Academic literature on the topic 'Interactions électron-phonon'

Lix ZrNCl is a layered superconductor with a double-honeycomb structure whose critical superconducting temperature (TC ) increases upon doping reduction. This is unexpected, since this system presents parabolic bands centered on the zone boundary K point, and a quasi-2D electron-gas structure with an almost constant density of states. As such, it can be considered the physical realization of a valley-degenerate electron gas. In the first part of this thesis, we present a theoretical investigation of the superconducting properties of Lix ZrNCl as a function of doping using Density Functional Theory. The computed vibrational spectra display a strong coupling in the reciprocal space region near the high-symmetry Γ and K special points. The predicted critical temperatures are in agreement with the experiments at high doping, but do not explain the low-doping TC enhancement. In the second part of the thesis, we establish an exact mapping between the electron-phonon Hamiltonian in a many-valley system and the Hamiltonian of an electron gas in a magnetic field. Quantum Monte Carlo fully-correlated calculations are used to correct the Density Functional theory results. We found that the inclusion of many-body effects leads to an enhancement of TC at low doping via a doping-dependent renormalization of the electron-phonon coupling. This enhancement depends strongly on the thickness of the electronic layer and the interactions with the neighbouring charged planes. Due to the fundamental nature of this mechanism, we expect to find the same low electron-density behavior in a wide class of many-valley layered materials<br>Lix ZrNCl est un supraconducteur lamellaire; sa température critique supraconductrice (TC ) augmente lorsque la quantité de dopant dans le matériau est réduite. Ce comportement est inattendu, car le système présente des bandes paraboliques centrées sur les points spéciaux à haute symétrie K et une structure électronique quasi-2D, avec une densité d’états presque constante. Lix ZrNCl peut être considéré comme la réalisation physique d’un gaz d’électrons avec deux vallées dégénérées. Dans la première partie de cette thèse, nous étudions les propriétés supraconductrices en fonction du dopage de Lix ZrNCl en utilisant la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT). Les spectres vibrationnels du système montrent un fort couplage dans la région proche de Γ et K. Les températures critiques calculées sont en accord avec les données expérimentales à haut dopage, mais n’expliquent pas la hausse de TC à bas dopage. Dans la deuxième partie de la thèse, on établit une correspondance exacte entre l’Hamiltonien électron-phonon d’un système à plusieurs vallées et l’Hamiltonien d’un gaz d’électrons dans un champ magnétique. Des calculs Monte Carlo Quantique sont utilisés pour corriger les résultats obtenus avec la DFT. L’inclusion des effets à N-corps provoque une hausse de la température critique à bas dopage, due à la renormalisation de l’interaction électron-phonon. Cette augmentation dépend fortement de l’épaisseur de la couche électronique et des interactions avec les autres plans chargés. À cause de la nature fondamentale de ce mécanisme, nous nous attendons à trouver un comportement similaire sur une grande gamme de matériaux présentant une dégénérescence de vallées

Nous étudions de manière théorique l'influence du couplage électron-phonon sur les excitons dans les microsphères de semi-conducteur. Nous décrivons les états électroniques à l'aide d'un modèle à deux bandes non dégénérées dans le cadre de l'approximation de la fonction enveloppe. L'effet du confinement quantique est décrit par l'intermédiaire d'un puits de potentiel infiniment profond, et nous considérons l'approximation adiabatique afin de rendre compte du couplage électron-phonon. Nous utilisons tout d'abord le modèle du pseudo-donneur: le trou, bien plus lourd que l'électron, est supposé fixe au centre de la sphère. Un calcul variationnel de l'énergie de l'état fondamental nous permet de montrer que l'énergie d'interaction exciton-phonon est fortement dépendante de la taille de la microsphère. Nous décrivons ensuite l'exciton en tenant compte du mouvement du trou, par l'intermédiaire d'une fonction enveloppe d'essai à cinq paramètres. Nous déterminons alors le facteur de Huang-Rhys S associé à l'exciton, qui est une mesure du couplage des porteurs de charge avec les phonons optiques et de l'extension de la densité