkyles par irradiation laser à excimère XeF." Vandoeuvre-les-Nancy, INPL, 1997. http://www.theses.fr/1997INPL062N.

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Abstract:

L’implantation moléculaire tire son origine de l'ablation par irradiation laser de films polymères dopés par une molécule photosensible. Le dispositif expérimental fait intervenir deux films polymères superposés en contact direct irradiés par une impulsion laser à excimère (XeF). Le film source est un film dopé en molécules photosensibles tandis que le film d'implantation peut être non dopé ou dopé avec une molécule susceptible de réagir avec la molécule dopante du film source, mais transparente à la longueur d'onde du faisceau laser. Les molécules du film source sont excitées, convertissent l'énergie du faisceau laser en énergie calorifique puis sont implantées dans le film en contact. L'étude a porté sur l'implantation d'anthracène et de dicyanoanthracène dans des films de poly(méthacrylates d'alkyles) de différentes températures de transition vitreuse. L’analyse de la quantité de molécules implantées en fonction de la température du film source suit une loi d'Arrhenius et indique l'origine diffusionnelle du processus d'implantation (activation thermique). Un modèle, prenant en compte le coefficient de diffusion et l'énergie d'activation de diffusion de l'anthracène dans le polymère, est en bon accord avec les résultats expérimentaux. L’implantation moléculaire est ensuite appliquée à la formation d'un complexe par transfert de charge dans une matrice polymère. L’anthracène et le tetracyanobenzène ne représentent pas un bon couple de complexassions, du a un rendement quantique de fluorescence du complexe très faible (gênant sa détection par spectrofluorimétrie). En revanche, le couple dicyanoanthracène/hexamethylbenzène a permis de mettre en évidence la complexation des deux constituants dans la matrice, ce qui permet de dégager des perspectives originales pour la chimie dans les polymères puisque l'implantation moléculaire permet des réactions dans un volume parfaitement défini d'un film polymère solide sans l'utilisation de solvant.

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Muster, Dominique. "Contribution a l'etude physique et a la mise en oeuvre de revetements pour implants chirurgicaux : utilisation de la dissociation thermique de composes du type metal-cabonyle : consolidation par implantation ionique non reactive." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1992. http://www.theses.fr/1992STR13244.

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Abstract:

Apres revue des differentes methodes d'elaboration de couches minces, nous justifions le choix de la dissociation thermique de composes du type metal-carbonyle (essentiellement ir et w), avec realisation d'un reacteur special, pour proteger la surface d'implants chirurgicaux metallique. L'etude de ces couches a ete realisee en utilisant les methodes modernes de la physique des surfaces (avec realisation d'un spectrometre auger specifique). L'adherence a ete examinee par differentes methodes (avec mise au point d'un scratch-test). Les conclusions ont ete les suivantes: structures cristallographiques conformes aux structures de ces materiaux a l'etat massif; grande purete, aucune oxydation n'a pu etre mise en evidence; les couches presentent a l'echelle de la resolution du microscope electronique une bonne homogeneite, donc une bonne etancheite, ce qui est un facteur primordial; bonne adherence comparativement aux methodes de depot par evaporation, surtout apres mixage ionique (plasma d'argon 4-5 kev). Cette technique pourrait trouver sa place a l'echelle industrielle a cote d'autres methodes faisant appel a des revetements par bioverres ou hydroxyapatites

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Renaud, Justine. "Application des faisceaux d'ions focalisés à la création de centres NV du diamant. Caractérisation de ces faisceaux d'ions issus d'une source plasma." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019SACLN027.

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Abstract:

