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Dissertations / Theses on the topic 'Insulated gate bipolar transistors (IGBTs)'

Author: Grafiati

Published: 5 June 2025

Last updated: 2 August 2025

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1

Withanage, Ruchira Renuka. "Series connection of insulated gate bipolar transistors (IGBTs)." Thesis, Staffordshire University, 2007. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.440357.

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2

Mitter, Chang Su. "Insulated gate bipolar transistor (IGBT) simulation using IG-Spice." Thesis, This resource online, 1991. http://scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-03022010-020115/.

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3

Hsieh, Pei-Shan. "IGBT design, modelling and novel devices." Thesis, University of Cambridge, 2015. https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.708993.

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4

Eio, Samson. "Current Injection Techniques to Optimise the Switching Transients of Power Diodes. Thyristors and Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)." Thesis, Staffordshire University, 2008. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.522131.

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5

Yang, Xin. "Controlled IGBT switching for power electronics building block." Thesis, University of Cambridge, 2014. https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.708442.

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6

Fourie, Reinhart. "The development of a IGBT-based tap changer." Thesis, Stellenbosch : University of Stellenbosch, 2010. http://hdl.handle.net/10019.1/4272.

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Abstract:

Thesis (MScEng (Electrical and Electronic Engineering))--University of Stellenbosch, 2010.<br>ENGLISH ABSTRACT: Voltage regulation on distribution networks has so far been done by means of mechanical tap changers. However, these tap changers are plagued by high maintenance costs due to the arcing caused while switching, which degrades both the contacts and transformer oil. The major advances made during the last decade with regard to semiconductor technology have led to the development of high power IGBTs. These high power IGBTs are capable of conducting currents up to 1 000 A, while the

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7

Amimi, Adel. "Modèle électro-thermique unidimensionnel du transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) pour la simulation de circuits de puissance." Rouen, 1997. http://www.theses.fr/1997ROUES033.

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Abstract:

Dans le domaine de l'électronique de puissance, où l'environnement et le mode de fonctionnement du composant jouent un rôle primordial, nous constatons que les aspects thermiques doivent être évalués de la même manière que les aspects strictement électriques. Cela suppose entre autres que la température interne des composants doit pouvoir évoluer comme toutes les grandeurs électriques. Dans ce contexte, nous avons développé un modèle analytique du transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) prenant en compte les interactions électro-thermiques dans le composant, en associant au modèle électriq

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8

Wendt, Sven. "Turbogenerator mit Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Umrichter zur dezentralen Energieversorgung." Dresden TUDpress, 2009. http://d-nb.info/998316393/04.

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9

Nicholls, Jonathan Christopher. "Soft-switching performance analysis of the clustered insulated gate bipolar transistor (CIGBT)." Thesis, De Montfort University, 2009. http://hdl.handle.net/2086/2396.

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Abstract:

The use of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) have enabled better switching performance than the Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistor (MOSFET) in medium to high power applications due to their lower on-state power loss and higher current densities. The power ratings of IGBTs are slowly increasing and are envisaged to replace thyristors in medium power applications such as High Voltage Direct Current (HVDC) inverter systems and traction drive controls. Devices such as the MOS Controlled Thyristor (MCT) and Emitter Switched Thyristor (EST) were developed in an effort to furth

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10

Buschendorf, Martin [Verfasser]. "Untersuchungen zur Reihenschaltung von 4,5-kV-Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modulen / Martin Buschendorf." München : Verlag Dr. Hut, 2020. http://d-nb.info/121947116X/34.

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11

de, Silva D. I. M. "Characterisation of insulated gate bipolar transistors for resonant power conversion." Thesis, University of Cambridge, 2006. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.598451.

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Abstract:

This thesis presents a comprehensive analysis of the IGBTs, antiparallel diodes and IGBT power modules in resonant switching conditions using experimental results, PSpice simulation results, Medici mixed mode simulation results and mathematical models. A simplified sinusoidal analysis of the series and parallel resonant converters is carried out with particular attention given to power switch behaviour. Resonant converter behaviour under various operating conditions and parameters is investigated in order to develop a complete understanding before power switch characterisation. Furthermore str

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12

Camuso, Gianluca. "LIGBT design, physics and modelling." Thesis, University of Cambridge, 2015. https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.708803.

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13

Claudio-Sanchez, Abraham. "Étude comportementale des IGBT dans les divers modes de commutation." Grenoble INPG, 1995. http://www.theses.fr/1995INPG0165.