de charge excitonique, dans des sphères de CuCl et CdSe de petite taille. Ce modèle est toutefois mal adapté au cas de composés présentant des bandes de valences dégénérées tel CdSe. Le modèle simple du pseudo-donneur nous permet d'obtenir des résultats en accord avec l'expérience<br>We study theoreticaly the influence of electron-phonon interaction on excitons in spherical semiconductor microcrystals. The effect of the quantum confinement is described by an infinitely deep potential well in the framework of the envelope function approximation associated with two non degenerate bands. The electron-optical phonon coupling is treated within the adiabatic approximation. We consider first the donorlike exciton model : the hole, much heavier than the electron, is located at the center of the microsphere. A variational calculation of the ground-state energy allows us to show that the exciton-optical phonon interaction energy is strongly size dependent. Then we describe the ground-state exciton considering the hole motion by the use of a five parameter trial envelope function. We determine the Huang-Rhys factor S associated to the exciton, which is a measure of the charge-carrier-optical phonon coupling and the extent of the exciton charge distribution, in small microspheres in the case of CuCl and CdSe. However this model is not well adapted to compounds exhibiting degenerated valence bands as CdSe. The simple theoretical model of a donorlike exciton is in agreement with experiment

L'interaction entre les électrons et les phonons dans la matière condensée est responsable du couplage de leurs équations de transport, ce qui donne lieu à des effets d’entrainements mutuels sous l'effet d'un gradient de température (effet Seebeck) ou d'un courant de charge (effet Peltier). Dans certains matériaux, ces effets, connus sous le terme anglophone de « phonon drag », conduisent à des valeurs de coefficient Seebeck très élevées. Ils se manifestent généralement à basse température lorsque le libre parcours moyen des phonons est important, près du maximum en température de la conductivité thermique de réseau. Historiquement, ces effets de « drag » entre les électrons et les phonons ont été mis de côté dans les stratégies de recherche en thermoélectricité car ils coïncident avec un maximum de la conductivité thermique du réseau, ce qui limite l'efficacité thermoélectrique. Toutefois, des études réalisées en 2008 sur des systèmes de silicium nanostructurés ont montré que des effets Seebeck significatifs dus à ces effets de « drag » peuvent coexister avec une faible conductivité thermique du réseau. Les travaux théoriques traitant les équations de transport couplées ont apporté de nouvelles perspectives, démontrant que les états de phonons dominant le transport de chaleur sont distincts de ceux qui sont principalement impliqués dans les effets de drag. L'objectif de ma thèse était de réaliser des expériences pour explorer un nouveau concept d’effets « drag » entre les électrons et les phonons, séparés par une interface. J'ai étudié les propriétés de transport des électrons confinés dans un canal conducteur sous la surface d'un diamant cristallin agissant comme un bain de phonon externe constitué d’états de phonon propagatifs. Mon travail inclut l’élaboration des systèmes, leur caractérisation structurale et le développement de protocoles de mesure pour la conductance et le coefficients Seebeck pour des systèmes conducteurs enterrés. J'ai étudié les propriétés de transport de canaux produits dans différentes conditions d'implantation et de recuit pour comprendre les liens entre leur microstructure et leurs propriétés de transport électronique. Dans la première étude, j'ai mesuré la conductance et le coefficient Seebeck dans des canaux épais (~145 nm) enfouis à environ 200 nm sous la surface du diamant. Ces canaux, créés par implantation ionique d'hélium à une fluence modérée suivie d'un recuit à haute température, présentaient principalement une microstructure graphitique. À température ambiante, la conductance est proche de celle du graphite massif. Le coefficient Seebeck présentait un comportement à basse température similaire à celui du graphite, avec un pic négatif attribué aux effets de traînée. Toutefois, ce pic est apparu à une température nettement plus élevée que dans le cas du graphite massif, ce qui pourrait être une première indication des contributions supplémentaires des phonons du diamant. Dans la seconde étude, j'ai examiné des canaux de dimensions similaires