Depuis plus de 45 ans, les colonnes à faisceaux d'ions focalisés FIB à base de source à métal liquide (Ga) sont utilisées pour l'élaboration, la modification ou l'analyse de nanostructures. Beaucoup plus récemment, moins de 10 ans, les sources plasma sont intégrées dans les FIB afin de répondre aux besoins d'analyse de défaillance mais également de préparation d'échantillons. Ce marché des FIB plasma est en forte progression ces derniers années et s'accompagne d'une amélioration permanente des spécifications de cette technologie encore jeune. Il est donc nécessaire de caractériser au mieux ces sources afin de pouvoir améliorer l'optique associée. Dans cette thèse, nous présentons le développement d'une nouvelle colonne FIB fonctionnant avec une source d'ions plasma, dédiée à la création de centres NV, ainsi que le développement d'un outil permettant de caractériser les performances de cette source.Étant donné le contexte de ces travaux, la première partie du manuscrit est consacrée à la présentation de la technologie FIB, de son fonctionnement et de ses applications. Dans le second chapitre, nous présentons le développement d'une colonne FIB dédiée à l'implantation d'ions azote pour la création contrôlée de centres colorés NV dans des diamants. Nous commençons par introduire les propriétés uniques des centres NV ainsi que les méthodes usuelles pour leur création. Nous présentons ensuite les différentes étapes de la caractérisation de cette colonne FIB. Les implantations réalisées au cours de ce travail ont pu être utilisées pour le développement d'une nouvelle application des diamants dopés.Dans le dernier chapitre du manuscrit, nous nous intéressons à la conception d'un banc de test permettant d'obtenir les paramètres clés de la source d'ions, à savoir la dispersion en énergie et l'émittance. Les méthodes usuelles de mesure de ces paramètres sont présentées puis le fonctionnement du banc de test est entièrement décrit. Nous présentons ensuite les mesures effectuées avec des faisceaux d'ions xénon puis oxygène. Certains paramètres de la source d'ions plasma ont ainsi été obtenus
For more than 45 years, focused ion beams FIB columns based on liquid metal ion sources (Ga) have been used for the development, modification or analysis of nanostructures. Much more recently, less than 10 years ago, plasma sources are integrated in FIBs to meet the needs of failure analysis as well as sample preparation. This plasma FIB market has grown strongly in recent years and is accompanied by a permanent improvement of the specifications of this young technology. Therefore, it is necessary to characterize these sources in order to improve the associated optics. In this thesis, we present the development of a new FIB column working with a plasma ion source, dedicated to the creation of NV centers, as well as the development of a system dedicated to the characterization of the performances of this source.Given the context of this work, the first part of the manuscript is dedicated to the presentation of FIB technology, its operation and its applications. In the second chapter, we present the development of a FIB column dedicated to the implantation of nitrogen ions for the controlled creation of NV color centers in diamonds. We begin by introducing the unique properties of NV centers as well as the usual methods for their creation. Then we present the different steps of the characterization of this FIB column. The implantations carried out during this work have been used for the development of a new application of doped diamonds.In the last chapter of the thesis, we are interested in designing a test bench to obtain the key parameters of the ion source, namely energy dispersion and emittance. The usual methods for measuring these parameters are presented and the operation of the test bench is fully described. Then we then present the measurements made with beams of xenon ions and oxygen ions. Some parameters of the plasma ion source have thus been obtained

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Gaillard, Clotilde. "Étude de la migration thermique des produits de fission molybdène, technétium et iode dans les apatites." Lyon 1, 2000. http://www.theses.fr/2000LYO10253.

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Abstract:

Dans l'optique d'un stockage en site géologique des déchets nucléaires à vie longue, les apatites sont envisagées, d'une part comme matrice de confinement d'actinides ou de produits de fission à vie longue, et d'autre part, comme matériaux incorporés dans les barrières ouvragées. Nos travaux consistent à étudier la migration dans les apatites des produits de fission en fonction de la température. . Nous avons choisi d'étudier l'iode 129, de période 16 millions d'années et le technétium 99, de période 210000 ans. Le but est d'obtenir une modélisation du comportement de ces éléments afin d'extrapoler leur devenir sur une longue période. L'apatite étudiée est de l'hydroxyapatite de synthèse de composition chimique connue Ca10(PO4)6(OH)2. Afin de limiter les problèmes de radioprotection, nous avons étudié le comportement du technétium via le rhénium, son homologue chimique, et le molybdène, de masse proche de celle du technétium. Le couplage implantation ionique - RBS nous a permis de mettre en évidence une volatilisation de ces éléments lors de recuits sous air. Nous avons alors entrepris des études de caractérisation chimique du molybdène et du rhénium par XPS et XANES. Nous avons mis en évidence une oxydation de ces éléments, entraînant la formation d'oxydes volatils. Dans le cas de l'iode, nous avons conjointement mené des expériences avec de l'iode 131 radioactif et de l'iode stable, montrant une diffusion de cet élément dans les joints de grains du matériaux.

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Zundel, Thierry. "Etude de la neutralisation du bore et de certaines impuretes metalliques (or, titane, manganese, chrome) par implantation d'hydrogene dans le silicium monocristallin." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1987. http://www.theses.fr/1987STR13015.