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Abstract:

Aujourd'hui l'evolution technologique constante des convertisseurs de puissance requiert une connaissance des composants de plus en plus approfondie. Les travaux presentes dans ce memoire de these concernent le tgb (igbt). On propose deux moyens d'analyse et de caracterisation differents, l'un experimental, l'autre utilisant une modelisation simplifiee ou douce. L'approche experimentale conduit a la realisation d'un veritable simulateur analogique dedie a l'electronique de puissance (saep). Il permet la maitrise et la variation independante de tous les parametres externes au tgb de maniere rep

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14

Aviñó, Salvadó Oriol. "Contribution to the study of the SiC MOSFETs gate oxide." Thesis, Lyon, 2018. http://www.theses.fr/2018LYSEI110/document.

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Abstract:

Les MOSFET en SiC sont appelées à remplacer les IGBT en Silicium pour des applications de demandant une plus forte vitesse de commutation. Cependant, les MOSFET en SiC ont encore quelques problèmes de fiabilité, tels que la robustesse de la diode interne ou bien la robustesse de l'oxyde de grille. Cette dernière est liée à l’oxyde de grille des composants du type MOSFET. Des instabilités de la tension de seuil sont aussi signalées. Cette thèse aborde ces deux sujets sur des MOSFET commerciaux 1200 V. L'étude de la diode interne met en évidence que les caractéristiques I-V (de la diode intrinsè

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15

Duong, Viet-Son. "Étude de l'intégration d'une protection par fusible dans les convertisseurs à IGBT." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0081.

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Abstract:

Les progrès technologiques réalisés en matière d'interrupteurs semiconducteurs de puissance, ont conduit au début des années 80, à l'apparition du transistor bipolaire à grille isolée, plus couramment désigné sous l'abréviation IGBT. Etant donnés les niveaux de puissance que ces composants sont aujourd'hui aptes à commuter, une protection contre les défauts devient nécessaire. Un fusible rapide associé au composant permet d'éviter l'explosion du boîtier en cas de court-circuit, et ainsi de garantir la sécurité des personnes et des divers composants à proximité. Une étude du comportement de l'I

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16

Reynes, Hugo. "Conception d'un module électronique de puissance pour application haute tension." Thesis, Lyon, 2018. http://www.theses.fr/2018LYSEI035.

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Abstract:

Satisfaire les besoins en énergie de manière responsable est possible grâce aux énergies renouvelables, notamment éoliennes et solaires. Cependant ces centres de captation d’énergie sont éloignés dans zones de consommation. Le transport de l’énergie via des réseaux HVDC (haute tension courant continu) permet un rendement et une flexibilité avantageuse face au transport HVAC (haute tension courant alternatif). Ceci est rendu possible grâce aux convertisseurs utilisant l’électronique de puissance. Les récents développements sur les semi-conducteurs à large bande interdite, plus particulièrement

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17

De, Maglie Rodolphe. "Modélisation de différentes technologies de transistors bipolaires à grille isolée pour la simulation d'applications en électronique de puissance." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00153597.

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Abstract:

L'analyse et la conception des systèmes en électronique de puissance nécessitent la prise en compte de phénomènes complexes propres à chaque composant du système mais aussi en accord avec son environnement. La description précise du comportement d'un système passe par la simulation utilisant des modèles suffisamment précis de tous ces composants. Dans notre étude, les modèles basés sur la physique des semiconducteurs permettent de décrire le comportement de la charge stockée dans la base large et peu dopée des composants bipolaires. Cette description fine est indispensable à la bonne précision

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18

Farjah, Ebrahim. "Contribution aux caractérisations électrique et thermique des transistors de puissance à grille isolée." Grenoble INPG, 1994. http://www.theses.fr/1994INPG0103.

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Abstract:

L'IGBT est bien adapté aux applications de moyenne puissance. La tendance actuelle est l'amélioration de ses possibilités tant au niveau de la tension et du courant admissibles qu'au niveau de la fréquence de fonctionnement. Ce transistor dans un avenir très proche devrait remplacer bon nombre de composants. Une meilleure connaissance de I'IGBT passe par une caractérisation électrique et thermique précise, afin d'améliorer la conception des convertisseurs modernes de l'Electronique de Puissance. Dans ce travail, nous avons effectué une étude détaillée des différentes méthodes de caractérisatio

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19

Maglie, Rodolphe de. "Modélisation de différentes technologies de transistors bipolaires à grille isolée pour la simulation d'applications en électronique de puissance." Toulouse 3, 2007. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00153597.