mais soumis à une fluence d'implantation plus faible ou recuits à des températures plus basses. Ces canaux présentent une microstructure désordonnée complexe composée d'agrégats d'atomes de carbone avec une hybridation sp, sp² et sp³. La conductance et le coefficient Seebeck en fonction de la température varient de manière significative par rapport à la première étude. Le coefficient Seebeck est positif et atteint plusieurs milliers de µV/K à basse température. Les propriétés de transport ont été interprétées à l'aide de la théorie du chaos quantique. Mon travail montre la faisabilité des mesures de conductance et du coefficient Seebeck à basse température à travers des canaux conducteurs enfouis sous la surface du diamant et met en évidence la richesse des propriétés de conduction de ces canaux qui peuvent être accordées en contrôlant leur microstructure par un choix judicieux des paramètres d'implantation et de recuit<br>The interaction between electrons and phonons in condensed matter is responsible for the coupling of their transport equations, which gives rise to mutual drag effects between them under the effect of a temperature gradient (Seebeck effect) or a charge current (Peltier effect). In some bulk materials, these drag effects, better known as “phonon drag”, lead to very high Seebeck coefficient values at low temperatures. It usually manifests at low temperatures when the phonon mean free path is large, near the maximum in temperature of the lattice thermal conductivity in dielectric crystals, which occurs due to reduced phonon-phonon scattering. Historically, phonon drag has been overlooked in thermoelectric research as it coincides with the maximum in the lattice thermal conductivity peak, potentially reducing overall thermoelectric efficiency. However, studies in 2008 on nanostructured silicon systems contradicted this, demonstrating that significant Seebeck effects from phonon drag can coexist with low lattice thermal conductivity. Theoretical works treating the coupled transport equations offered new insights, demonstrating that phonon states dominating heat transport are distinct in phase space, in wave-vector, and energy from those mainly involved in drag effects. The aim of my thesis was to carry out experiments to explore a novel concept of phonon drag between electron and phonon gases, separated by an interface. I studied transport properties of electrons confined to a conductive channel beneath the surface of a crystalline diamond acting as an external phonon bath with propagative phonon states. My thesis involved system construction, structural characterization, development of measurement protocols for conductance and Seebeck coefficients, and adaptation of these measurements for buried conductive systems. I analyzed the transport properties of channels produced under different implantation and annealing conditions to understand how the microstructure of the channel influences electronic transport properties. In the first study, I measured conductance and the Seebeck coefficient in thick channels (~145 nm) buried about 200 nm below the diamond surface. These channels, created via helium ion implantation at moderate fluence followed by high-temperature annealing, displayed mostly a graphitic microstructure. At room temperature, the conductance was close to that of bulk graphite. The Seebeck coefficient exhibited low-temperature behavior akin to graphite, with a negative peak attributed to drag effects. However, this peak occurred at a significantly higher temperature compared to solid graphite, which could be a first indication of additional contributions from diamond phonons. In the second study, I examined channels with similar dimensions but subjected to lower implantation fluence or annealed at lower temperatures. These channels exhibited a highly disordered microstructure composed of aggregates of carbon atoms with sp, sp², and sp³ hybridization. The temperature-dependent conductance and Seebeck coefficient varied significantly from the first study. The Seebeck coefficient is positive and reached several thousand µV/K at low temperatures. The transport properties were interpreted using quantum chaos theory. My work shows the feasibility of conductance and Seebeck coefficient measurements at low temperature through conductive channels buried beneath the diamond surface and highlights the rich conduction properties of such channels which can be tuned by controlling their microstructure through a careful choice of implantation and annealing parameters