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Abstract:

L'hydrogene implante dans si:b, entre 80 et 140**(o)c neutralise le dopant par formation d'un complexe bh electriquement inactif. Etude des conditions d'incorporation de l'hydrogene et du processus de reactivation du dopant. Effet du traitement d'hydrogenation sur les niveaux d'energie des impuretes. Effet d'un recuit thermique a 495**(o)c

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Fauré, Joël. "Etude de surfaces monocristallines de silicium par reflexion d'electrons : degradation par implantation d'ions argon, reorganisation par recuit." Toulouse 3, 1987. http://www.theses.fr/1987TOU30108.

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Abstract:

Etude de la degradation de la surface plane si(111) par implantation d'ions ar**(+) a temperature ambiante. Lorsque la dose d'ions implantes augmente, l'intensite des taches du diagramme de diffraction diminue progressivement et les marches atomiques, observees en microscopie electronique par reflexion, disparaissent. Lorsque l'energie incidente des ions ar**(+) augmente, la vitesse de degradation de la surface diminue. Apres disparition complete des marches atomiques, un recuit thermique "in situ" de quelques minutes a 575**(o)c permet de retrouver la topographie de la surface initiale. Le recuit provoque la desorption complete de l'argon implante et de retour en sites des atomes de la surface

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Maury, Mathieu. "Simulation numérique de la fragmentation d'un précurseur de dopage au sein d'un réacteur d'implantation ionique par immersion plasma." Thesis, Sorbonne Paris Cité, 2015. http://www.theses.fr/2015USPCD057/document.

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Abstract:

Cette thèse est centrée sur le développement de modèles numériques pour simuler le comportement physique des plasmas présents dans un réacteur d'implantation ionique à immersion plasma. Ces modèles ont pour but d'estimer l'impact des réglages opérationnels du réacteur sur les paramètres plasma pertinents pour l'implantation, comme le flux ionique sur le substrat et la distribution en énergie des ions. La géométrie complexe du réacteur rend difficile sa modélisation d'un seul tenant, du fait des importants gradients temporels et spatiaux attendus pour les densités ioniques et la température électronique. Une stratégie de simulation en deux étapes a donc été adoptée : - Un modèle quasi-homogène, couplé à un module de chimie en volume élaboré, permet de représenter des deux portions de la source plasma et d'obtenir l'évolution de la composition du plasma en fonction de la puissance radiofréquence injectée. - Un modèle unidimensionnel de type PIC-MC permet de décrire la dynamique de la gaine ionique qui se forme près du substrat du fait du potentiel imposé, ainsi que de déterminer la distribution de l'énergie d'impact des ions et les flux d'implantation correspondants. Au final, ces travaux de recherche ont permis d'aboutir à une meilleure compréhension de l'impact des paramètres opérationnels du réacteur sur le flux ionique et la distribution en énergie des ions arrivant sur le substrat. La connaissance des couplages physiques entre la source plasma et la chambre d'implantation autorise l'optimisation du processus de dopage, puisque les paramètres opérationnels peuvent être réglés de manière à minimiser la profondeur de dopage après implantation
Numerical models have been developped to simulate the plasma present inside a plasma immersion ion implantation reactor. Their goal is to estimate the impact of the reactor’s settings on the plasma parameters relevant for ion implan-tation. The complex geometry of the reactor renders its modelling difﬁcult, because of the stiff spatial and temporal gradients expected, so a two-step simulation stra-tegy was adopted : – A global model of the plasma source, coupled to a detailed volume chemistry module, allows to determine the time evolution of the plasma composition according to the radio-frequency power injected in the source.– A 1D PIC-MC model of the sheath facing the substrate describes the dyna-mics of the expanding sheath and allows to determine the ion impact energy distribution function and corresponding implantation proﬁles. Determination of the couplings between the plasma source and the implantation chamber makes possible to optimize the doping process, since the reactor’s opera-tional settings can then be adjusted to minimize the doping depth after implanta-tion

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Dezillie, Britta. "Étude de la tenue aux radiations de détecteurs de particules en silicium épitaxial pour leurs utilisaitons au LHC du CERN." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10146.