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Abstract:

L'analyse et la conception des systèmes en électronique de puissance nécessitent la prise en compte de phénomènes complexes propres à chaque composant du système mais aussi en accord avec son environnement. La description précise du comportement d'un système passe par la simulation utilisant des modèles suffisamment précis de tous ces composants. Dans notre étude, les modèles basés sur la physique des semiconducteurs permettent de décrire le comportement de la charge stockée dans la base large et peu dopée des composants bipolaires. Cette description fine est indispensable à la bonne précision

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20

Nouman, Ziad. "Užití programovatelných hradlových polí v systémech průmyslové automatizace." Doctoral thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2016. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-234615.

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Abstract:

Tato disertační práce se zabývá využitím programovatelných hradlových polí (FPGA) v diagnostice měničů, využívajících spínaných IGBT tranzistorů. Je zaměřena na budiče těchto výkonových tranzistorů a jejich struktury. Přechodné jevy veličin, jako jsou IG, VGE, VCE během procesu přepínání (zapnutí, vypnutí), mohou poukazovat na degradaci IGBT. Pro měření a monitorování těchto veličin byla navržena nová architektura budiče IGBT. Rychlé měření a monitorování během přepínacího děje vyžaduje vysokou vzorkovací frekvenci. Proto jsou navrhovány paralelní vysokorychlostní AD převodníky (> 50 MSPS). Pr

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21

Lefebvre, Stéphane. "Contribution à la caractérisation de l'IGBT en commutation à zéro de courant." Cachan, Ecole normale supérieure, 1994. http://www.theses.fr/1994DENS0009.

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Abstract:

Cette étude analyse la commutation de blocage d'un igbt utilise en commutation quasi-résonnante a zéro de courant. Deux igbt de structure technologique différente ont été étudiés, le premier est à base non homogène et a couche tampon, le second à base homogène et contrôlé d'injection de charges par l'émetteur. L'évolution de la charge stockée dans la base du transistor bipolaire interne au blocage est suivie et analysée à l'aide de simulations et d'expérimentations. Différents éléments interviennent sur l'évacuation de la charge stockée donc sur les pertes au blocage, qu'ils soient propres au

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Lembeye, Yves. "Métrologie de la commutation de puissance rapide : contribution à la caractérisation et à la recherche d'un modèle d'IGBT." Phd thesis, Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0010.

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Abstract:

Aujourd'hui l'outil le plus utilisé par les spécialistes d'électronique de puissance est l'oscilloscope numérique. Tant que ces appareils sont utilisés pour vérifier le fonctionnement de circuits, leur précision est, généralement, suffisante. En revanche lorsqu'ils sont utilisés pour caractériser des interrupteurs de puissance, la précision nécessaire ne peut pas être atteinte directement. Les modes opératoires doivent être optimisés et les mesures doivent être corrigées pour obtenir une précision satisfaisante. La mise en place de ces corrections demande du temps et nécessite, souvent, l'util

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Zabihi, Sasan. "Flexible high voltage pulsed power supply for plasma applications." Thesis, Queensland University of Technology, 2011. https://eprints.qut.edu.au/48137/1/Sasan_Zabihi_Sheykhrajeh_Thesis.pdf.

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Abstract:

Demands for delivering high instantaneous power in a compressed form (pulse shape) have widely increased during recent decades. The flexible shapes with variable pulse specifications offered by pulsed power have made it a practical and effective supply method for an extensive range of applications. In particular, the release of basic subatomic particles (i.e. electron, proton and neutron) in an atom (ionization process) and the synthesizing of molecules to form ions or other molecules are among those reactions that necessitate large amount of instantaneous power. In addition to the decompositi

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Chen, Lihua. "Intelligent gate drive for high power MOSFETs and IGBTs." Diss., 2008.

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Abstract:

Thesis (Ph. D.)--Michigan State University. Dept. of Electrical and Computer Engineering, 2008.<br>Title from PDF t.p. (viewed on July 23, 2009) Includes bibliographical references (p. 243-252). Also issued in print.

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Gupta, Kaustubh. "Design, Simulation and Modeling of Insulated Gate Bipolar Transistor." Thesis, 2013. http://hdl.handle.net/1969.1/151277.

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Abstract:

The market for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is growing and there is a need for techniques to improve the design, modeling and simulation of IGBT. In this thesis, we first developed a new method to optimize the layout and dimensions of IGBT circuits based on device simulation and combinatorial optimization. Our method leads to the optimal IGBT layout consisting of hexagons, which is 6 % more efficient in terms of performance (current per unit area) over that of squares, and up to 80 % more efficient than rectangles. We also explored several techniques to reduce the time used for dev

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Liao, Li-Feng, and 廖麗鳳. "Structure Design of Trench Type Insulated-Gate Bipolar Transistors." Thesis, 2014. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/44730090880226936125.

