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Dissertations / Theses on the topic 'Impurity doping'

Author: Grafiati

Published: 9 March 2023

Last updated: 31 July 2025

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1

Ciarkowski, Timothy A. "Low Impurity Content GaN Prepared via OMVPE for Use in Power Electronic Devices: Connection Between Growth Rate, Ammonia Flow, and Impurity Incorporation." Diss., Virginia Tech, 2019. http://hdl.handle.net/10919/94551.

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Abstract:

GaN has the potential to revolutionize the high power electronics industry, enabling high voltage applications and better power conversion efficiency due to its intrinsic material properties and newly available high purity bulk substrates. However, unintentional impurity incorporation needs to be reduced. This reduction can be accomplished by reducing the source of contamination and exploration of extreme growth conditions which reduce the incorporation of these contaminants. Newly available bulk substrates with low threading dislocations allow for better study of material properties, as oppos

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2

Zhao, Hehong. "Impurity and Back Contact Effects on CdTe/CdS Thin Film Solar Cells." Scholar Commons, 2007. https://scholarcommons.usf.edu/etd/580.

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Abstract:

CdTe/CdS thin film solar cells are the most promising cost-effective solar cells. The goal of this project is to improve the performance for CdS/CdTe devices by improving the open circuit voltage Voc and current density Jsc. Efforts focused on increasing the Voc, which include increasing the doping concentration by introducing Phosphorus and Antimony, finding and testing new back contact materials, and varying the ambient of CSS CdTe. In addition, the effect of Zn2SnO4 on the cells' performance was also studied. Electrical characterization of the thin films and completed devices were carried o

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3

Erwin. "Electron eigenvalues and eigenfunctions for a nanochannel with a finite rectangular barrier." Virtual Press, 1994. http://liblink.bsu.edu/uhtbin/catkey/917032.

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Abstract:

Electron scattering by a single or multiple impurities affects the quantizaton of conductance of a semiconductor nanochannel. The theoretical model of electron transport in a hardwall nanostructure with an impurity requires an analysis of the electronic transverse energy levels, eigenfunctions and hopping integrals resulting from cross channel or transverse confinement. Theoretical equations for the electronic transverse energy levels, wavefunctions and hopping integrals in the case of a repulsive, finite strength rectangular barrier arbitrarily positioned in the nanochannel are presented. The

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4

ANAND, ABHINAV. "Spectroscopic avenues and photophysical phenomena in Colloidal Nanocrystals." Doctoral thesis, Università degli Studi di Milano-Bicocca, 2021. http://hdl.handle.net/10281/311084.

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Abstract:

I nanocristalli colloidali a semiconduttore (NC), grazie alle loro proprietà ottiche regolabili tramite la dimensione ed alla processabilità in soluzione, sono state a lungo proposte come alternative versatili e sintetizzate chimicamente per numerose tecnologie fotoniche, optoelettroniche e quanto-computazionali, nonché come building-blocks funzionali e superatomici per metamateriali artificiali assemblati con approcci bottom-up. Dalla loro scoperta oltre 30 anni fa, enormi progressi nella chimica colloidale e superficiale, nella fisica dei NC e nelle applicazioni nei dispostivi, hanno portato

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5

Guillet, Joëlle. "Dépôt de couches minces de silicium polycristallin par décomposition du silane sur un filament chaud pour la réalisation de cellules photovoltaïques." Grenoble INPG, 1998. http://www.theses.fr/1998INPG0134.

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Abstract:

Cette these a pour objectif d'etudier une nouvelle technique de depot de silicium, afin de realiser des cellules photovoltaiques bon marche. La technique choisie fut celle du filament chaud (cvd) afin de deposer du silicium polycristallin. Cette etude comprend une premiere partie presentant les couches deposees, et la deuxieme partie tente d'expliquer les resultats obtenus. Dans un premier temps le reacteur filament chaud (en tungstene), dans lequel est injecte un melange de silane et d'hydrogene, est presente ainsi que les modifications qui ont permis d'augmenter la duree de vie du filament,

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6

Alboussière, Thierry. "Magnétohydrodynamique et ségrégation solutale en croissance Bridgman horizontale." Grenoble INPG, 1994. http://www.theses.fr/1994INPG0153.

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Abstract:

Lors de la croissance d'un monocristal d'un materiau semi-conducteur dope, la convection thermogravitaire dans la phase liquide perturbe le transfert de solute, entrainant des heterogeneites de concentration dans le solide forme. L'emploi d'un champ magnetique permanent permet de reduire les mouvements convectifs du bain conducteur de l'electricite et d'agir ainsi sur la segregation chimique. Dans un premier temps, une theorie asymptotique de la magnetohydrodynamique est reformulee pour qu'il soit possible de prendre en compte un terme de force thermogravitaire sous l'hypothese de boussinesq,

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7

Dürr, Jérôme. "Contribution à l'étude structurale du système BaBiO3 dopé par du plomb ou par du potassium." Grenoble 1, 1993. http://www.theses.fr/1993GRE10008.