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Abstract:

Dans les experiences futures dans le lhc de cern on veut utiliser des detecteurs de silicium de haute precision. Le composent hadronique influence le temps de vie des detecteurs. La tenue aux irradiations du silicium peut etre amelioree par l'etude des defauts. Cette etude implique l'addition des impuretes au silicium afin de former des centres de defauts qui sont actives d'une maniere electrique. Ceux ci controlent les parametres macroscopiques des echantillons. Les ingredients principales a examiner sont l'oxygene et le carbone parce qu'ils se comportent comme consommateurs des vacances et des interstitials. Un premier essai a introduire du ge dans le silicium a ete realise. Du materiel epitaxiale du type n de macom (us) qui contient dix fois plus d'oxygene que le float-zone (fz), montre une amelioration d'un facteur 2 a l'egard du fz. Les impuretes initiales au sein du materiel ont ete mesurees par sims et spectrometrie infrarouge (ir). Les etudes d'irradiations des detecteurs epitaxiales du type n et p avec une epaisseur de 200 m, produits par itme (pologne) avec differentes vitesses de croissance, sont reportees dans ce travail. Une comparaison de differents procedes comme l'implantation par ionisation et mesa a ete faite. La tenue aux irradiations des detecteurs de silicium epitaxials avec des resistivites initiales de 25 ohm cm a 10 kohm cm a ete comparee avec du fz standard. Les resultats sont presentes en terme de la variation du courant de fuite, la concentration de dopage effectif et la collection de charge en fonction de la fluence et le temps apres des irradiations proton en neutron jusqu'une fluence de 4. 5 10#1#4 p/cm#2.

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Taoufik, Ahmed. "Interaction d'ions de gaz rares de faible energie avec des surfaces cristallines de silicium : implantation et degats d'irradiation." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1986. http://www.theses.fr/1986STR13064.

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Abstract:

Etude par spectrometrie auger et spectrometrie de desorption thermique. Influence de la dose et de l'energie des ions, de la temperature d'irradiation, de la matiere du gaz et de la face cristalline. Les resultats suggerent une forte interaction entre le gaz et les degats. Proposition d'une etape determinante commune a la desorption et a la recristallisation

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Popoola, Oludélé Olusègun. "Amorphisation et précipitation superficielles induites par implantation ionique dans les alliages NiTi équiatomiques : application aux propriétés tribologiques." Poitiers, 1988. http://www.theses.fr/1988POIT2292.

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Abstract:

Mise en evidence par microscopie electronique en transmission, spectrometrie sims et photoelectron d'une amorphisation superficielle et de la formation de fins precipites cristallins tin::(x) dans le cas d'une implantation, d'azote. Influence de la temperature et de la dose d'ion sur l'epaisseur de la couche. Correlation entre la microstructure d'implantation et les proprietes tribologiques. Le coefficient de frottement se trouve reduit et la resistance a l'usure se trouve amelioree de facon durable. L'initiation et la propagation des processus de degradation sont ainsi ralenties

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Fontaine, Frédéric. "Aspects structuraux et électriques de l'implantation ionique de bore dans des couches de diamant." Grenoble 1, 1994. http://www.theses.fr/1994GRE10226.

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Abstract:

Le but de cette these est d'etudier les aspects structuraux et electriques de l'implantation ionique de bore dans des couches de diamant. La these debute par la presentation des techniques d'elaborations des couches et par l'etude de l'influence de quelques parametres experimentaux. Les notions de base de l'implantation ionique et un rapide historique de l'application de cette technique au diamant font l'objet du second chapitre. Dans le troisieme chapitre, les caracterisations structurales et electriques des couches non recuites dans un premier temps, puis recuites dans un deuxieme temps, montrent la stabilite de leurs proprietes intrinseques. L'influence de l'implantation ionique de bore sur les proprietes structurales et electriques de couches non recuites est etudiee au quatrieme chapitre. Nous montrons qu'il existe une dose d'implantation seuil, au dela de laquelle la zone implantee subit une transformation de phase, du diamant vers le carbone amorphe. Le signal rpe etroit provient de defauts situes dans le volume des cristallites et le signal rpe large provient de defauts situes aux joints de grains. La methode de recuit par encapsulation de nitrure de silicium est presentee au cinquieme chapitre. Cette technique permet de recuire les couches de diamant sous argon a 1300c pendant au moins 6 heures, tout en conservant l'integrite de la couche. Dans le dernier chapitre, nous menons l'etude de l'influence du recuit sur les couches implantees. Nous montrons que les atomes de bore ne diffusent pas, puis que la guerison des defauts d'implantation est suffisante pour permettre le dopage des couches de diamant. Nous terminons en developpant un modele de la compensation prenant en compte l'ionisation partielle de niveau compensateur ainsi que l'existence d'un facteur de degenerescence nettement plus eleve que sa valeur classique

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Lamrani, Younès. "Contribution à l'étude expérimentale et à la simulation de la diffusion anormale du bore dans le silicium." Toulouse 3, 2005. http://www.theses.fr/2005TOU30042.