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Abstract:

碩士<br>國立臺灣科技大學<br>電子工程系<br>102<br>Power devices act as a switch to control the power delivered to the load. In this thesis, a novel trench-type insulated-gate bipolar transistor device has been proposed without p-n-p-n latch-up phenomenon, which shows better characteristics as compared with the conventional trench-gate power MOSFET. Moreover, by using the design of device structure and/or fabrication process to enhance the band-to-band tunneling or increase the electric field in drift region, the on-current of the trench-gate TFET-IGBT can be effectively improved. Accordingly, proper p+ sourc

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Lin, Wei-Jye, and 林偉捷. "Analysis of Switching Speed Improvement in Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) By Electron Irradiation." Thesis, 2000. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/54388837044773115923.

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Abstract:

碩士<br>國立清華大學<br>電子工程研究所<br>88<br>Electron Irradiation is a technique used to control the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) switching performance. It can reduce the minority carrier lifetime and increase the recombination rate of the excess minority carriers by generating the atomic displacement and trap centers in the drift region of the IGBTs. However, electron irradiation induces undesired effects on other parameters, such as forward voltage drop and threshold voltage. In this thesis, we design a series of electron irradiation dosage to optimize the steady states and swit

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楊宗翰. "Failure mechanisms of Cu-Al wedge bonding under electromigration test in insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules." Thesis, 2013. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/44843590268650273775.

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Beutel, Andreas Alan. "A novel test method for minimising energy costs in IGBT power cycling studies." Thesis, 2008. http://hdl.handle.net/10539/4614.

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Abstract:

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are popular power electronic switching devices with several advantages. However, they have been known to fail in the field when subjected to significant variations in power dissipation – known as power cycling. In the work presented here, a novel alternating-current (AC) power cycling test method for IGBTs together with their free-wheeling diodes is proposed and verified. A review of previous work revealed that the parameter that most affects IGBT lifetime under power cycling conditions is the variation in its junction-case temperature differe

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Πρωιμάδης, Ιωάννης. "Μελέτη και κατασκευή συστήματος οδήγησης σύγχρονου κινητήρα μαγνητικής αντίδρασης (reluctance)". Thesis, 2012. http://hdl.handle.net/10889/6225.

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Abstract:

Η παρούσα διπλωματική πραγματεύεται τη μελέτη και κατασκευή ενός κυκλώματος οδήγησης ενός Σύγχρονου Κινητήρα Μαγνητικής Αντίδρασης. Η εργασία αυτή εκπονήθηκε στο Εργαστήριο Ηλεκτρομηχανικής Μετατροπής Ενέργειας του τμήματος Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών της Πολυτεχνικής Σχολής του Πανεπιστημίου Πατρών. Σκοπός είναι η μελέτη και κατασκευή ενός κυκλώματος Τριφασικού Αντιστροφέα Πηγής Τάσης, ο οποίος θα επιτρέπει την υλοποίηση βαθμωτού και διανυσματικού ελέγχου της λειτουργίας του Σύγχρονου Κινητήρα Μαγνητικής Αντίδρασης. Στην παρούσα διπλωματική εργασία υλοποιήθηκε βαθμω

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Hedayati, Mohammad Hassan. "Integrated CM Filter for Single-Phase and Three-Phase PWM Rectifiers." Thesis, 2015. http://etd.iisc.ac.in/handle/2005/3947.

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Abstract:

The use of insulated-gate bipolar transistor (IGBT)-based power converters is increasing exponentially. This is due to high performance of these devices in terms of efficiency and switching speed. However, due to the switching action, high frequency electromagnetic interference (EMI) noises are generated. Design of a power converter with reduced EMI noise level is one of the primary objectives of this research. The first part of the work focuses on designing common-mode (CM) filters, which can be integrated with differential-mode (DM) filters for three-phase pulse-width modulation (PWM) recti

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Hedayati, Mohammad Hassan. "Integrated CM Filter for Single-Phase and Three-Phase PWM Rectifiers." Thesis, 2015. http://etd.iisc.ernet.in/2005/3947.

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Abstract:

The use of insulated-gate bipolar transistor (IGBT)-based power converters is increasing exponentially. This is due to high performance of these devices in terms of efficiency and switching speed. However, due to the switching action, high frequency electromagnetic interference (EMI) noises are generated. Design of a power converter with reduced EMI noise level is one of the primary objectives of this research. The first part of the work focuses on designing common-mode (CM) filters, which can be integrated with differential-mode (DM) filters for three-phase pulse-width modulation (PWM) recti

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