Les phonons contribuent à la diffusion inélastique résonante des rayons X (RIXS) du fait du couplage entre les degrés de liberté électronique et ceux du réseau. Contrairement à d'autres techniques sensibles aux interactions électron-phonon, la technique RIXS peut donner accès aux constantes de couplage dépendantes du moment. Des informations sur la dispersion de l'interaction électron-phonon sont très précieuses dans le contexte de la supraconductivité anisotrope conventionnelle et non conventionnelle.Nous avons considéré la contribution des phonons sur la diffusion RIXS d’un point de vue théorique. Contrairement aux études précédentes nous soulignons le rôle du couplage du réseau avec les trous de cœur. Notre modèle, avec les paramètres obtenus ab-initio, montre que même dans le cas d'un trou de coeur profond, la technique RIXS sonde le couplage exciton-phonon plutôt qu’un couplage direct électron-phonon.Cette différence conduit à des écarts quantitatifs et qualitatifs pour le couplage électron-phonon implicite par rapport à l'interprétation standard dans la littérature. Ainsi, notre objectif est de développer une approche rigoureuse pour quantifier le couplage électron-phonon dans le contexte des mesures de diffusion RIXS. La possibilité de reproduire avec précision les résultats expérimentaux à partir des calculs ab-initio, sans recourir à des paramètres ajustés, doit être considérée comme le test ultime d'une compréhension correcte de la contribution des phonons sur la diffusion RIXS.Nous commençons notre travail en considérant uniquement l’interaction trou de coeur-phonon dans le contexte de la spectroscopie par photoémission de rayons X. Nous combinons un calcul ab-initio de la fonction de réponse en espace réel avec des techniques de fonctions de Green à plusieurs corps pour reproduire les bandes latérales vibrationnelles dans les molécules SiX4 (X = H, F). L'approche que nous avons développée peut être appliquée aux matériaux cristallins.Nous examinons ensuite la contribution des phonons aux spectres d'absorption des rayons X. Contrairement aux excitations chargées générées par la photoémission par rayons X, l'absorption des rayons X crée une excitation neutre que nous approchons en tant que trou de cœur et électron excité. Nous résolvons d’abord la partie électronique du problème au niveau de l’équation de Bethe-Salpeter, puis nous habillons la quasi-particule excitonique à 2 particules résultante avec les interactions exciton-phonon en utilisant l’Ansatz des cumulants. La viabilité de cette méthode a été testée en calculant le seuil K XAS de la molécule N2 et le seuil K d’Oxygène de l’acétone. Les spectres vibrationnels obtenus concordent avec les résultats expérimentaux.Enfin, nous construisons une formulation hybride de la section transversale RIXS qui préserve la sommation explicite sur un petit nombre d'états finals, mais remplace la sommation sur les états intermédiaires, ce qui pourrait être extrêmement coûteux, par une fonction de Green. Nous avons obtenu un développement de la fonction de Green et dérivé des solutions analytiques exactes (dans la limite de non-recul) et approximatives. Le formalisme a de nouveau été testé sur le seuil K de l'acétone et est bien en accord avec l'expérience. En perspectives des travaux futurs, nous discutons de l’applicabilité de notre formalisme aux matériaux cristallins<br>Phonons contribute to resonant inelastic X-ray scattering (RIXS) as a consequence of the coupling between electronic and lattice degrees of freedom. Unlike other techniques that are sensitive to electron-phonon interactions, RIXS can give access to momentum dependent coupling constants. Information about the dispersion of the electron-phonon interaction is highly desirable in the context of understanding anisotropic conventional and unconventional superconductivity.We considered the phonon contribution to RIXS from the theoretical point of view. In contrast to previous studies, we emphasize the role of the core-hole lattice coupling. Our model, with parameters obtained from first principles, shows that even in the case of a deep core-hole, RIXS probes exciton-phonon coupling rather than a direct electron-phonon coupling.This difference leads to quantitative and qualitative deviations from the interpretation of the implied electron-phonon coupling from the standard view expressed in the literature. Thus, our objective is to develop a rigorous approach to quantify electron-phonon coupling within the