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Crowe, Hélène. "Identification et description des facteurs influençant la poursuite de l'implantation d'un programme de plein air en milieu scolaire." Mémoire, Université de Sherbrooke, 2015. http://hdl.handle.net/11143/6981.

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Abstract:

Les activités de plein air, reconnues pour leurs bénéfices physiques et psychologiques en matière de santé et de bien-être, figurent parmi les activités les plus pratiquées par les jeunes Québécois d’âge scolaire (Pronovost, 2010). Ce type d’activité pourrait ainsi contribuer à la promotion des saines habitudes de vie en milieu scolaire. Toutefois, afin d’atteindre les retombées souhaitées par l’implantation d’un programme de plein air, ce dernier doit être bien implanté dans les milieux et poursuivre son implantation sur une longue période de temps (Chen, 2005; Wiltsey Stirman et al., 2012). Cette étude a pour but d’identifier et de décrire les facteurs influençant la poursuite de l’implantation d’un programme de plein air dans deux écoles secondaires québécoises. Les écoles à l’étude poursuivent actuellement l’implantation du programme Santé globale. Ce programme vise à faire la promotion des saines habitudes de vie en milieu scolaire en utilisant le plein air comme principal moyen d’intervention. Des documents organisationnels et pédagogiques ont été colligés et des entrevues individuelles ont été menées auprès de membres du personnel actuellement concernés par la poursuite de l’implantation du Programme Santé globale dans les deux milieux à l’étude. Les données recueillies ont fait l’objet d’une analyse de contenu qualitative utilisant une approche mixte (L’Écuyer, 1990). Les résultats ont permis de dégager des précisions quant à cinq catégories de facteurs influençant la poursuite de l’implantation d’un programme de plein air : 1) de programme; 2) organisationnels; 3) individuels; 4) processuels; 5) extérieurs. Cette recherche constitue une première initiative au Québec pour mieux comprendre les facteurs qui influencent la poursuite de l’implantation des programmes de plein air en milieu scolaire. Les résultats de cette recherche permettront de soutenir d’autres milieux scolaires qui désirent implanter ou poursuivre l’implantation d’initiatives similaires visant à promouvoir les saines habitudes de vie.

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Hébras, Xavier. "Contributions à l'étude de la diffusion, de l'agglomération et de l'activation du bore dans le silicium : application à la réalisation de jonctions ultraminces P+/N pour le MOS fortement submicronique." Toulouse 3, 2003. http://www.theses.fr/2003TOU30196.

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Carlot, Gaëlle. "Diffusion de l'iode dans le zirconium : influence des éléments d'alliage et de l'hydruration." Phd thesis, Université Claude Bernard - Lyon I, 2000. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00001402.

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Abstract:

La France envisage un entreposage à sec des crayons de combustible usé et non recyclé. Des études sont nécessaires pour déterminer la sûreté d'un tel entreposage. C'est dans ce cadre que ce travail de thèse s'inscrit. Il est centré sur les propriétés de rétention de la gaine en Zircaloy-4 vis-à-vis de l'iode et sur la détermination de données thermodynamiques qui permettent une extrapolation aux conditions d'entreposage (T$<$400$^°$C) des résultats obtenus à des températures plus élevées. Nous réalisons tout d'abord une étude fondamentale pour déterminer le comportement thermique de l'iode dans le zirconium. L'iode stable $^{127}$I et l'iode radioactif $^{131}$I sont introduits par implantation ionique dans les différents matériaux. Les évolutions des profils d'analyse par faisceau d'ions pour l'iode stable et par spectroscopie $\gamma$ pour l'iode radioactif. Nous mettons en évidence deux phases de relâchement de l'iode lors des recuits: une phase rapide liée certainement aux défauts d'irradiation puis une phase diffusionnelle caractéristique d'une diffusion substitutionnelle. Pour conforter cette conclusion, nous réalisons une étude théorique par calculs {\it ab-initio} pour déterminer le site d'accueil préférentiel de l'iode dans le réseau hexagonal compact du zirconium qui se révèle être un site substitutionnel. Dans le but de nous rapprocher du contexte industriel, nous menons en parallèle la même étude expérimentale sur du Zircaloy-4. Ce qui nous permet de montrer que l'iode à le même comportement dans le Zircaloy-4 que dans le zirconium. Les gaines étant hydrurées en entreposage, nous étudions également l'influence de la présence d'hydrure sur le comportement thermique de l'iode. Nous mettons en évidence qu'elle accélère la migration de l'iode et conduit à des taux de perte plus importants.