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Abstract:

Le compose babio#3, connu pour ses proprietes supraconductrices lorsqu'on substitue le bismuth par le plomb, a suscite un regain d'interet lorsqu'une temperature supraconductrice de 30 k environ a ete obtenue en le dopant avec du potassium. Nous avons caracterise finement par analyse e. D. X. Des monocristaux prepares soit par flux soit par electrocristallisation. Nous avons montre que dans les deux cas seuls les cristaux faiblement dopes (moins de 10% de potassium) etaient homogenes. Au-dela de ce taux de substitution, ils presentent soit un gradient de composition, soit plusieurs composition

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8

Boukezzata, Messaoud. "Mecanismes d'oxydation des si-lpcvd fortement dopes au bore." Toulouse 3, 1988. http://www.theses.fr/1988TOU30183.

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Abstract:

Etude de la cinetique et des mecanismes d'oxydation thermique de films dopes a 210**(20) cm**(-3) b "in situ" et par implantation post-depot. Les resultats prennent en compte les influences du mode de dopage et de la microstructure initiale des films (qui varie d'un etat quasi-amorphe a un etat nettement polycristallin). Leur analyse s'appuie sur a) un logiciel de modelisation de l'oxydation de si et la comparaison avec la cinetique d'oxydation de temoins monocristallins qui permettent de les exprimer en termes de constante de diffusion d et de la vitesse de reaction de surface k::(s) de l'oxy

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9

Hénaux, Stéphane. "Contribution à l'amélioration des méthodes de caractérisation électrique des matériaux Silicium Sur Isolant (SOI)." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10116.

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Abstract:

L'essor actuel des technologies soi est lie a la production d'un materiau de depart de qualite, dont le juge final est le comportement electrique des circuits integres. Cette these decrit des ameliorations et de nouvelles idees pour l'evaluation des proprietes electriques des materiaux soi. Les methodes presentees sont appliquees en priorite au nouveau materiau unibond. Nous donnons d'abord une vue d'ensemble des technologies soi et des methodes de caracterisation disponibles. Nous exposons ensuite notre contribution en commencant par la mesure electrique d'epaisseur du film de silicium dans u

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10

Domange, Jocelyn. "Étude et exploitation de bolomètres de nouvelle génération à électrodes concentriques pour la recherche de matière noire froide non-baryonique dans l’expérience Edelweiss II." Thesis, Paris 11, 2011. http://www.theses.fr/2011PA112169/document.

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Abstract:

EDELWEISS est une expérience de détection directe de matière noire froide non-baryonique sous forme de particules massives et faiblement interagissantes (connues sous l'acronyme de WIMPs), qui constituent actuellement les candidats les plus populaires pour rendre compte de la masse manquante de l'Univers. Dans ce but, EDELWEISS utilise des bolomètres de germanium opérés à température cryogénique (20 mK environ) dans le Laboratoire Souterrain de Modane (LSM) à la frontière franco-italienne. En particulier, depuis 2008, un nouveau type de détecteur est en fonctionnement, équipé d'électrodes conc

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11

Atmani, Hassane. "Investigations dans le domaine des comportements thermiques de matériaux désordonnés : application au sélénium et aux mélanges Se-Bi à faible concentration en bismuth." Rouen, 1988. http://www.theses.fr/1988ROUES009.

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12

Marcon, Jérôme. "Simulation numérique de la diffusion de dopants dans les matériaux III-V pour les composants microoptoélectroniques." Rouen, 1996. http://www.theses.fr/1996ROUES061.

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Abstract:

Le sujet de cette thèse concerne la modélisation et la simulation numérique de la diffusion des dopants dans les composants microoptoélectroniques à base de matériaux III-V. Cette diffusion peut se produire au cours des traitements thermiques nécessaires à la fabrication des composants (épitaxie, réalisations de contacts,. . . ) Dans un premier temps, les aspects physiques et technologiques de la diffusion sont abordés. Une attention particulière est accordée au mécanisme substitutionnel-interstitiel de diffusion. La modélisation de la diffusion des dopants de type p dans les matériaux III-V a

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13

Szelag, Bertrand. "Étude des propriétés physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques." Grenoble INPG, 1999. http://www.theses.fr/1999INPG0022.

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Abstract:

La reduction des dimensions des transistors mos fait apparaitre des effets nefastes au bon fonctionnement des composants electroniques. L'objectif de ce travail de these est d'etudier les proprietes physiques et electriques des mosfets fortement submicroniques. Les longueurs de grille minimum utilisees au cours de cette etude sont de 75nm. Dans le premier chapitre, nous rappelons les principes de fonctionnement des transistors mos en introduisant les effets lies a la reduction des dimensions. Le second chapitre est entierement dedie aux effets de canaux courts. La tension de seuil est etudiee

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14

Ni, Wei-Shih, and 倪維仕. "Impurity doping effects on the structural, photoluminescent and magnetic properties of ZnS films." Thesis, 2016. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/52965194317122186527.