context of RIXS measurements. The ability to accurately reproduce experimental results from first-principles calculations, without recourse to adjustable parameters, should be viewed as the ultimate test of a proper understanding of the phonon contribution to RIXS.We start by considering only the core-hole--phonon interaction within the context of X-ray photoemission spectroscopy. We combine an ab initio calculation of the real-space response function with many-body Green's functions techniques to reproduce the vibrational side-bands in SiX4 (X=H, F) molecules. The approach we developed is suitable for application to crystalline materials.We next consider the phonon contribution to X-ray absorption spectra. Unlike the charged excitations generated by X-ray photoemission, X-ray absorption creates a neutral excitation that we approximate as a core-hole and an excited electron. We first solved the electronic part of the problem on the level of the Bethe-Salpeter equation and then dressed the resulting 2-particle excitonic quasiparticle with the exciton-phonon interactions using the cumulant ansatz. The viability of this methodology was tested by calculating the N K-edge XAS of the N2 molecule and the O K-edge of acetone. The resulting vibronic spectra agreed favorably with experimental results.Finally, we construct a hybrid formulation of the RIXS cross section that preserves explicit summation over a small number of final states, but replaces the summation over intermediate states, which might be enormously expensive, with a Green's function. We develop an expansion of the Green's function and derive both analytically exact (in the no-recoil limit) and approximate solutions. The formalism was again tested on the O K-edge of acetone and agrees well with the experiment. To provide an outlook towards future work, we discuss application of the developed formalism to crystalline materials

Ce travail de thèse a pour objet l'étude de l'émission de lumière assistée par les ondes de surface, plasmoniques sur tungstène et phononiques sur carbure de silicium. Nous nous sommes intéressés à l'émission thermique cohérente de réseaux lamellaires (1D) ainsi que de réseaux de plots (2D). L'excitation thermique des ondes de surface sur ces structures confère à ces sources une forte cohérence spatiale, ce qui se traduit par une émissivité importante et très directive. Nous avons mesuré des pics d'émissivité de 0. 9° de largeur sur un réseau en tungstène pour une longueur d'onde de 4 um. Nous avons étudié, théoriquement et expérimentalement, le rayonnement de ces structures dans tout l'espace libre, sans nous limiter aux plans perpendiculaires aux traits des réseaux. Nous montrons que les simples conditions de couplage des modes d'interface avec l'espace libre permettent de retrouver les profils d'émissivité de ces réseaux. Nous présentons des mesures sur un réseau 2D en SiC montrant un pic d'émissivité supérieur à 90%, très collimaté en polarisation TM, pour une longueur d'onde de 12 um. Nous montrons également une forte émissivité en polarisation TE, ce qui révèle un couplage efficace entre l'espace libre et les phonons de surface qui sont pourtants polarisés TM. Nous avons obtenu un accord quantitatif entre l'ensemble de nos mesures d'émissivité et nos calculs numériques. Nous avons également étudié théoriquement l'interaction des électrons excités dans un puits quantique en GaAs avec les phonons de surface. Après avoir quantifié les ondes de surfaces, nous avons calculé la durée de vie des électrons associée à l'émission de mode d'interface en utilisant l'opérateur  p̂. Nous obtenons des durées de vie de l'ordre de 10-12 s pour la transition par émission d'un phonon d'un électron se trouvant dans le bas de la deuxième bande d'un puits vers la bande 1. Nous en déduisons que les puits quantiques peuvent se révéler être de bon candidats pour l'émission d'onde de surface. Des travaux de recherche initiés par Lambe et McCarthy avaient montré que des dispositifs métal-oxyde-métal (MOM) émettaient de la lumière visible, le principe d'émission étant l'excitation de modes d'interface par injection de courant, qui sont ensuite diffractés par la rugosité ou par un réseau. Nous avons étudié une structure originale destinée à exciter des plasmons dans le domaine infrarouge au moyen d'électrons chauds dans InGaAs dans le but de la coupler avec l'espace libre par un réseau métallique optimisé. Le rayonnement non thermique s'avère inférieur à ce qu'il est pour les dispositifs MOM.