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Templier, Claude. "Etude expérimentale de la précipitation dans les alliages à base d'aluminium obtenus par implantation ionique de Cu, Ag et Xe : demixtion et dissolution dans les alliages Al-Ag et Al-Cu, structure, formation et croissance des bulles de xenon." Poitiers, 1987. http://www.theses.fr/1987POIT2017.

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Abstract:

Analyse de la microstructure des alliages al-ag et al-cu fabriques par implantation ionique. Analyse des zones de guinier-preston et des phases intermediaires dans l'alliage al-cu irradie par des ions xenon de 300 kev. Mise en evidence des mecanismes de diffusion acceleree, diffusion balistique et precipitation. Pour les echantillons irradies avec des ions xenon, des bulles de xenon solide se forment. Etude de la demixion , du xenon dans des matrices d'aluminium: structure des bulles apres l'implantation , formation des bulles pendant l'implantation, evolution des bulles lors des traitements thermiques

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Cavellier, Matthieu. "Etude des effets de l'implantation ionique d'azote sur les propriétés du magnésium pur, du cuivre pur et des alliages cuivreux." Phd thesis, INSA de Rennes, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00968830.

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Abstract:

Le but de ces travaux était d'évaluer les possibilités du procédé miniaturisé d'implantation ionique "Hardion+" développé par Quertech Ingénierie, pour le traitement de surface du magnésium pur, du cuivre pur, du laiton et du bronze. Grâce à ce procédé, il a été possible de créer du nitrure de magnésium dans le magnésium pur, ce qui a augmenté la dureté superficielle. Bien que la même méthode ait été utilisée, il a été impossible de créer des nitrures métalliques dans le cuivre ou les alliages cuivreux. Néanmoins, nous avons pu observer une amélioration des propriétés surfaciques : les tests tribologiques "ball-on-disk" ont démontré que le coefficient de frottement et le taux d'usure diminuent grâce à l'implantation d'azote, et différents tests de corrosion effectués sur le cuivre et le laiton ont établi que la résistance à la corrosion en solution saline peut être améliorée. Les tests de nano-indentation ont prouvé que la dureté superficielle du bronze était multipliée par quatre après implantation d'azote. Différentes doses d'implantation d'azote ont été testées sur le cuivre, le laiton, et le bronze, et les résultats ont démontré qu'il existe une dose optimale d'implantation créant les améliorations les plus significatives. Cependant, cette dose optimale peut être différente en fonction des propriétés considérées, et dans certains cas, une faible variation autour de cette dose optimale est suffisante pour perdre ces propriétés particulières. Bien que l'épaisseur de la couche implantée soit inférieure à 500 nm, des effets macroscopiques et longue-portée peuvent être observés, tel que la création d'une barrière de diffusion par implantation d'azote dans le cuivre. Les avantages de cette nouvelle propriété sont déjà utilisés pour le traitement d'électrodes de soudage résistif, et intéressent fortement les industriels de la connectique qui commencent à comprendre toutes les possibilités du procédé "Hardion+".

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Lagrange, Jean-Pierre. "Contribution à l'étude du dopage bore, azote et phosphore dans le diamant." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10210.

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Abstract:

Le diamant est un semi-conducteur a large bande interdite (5. 4 ev) tres prometteur en electronique a haute temperature et de forte puissance. Cependant, son utilisation est limitee par l'absence d'un dopage de type n. Nous avons etudie dans cette these le dopage au bore du diamant (type p), et l'incorporation de phosphore et d'azote dans le diamant par implantation ionique. Nous avons elabore des couches minces de diamant par depot chimique en phase vapeur assiste par plasma micro-onde. Nous avons utilise dans notre etude diverses techniques de caracterisation : spectroscopie de diffusion raman, resonance paramagnetique electronique, resistivite en fonction de la temperature (de 100k a 1000k), effet hall, courants thermo-stimules, thermoluminescence. Les resultats obtenus montrent que le dopage au bore est aujourd'hui bien maitrise. Des mesures electriques sur une large gamme de concentration (de 5 10#1#6 a 8 10#2#0 b. Cm#-#3) montrent trois regimes de conduction differents : conduction par saut par plus proche voisin, conduction par la bande de valence, conduction metallique. Nous avons montre pour la premiere fois une saturation de la conductivite et une energie d'activation a haute temperature e#a/2 typique d'un taux de defauts compensateurs inferieur a 10%. Nous avons montre que l'implantation est la methode la plus efficace pour incorporer de l'azote en site substitutionnel dans le diamant. Neanmoins, l'incorporation d'azote semble induire indirectement des defauts paramagnetiques dans le diamant. Nous avons aussi montre que l'incorporation de phosphore en site substitutionnel est possible. Nous avons defini un seuil d'amorphisation compris entre 3 et 4 10#1#4 p. Cm#-#2. Toutefois, un nouveau defaut paramagnetique qui semble etre induit par le phosphore apparait apres recuit. La conduction est encore dominee par les defauts crees par l'implantation ionique. Ces resultats sont tres prometteurs pour des applications futures en microelectronique.

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Benkherourou, Ouahab. "Conception et mise au point d'un analyseur hemispherique en vue de spectroscopies d'electrons resolues angulairement : caracterisation d'interfaces si/sio::(2) et si/sio::(x)n::(y) obtenues par implantation ionique a faible energie." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1987. http://www.theses.fr/1987STR13014.

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Abstract:

Dans la region interfaciale, on retrouve toutes les configurations possibles de liaisons autour du tetraedre de si. Les profils de concentration de ces especes different selon que l'on fait l'oxydation ou l'oxynitruration. La distribution de ces especes a l'interface suit le modele theorique r. B. M. (random bonding model). Ce modele permet de comprendre la morphologie de l'interface et donc d'etablir la nature des liaisons chimiques entre les differents atomes (si-o-si et si-n-si)

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Benabbes, Anouar. "Approches micromécaniques de la compaction de poudres et de la rupture ductile des matériaux incluant le 3me invariant des contraintes." Reims, 2009. http://theses.univ-reims.fr/exl-doc/GED00001118.pdf.

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Abstract:

La thèse englobe deux thématiques de recherche que sont la modélisation micromécanique de la compaction de poudre et l'approche locale de la rupture ductile des matériaux. Dans la première partie du mémoire, la méthode cinématique du calcul à la rupture est utilisée pour la construction de bornes supérieures des critères de rupture macroscopiques d'un matériau granulaire. Pour ce faire, le milieu granulaire est assimilé à un milieu constitué d'un assemblage périodique de cellules hexagonales. En premier lieu, une cellule de base « primitive » consistant en un cylindre circulaire dans lequel un grain est circonscrit est employée dans des analyses aux éléments finis qui renseignent sur les modes de déformation du grain. En deuxième lieu, huit mécanismes de rupture pertinents de cellules de base aux géométries appropriées permettent d'obtenir des estimations par l'extérieur des surfaces de charge macroscopiques. Les calculs sont menés aussi bien pour la compression isostatique que pour la compression en matrice. Les résultats ainsi obtenus sont confrontés à ceux fournis par des calculs aux éléments finis. Dans la deuxième partie du mémoire, un modèle de comportement élastoplastique pour matériaux poreux basé sur le critère de McElwain et al. (2006) est implantée avec succès dans le code Abaqus. Ce modèle a la particularité de prendre en compte directement dans le potentiel plastique le troisième invariant des contraintes. La striction d'une barre cylindrique lisse, la traction d'une éprouvette entaillée et le cisaillement en déformation plane ont été simulés numériquement en utilisant ce récent modèle et les résultats obtenus sont confrontés à ceux dérivés du modèle GTN
The thesis encompasses two research topics, namely, the micromechanical modeling of powder compaction and the local approach of ductile fracture of materials. The former part of the report is dealing with the kinematic approach of the yield design homogenization method which is used to obtain upper bounds of macroscopic strength criteria for powder compact. To this end, the granular medium is considered as a medium consisting of a periodic assembly of hexagonal cells. Firstly, a « primitive» unit cell consisting of a circular cylinder in which a grain is circumscribed is used in finite element analysis that provides insight into modes of deformation of grain. Secondly, eight relevant failure mechanisms for unit cells with appropriate geometries allow to obtain external estimates of macroscopic yield surfaces. The calculations are performed for both isostatic and closed die compression. The results thus obtained are compared with those provided by finite element calculations. The later part of the report, an elastoplastic constitutive model for porous materials based on the criterion of McElwain et al. (2006) is successfully implemented in Abaqus. This criterion has the peculiarity to account of the third invariant of stress. The necking of a cylindrical smooth bar, the tensile notched bar and the shear plane strain problem have been numerically simulated using this recent model and the results are compared with those derived from GTN model

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Silvain, Jean-François. "Etude microstructurale de materiaux magnetiques durs et mous, de silicium polycristallin." Poitiers, 1987. http://www.theses.fr/1987POIT2295.

