Academic literature on the topic 'Intégration à faible distorsion'

Le cisaillement gravitationnel cosmologique (ou cosmic shear) induit par les grandes structures de l'Univers engendre un champ de distorsion qui modifie l'ellipticité apparente des galaxies. Les propriétés statistiques de ce champ en fonction de l'échelle angulaire reflétent celles du spectre de puissance de la matiére noire projeté sur la ligne de visée et peuvent être exploitées pour contraindre les paramétres cosmologiques. Dans cette thése, j'explore les effets de distorsion gravitationnelle ultra-faible induits par les trés grandes échelles, d'une minute d'arc jusqu'à 4 degrés, de la distribution des structures de l'Univers. Pour cela j'utilise les données des trois premiéres années d'observation du CFHTLS Wide. Les résutats des analyses du cosmic shear apportent des contraintes fortes sur la relation entre la normalisation du spectre de puissance de la matiére, \sigma_8, et son paramétre de densité, \Omega_m. En supposant un univers plat, l'analyse de la fonction àdeux points donne \sigma_85(\Omega_m/0. 25)^0. 64 = 0. 785 +- 0. 043, en utilisant un filtre compensé de type aperture-mass et en couvrant l'ensemble des échelles [1';230']. Ces résultats sont en excellents accord avec ceux de WMAP3. Avec de telles échelles, on peut alors contraindre les paramétres cosmologiques en utilisant pour la premiére fois des mesures de cisaillement gravitationnel dans le régime linéaire.

De nos jours, les modules hyperfréquences doivent de plus en plus présenter non seulement des performances électriques sans cesse améliorées mais aussi des fonctionnalités nouvelles ainsi que de fortes compacités, et des coûts de fabrication les plus réduits possibles. Les perspectives attractives apportées par l'utilisation des technologies SiGe permettent aujourd'hui d'envisager la réalisation de circuits intégrés jusqu'aux fréquences millimétriques tandis que, dans le même temps, le développement rapide des technologies MEMS RF permet de réaliser de nouvelles fonctionnalités au niveau des circuits radiofréquences. Dans la première partie de ce mémoire, nous proposons un concept d'amplificateur faible bruit reconfigurable en fréquence (HIPERLAN et BLUETOOTH), basé sur l'association des technologies SiGe et MEMS RF. Conception et performances simulées des amplificateurs élaborés à la fois pour une intégration monolithique et une autre par fil de souduresont alors présentées. La deuxième partie est entièrement consacrée à la conception et la réalisation des MEMS RF suivant les spécifications que nous avons établi lors de la première partie. Conception, réalisation et caractérisation des structures MEMS RF sont présentés, pour aboutir à l'obtention de performances situées à l'état de l'art pour des capacités autant séries que parallèles. La dernière partie, traite de l'assemblage entre les deux technologies MEMS et SiGe, avec trois études réalisées sur une intégration monolithique dite « Above IC », un assemblage par fils de soudure et un assemblage Flip Chip. Au final, des modules de test assemblés sont présentés et caractérisés

De nos jours, les modules hyperfréquences doivent de plus en plus présenter non seulement des performances électriques sans cesse améliorées mais aussi des fonctionnalités nouvelles ainsi que de fortes compacités, et des coûts de fabrication les plus réduits possibles. Les perspectives attractives apportées par l'utilisation des technologies SiGe permettent aujourd'hui d'envisager la réalisation de circuits intégrés jusqu'aux fréquences millimétriques tandis que, dans le même temps, le développement rapide des technologies MEMS RF permet de réaliser de nouvelles fonctionnalités au niveau des circuits radiofréquences. Dans la première partie de ce mémoire, nous proposons un concept d'amplificateur faible bruit reconfigurable en fréquence et basé sur l'association des technologies SiGe et MEMS RF. Conception et performances simulées des amplificateurs élaborés à la fois pour une intégration monolithique et une autre par fil de soudure sont alors présentées. La deuxième partie est entièrement consacrée à la conception et la réalisation des MEMS RF suivant les spécifications que nous avons établi lors de la première partie. Conception, réalisation et caractérisation des structures MEMS RF sont présentés, pour aboutir à l'obtention de performances situées à l'état de l'art pour des capacités autant séries que parallèles. La dernière partie, traite de l'assemblage entre les deux technologies MEMS et SiGe, avec trois études réalisées sur une intégration monolithique dite " Above IC ", un assemblage par fils de soudure et un assemblage Flip Chip. Au final, des modules de test assemblés sont présentés et caractérisés<br>Nowadays, high frequencies modules must present electric performances unceasingly improved but also, new functionalities as well as strong compactness, and manufacturing costs, which are more and more reduced. SiGe technologies enables to plan the realization of integrated circuits until the millimetre-length frequencies while, in the same time, the fast development of RF MEMS technologies makes possible to design new functionalities. Within the framework of this memory, we will present the development of a reconfigurable in frequency Low Noise Amplifier at HIPERLAN (5. 5 GHz) and BLUETOOTH (2. 45 GHz) frequencies, thanks to the specific association of the SiGe technologies developed by STMicroelectronics and RF MEMS elaborated at LAAS-CNRS. In the first part of this memory, we propose the concept of a reconfigurable in frequency Low Noise Amplifier, which is assembled in post-processing with RF MEMS varactors on the integrated SiGe circuit. Design and simulated performances of amplifiers integrated monolithically or through wire bonding are presented. The second part is entirely devoted to the design and the realization of RF MEMS, according to the different specifications defined previously. Electromagnetic and mechanical considerations and optimised process are presented. The RF MEMS characterization led to performances located at the state of the art for varactors. The last part is dedicated to the assembly of both MEMS and SiGe technologies. Monolithic (currently called Above IC), flip chip and wire bonding integrations have been studied. Finally the assembled test modules are presented and characterized

Ce travail porte sur la conception, la realisation et la caracterisation d'amplificateurs hyperfrequences de puissance en technologie bipolaire a heterojonction gaalas/gaas pour communications spatiales. Les travaux debutent par l'analyse des besoins en composants pour les communications spatiales. La comparaison, des performances du transistor bipolaire a heterojonction (tbh) gaas avec celles du transistor bipolaire silicium et des transistors a effet de champ gaas est presentee. Par la suite, un modele electrique non lineaire et thermoelectrique du tbh est etabli, en utilisant les methodes classiques de caracterisation statique et dynamique. Les problemes de stabilisation du tbh en temperature ont ete traites et les valeurs des resistances de stabilisation ont ete optimisees, en utilisant une analyse tridimensionnelle complete, couplee avec le modele thermoelectrique tenant compte des proprietes specifiques du tbh. Une etude de stabilite utilisant des circuits de contre reaction sans pertes a ete menee. Une contre reaction serie capacitive a permis d'obtenir une stabilite inconditionnelle, dans toute la bande de frequence, pour un transistor de moyenne puissance monte en base commune. De meme, nous avons mis au point une contre reaction parallele utilisant un quadripole sans pertes, permettant de stabiliser un transistor en emetteur commun, tout en ameliorant son gain dans la bande d'utilisation. La modelisation et le travail d'optimisation sur le composant ont ete concretises par la conception de deux amplificateurs de puissance en bande c pour antenne active: un amplificateur hybride de moyenne puissance et un amplificateur monolithique de puissance a trois etages. Le transistor de puissance de l'amplificateur monolithique comporte 128 doigts d'emetteur avec une longueur totale d'emetteur de 2. 56 mm. L'espacement entre les doigts d'emetteur et la resistance de stabilisation sur chaque doigt ont ete optimises dans le but d'uniformiser la distribution de la temperature