Etude du deplacement spectral et de l'elargissement de la raie ir de la vibration a 2143 cm⁻¹ de co, adsorbe sur pt, du fait des interactions electron-phonon et a l'aide de la theorie de brivio et grimley etendue a l'ensemble des orbitales sigma et pi liantes et antiliantes de co: il existe un transfert de charge de co vers pt et toutes les orbitales de valence participant au deplacement et a l'elargissement de la raie ir

Ce travail utilise la spectroscopie infrarouge d'excitons vibrationnels dans un cristal moleculaire, la phenothiazine, pour etudier sa transition de phase structurale. On montre comment l'evolution, en fonction de la temperature, de la structure de multiplets de bande d'absorption infrarouge, constitue un procede d'etude simple des transitions de phase du second ordre, pour un cristal moleculaire. Le modele de l'exciton moleculaire de davydov est rappele, ainsi que la theorie de landau, qui predit que le parametre d'ordre (t) d'une transition de phase du second ordre doit suivre pour tout t < t#c la loi suivante: (t) = 0 (t#c-t)#b, avec b compris entre 0,25 et 0,5. Pour caracteriser la transition de phase orthorhombique monoclinique a t#c = 250 k nous avons choisi comme parametre d'ordre l'ecart en frequence entre deux niveaux excitoniques, et pour verifier la loi de landau, nous avons etudie l'evolution en fonction de la temperature et au voisinage du changement de phase, des bandes d'absorption infrarouge de la phenothiazine. En mesurant l'ecart en frequence des composantes excitoniques, en fonction de t < t#c, on a trouve pour b une valeur voisine de 0,45, conforme a la theorie de landau. Une interpretation du mecanisme de changement de phase est proposee a la lumiere des theories ci-dessus, en precisant la relation existante entre la contrainte de cisaillement e#5 = e#z#x du cristal et l'ecart v des frequences. On en deduit que cette contrainte a une variation de la forme (t#c-t)#b', avec b' de l'ordre de 0,22. En conclusion, la transition de phase de la phenothiazine a t#c = 250 k est une transition structurale du second ordre et qui possede un comportement ferroelastique impropre, le parametre d'ordre etant l'ecart en frequence des composantes excitoniques

La cohérence de spin excitonique est étudiée, dans une première partie, dans un échantillon de semi-conducteur massif par la technique du mélange à quatre ondes (FWM). Le couplage fort exciton-photon dans ce système mène à la formation de polaritons, quasi-particules mixtes exciton-photon, dont les propriétés mêlent les propriétés de la lumière et de la matière. Dans le CuCl, semi-conducteur I-VII, le biexciton, état lié de deux excitons, présente une forte énergie de liaison. Nous montrons qu'il est possible de créer et de sonder la cohérence de spin des excitons par une technique de FWM à trois faisceaux. En nous appuyant sur la modélisation des signaux de mélange d'onde nous montrons que la mesure ne souffre pas des forts effets de dispersion du milieu lorsque la cohérence est sondée par l'intermédiaire du biexciton. Nous trouvons que le temps de cohérence de spin égal le temps de relaxation de spin. L'énergie de photon des impulsions excitatrices est également choisie pour que les termes de corrélation exciton-exciton (amplitude de transition du biexciton) dominent les non-linéarités responsables des signaux de mélange d'onde. Nous mettons alors en évidence la génération de battements quantiques de polaritons induits par la formation du biexciton. Ces battements se révèlent être caractéristiques d'un système fortement corrélé. Dans une deuxième partie, nous nous attachons à l'étude de la relaxation d'énergie des paires électron-trou par émission de phonons optiques longitudinaux dans une structure contenant des boîtes quantiques de CdZnTe. La dynamique des répliques phonons d'une distribution de paire électron-trou photocréée est étudiée par des expériences pompe-sonde à deux couleurs et par photoluminescence résolue en temps (PL-RT). La dynamique aux temps longs (2ps<br>The exciton spin coherence is studied in bulk copper chloride by means of four-wave mixing (FWM) experiments. In this large band gap semiconductor, the strong exciton-photon coupling leads to the formation of polaritons, which are mixed exciton-photon quasi-particles, i. E. Elementary excitations showing mixed light and matter properties. In this I-VII semiconductor the two-exciton bound state, also called biexciton, has an important binding energy. We take advantage of this to show that it is possible to create and to probe an exciton spin coherence in a three beam FWM experiment. Calculations show that the measured spin coherence, probed through the biexciton formation, is not modified by the strongly dispersive properties of the medium. The photon energy of the pulses has to be chosen such that exciton-exciton correlations (biexciton amplitude transition) dominate the nonlinearities. When comparing FWM signal calculations to measured emission, we evidence polariton quantum beats induced by the biexciton formation. These beats are shown to be observable only in a strongly correlated system. In a second part, we present a study of the electron-hole pair energy relaxation by longitudinal-optical phonon emission in a CdZnTe nanostructure, which contains quantum dots. We study the phonon replicas of a photocreated electron-hole distribution and we measure its dynamics by two-colours pump-probe (PP) and time resolved photoluminescence experiments (TR-PL). The long-time dynamics (2ps