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Abstract:

Contribution a la connaissance des materiaux magnetiques durs et mous grace a des mesures magnetiques et l'etude des microstructures par microscopie electronique. Etude de couches "dures" de co-ni et de co-fe en fonction de la nature des substrats, de l'epaisseur des films et de l'angle d'incidence utilise. Etude du grenat en liaison avec son utilisation pour les memoires a bulles magnetiques. Influence de l'implantation ionique sur la structure cristalline des grenats

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Martin, Philippe. "Etude des mécanismes de diffusion thermique et de diffusion sous irradiation alpha des terres rares dans les apatites." Lyon 1, 1999. http://www.theses.fr/1999LYO10026.

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Abstract:

A l'heure actuelle, le probleme du stockage des dechets nucleaires doit etre resolu. Une des solutions envisagees est de creer des sites de stockage en profondeur et d'assurer leur securite, c'est a dire d'empecher la migration des radionucleides dans la biosphere. Parmi les materiaux susceptibles de freiner cette diffusion, les apatites sont envisagees en raison de leur faible cout (mineral present dans les phosphates sedimentaires ou dans le roches) et de leurs proprietes de retention vis a vis des elements lourds tels que les actinides et les lanthanides. Le but de ce travail a ete d'etudier la diffusion dans les apatites des radionucleides en fonction de la temperature et de la radioactivite ambiante. Pour limiter les problemes de radioprotection nous avons choisi de travailler sur des elements stables suivants : le lanthane et l'europium. Leurs masses et leurs proprietes chimiques permettent de simuler les produits de fission et les actinides. Dans un premier temps, nous avons mesure a l'aide des techniques d'analyse par faisceaux d'ions la diffusion thermique dans deux types d'apatite : la fluorapatite et l'hydroxyapatite. Les valeurs de coefficients de diffusion etant tres faibles des etudes de localisation par luminescence laser et spectroscopie d'absorption x (exafs) ont ete menees. Dans un second temps, la diffusion sous irradiation d'ions bismuth simulant les noyaux de recul de la radioactivite alpha a ete etudiee, mettant en evidence un mecanisme de diffusion par annihilation vers la surface des defauts crees lors de l'irradiation.

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Romana, Laurence. "Etude des effets d'implantation ionique dans l'alumine : mixage ionique d'interfaces métal-alumine." Lyon 1, 1989. http://www.theses.fr/1989LYO10146.

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Abstract:

Ce travail est en grande partie consacre a l'etude des modifications induites dans l'alumine par implantation ou mixage ionique avec des ions niobium. Par implantation ionique de niobium on observe: a faible dose, une importante fraction de niobium en position substitutionnelle, a forte dose, une amorphisatioon de la zone implantee obtenue pour une concentration locale de niobium voisine de 30%, s'accompagnant d'une transition isolant-semi metal due a la presence de monocristaux de niobium. Par traitement thermique sous hydrogene, la taille des precipites de niobium augmente et la formation de nb#2o#5 apparait, alors que sous air la synthese de nba10#4 est realisee. Le mixage ionique d'interfaces planes niobium-alumine ne conduit pas a la synthese de composes nouveaux a l'interface pour des temperatures inferieures a 300 k. Une amorphisation de la zone interfaciale est observee sur environ 3 nm. Ce resultat s'interprete en terme de processus balistiques seulement

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Pastol, Yvon. "Etude de la cristallisation en phase solide de couches minces de silicium implantees." Paris 7, 1987. http://www.theses.fr/1987PA077142.

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Abstract:

Etude des effets de dopage par implantation de bore et de phosphore. Etude du role des defauts d'irradiation dans des couches implantees au silicium. Les couches implantees et non implantees sont cristallisees en phase solide par recuit thermique a basse temperature. Etude de la taille des grains, de la texture, de la morphologie de surface et de la conductivite electriques des couches en fonction de la concentration d'ions implantes

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Dissertations / Theses on the topic 'Implantation physique'

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