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Abstract:

博士<br>國立彰化師範大學<br>光電科技研究所<br>104<br>This study investigates the effect of Co, Mn, and Cu content on the structural, luminescence, and magnetic properties of sol-gel ZnCoS, ZnMnS, and ZnCuS films by x-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), energy dispersive spectrometer (EDS), atomic force microscopy (AFM), and alternating gradient magnetometer (AGM) measurements. Dependences of optical properties and crystal structure upon Co, Mn, and Cu content were found. In addition, combining with PL, XRD and AGM results, a direct link between the magnetization and defects of sol-gel ZnCoS, ZnMnS,

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15

Lu, Shih-Han, and 陸詩涵. "The Effects of Impurity Doping on Microstructure and Optical Properties of TiO2 Thin Films." Thesis, 2013. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/7juzmc.

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Abstract:

碩士<br>義守大學<br>材料科學與工程學系<br>101<br>In this study, we prepared TiO2 optical thin film by RF-sputtering method at room temperature and doped with different contents of glass dopants (1wt%, 3wt%, 5wt%, 10wt%, 15wt%, 20wt%). Ar was used as a sputtering gases. TiO2 optical thin films were deposited on glass substrate and the silicon substrate and annealed (550℃, 650℃, 750℃, 850℃) at 90%N2 with 10%H2 atmosphere to discuss the effects of different doping and annealing conduction on the properties of TiO2 films. The results shows that increasing glass dopants are affected crystal structure. The cr

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曾宇志. "Effects of surface treatment or impurity doping on the optical property and crystal structure of ZnO nanoparticles." Thesis, 2011. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/86747893765422871256.

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Abstract:

碩士<br>國立彰化師範大學<br>物理學系<br>99<br>The effects of surface treatment or impurity doping on the optical property and crystal structure of ZnO nanoparticles, made by sol-gel method, was investigated in this study. We get the properties of ZnO nanoparticles according to observed the result from X-ray diffraction, scanning electron microscope, photoluminescence, Fourier-transform infrared spectroscopy, Raman spectroscopy, and contact angle measurements. It is found that ZnO nanoparticles released from compressive stress after surface modification, and the crystalline size became smaller. In addition,

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Roro, Kittessa Tolessa. "Influence of V and Mn doping on the electrical transport properties of A Cr +1.2 at.% Ga alloy." Thesis, 2008. http://hdl.handle.net/10210/1360.

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Abstract:

M.Sc.<br>Impurity resonance scattering effects are investigated in the Cr-Ga alloy system. This system has a triple point on its magnetic phase diagram where the paramagnetic (P), incommensurate (I) and commensurate (C) spin-density-wave (SDW) states co-exist. Alloying Cr with the nonmagnetic nontransitional element Ga affects the magnetic properties of Cr in a very unique way. In order to investigate the presence of resonant impurity scattering effects in binary Cr-Ga alloys, electrical resistivity measurements were carried out in the temperature range between 6 K and 85 K. The results of the

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Chen, I.-Cherng, and 陳一誠. "A Study on the Sol-Gel Synthesis, Impurity-Doping, and Afterglow and Thermoluminescent Properties of Long Phosphorescent SrAl2O4:Eu,Dy." Thesis, 2001. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/71948190269204303487.

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Abstract:

博士<br>國立交通大學<br>應用化學系<br>89<br>The effect of impurity doping, photoluminescent, afterglow, and thermoluminescent properties and for long phosphorescent SrAl2O4:Eu2+, Dy3+ (SAED) and some analogous phosphors derived from a sol-gel synthetic route have been investigated. The improvement on phosphorescence intensity and the lengthening of afterglow persistent time has been observed in the SAED phases with the addition of boron or silicon. In order to investigate the photoluminescence, afterglow, defects and the depth energy of the traps, we have measured the X-ray diffraction (XRD) profiles, SE

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Sheppard, Leigh Russell Materials Science &amp Engineering Faculty of Science UNSW. "Defect chemistry and charge transport in niobium-doped titanium dioxide." 2007. http://handle.unsw.edu.au/1959.4/40542.

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Abstract:

The present project has made a comprehensive assessment of the effect of Nb doping on various charge-transfer related properties of TiO2. Of particular focus, the electrical properties of Nb-doped TiO2 (0.65 at %) have been investigated using the simultaneous measurement of electrical conductivity and thermoelectric power. This investigation was undertaken at elevated temperatures (1073 K -- 1298 K) in equilibrium with a gas phase of controlled oxygen activity (10-10 Pa < p(O2) < 75 kPa). In addition, the effect of segregation on the surface versus bulk composition of Nb-doped TiO2 was also in

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