La rapidité de la diffusion thermique est une caractéristique essentielle dans les métaux. La possibilité de modéliser le transfert thermique par des simulations de Dynamique Moléculaire est étudiée. Bien qu'il soit possible de tenir compte des effets de la densité électronique, ce type de simulations ne tient habituellement pas compte de la dynamique des électrons libres, comme le préconise l'approximation de Born-Oppenheimer. Nous utilisons le modèle à deux températures (MDT), développé par Anisimov et al. [Anisimov et al., 1974] pour tenir compte du couplage électron-phonon lors des irradiations à haute énergie de matériaux. Les expériences de thermoréflectance recourant à l'irradiation laser de métaux [Hopkins et al., 2011] permettent de mesurer le couplage électron-phonon dans les métaux. Les résultats sont interprétés en utilisant le MDT. Dans ces expériences, le transfert d'énergie se produit sur des échelles de temps de l'ordre de la picoseconde, échelle de temps caractéristique des simulations de Dynamique Moléculaire. Cependant, puisque le couplage électron-phonon n'est pas pris en compte dans les simulations de Dynamique Moléculaire, il est en principe impossible de modéliser la thermoréflectance, et il en va de même pour les autres propriétés relatives au couplage électron-phonon comme la conductivité électrique ou la diffusion de chaleur. Toutefois, il est possible d'étendre la Dynamique Moléculaire en utilisant la Dynamique Moléculaire à Deux Températures (DM2T) proposée par Finnis, Agnew &amp; Foreman [Finnis et al., 1991], originellement implémentée pour tenir compte du pouvoir d'arrêt électronique dans les irradiations aux ions. De cette manière, les résultats expérimentaux de thermoréflectance à température ambiante peuvent être reproduits quantitativement [Malingre et al., 2024], soulignant l'aptitude de la DM2T à reproduire précisément des échanges d'énergie entre les électrons et les vibrations atomiques du réseau cristallin. Une comparaison supplémentaire est effectuée entre la diffusion de chaleur d'un point chaud prédite par la DM2T [Finnis et al., 1991] et par diverses lois de transfert thermique (loi de Fourier, modèles hyperboliques) [Qiu et al., 1993 ; Sobolev, 2016] pour plusieurs métaux. Les résultats obtenus révèlent la limite de la DM2T et la nécessité de développements supplémentaires pour la prise en compte des électrons de conduction, et ils accentuent la possibilité en pratique d'introduire dans la Dynamique Moléculaire des comportements physiques qui caractérisent la dynamique des électrons dans les métaux pour un coût raisonnable en temps de calcul<br>The fast heat diffusion is one essential property of metals. The possibility of modeling thermal transfer through the simulation method of Molecular Dynamics is examined. Although it is possible to account for the effects of electron density, this type of simulation usually does not consider the dynamics of free electrons, as advocated by the Born-Oppenheimer approximation. We employ the two-temperature model (TTM), developed by Anisimov et al. [Anisimov et al., 1974], to account for electron-phonon coupling along high-energy material irradiations. Experimental thermoreflectance measurements involving femto-second laser irradiation of metals [Hopkins et al., 2011] can be used to measure the electron-phonon coupling strength in metals. The results are interpreted using the TTM. In these experiments, the energy transfer occurs at a time scale of pico-seconds, which corresponds to the typical time scale of Molecular Dynamics simulations. However, since electron-phonon coupling is not accounted for in Molecular Dynamics simulations, it is in principle impossible to model thermoreflectance, as well as other properties related to electron-phonon coupling such as electrical conductivity or heat diffusion. It is however possible to extend Molecular Dynamics by using Two-Temperature Molecular Dynamics (2TMD) proposed by Finnis, Agnew &amp; Foreman [Finnis et al., 1991], originally implemented in order to account for electronic stopping power in particule irradiations. To this extent, experimental thermoreflectance results at room temperature can be quantitatively reproduced [Malingre et al., 2024], emphasising the ability of 2TMD to accurately reproduce energy exchanges between electrons and atomic lattice vibrations. An additional comparison is made between the heat diffusion of a thermal spike predicted by 2TMD [Finnis et al., 1991] and various heat transfer laws (Fourier's law, hyperbolic models) [Qiu et al., 1993 ; Sobolev, 2016] for several metals. The results obtained unravels the limits of 2TMD and the need for further developments to account for conduction electrons, as well as it emphasises the possibility in practice of introducing, at a reasonable computational cost, physical behaviours characterizing electron dynamics in metals into Molecular Dynamics simulations